JPH054722B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘ
ツドに関する VTR等の磁気記録再生装置に用いられる磁気
ヘツドとして第６図に示す複合型磁気ヘツドが提
案されている（実開昭56−174119号公報）。これ
はフエライト材等の高固有抵抗磁性材によつて形
成された一対の磁気ヘツド半体２，２の突き合わ
せ面に該磁性材よりも更に飽和磁束密度の高い磁
性体、例えばセンダスト、パーマロイ、アモルフ
アス磁性体等の薄膜３，３を形成して磁気空〓部
近傍に於ける飽和磁束密度を高めたものである。

従来の複合型磁気ヘツドに於ては、センダスト
等の薄膜によつて飽和磁束密度を高めても、薄膜
３が磁気ヘツド半体の接合面に接合する幅Ｔは目
的とするトラツク幅と同一とし、且つ磁気ヘツド
半体はフエライト材によつて形成されているの
で、該接合面でフエライト材の磁気飽和が生じ、
記録能力が低下するという虞れがあつた。

更に従来の複合型磁気ヘツドに於ては、製造方
法による理由から下記の如き構造上の問題があつ
た。即ち、複合型の磁気ヘツドを製造するには第
２図に示す如く、一対の磁気ヘツドブロツク半体
１１，１２の夫々にトラツク幅規制用溝２１を開
設し、両ブロツク半体の突き合わせ部に例えばセ
ンダストの薄膜３を真空蒸着或はスパツタリング
等の公知の成膜技術によつて厚さ数μｍに形成す
る。

該薄膜３の上面には更にSiO₂の非磁性体層４
を同時に成膜技術によつて厚さ約0.1μｍに形成
し、その後両ブロツク半体を第３図に示す如く突
き合わせてトラツク幅規制用溝５に溶融ガラスを
充填し、両ブロツク半体を一体化する。そして、
これを第４図に示す如く適当な厚さにスライスす
れば、上記の非磁性体層４を磁気空〓部とする磁
気ヘツド１が得られる。

ところが上述の製造方法の成膜工程に於ては、
両ブロツク半体の突き合わせ部にスリツト状の開
口を有するマスクを介してセンダストの真空蒸着
或はスパツタリングを施すので、センダストの粒
子の付着状態がマスクの開口縁付近と開口中央部
とで異なつたり、或はセンダストの粒子がマスク
の裏側にも侵入して、均一な厚さの膜が形成され
ず、第６図に示す如く製品となつた複合型磁気ヘ
ツドのセンダストの薄膜３には両端になで肩部３
１，３１が生じる。この様な磁気ヘツドに於ては
トラツク幅Ｗを正確に規定することが出来ないの
で、製品間に記録再生性能のバラツキを引き起こ
していた。

又、上記の問題を解決する為に、両ブロツク半
体にトラツク幅規制用溝を開設する前に接合面全
面にセンダスト及びSiO₂の膜を形成し、その後
これらの膜とフエライトウエハとに同時にダイヤ
モンドブレード或はCBNブレードによる機械加
工を施して、トラツク幅規制用溝５及び非磁性体
層４を形成する方法も採用出来るが、この方法に
よるセンダストの薄膜が加工の際に剥離すること
があつた。剥離部分が大きければ製品として使用
することが出来ないのは勿論であるが、剥離が軽
微であつても第６図に示す如く欠け部３２が生じ
ていることがあり、前述したなで肩部３１と同
様、磁気ヘツドの実質的なトラツク幅Ｗを不確定
なものとしていた。

〔目的〕

本発明の目的は、磁気飽和が生じ難く、然もト
ラツク幅の不確定による製品間の記録再生性能の
バラツキを低減することが可能な構造の複合型磁
気ヘツドを提供することである。

〔構成〕

本発明の構成は、高固有抵抗磁性材であるフエ
ライトよりなる１組の磁気ヘツド半体２，２のう
ち少なくとも一方の磁気ヘツド半体の突き合わせ
部に前記磁性材よりも更に高い飽和磁束密度を有
する磁性材の薄膜３を接合し、該薄膜３と他方の
磁気ヘツド半体との間に前記突き合わせ部と平行
である磁気空〓部を形成した複合型磁気ヘツドに
於て、 前記薄膜３は、磁気空〓部に対向する上面が高
い平面度を有して所定のトラツク幅Ｗと厳密に一
致する幅に形成され、 前記薄膜３の両側面３０，３０は、トラツク幅
Ｗからなる上面の両端から略垂直下方に伸びた
後、トラツク幅方向外側へ湾曲しながら下方へ伸
びて前記一方の磁気ヘツド半体上の幅Ｔからなる
接合面に到つて接合し、 前記薄膜３の両側面３０，３０につながる前記
一方の磁気ヘツド半体の両側面は、前記接合面の
トラツク幅方向両端近傍から略垂直下方に伸びた
後、トラツク幅方向外側へ湾曲して複合型磁気ヘ
ツドの側部外形構成面に到ることを特徴とするも
のである。

