JPH02139705A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明はＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）、ＤＡＴ（デ
ジタルオーディオテープレコーダ）等の磁気記録再生装
置に使用される磁気ヘッドに関し、特に磁気コアの作動
ギャップ近傍に強磁性金属薄膜が被着形成されている複
合型の磁気ヘッドの製造方法に関する。

（ロ）従来の技術 近年、ＶＴＲ，ＤＡＴ等の磁気記録再生装置においては
、記録信号の高密度化が進められており、この高密度記
録に対応して、磁性粉としてＦｃ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁
性金属粉末を用いた抗磁力の高いメタルテープが使用さ
れるようになっている。例えば、８ミリビデオと称する
小型のＶＴＲではＨｃ　＝１４００−１５００工ルステ
ツド程度の高い抗磁力を有するメタルテープが用いられ
る。その理由は、磁気記録再生装置を小型化するために
記録密度を高める必要性から、信号の記録波長を短くす
ることの可能な記録媒体が要求されてきたためである。

一方、このメタルテープに記録するために従来のフェラ
イトのみからなる磁気ヘッドを用いると、フェライトの
飽和磁束密度が高々５５００ガウス程度であることから
磁気飽和現象が発生するため、メタルテープの性能を充
分に活用することができない。そこで、この高い抗磁力
を有するメタルテープに対応する磁気ヘッドとしては、
通常、磁気ヘッドとして要求される磁気コアの高周波特
性や耐摩耗性の他に、磁気コアのギャップ近傍部の飽和
磁束密度が大きいことが要求される。

この要求を満たすメタルテープ対応型の磁気ヘッドとし
ては、特開昭６０−２２９２１０号公報（Ｇｌ　ＩＢ５
／１８７）等に開示されているような磁気飽和現象の最
も生じやすい作動ギャップ近傍部分を、磁気コアとして
使用されるフェライトよりも飽和磁化の大きな金属磁性
材料（たとえば、パーマロイ、センダスト、アモルファ
ス磁性体）で構成した磁気ヘッド（複合型の磁気ヘッド
と称する）が提案されている。この複合型の磁気ヘッド
は信頼性、磁気特性、耐摩耗性等の点で優れた特性を有
する。

この複合型の磁気ヘッドには、第１０図（ａ）（ｂ　）
（ｃ　）（ｄ　）に夫々示すように様々な形状がある。

図中、（１）（１°）はＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト等
の強磁性酸化物よりなる一対の磁気コア半体、（２）は
作動ギャップであり、前記磁気コア半体（１）（１’）
の作動ギャップ（２）近傍にはセンダスト等の強磁性金
属薄膜（３）（３）が被着形成されている。（４）は巻
線溝、（５）は前記磁気コア半体（１）（１’）を結合
するためのガラスである。

第１Ｏ図（ａ　）ｌ　）（ｃ　）（ｄ　）に示す磁気ヘ
ッドのうち、磁気コア半体（１）（１’）と強磁性金属
薄膜（３）（３）との境界部（６）（６）が作動ギャッ
プ（２）のトラック幅方向と非平行である第１０図（Ｃ
）（ｄ）に示す磁気ヘッドは製造工程が複雑であり量産
性に適していない。

また、前記境界部（６）（６）と作動ギャップ（２）の
トラック幅方向とが平行である第１０図（ａ）（ｂ）に
示す磁気ヘッドは製造工程が第１０図（ｃ）（ｄ）に示
す磁気ヘッドに比べて簡単であるが、前記境界部（６）
（６）が疑似ギャップとして作用し、再生出力の周波数
特性に波打ち現象（以後疑似ギャップ現象という）が生
じる。このため、例えばＶＴＲではＳ、、　／　Ｎ比が
劣化し、ＤＡＴではエラーレートが増加する。

第１０図（ａ　）（ｂ　）に示す磁気ヘッドにおいても
、特願昭６２−１９４８９３号に示されているように前
記境界部にＳｉｎ、等の耐熱性薄膜を介在させることに
より前述の疑似ギャップ現象を抑制することが出来る。

