JP2743491B2 - 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JP2743491B2 JP2743491B2 JP1172206A JP17220689A JP2743491B2 JP 2743491 B2 JP2743491 B2 JP 2743491B2 JP 1172206 A JP1172206 A JP 1172206A JP 17220689 A JP17220689 A JP 17220689A JP 2743491 B2 JP2743491 B2 JP 2743491B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気記録媒体からデータを読みだしたり、
磁気記録媒体にデータを書き込んだりする磁気記録再生
装置に用いられる複合型薄膜磁気ヘッドに関するもので
ある。
磁気記録媒体にデータを書き込んだりする磁気記録再生
装置に用いられる複合型薄膜磁気ヘッドに関するもので
ある。
従来の技術 第11図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。
第11図においては１は基板、２は基板１の上に形成され
た下部磁性層で、下部磁性層２はセンダスト等の材料に
よって構成されている。３は下部磁性層２の上に形成さ
れた磁気ギャップとなるギャップ層で、ギャップ層３は
二酸化シリコン等の材料で構成される。４はギャップ層
３の上に形成された絶縁層で、絶縁層４はフォトレジス
ト等の有機材料によって構成されている。５は絶縁層４
の上に形成されたコイル層で、コイル層５は銅等の導電
性材料によって構成されている。６は下部磁性層２とと
もに磁気回路を構成する上部磁性層で、上部磁性層６は
センダスト等の材料によって構成されている。この時上
部磁性層６とコイル層５を絶縁するために上部磁性層６
とコイル層５の間に絶縁層７を設けられている。絶縁層
７はフォトレジスト等の有機材料によって構成されてい
る。８は上部磁性層６の上に形成された保護層で、保護
層８は二酸化シリコン等の無機材料によって構成されて
いる。９はカバー材で、カバー材９は保護層８の上にガ
ラス等の接着剤10によって接着されている。しかし前述
したような構造の薄膜磁気ヘッドでは、再生出力を大き
くするためには、磁気記録媒体との相対速度をおおきく
するか、コイル層５の巻数を多くしなければならなかっ
た。この様な問題点を解決するために再生出力が大きな
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下MRヘッドと省略す
る）と第11図に示す薄膜磁気ヘッドを組合せた複合型薄
膜磁気ヘッドが開発された。以下従来の複合型薄膜磁気
ヘッドを第12図及び第13図を用いて説明す。第12図は従
来の複合型薄膜磁気ヘッドを示す側断面図である。第12
図においては１は基板、２は下部磁性層、３はギャップ
層、４は絶縁層、５はコイル層、６は上部磁性層、７は
絶縁層、８は保護層、９はカバー材、10は接着剤で、こ
れらは第11図に示す薄膜磁気ヘッドの構成と同じであ
る。11はギャップ層３の中にしかも媒体対向面に一部露
出する様に設けられたMR素子膜である。このタイプの複
合型薄膜磁気ヘッドにおいては再生の際はMR素子膜11を
用いるので再生出力は大きくなり、しかも記録も行え
る。第13図は他の従来の複合型薄膜磁気ヘッドを示す側
断面図である。第13図において１は基板、２は下部磁性
層、３はギャップ層、４は絶縁層、５はコイル層、７は
絶縁層、８は保護層、９はカバー材、10は接着剤で、こ
れらは第11図に示す薄膜磁気ヘッドの構成と同じであ
る。12は絶縁層７の上に形成されたMR素子膜、13は下部
磁性層２とともに磁気回路を構成する様に設けられた上
部磁性層で、上部磁性層13はMR素子膜12を避ける様に絶
縁層７の上に設けられ、上部磁性層13にはMR素子膜12の
上部に相当する部分に貫通孔13aが設けられている。以
下、上記構成の複合型薄膜磁気ヘッドについて磁束の流
れ方について説明する。先ず再生の時の磁束の流れを第
14図を用いて説明する。この時磁気記録媒体14からの磁
