JPH087212A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

磁気ヘッドの製造方法

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JPH087212A
JPH087212A JP13844594A JP13844594A JPH087212A JP H087212 A JPH087212 A JP H087212A JP 13844594 A JP13844594 A JP 13844594A JP 13844594 A JP13844594 A JP 13844594A JP H087212 A JPH087212 A JP H087212A
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JP
Japan
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glass
gap forming
groove
core
film
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JP13844594A
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English (en)
Inventor
Noriaki Mukaide
徳章 向出
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 接合部の隙間やガラス割れを生じないMIG
型磁気ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 コアブロック14の表面にフロントギャップ
形成面11に沿ってデプス規制溝8と巻線溝7を、バッ
クギャップ形成面12に沿って切断溝15を形成し、こ
れらの溝8、7、15をガラスで埋設すると共にコアブ
ロック14の表面上にガラスを被膜する。そして、フロ
ントギャップ形成面11上とバックギャップ形成面12
上を除いてガラス上にレジスト膜を被膜し、ガラスをエ
ッチングして、フロントギャップ形成面11とバックギ
ャップ形成面12を露呈させる。露呈した表面を含む全
面に金属磁性膜を被着する。次に、ガラス上のレジスト
膜を除去してコアブロック14上に残余したガラスをエ
ッチングして除去する。このようにして得られたコアブ
ロック14を突き合わせた状態でガラス接合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は磁気ヘッド、特に強磁
性体のコアと非磁性体のギャップスペーサの間に高飽和
磁束密度のセンダスト等の金属磁性膜を形成したMIG
[メタルインギャップ]型磁気ヘッドの製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】例えば、ハードディスクなどの磁気記録
媒体に高記録密度で情報の読み書きをするMIG型磁気
ヘッドは、図7に示すようなコアチップ1からなってい
る。このコアチップ1は、フェライト等の強磁性体から
なる一対のコア半体2a,2bを、その頂部接合部位に
ギャップスペーサとなるSiO2 等の非磁性体膜3を介
して低融点ガラス4で接合一体化し、低融点ガラス4て
保護されて所定のトラック幅を有する作動ギャップgを
形成する。更に、一対のコア半体2a,2bは接合面に
高飽和磁束密度の金属磁性膜5が形成され、この金属磁
性膜5上に非磁性体膜3を積層したもので、作動ギャッ
プgの近傍に強磁性金属薄膜の金属磁性膜5を被着した
構造である。
【0003】上記構成からなるコアチップ1を製作する
に際しては、まず、図8に示すような長尺のフェライト
等の強磁性体からなる一対のコアブロック6(6a,6
b)が用意され、接合面の中程に巻線溝7を刻設する。
尚、図中の8は頂部接合端面の作動ギャップg部に形成
されたテーパ状のデプス規制溝、9は下部接合端面の一
方のコアブロック6aに形成されたテーパ状の接合溝で
ある。そして、両コアブロック6の接合面に、所定のト
ラック幅を残して複数のトラック溝10を刻設する。
【0004】そして、図9に示すように、コアブロック
6の接合する内面側に、金属磁性膜5およびギャップス
ペーサとなるSiO2 等の非磁性体膜3をスパッタ等に
より積層して被着した上で、図10に示すように、両コ
アブロック6を上下逆にした状態で突き合わせ、デプス
規制溝8と接合溝9に棒状の低融点ガラス4を配置す
る。そして、両コアブロック6a,6bを外側から加圧
した状態で加熱し、低融点ガラス4を溶融させてトラッ
ク溝10に充填することにより、コアブロック6を接合
一体化した後、図8に鎖線で図示するように、コアブロ
ック6の側部を所定ピッチでスライスすることにより、