しかし乍ら、第１０図（ｂ）に示す磁気ヘッドは磁気コ
ア半体（１）（１’）の作動ギャップ衝き合わせ面の両
ｆｌｌｌ＋にも強磁性金属薄膜（３）（３）が被着形成
されている。ａｌｌも、作動ギャップ（２）の両側では
磁気コア半体（１）（１’）と強磁性金属薄膜（３）（
３）とガラス（５）の３種類の各々の熱膨張係数が異な
る異種材料が隣接しているため、互いに応力を及ぼし合
って歪が発生し疑似ギャップ現象が多大になる。また、
前記強磁性金属薄膜（３）（３）とガラス（５）とは濡
れ性等の馴染みが悪いため磁気コア半体（１）（１’９
同士の接合力も第１０図（ａ）に示す磁気ヘッドに比べ
て弱い。

上述の全ての点を考慮すると第１０図（ａ）に示す磁気
ヘッドが最も有効である。

次に、第１０図（ａ）に示す磁気ヘッドの製造方法につ
いて説明する。

先ず、第１１図に示すように強磁性酸化物よりなる基板
（７）の上面に５μｍ厚の強磁性金属薄膜（３′）をス
パッタリング等により被着形成し、該強磁性金属薄膜（
３′）の上面にギャップ長の半分の膜厚を有する５ｉＣ
）＋等の非磁性薄ＩＩ＠（８’）をスパッタリング等に
より被着形成する。尚、前記基板（７）の上面にリン酸
溶液等によるエツチング及び逆スパツタリングを施した
後、前記上面に１ｏｍ以上でギャップ長の１７１０以下
の膜Ｉγを有するＳ１０、等の耐熱性薄膜（図示せず）
をスパッタリング等により被着形成し、その後前記強磁
性金属薄膜（３′）を被管形成してもよい。

次に、第１２図に示すように前記非磁性薄膜（８′）の
上面に７オトリソグラフイ技術を用いてレジスト（９）
を所定のパターンで形成する。

次に、第１３図に示すようにイオンビームエツチングに
より前記レジスト（９）形成部以外の非磁性薄膜及び強
磁性金属薄膜を除去して基板（７）を露出させ、所定の
パターン（ギャップ衝き合わせ部）の強磁性金属薄膜（
３）及び非磁性薄膜（８）を残す。

次に、前記基板（７）の上面露出部に第１５図（ａ）（
ｂ）に示すように回転砥石（１ｏ）（Ｎ）により溝加工
を施して第１４図に示すようにガラス充填溝（１２）を
形成する。

以後、周知の如く第１４図に示す基板（７）を−対用意
し、そのうち一方の基板に巻線溝及びガラス捧挿入溝を
形成した後、前記両基板をギャップ衝合面同士が衝き合
う状態でガラス接合してブロックを形成し、その後前記
ブロックに研摩、切断等の加工を施して複数のへラドチ
ップを形成する。

しかし乍ら、上述の製造方法では、第１５図（ａ　）（
ｂ　）に示す工程において、回転砥石（１０）（１１）
が前記強磁性金属薄膜（３）に接触したり、或いは非常
に近接した部分を通過するとその衝撃や振動等により前
記強磁性金属薄膜（３）に剥離が生じる。また、この膜
剥れは前記基板（７）の上面に耐熱性薄膜を形成させた
時は特に顕著である。

また、前記強磁性金属薄膜（３）から離れた所に溝加工
を施すことにより上述の膜剥れを解消することは可能で
あるが、第１６図（ａ）に示すように作動ギャップ（２
）の両側において磁気コア半体（１）（１’）同士が対
向し、その部分（１３）（１３）がギャップとして作用
して隣接トラックの低周波数信号を拾う虞れがある。例
えば、Ｄ　Ａ　Ｔにおいてはその部分（１３）（１３）
がＡＴＦ用のパイロット信号を拾ってしまう。また、前
記強磁性金属薄膜（３）から離れた所に溝加工を施すと
第１６図（ｂ）に示すように作動ギャップ（２）の位置
が中心からずれる虞れもある。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来例の欠点に鑑み為されたものであり、
強磁性金属薄膜に剥離が生じることなく、また、作動ギ
ャップを所定の位置に形成することが出来る磁気ヘッド
の製造方法を提供することを目的とするものである。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明の磁気ヘッドの製造方法は、強磁性酸化物よりな
る一対の基板の上面に薄膜形成面を規定するガラス充填
溝を形成し、該ガラス充填溝内にガラスを充填した後、
前記薄膜形成面上及び前記ガラス上に強磁性金属薄膜を
被着する工程と、前記薄膜形成面上の強磁性金属薄膜上
にレジストを形成してイオンビームエツチング等のエツ
チングを行うことにより前記ガラス上に被着した強磁性
金属薄膜を除去し、前記一対の基板の一方若しくは両方
に巻線溝を形成した後、前記一対の基板同士を前記強磁
性金属薄膜が非磁性薄膜を介して衝き合う状態でガラス
接合する工程とを備えることを特徴とする。