〔作用〕

薄膜３の磁気空〓部に対向する上面の幅を狭く
してトラツク幅Ｗを小さくしても、該薄膜は高飽
和磁束密度材によつて形成されているので、該薄
膜の上面に於て磁気飽和が生じる虞れは極めて少
ない。又、薄膜３が磁気ヘツド半体の接合面に接
合する幅Ｔはトラツク幅Ｗよりも大きく形成され
ているので、前記の薄膜上面に於ける磁束密度を
低下せしめることなく、磁気ヘツド半体には有効
に磁路が形成される。

更に薄膜３は、上面が高い平面度を有し且つ両
側面が該上面に対して略垂直方向に伸びているの
で、トラツク幅Ｗを正確に規定することが出来
る。

一方、磁気ヘツド半体２には、薄膜３との幅Ｔ
からなる接合面のトラツク幅方向両端近傍から略
垂直下方に伸びた後、トラツク幅方向外側へ湾曲
して複合型磁気ヘツドの側部外形構成面に到る側
面形状を有する半Ｕ字状の溝５が開設されている
ため、一対の磁気ヘツド半体２，２が充填ガラス
を介して対向する部分の間〓長は十分に長く、こ
の対向する部分によつて隣接トラツクの信号を検
出してしまうようなことはない。

〔特有の効果〕

本発明に係る複合型磁気ヘツドに於ては、磁路
が有効に形成されるので磁気飽和が生じ難く、然
もトラツク幅を正確に規定することが出来るので
製品間の記録再生性能のバラツキが低減する。

以下図示する実施例に基づき本発明を詳述す
る。

第１図は本発明に係る複合型磁気ヘツドの磁気
空〓部付近の拡大平面図であつて、トラツク幅規
制用溝５が開設されたフエライト材よりなる１対
の磁気ヘツド半体２，２の突き合わせ部に高飽和
磁気密度材となるセンダスト（Fe−Al−Si系合
金）の薄膜３，３を設け、更に両薄膜間には
SiO₂の非磁性体層４を設けて前記突き合わせ部
に平行である磁気空〓部を形成してる。又、トラ
ツク幅規制用溝５にはガラスが充填されている。
上記のセンダストの薄膜３及び非磁性体層４は後
記の如くエツチングにより成形され、本発明に係
る目的の形状を実現している。

第２図乃至第５図は本発明に係る複合型磁気ヘ
ツドを製造する工程を示している。

第２図はトラツク幅規制用溝となるＵ字状溝２
１が開設された１対のフエライトウエハ２０，２
０の突き合わせ部にセンダストの薄膜３，３を設
けてブロツク半体１１，１２が形成されている状
況を示している。尚、一方のフエライトウエハ２
０には後にコイル巻装孔８となるコイル溝１３が
開設されている。

第５図はフエライトウエハ２０にセンダストの
薄膜３を公知技術であるエツチングによつて形成
する手順を示し、先ず第５図ａに示す如くフエラ
イトウエハ２０の表面全面にセンダストの薄膜３
をスパツタリング等の成膜方法によつて厚さ約１
乃至10μｍに形成し、その上面にトラツク幅Ｗに
よつて規定される幅W₀の帯状耐蝕層６を一定の
ピツチで繰り返し形成する。帯状耐蝕層６は例え
ば重クロム酸塩系の感光液をセンダストの薄膜表
面に厚さ約1μｍにコーテイングして乾燥の後、
幅W₀のスリツト状開口を有するフオトマスクを
その上にのせ、紫外線を照射する露光工程と、現
像液によつて前記原版に覆われない部分を除去す
る現像工程を経て形成される。

次に第５図ｂに示す如く、センダストの薄膜３
の耐蝕層６に覆われない部分をエツチング液で溶
解させる。本実施例ではエツチング液として30％
の硝酸液を25℃で使用した。この際、腐蝕は深さ
方向のみならず、横方向即ち耐蝕層６の下方にも
進行し、所謂サイドエツチが生じるが、サイドエ
ツチ量Ｒはセンダストの薄膜３が10μｍ以下の厚
さであれば再現性が良いことが確かめられてい
る。従つて予めサイドエツチ量を予測して、目的
のトラツク幅Ｗが得られる耐蝕層６の幅W₀を決
めることが可能である。例えばセンダストの薄膜
３の厚さが10μｍであつて、上記のエツチング液
を使用して６分30秒のエツチングを行うと、サイ
ドエツチ量は約8μｍとなる。本実施例の場合、
トラツク幅Ｗを24±2μｍとする必要があり、こ
の為には耐蝕層６の幅W₀を40μｍとすれば良い。

本実施例ではこのサイドエツチを利用してセン
ダストの薄膜３を目的の断面形状としている。即
ち、サイドエツチはセンダスト膜の耐蝕層６に近
い部分がより速く進行し、この結果図示の如く成
形後の薄膜３のフエライトウエハ２０との接合面
の幅Ｔは上面の幅Ｗよりも大きくなる。又、該薄
膜３の側面３０は上面に対して略90度をなす。