図7に示すコアチップ1を得ていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにコアブロック6の接合面に金属磁性膜5を被着し
て、低融点ガラス4で両コアブロック6を接着して製作
される上記コアチップ1は、コアブロック6と金属磁性
膜5間で熱膨張係数が大きく異なるために、接合時の熱
処理でコアブロック6が反って接合面に隙間ができ、作
動ギャップgのギャップ幅のコントロールが困難であっ
た。また、低融点ガラス4部分が割れて、コアチップ1
が2つに分かれてしまうといった問題があった。
【0006】このため、コアブロックの突き合わせ部と
その近傍部分のみに金属磁性膜を被着し、その他のトラ
ック溝のガラスが埋設される部分や巻線溝部分には金属
磁性膜を被着しないようにして、接合時のコアブロック
の応力歪みの発生を極力低減することが提案されてい
る。
【0007】例えば、特開平2−139705号公報に
は、図11に示すように、一対の強磁性体のコアブロッ
ク6の表面に、金属磁性膜5、非磁性体膜3を順次全面
に積層し、その上面のコアブロックの磁気通路となる接
合面部分、つまりフロントギャップ形成面11やバック
ギャップ形成面12にレジスト膜13を所定パターンで
被覆して、不要部分の金属磁性膜5や非磁性体膜3をエ
ッチングにより除去する。その後、図12に示すよう
に、レジスト膜13を剥離すると共に、コアブロック6
の表面のフロントギャップ形成面11とバックギャップ
形成面12に沿って巻線溝7と接合溝9を、またフロン
トギャップ形成面11の両側にトラック溝10をそれぞ
れ刻設することにより、一対の強磁性体のコアブロック
6を構成する方法が採用されている。
【0008】しかしながら、上記金属磁性膜5はFeT
aNなどタンタルの窒素膜で形成されており、一般にタ
ンタル化合物はエッチングされ難い性質がある。このた
め、適当なエッチング液がなかった。従って、上記特開
平2−139705号公報においてはイオンビームによ
るドライエッチング法を採用しているが、一般にドライ
エッチングは厚膜エッチングに耐えるレジスト膜がな
く、6μm以上の厚膜の金属磁性膜5のエッチングは困
難なものであった。
【0009】従って、本発明は上記一対のコアブロック
の接合面に金属磁性膜を所定パターンで形成させる問題
点に鑑みなされたものであり、コアブロックの表面に金
属磁性膜を選択的に形成して、接合部の隙間やガラス割
れを生じさせないようになし、磁気ギャップgを精度よ
くコントロールすると共にチップ割れなどが生じないM
IG型磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とし
ている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は一対のコアブロックの突き合わせ部とその
近傍部を除く部分、即ち非接合部分で金属磁性膜の被着
不要部分をガラス膜で被覆する。そして、コアブロック
の突き合わせ部とその近傍部、即ちフロントギャップ形
成面とその近傍部およびバックギャップ形成面など金属
磁性膜の被着要部は上記ガラス膜から露出させて金属磁
性膜を被着する。その後、金属磁性膜の被着不要部のガ
ラス膜およびガラス膜上に被着した金属磁性膜を除去し
て、上記金属磁性膜の被着要部のみに金属磁性膜を被着
形成するように構成したもので、具体的に次のように構
成する。即ち、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、一対
の強磁性体のコア半体の接合面に高飽和磁束密度の金属
磁性膜と非磁性体膜とを積層し、一対のコア半体を接合
一体化して作動ギャップの近傍に強磁性金属膜を被着形
成したコアチップを有するMIG型磁気ヘッドの製造方
法において、 一対の強磁性体のコアブロックの表面に
フロントギャップ形成面に沿ってデプス規制溝と巻線溝
を、バックギャップ形成面に沿って切断溝をそれぞれ形
成し、前記デプス規制溝、巻線溝および切断溝上にガラ
スを埋設すると共に前記コアブロックの表面上にガラス
を被膜する工程と、前記フロントギャップ形成面とバッ
クギャップ形成面を除いたガラス上にレジスト膜を被膜
した後、前記ガラスをエッチングすることにより、フロ
ントギャップ形成面とバックギャップ形成面のコアブロ
ックの表面を露呈させる工程と、前記露呈したコアブロ
ックの表面を含む全面に金属磁性膜を被着した後、前記
レジスト膜を除去すると共にコアブロックの表面上に残
余したガラスをエッチングで除去する工程とを含み、前
記ガラスのエッチング除去された一対のコアブロックを
突き合わせた状態でガラス接合することを特徴としてい
る。また、本発明の磁気ヘッドの製造方法は、一対の強
磁性体のコア半体の接合面に高飽和磁束密度の金属磁性