また、本発明の第２の磁気ヘッドの製造方法は、強磁性
酸化物よりなる一対の基板の上面に薄膜形成面を規定す
るガラス充填溝、及び該ガラス充填溝と直交し端部が作
動ギャップのギャップ深さ規制部に一致するギャップ深
さ規制溝を形成する工程と、前記ガラス充填溝内及び前
記ギャップ深さ規制溝内にガラスを充填する工程と、前
記基板の上面全域に強磁性金属薄膜を被着した後、該強
磁性金属薄膜の不要部分をイオンビームエツチング等の
エツチングにより除去することによりフロントギャップ
部の強磁性金属薄膜の端部を前記ギャップ深さ規制部と
一致させる工程と、前記基板の強磁性金属薄膜除去部分
のうち前記ギャップ深さ規制部から離れた位置に巻線溝
を形成する工程と、前記一対の基板同士を前記強磁性金
属薄膜及び非磁性薄膜を介して衝き合う状態でガラス接
合する工程とを備えることを特徴とする。

また、本発明の第３の磁気ヘッドの製造方法は、強磁性
酸化物よりなる一対の基板の上面に薄膜形成面を規定す
るガラス充填溝を形成し、該ガラス充填溝内にガラスを
充填する工程と、前記ガラス充填溝と直交し端部が作動
ギャップのギャップ深さ規制部に一致するギャップ深さ
規制溝を形成する工程と、前記基板の上面全域に強磁性
金属薄膜を被着した後、該強磁性金属薄膜の不要部分を
イオンビームエツチング等のエツチングにより除去する
ことによりフロントギャップ部からギャップ深さ規制溝
の一部まで連なる強磁性金属を 薄膜へ形成する工程と、前記基板の強磁性金属薄膜除去
部のうち前記強磁性金属薄膜の端部から離れた位置に巻
線溝を形成する工程とを備えることを特徴とする。

更に、本発明の第１、第２、第３の磁気ヘッドの製造方
法は、前記薄膜形成面の幅が前記作動ギャップのトラッ
ク幅よりも大きいことを特徴とする。

（ホ）作用 上記第１、第２、第３の製造方法に依れば、ガラス充填
溝により薄膜形成面を形成した後、強磁性金属薄膜を形
成するので、前記ガラス充填溝の溝加工時に強磁性金属
薄膜の剥離は生じない。更に、上記製造方法によれば、
薄膜形成面の幅が作動ギャップのトラック幅よりも大き
いため、レジストパターンの位置合わせが容易であり、
特に、イオンビームエツチングにより強磁性金属薄膜の
除去を行う場合、イオンビームの入射角を変えることに
より前記強磁性金属薄膜の側面の傾きを調整し、前記強
磁性金属薄膜の底面を前記薄膜形成面に一致させること
が出来る。

また、上記第２、第３の製造方法に依れば、作動ギャッ
プのギャップ深さは、強磁性金属薄膜形成以前に形成さ
れるギャップ深さ規制溝により規制され、巻線溝は前記
作動ギャップのギャップ深さ規制部からは離れた位置に
加工されるので、ギャップ深さ規制部近傍に被着した強
磁性金属薄膜が溝加工により剥れることはない。

（へ）実施例 以下、図面を参照しつつ本発明の第１実施例の磁気ヘッ
ドの製造方法について説明する。

先ず、第３図に示すようにＭ　ｎ　−Ｚ　ｎ単結晶フェ
ライト等の強磁性酸化物よりなる基板（７）の上面にト
ラック幅規制溝（１４ンを形成して、所望のトラック幅
よりも少許大きい幅ａ（例えば２６μｍ）を有する薄膜
形成面（１５）を形成する。尚、前記トラック幅規制溝
（１４）の上部は両側面（１４ａ）（１４ａ）が基板（
７）上面と直交しており、下部は断面Ｖ字状である。