エツチングが終了した後、第５図ｃに示す如く
フエライトウエハ２０にトラツク幅規制用溝とな
るＵ字状溝２１をダイヤモンドブレードを用いて
開設する。この場合、ブレードをセンダストの薄
膜３に接触しない範囲で可及的に接近させる必要
があるが、機械加工のみでセンダストの薄膜やフ
エライトウエハを成形する場合に比べて、粗い加
工で可い。センダストの薄膜３の上面には更に前
記同様の成膜技術によつてSiO₂の薄い膜を形成
し、ギヤツプ長を規定する為に非磁性体層４とす
る。尚、非磁性体層４を第５図ａに示す段階でセ
ンダストの薄膜３の上面に全面に形成し、第５図
ｂに示す段階で先ずこの非磁性体層にふつ酸等に
よるウエツトエツチング或はドライエツチングを
施すことにより、非磁性体層の所定の形状に成形
しても可い。

上記の如く形成された２つのブロツク半体１
１，１２を第３図に示す如く非磁性体層４にて当
接せしめ、トラツク幅規制用溝５には溶融ガラス
を充填し、両ブロツク半体を接着一体化すると、
非磁性体層４からなる磁気空〓部、トラツク幅規
制用溝５及びコイル巻装孔８を有する磁気ヘツド
ブロツク１０が出来上がる。これを適当な厚さに
スライスすれば、第４図に示す複合型磁気ヘツド
１が複数個得られる。

この様にして製作された磁気ヘツド１のセンダ
ストの薄膜３は第１図に示す如く、高い平面度を
有する上面と、該上面から略垂直方向に伸びた側
面３０と、前記上面より大なる幅を有する磁気ヘ
ツド半体との接合面を具備し、不均一な成膜に基
づくなで肩部や機械加工に基づく欠け部は無い。

尚、上述の実施例ではセンダストの薄膜を全て
エツチングによつて成形しているが、該薄膜の上
層部のみをエツチングによつて成形し、残りの下
層部をＵ字状溝と共に機械加工で同時に成形して
も良く、下層部の厚さが1μｍ程度であれば、機
械加工による剥離は殆んど生じないことが実験的
に確かめられている。

又、本実施例ではケミカルエツチングによつて
センダストの薄膜を成形しているが、他の周知の
エツチング方法を用いて可いのは勿論であつて、
例えばイオンビームエツチングによつても可い。

更に、高飽和磁束密度の薄膜の材質としてセン
ダスト以外にパーマロイやアモルフアス磁性体を
用いても本実施例と同様の効果が得られる。

本発明に係る磁気ヘツドの製造に於ては、高飽
和磁束密度の薄膜をフエライトウエハの突き合わ
せ部全面について同時に成形することが出来、然
もＵ字状溝は比較的粗い精度で加工出来るので、
従来の製造方法に比べて高い生産性が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る複合磁気ヘツドの拡大部
分平面図、第２図は１対のブロツク半体の斜視
図、第３図は磁気ヘツドブロツクの斜視図、第４
図は完成した磁気ヘツドの斜視図、第５図ａ，
ｂ，ｃはエツチングによる薄膜の成形方法を示す
説明図、第６図は従来の複合型磁気ヘツドの拡大
部分平面図を示す。 ２……磁気ヘツド半体、３……センダストの薄
膜、３０……側面、４……非磁性体層、５……ト
ラツク幅規制用溝、Ｗ……トラツク幅。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 高固有抵抗磁性材であるフエライトよりなる
   １組の磁気ヘツド半体２，２のうち少なくとも一
   方の磁気ヘツド半体の突き合わせ部に前記磁性材
   よりも更に高い飽和磁束密度を有する磁性材の薄
   膜３を接合し、該薄膜３と他方の磁気ヘツド半体
   との間に前記突き合わせ部と平行である磁気空〓
   部を形成した複合型磁気ヘツドに於て、 前記薄膜３は、磁気空〓部に対向する上面が高
   い平面度を有して所定のトラツク幅Ｗと厳密に一
   致する幅に形成され、 前記薄膜３の両側面３０，３０は、トラツク幅
   Ｗからなる上面の両端から略垂直下方に伸びた
   後、トラツク幅方向外側へ湾曲しながら下方へ伸
   びて前記一方の磁気ヘツド半体上の幅Ｔからなる
   接合面に到つて接合し、 前記薄膜３の両側面３０，３０につながる前記
   一方の磁気ヘツド半体の両側面は、前記接合面の
   トラツク幅方向両端近傍から略垂直下方に伸びた
   後、トラツク幅方向外側へ湾曲して複合型磁気ヘ
   ツドの側部外形構成面に到ることを特徴とする複
   合型磁気ヘツド。