膜と非磁性体膜とを積層し、一対のコア半体を接合一体
化して作動ギャップの近傍に強磁性金属膜を被着形成し
たコアチップを有するMIG型磁気ヘッドの製造方法に
おいて、 一対の強磁性体のコアブロックの表面にフロ
ントギャップ形成面に沿ってデプス規制溝と巻線溝を、
バックギャップ形成面に沿って切断溝を、またフロント
ギャップ形成面の両側にギャップ幅を規制するトラック
溝をそれぞれ形成し、前記デプス規制溝、巻線溝および
トラック溝にそれぞれガラスを充填すると共にガラスが
充填されたコアブロックの表面を面一に研磨する工程
と、前記デプス規制溝及びトラック溝の前記フロントギ
ャップ形成面に沿う周縁部を残してガラス上にレジスト
膜を被膜した後、前記ガラスをエッチングすることによ
り、前記フロントギャップ形成面に沿うデプス規制溝の
周縁部と両側のトラック溝の周縁分を露呈させる工程
と、前記露呈後コアブロックの表面上に金属磁性膜を被
覆した後、前記レジスト膜を除去する工程とを含み、前
記レジスト膜の除去された一対のコアブロックを突き合
わせた状態でガラス接合することを特徴としている。ま
た、前記金属磁性膜はそれぞれFeTaNで形成された
ことを特徴としている。
【0011】
【作用】一対のコアブロックはコアチップの磁気通路を
形成する接合表面およびその近傍部を除いてガラスで被
覆し、接合部表面およびその近傍部はガラスより露出さ
せた状態で、金属磁性膜を被着するように構成している
から、金属磁性膜は接合表面とその近傍部の金属磁性膜
の被着要部のみに容易に形成することができる。そし
て、金属磁性膜の被着不要部はガラスで被覆しているか
ら、ガラスをエッチングすることでガラス上に被着され
た金属磁性膜を容易に除去することができる。また、フ
ロントギャップ形成面の近傍周縁のデプス規制溝とトラ
ック溝の周縁部を露呈して金属磁性膜を被覆するから、
フロントギャップ形成面はデプス規制溝とトラック溝の
周縁部に金属磁性膜が被着され、作動ギャップの近傍周
縁に金属磁性膜が有効に被着形成される。
【0012】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図1乃至図5を参
照しつつ詳述する。尚、図6乃至図10を含む全図を通
じて同じ構成部品には同一参照符号を付している。
【0013】本発明の第1実施例を図1乃至図3を参照
して詳述する。
【0014】まず、図1に示すように、幅広の強磁性体
のコアブロック14の表面に、突合わせ部となるフロン
トギャップ形成面11とバックギャップ形成面12を複
数個等ピッチで配置し、フロントギャップ形成面11に
沿ってテーパ状のデプス規制溝8と巻線溝7を、又バッ
クギャップ形成面12に沿って切断溝15をそれぞれ紙
面の縦列方向に刻設する。尚、切断溝17は前縁側のバ
ックギャップ形成面12に沿う部分がテーパ状に形成さ
れ、このテーパ部が接合溝9を形成する。
【0015】次に、コアブロック14のデプス規制溝
8、巻線溝7および切断溝15をガラス16で埋設する
と共に、図2(a)に示すように、コアブロック14の
表面上にガラス16を均一な膜厚で被膜する。尚、図2
のA列とB列はそれぞれ図1のコアブロック14の矢示
A及び矢示Bより見た部分断面図である。
【0016】次に、同図(b)に示すように、フロント
ギャップ形成面11上とデプス規制溝8のフロントギャ
ップ形成面11に沿う部分上及びバックギャップ形成面
12(不図示)上を除いて、ガラス16上にフォトリソ
グラフィ技術によりレジスト膜13を被膜する。
【0017】次に、同図(c)に示すように、例えば
4.5%濃度の塩酸液でガラス16をエッチングする
と、レジスト膜13を被膜した部分は周辺部がアンダー
カットされて断面きのこ状になってガラス16が残り、
レジスト膜13が被膜されていないフロントギャップ形
成面11上とこのフロントギャップ形成面11に沿うデ
プス規制溝8上及びバックギャップ形成面12(不図
示)上のガラス16がエッチングされ、コアブロック1
4の表面が露出する。この時、デプス規制溝8および切
断溝15(不図示)はレジスト膜13が被膜されていな
い部分の埋設されたガラス16の表層部がエッチングさ
れ、フロントギャップ形成面11に沿うデプス規制溝8
の周縁部8aおよび切断溝15前縁側のテーパ状の接合
溝9(不図示)の表面が露出する。
【0018】次に、同図(d)に示すように、コアブロ
ック14の表面上に金属磁性材料のFeTaNをスパッ
タリングして金属磁性膜5を被着し、更にその金属磁性
膜5上にギャップ長の半分の膜厚を有するSiO2 等の
非磁性体膜3(不図示)をスパッタリング等により被着
形成する。
【0019】後は、同図(e)に示すように、レジスト
膜13を剥離して、レジスト膜13上の金属磁性膜5と
非磁性体膜3(不図示)を除去した後、コアブロック1
4の表面上に残余したガラス16をエッチングで除去す