次に、前記基板（７）の上面に板状のガラスを圧着させ
ながら真空中で４７０〜５００℃まで加熱して前記トラ
ック幅規制溝（１４）内にガラス（１６）を充填した。

この時、前記薄膜形成面（１５）上にもガラスが被着し
ている。その後、第４図に示すように前記基板（７）の
上面に薄膜形成面（１５）が露出するまで平面研摩を施
した後、鏡面に仕上げる。

尚、前記トラック幅規制溝（１４）は上部の両…り面（
１４ａ）（１４ａ）が前記基板（７）の上面と直交して
いるので、前述の研摩量に関係なく前記薄膜形成面（１
５）の幅ａを一定に保つことが出来る。

次に、前記基板（７）の薄膜形成面（１５）及び充填さ
れたガラス（１６）の上面にリン酸溶液等による化学的
エツチングを施すことにより研摩による加工変質層を除
去し、逆スパツタリングにより不純物を除去した後、前
記薄膜形成面（１５）及びガラス（１６）上に５　ｉ　
０　を等の耐熱性薄膜（図示せず）をスパッタリング等
により被着形成する。尚、前記耐熱性薄膜の膜厚はｌｎ
ｍ以上でギャップ長の１７１０以下である。

次に、第５図に示すように前記耐熱性薄膜（図示せず）
上にセンダスト等の強磁性金属薄膜（３゛）をスパッタ
リング等により５７１ｍ厚被着膨成し、該強磁性金属薄
膜（３′）上にギャップ長の１７２の膜厚を有するＳｉ
ｎ、等の非磁性薄膜（８°）をスパッタリング等により
被着形成する。尚、荊記耐熱性薄膜を形成せずに、前記
基板（７）の薄膜形成面（１５）及びガラス（１６）上
に直接強磁性金属薄膜（３゛）及び非磁性薄膜（８′）
を被着形成してもよい。次に、第６図に示すように前記
非磁性薄膜（８“）のうち前記薄膜形成面（１５）上に
被着された部分の上面にフォトリングラフィ技術により
レジスト（１７）を形成する。前記レジスト（１７）は
基板（７）の巻線溝形成部分（１８）及びガラス棒挿入
溝形成部分（１９）には形成されていない。尚、本実施
例では、幅２２μｍのパターンを有するフォトマスクを
使用してレジスト（１７）を形成した。前記薄膜形成面
（Ｘ５）は幅ａが２６μｍであるので幅２２μｍのパタ
ーンを位置合わせするのは容易である。また、仮に１．
２μｍのズレがあってもほとんど問題はない。

次に、第７図に示すようにイオンビームエツチングによ
り前記レジスト（１７）形成部以外の非磁性薄膜及び強
磁性金属薄膜を除去して基板（７）を露出させ、所定の
パターン（ギャップ衝き合わせ部）の強磁性金属薄膜（
３）及び非磁性薄膜（８）を残す。前記強磁性金属薄膜
（３）の底面（３ａ）の幅は第８図に示すように前記薄
膜形成面（１５）の幅ａに略等しい。尚イオンビームエ
ツチング時の入射角を選択することにより前記強磁性金
属薄膜（３）の側面（３ｂ）の傾斜角を調整して前記底
面（３ａ）の幅を所定値にした。

次に、第７図に示す基板（７）（７’）を一対用意し、
一方の基板（７′）の巻線溝形成部（１８）及びガラス
棒挿入溝形成部（１９）に溝加工を施して巻線溝（・１
）及びガラス棒挿入溝（２０）を形成し、第９図に示す
ように前記一対の基板（７）（７′）のギャップ衝き合
わせ部同士を衝合させる。

尚、前記ガラス（１６）の上面に、前記強磁性金属薄膜
（３）に影響を与えない程度の′、ａ（図示せず）を前
記ガラス充填溝（１４）と同一方向に形成した後、巻線
溝（４）及びガラス棒挿入溝（２０）を形成して前記両
基板（７）（７’）をガラス接合してもよい。この場合
、巻線溝（４）及びガラス棒挿入溝（２０）加工時の衝
撃は前述の溝により緩和されるため、前記ガラス（１６
）にはヒビ等は発生せず、また、ガラス接合時において
は前述の溝を通して溶融ガラスがよく流れるため、接合
強度が強くなる。　以後は周知の如く、前記ガラス棒挿
入溝（２０）内にガラス棒（図示せず）を挿入し、該ガ
ラス棒を溶融固化することにより前記両基板（７）（７
°）を接合してブロックを形成し、該ブロックにＲ付加
工を施した後、第９図に示す一点鎖線Ａ−Ａ’　、Ｂ−
Ｂ’　に相当する位置で切断して複数のへラドチップを
形成する。尚、本実施例では前記ガラス接合を前記ガラ
ス充填溝（１４）に充填したガラス（１６）と同一のガ
ラスを用いて、真空中６３０℃の条件下で行った。

第１図は上述の製造方法によって製造された磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、第２図はテープ摺接面を示す図で
ある。一対の磁気コア半体（１）（１゛）はガラス（１
６）（１６）によって結合されており、前記磁気コア半
体（１）（１°）と強磁性金属薄膜（３）（３’）の境
界部（６）（６）は作動ギャップ（４）に対して平行で
ある。

上述の第１実施例の磁気ヘッドの製造方法では、薄膜形
成面（１５）を規定するガラス充填溝（１４）を形成し
、該ガラス充填溝（１４）にガラス（１６）を充填した
後、強磁性金属薄膜（３′）及び非磁性薄膜（８゛）を
被着形成するので、前記溝加工による強磁性金属薄膜（
３゛）若しくは耐熱性薄膜の膜剥れは防止される。特に
、疑似ギャップ防止用の耐熱性薄膜を形成した時、その
効果は大である。また、イオンビームエツチングにより
ギャップ衝き合わせ部の強磁性金属薄膜（３）及び非磁
性薄膜（８）を形成する際、イオンビームの入射角を調
整することにより前記薄膜形成部（３）の幅ａと前記強
磁性金属薄膜（３）の底面（３ａ）の幅とを一致させる
ことが容易に出来、製造された磁気ヘッドにおいて薄膜
形成面（１５）（１５）同士が直接対向することはなく
、隣接トラックの低周波信号を拾う虞れはない。また、
作動ギャップ（４）の位置が中・いからずれることもな
くなる。

また、第２実施例の製造方法として、上述の第１実施例
の第３図に示す工程の際に、以下に示す加工を行っても
よい。

第１７図（ａ）−第２１図（ａ）は第３図のＣ−Ｃ°断
面での加工工程を示す図、第１７図（ｂ）〜第２１図（
ｂ）は第３図のＤ−Ｄ’断面での加工工程を示す図であ
る。

先ず、第１７図（ａ）（ｂ）に示すように基板（７）の
上面に薄膜形成面（１５）を規定するガラス充填溝（１
４）を形成すると同時に該ガラス充填溝（１４）と直交
する方向に端部が作動ギャップのギャップ深さ規制部Ｘ
に位置する斜面（２１ａ）を有するギャップ深さ規制溝
（２１）を形成する。尚、作動ギャップのギャップ深さ
とは、作動ギャップ（フロントギャップ）の媒体摺接面
と直交する方向の長さである。

次に、第１８図（ａ）（ｂ月こ示すように前記ガラス充
填溝（１４）及びギャップ深さ規制溝（２１）にガラス
（１６）を充填し、その後前記基板（７）上面を鏡面研
磨する。

次に、第１９図（ａ）（ｂ）に示すように前記基板（７
）の上面全域に強磁性金属薄膜（３′）及びギャップス
ペーサ用の非磁性薄膜（８°）を被着形成する。

次に、上述の第１実施例の第６図と同様にレジストを形
成し、イオンビームエツチングを行うことにより非磁性
薄膜（８°）及び強磁性金属薄膜（３゛）の不要部分を
除去し、第２０図（ａ　）（ｂ　）に示すようにフロン
トギャップ形成面（２２ａ）上及びパックギャップ形成
面（２２ｂ）上の強磁性金属薄膜（３）及び非磁性薄膜
（８）を残す。尚、この時、フロンギャップ形成面（２
２ａ）上の強磁性金属薄膜（３）のギャップ下端側の端
部はギャップ深さ規制溝（２１）の斜面（２１ａ）側の
端部、即ち、ギャップ深さ規制部Ｘに位置している。