ると、同図(f)に示すように、フロントギャップ形成
面11上とバックギャップ形成面12(不図示)および
その近傍上のみに金属磁性膜5が形成される。
【0020】そして、このように金属磁性膜5を被着形
成したコアブロック14は、図3に示すように、デプス
規制溝8、巻線溝7および切断溝15部に残余したガラ
ス16を研削加工等により除去すると共に、フロントギ
ャップ形成面11の両側にトラック溝10を刻設してコ
アブロック14を完成する。後は、従来と同様に、完成
した一対のコアブロック14を突き合わせた状態でガラ
ス接合を行い、所定ピッチで切断分離すると、コアの突
き合わせ部とその近傍部のみに金属磁性膜5を被着形成
した磁気ヘッドが製作される。
【0021】次に本発明の第2実施例を図4乃至図6を
参照して詳述する。
【0022】本発明の第2実施例は、図4に示すよう
に、上記第1実施例のコアブロック14においてフロン
トギャップ形成面11の両側にギャップ幅を規制するト
ラック溝10を刻設した強磁性体のコアブロック18を
用意する。即ち、このコアブロック18はフロントギャ
ップ形成面11に沿ったデプス規制溝8と巻線溝7およ
びバックギャップ形成面12に沿った切断溝15の他
に、これらの溝と直交して、フロントギャップ形成面1
1の両側にギャップ幅を規制するトラック溝10を形成
する。
【0023】そして、まず、図5(a)に示すように、
デプス規制溝8、巻線溝7(不図示)およびトラック溝
10にそれぞれガラス16を充填すると共に、コアブロ
ック18の表面を面一に研磨する。尚、図5のC列とD
列はそれぞれ図4のコアブロック18の矢示C及び矢示
Dより見た部分断面図である。
【0024】次に、図5(b)に示すように、デプス規
制溝8及びトラック溝10の前記フロントギャップ形成
面11に沿う近傍周縁部を残してガラス16上にレジス
ト膜13を被膜した後、例えば4.5%濃度の塩酸液で
ガラス16をエッチングすると、同図(c)に示すよう
に、フロントギャップ形成面11に沿うデプス規制溝8
の周縁部上とフロントギャップ形成面11の両側のトラ
ック溝10の周縁部上のガラス16がエッチングされ、
フロントギャップ形成面11に沿うデプス規制溝8の周
縁部8a及び両側のトラック溝10の周縁部10aが露
出する。
【0025】後は、上記第1実施例と同様に、コアブロ
ック18の表面上に金属磁性膜5を被覆(同図d)した
後,前記レジスト膜13を剥離してレジスト膜13上の
金属磁性膜5を除去しすると、同図(e)に示すよう
に、フロントギャップ形成面11とバックギャップ形成
面12(不図示)およびその近傍上のみに金属磁性膜5
が形成される。
【0026】そして、このように金属磁性膜5を被着形
成したコアブロック18は、図示しないが、巻線溝7に
残余したガラス16を研削加工等により除去するとコア
ブロック18が完成する。そして、上記実施例と同様に
して、完成した一対のコアブロック18を突き合わせ状
態でガラス接合し、所定ピッチに切断分離すると、コア
の突き合わせ部とその近傍部のみに金属磁性膜5を被着
形成した磁気ヘッドが製作される。この実施例において
は、図6に示すように、フロントギャップ形成面の両側
のトラック溝10の周縁部10aにも金属磁性膜5が被
着されるため、作動ギャップg近傍にはデプス規制溝の
周縁部を含めて、四方の接合面に高飽和磁束密度の金属
磁性膜5が近接して配置されるため、磁気特性の優れた
MIG型磁気ヘッドが提供できる。
【0027】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、コアブ
ロックの表面にガラスを被膜して、このガラスを金属磁
性膜形成の保護膜に使用して、コアブロックの突き合わ
せ部とその近傍部のみに金属磁性膜を被着形成するよう
に構成したから、エッチングの困難な金属磁性膜が容易
に所定のパターンで形成することができ、隙間やガラス
割れを生じさせることなくコアブロックの接合ができ
る。従って、磁気ギャップgが精度よくコントロールで
きると共にチップ割れなどの生じないMIG型磁気ヘッ
ドを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例で、磁気ヘッド製作過程
のコアブロックの一部破断斜視図
【図2】図1の磁気ヘッド製作過程で、コアブロックに
金属磁性膜を被着形成する図
【図3】図1の磁気ヘッド製作過程で、金属磁性膜の被
着形成後のコアブロックの斜視図
【図4】本発明の第2の実施例で、磁気ヘッド製作過程
のコアブロックの一部破断斜視図
【図5】図2の磁気ヘッド製作過程で、コアブロックに
金属磁性膜を被着形成する図
【図6】図2の磁気ヘッド製作過程で、コアブロック接
合部の一部破断断面図
【図7】従来の磁気ヘッドのコアチップを示す斜視図