次に、第２１図（ａ　）（ｂ　）に示すように、前記強
磁性金属薄膜除去部に巻線溝（４）及びガラス棒挿入溝
（２０）を形成する。前記巻線溝（４）は前記ギャップ
深さ規定部Ｘから離れ、且つ前記ギャップ深さ規定溝（
２１）の一部を削り取ることにより形成される。

以後は、上述の第１実施例の第９図と同様に第２０図（
ａ）（ｂ）に示す基板（７）と第２１図（ａ）（ｂ）に
示す基板（７°）のギャップ衝き合わせ部同士を衝合し
、その後周知の如くガラス棒によるガラス接合、Ｒ針加
工及び切断加工等を行い複数のへラドチップを形成する
。

この第２実施例の製造方法では、作動ギャップ（フロン
トギャップ）のギャップ深さは、強磁性金属薄膜（３′
）被着以前に形成されガラス（１６）が充填されている
ギャップ深さ規制溝（２１）により規制されており、巻
線溝（４）の加工位置は前記強磁性金属薄膜（３）とは
離れているため、この加工時の衝撃による前記強磁性金
属薄膜（３）の膜剥れ等の問題は生じない。また、ガラ
ス（１６）が充填されたギャップ深さ規制溝（２１）に
より、磁気ヘッド完成体における作動ギャップの下端近
傍での磁束の漏れを防止することが出来る。

また、第３実施例の製造方法として、上述の第１実施例
の製造方法での第３図に示す工程の際に、以下に示す加
工を行ってもよい。

第２２図（ａ）−第２６図（ａ）は第３図のＣ−Ｃ′断
面での加工工程を示す図、第２２図（ｂ）〜第２６図（
ｂ）は第３図のＤ−Ｄ’断面での加工工程を示す図であ
る。

先ず、第２２図（ａ）（ｂ）に示すように基板（７）の
上面に形成された薄膜形成面（１５）を規定するガラス
充填溝（１４）にガラス（１６）を充填し、その後前記
基板（７目皿面を鏡面研磨する。

次に、第２３図（ａ）（ｂ）に示すように前記基板（７
）の上面に前記ガラス充填溝（１４）と直交する方向に
斜面（２１ａ）を有するギャップ深さ規制溝（２１）を
形成する。前記斜面（２１ａ）の端部は作動ギャップ（
２）のギャップ深さ規制部Ｘに位置している。

次に、第２４図（ａ　）（ｂ　）に示すように前記基板
（７）の−Ｌ面全域に強磁性金属薄膜（３′）及びギャ
ップスペーサ用の非磁性薄膜（８゛）を被着形成する。

次に、前記非磁性薄膜（８′）上にレジストを形成し、
イオンビームエツチングを行うことにより、不要な非磁
性薄膜（８′）及び強磁性金属薄膜（３゛）を除去し、
第２５図（ａ）（ｂ）に示すようにフロントギャップ形
成面（２２ａ）からギャップ深さ規制溝（２１）の斜面
（２１ａ）の一部とパックギャップ形成面（２２ｂ）上
の強磁性金属薄膜（３）及び非磁性薄膜（８）を残す。

尚、この工程において、ギャップ深さ規制部Ｘ近傍部で
のレジストパターンは、第３１図（ａ）に示すように、
他の部分に比べて幅広にしておく。

一般に、第２４図（ａ）（ｂ）に示す基板（７）上にレ
ジスｌ−（１７）を形成した場合、第２７図に示すよう
にギャップ深さ規制部Ｘ近傍でのレジスｌ−（１７）の
厚みは他の部分に比べて薄くなる。この第２７図に示す
ようなレジスト（１７）の状態でイオンビームエツチン
グを行うと第２８図及び第２９図に示すように非磁性薄
膜（８゛）及び強磁性金属薄膜（３°）の不要部分が除
去される。第２８図は第２７図のＥ−Ｆ’断面図、第２
９図は第２７図のＦ−Ｆ’断面図であり、夫々の図面に
おいて、（ａ）はレジスト形成後の状態、（ｂ）はイオ
ンビームエツチング後の状態、（Ｃ）はレジスト除去後
の状態を示す図である。上記第２８図及び第２９図から
判るようにイオンビームエツチングを行うと前記薄膜（
３’）（８’）の不要部分のエツチング進行と同時にレ
ジスト（１７）パターンも削られるため、第２９図に示
すようにレジスト（１７）の厚みが薄い場合、残すべき
前記薄膜（３）（８）の両端部も削られる。即ち、第３
０図（ａ）に示すような状態でイオンビームエツチング
を行うと、第３０図（ｂ）に示すようにレジスト（１７
）の厚みが薄いギャップ深さ規制部Ｘ近ｆｊ）での前記
薄膜（３）（８）幅が小さくなってしまう。本実施例の
レジスト（１７）パターンは、上述の欠点を予め回避す
るために第３１図（ａ）に示すようにギャップ深さ規制
部Ｘ近傍での幅を他の部分よりも幅広にしており、この
レジスト（１７）パターンを用いてイオンビームエツチ
ングを行うと第３１図（ｂ）に示すように薄膜（３）（
８）の幅は略均−になる。尚、第３０図及び第３１図は
夫々レジストパターンの要部上面図であり、夫々の図面
において（ａ）はレジスト形成後の状態、（ｂ）はイオ
ンビームエツチング、レジスト除去後の状態を示す図で
ある。

第３実施例の製造方法では、次に第２６図（ａ）（ｂ）
に示すように薄膜未形成部分に溝加工を施して巻線溝（
４）及びガラス捧挿入溝（２ｏ）を形成する。前記巻線
溝（４）は前記斜面（２１ａ）上に被着している強磁性
金属薄膜（３）から離れ、且つ前記ギャップ深さ規制溝
（２１）の一部を削り取ることにより形成される。

以後は、上述の第１実施例の第９図と同様に第２５図（
ａ　）（ｂ　）に示す基板（７）と第２６図（ａ）（ｂ
）に示す基板（７′）のギャップ衝き合わせ部同士を衝
合し、その後周知の如くガラス棒によるガラス接合、Ｒ
付加工及び切断加工等を行い複数のへラドチップを形成
する。

この第３実施例の製造方法においても、第２実施例と同
様に作動ギャップ（フロントギャップ）のギャップ深さ
は、強磁性金属薄膜（３）被着以前に形成されたギャッ
プ深さ規制溝（２１）により規制されているため、巻線
溝（４）の加工位置は前記強磁性金属薄膜（３）からは
離れており、この加工時の衝撃による前記強磁性金属薄
膜（３）の剥離は防止される。またギャップ深さ規制溝
（２１）のギャップ深さ規制部Ｘ近傍には非磁性薄膜（
８）が被着されているため、磁気ヘッド完成体における
作動ギャップの下端近傍での磁束の漏れを防止すること
が出来る。