【図8】従来の磁気ヘッドの製法を説明するためのもの
で、図7のコアチップの製作要領を説明 するコアブロ
ックの斜視図
【図9】図8のコアチップの製作過程で、コアブロック
の斜視図
【図10】図8のコアチップの製作過程で、接合段階の
コアブロックの斜視図
【図11】従来の他の磁気ヘッドの製法例で、金属磁性
膜エッチング時のコアブロックの斜視図
【図12】図11の接合前段階のコアブロックの斜視図
【符号の説明】
1 コアチップ 2a コア半体 2b コア半体 3 非磁性体膜 4 低融点ガラス 5 金属磁性膜 7 巻線溝 8 デプス規制溝 9 接合溝 10 トラック溝 11 フロントギャップ形成面 12 バックギャップ形成面 13 レジスト膜 14 コアブロック 15 切断溝 16 ガラス

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の強磁性体のコア半体の接合面に高
    飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体膜とを積層し、一
    対のコア半体を接合一体化して作動ギャップの近傍に強
    磁性金属膜を被着形成したコアチップを有するMIG型
    磁気ヘッドの製造方法において、 一対の強磁性体のコアブロックの表面にフロントギャッ
    プ形成面に沿ってデプス規制溝と巻線溝を、バックギャ
    ップ形成面に沿って切断溝をそれぞれ形成し、前記デプ
    ス規制溝、巻線溝および切断溝上にガラスを埋設すると
    共に前記コアブロックの表面上にガラスを被膜する工程
    と、前記フロントギャップ形成面とバックギャップ形成
    面を除いたガラス上にレジスト膜を被膜した後、前記ガ
    ラスをエッチングすることにより、フロントギャップ形
    成面とバックギャップ形成面のコアブロックの表面を露
    呈させる工程と、前記露呈したコアブロックの表面を含
    む前面に金属磁性膜を被着した後、前記レジスト膜を除
    去すると共にコアブロックの表面上に残余したガラスを
    エッチングで除去する工程とを含み、前記ガラスのエッ
    チング除去された一対のコアブロックを突き合わせた状
    態でガラス接合することを特徴とする磁気ヘッドの製造
    方法。
  2. 【請求項2】 一対の強磁性体のコア半体の接合面に高
    飽和磁束密度の金属磁性膜と非磁性体膜とを積層し、一
    対のコア半体を接合一体化して作動ギャップの近傍に強
    磁性金属膜を被着形成したコアチップを有するMIG型
    磁気ヘッドの製造方法において、 一対の強磁性体のコアブロックの表面にフロントギャッ
    プ形成面に沿ってデプス規制溝と巻線溝を、バックギャ
    ップ形成面に沿って切断溝を、またフロントギャップ形
    成面の両側にギャップ幅を規制するトラック溝をそれぞ
    れ形成し、前記デプス規制溝、巻線溝およびトラック溝
    にそれぞれガラスを充填すると共にガラスが充填された
    コアブロックの表面を面一に研磨する工程と、前記デプ
    ス規制溝及びトラック溝の前記フロントギャップ形成面
    に沿う周縁部を残してガラス上にレジスト膜を被膜した
    後、前記ガラスをエッチングすることにより、前記フロ
    ントギャップ形成面に沿うデプス規制溝の周縁部と両側
    のトラック溝の周縁分を露呈させる工程と、前記露呈後
    コアブロックの表面上に金属磁性膜を被覆した後、前記
    レジスト膜を除去する工程とを含み、前記レジスト膜の
    除去された一対のコアブロックを突き合わせた状態でガ
    ラス接合することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
  3. 【請求項3】 前記金属磁性膜がFeTaNで形成され
    たことを特徴とする請求項1及び請求項2記載の磁気ヘ
    ッドの製造方法。
JP13844594A 1994-06-21 1994-06-21 磁気ヘッドの製造方法 Withdrawn JPH087212A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9490050B2 (en) 2013-03-11 2016-11-08 Southwire Company, Llc Hybrid conductor core

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9490050B2 (en) 2013-03-11 2016-11-08 Southwire Company, Llc Hybrid conductor core

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