（ト）発明の効果 本発明に依れば、膜剥れを生じることなく作動ギャップ
を所定の位置に正確に形成出来、また、量産性優れた磁
気ヘッドの製造方法を提供し得る。

また、本発明に依れば、作動ギャップのギャップ深さを
高精度に規制することが出来る磁気ヘッドの製造方法を
提供し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第９図は本発明に係り、第１図は磁気ヘッド
の外観を示す斜視図、第２図は磁気ヘッドのテープ摺接
面を示す図、第３図、第４図、第５図、第６図、第７図
、第８図及び第９図は夫々磁気ヘッドの製造方法に示す
図である。第１０図は磁気ヘッドの外観を示す斜視図、
第１１図、第１２図、第１３図、第１４図及び第１５図
は夫々従来の磁気ヘッドの製造方法を示す図、第１６図
は従来の磁気ヘッドのテープ摺接面を示す図である。第
１７図、第１８図、第１９図、第２０図及び第２１図は
夫々本発明の第２実施例の磁気ヘッドの製造方法を示す
断面図である。第２２図乃至第３１図は本発明の第３実
施例に係り、第２２図、第２３図、第２４図、第２５図
及び第２６図は夫々磁気ヘッドの製造方法を示す断面図
、第２７図はレジストの状態を示す断面図、第２８図及
び第２９図は夫々イオンビームエツチング工程を示す断
面図、１３０図及び第３１図は夫々レジストパターンの
要部上面図である。 （１）（１’）・・・磁気コア半体、（２）・・・作動
ギャップ、（３〉・・・強磁性金属薄膜、（６）・・・
境界部、（７）・・・基板、（８）・・・非磁性薄膜、
（１４）・・・ガラス充填溝、（１５）・・・薄膜形成
面、（１６）・・・ガラス、（１７）・・・レジスト、
（２１）・・・ギャップ深さ規制溝、Ｘ・・・ギャップ
深さ規制部。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）強磁性酸化物よりなる一対の磁気コア半体の作動
   ギャップ近傍に強磁性金属薄膜が被着され、前記磁気コ
   ア半体と前記強磁性金属薄膜との境界が前記作動ギャッ
   プのトラック幅方向と平行である磁気ヘッドの製造方法
   において、強磁性酸化物よりなる一対の基板の上面に薄
   膜形成面を規定するガラス充填溝を形成し、該ガラス充
   填溝内にガラスを充填した後、前記薄膜形成面上及び前
   記ガラス上に強磁性金属薄膜を被着する工程と、前記薄
   膜形成面上の強磁性金属薄膜上にレジストを形成してエ
   ッチングを行うことにより前記ガラス上に被着した強磁
   性金属薄膜を除去した後、前記一対の基板の一方若しく
   は両方に巻線溝を形成し、該一対の基板同士を前記強磁
   性金属薄膜が非磁性薄膜を介して衝き合う状態でガラス
   接合する工程とを備えることを特徴とする磁気ヘッドの
   製造方法。
2. （２）強磁性酸化物よりなる一対の磁気コア半体の作動
   ギャップ近傍に強磁性金属薄膜が被着され、前記磁気コ
   ア半体と前記強磁性金属薄膜との境界が前記作動ギャッ
   プのトラック幅方向と平行である磁気ヘッドの製造方法
   において、強磁性酸化物よりなる一対の基板の上面に薄
   膜形成面を規定するガラス充填溝、及び該ガラス充填溝
   と直交し端部が作動ギャップのギャップ深さ規制部に一
   致するギャップ深さ規制溝を形成する工程と、前記ガラ
   ス充填溝内及び前記ギャップ深さ規制溝内にガラスを充
   填する工程と、前記基板の上面全域に強磁性金属薄膜を
   被着した後、該強磁性金属薄膜の不要部分をエッチング
   により除去することによりフロントギャップ部の強磁性
   金属薄膜の端部を前記ギャップ深さ規制部と一致させる
   工程と、前記基板の強磁性金属薄膜除去部のうち前記ギ
   ャップ深さ規制部から離れた位置に巻線溝を形成する工
   程と、前記一対の基板同士を前記強磁性金属薄膜及び非
   磁性薄膜を介して衝き合う状態でガラス接合する工程と
   を備えることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
3. （３）強磁性酸化物よりなる一対の磁気コア半体の作動
   ギャップ近傍に強磁性金属薄膜が被着され、前記磁気コ
   ア半体と前記強磁性金属薄膜との境界が前記作動ギャッ
   プのトラック幅方向と平行である磁気ヘッドの製造方法
   において、強磁性酸化物よりなる一対の基板の上面に薄
   膜形成面を規定するガラス充填溝を形成し、該ガラス充
   填溝内にガラスを充填する工程と、前記ガラス充填溝と
   直交し端部が作動ギャップのギャップ深さ規制部に一致
   するギャップ深さ規制溝を形成する工程と、前記基板の
   上面全域に強磁性金属薄膜を被着した後、該強磁性金属
   薄膜の不要部分をエッチングにより除去することにより
   フロントギャップ部からギャップ深さ規制溝の一部まで
   連なる強磁性金属薄膜の形成する工程と、前記基板の強
   磁性金属薄膜除去部のうち前記強磁性金属薄膜の端部か
   ら離れた位置に巻線溝を形成する工程とを備えることを
   特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
4. （４）強磁性金属薄膜の除去をイオンビームエッチング
   で行うことを特徴とする請求項（１）、（２）又は（３
   ）記載の磁気ヘッドの製造方法。
5. （５）前記薄膜形成面の幅が前記作動ギャップのトラッ
   ク幅よりも大きいことを特徴とする請求項（１）、（２
   ）、（３）、又は（４）記載の磁気ヘッドの製造方法。