束は下部磁性層２から侵入し上部磁性層13から出て行く
場合を説明する。第14図に示す様に磁束は下部磁性層２
を通り上部磁性層13の方に流れ込む。次に上部磁性層13
の貫通孔13aの所に磁束が来ると、磁束は磁気抵抗の小
さなMR素子膜12の方に流れこむ。そして磁束はMR素子膜
12から再び上部磁性層13の方に流れこみ、磁気記録媒体
の方に戻っていく。記録の場合はコイル層５に電流を流
し、磁束を下部磁性層２及び上部磁性層13に供給する。
この時磁束は再生の時と同じ様な経路を通る。
第11図においては１は基板、２は基板１の上に形成され
た下部磁性層で、下部磁性層２はセンダスト等の材料に
よって構成されている。３は下部磁性層２の上に形成さ
れた磁気ギャップとなるギャップ層で、ギャップ層３は
二酸化シリコン等の材料で構成される。４はギャップ層
３の上に形成された絶縁層で、絶縁層４はフォトレジス
ト等の有機材料によって構成されている。５は絶縁層４
の上に形成されたコイル層で、コイル層５は銅等の導電
性材料によって構成されている。６は下部磁性層２とと
もに磁気回路を構成する上部磁性層で、上部磁性層６は
センダスト等の材料によって構成されている。この時上
部磁性層６とコイル層５を絶縁するために上部磁性層６
とコイル層５の間に絶縁層７を設けられている。絶縁層
７はフォトレジスト等の有機材料によって構成されてい
る。８は上部磁性層６の上に形成された保護層で、保護
層８は二酸化シリコン等の無機材料によって構成されて
いる。９はカバー材で、カバー材９は保護層８の上にガ
ラス等の接着剤10によって接着されている。しかし前述
したような構造の薄膜磁気ヘッドでは、再生出力を大き
くするためには、磁気記録媒体との相対速度をおおきく
するか、コイル層５の巻数を多くしなければならなかっ
た。この様な問題点を解決するために再生出力が大きな
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下MRヘッドと省略す
る）と第11図に示す薄膜磁気ヘッドを組合せた複合型薄
膜磁気ヘッドが開発された。以下従来の複合型薄膜磁気
ヘッドを第12図及び第13図を用いて説明す。第12図は従
来の複合型薄膜磁気ヘッドを示す側断面図である。第12
図においては１は基板、２は下部磁性層、３はギャップ
層、４は絶縁層、５はコイル層、６は上部磁性層、７は
絶縁層、８は保護層、９はカバー材、10は接着剤で、こ
れらは第11図に示す薄膜磁気ヘッドの構成と同じであ
る。11はギャップ層３の中にしかも媒体対向面に一部露
出する様に設けられたMR素子膜である。このタイプの複
合型薄膜磁気ヘッドにおいては再生の際はMR素子膜11を
用いるので再生出力は大きくなり、しかも記録も行え
る。第13図は他の従来の複合型薄膜磁気ヘッドを示す側
断面図である。第13図において１は基板、２は下部磁性
層、３はギャップ層、４は絶縁層、５はコイル層、７は
絶縁層、８は保護層、９はカバー材、10は接着剤で、こ
れらは第11図に示す薄膜磁気ヘッドの構成と同じであ
る。12は絶縁層７の上に形成されたMR素子膜、13は下部
磁性層２とともに磁気回路を構成する様に設けられた上
部磁性層で、上部磁性層13はMR素子膜12を避ける様に絶
縁層７の上に設けられ、上部磁性層13にはMR素子膜12の
上部に相当する部分に貫通孔13aが設けられている。以
下、上記構成の複合型薄膜磁気ヘッドについて磁束の流
れ方について説明する。先ず再生の時の磁束の流れを第
14図を用いて説明する。この時磁気記録媒体14からの磁
束は下部磁性層２から侵入し上部磁性層13から出て行く
場合を説明する。第14図に示す様に磁束は下部磁性層２
を通り上部磁性層13の方に流れ込む。次に上部磁性層13
の貫通孔13aの所に磁束が来ると、磁束は磁気抵抗の小
さなMR素子膜12の方に流れこむ。そして磁束はMR素子膜
12から再び上部磁性層13の方に流れこみ、磁気記録媒体
の方に戻っていく。記録の場合はコイル層５に電流を流
し、磁束を下部磁性層２及び上部磁性層13に供給する。
この時磁束は再生の時と同じ様な経路を通る。
発明が解決しようとする課題 一般に信号の短波長領域での記録再生を行うためには
ギャップ長を出来るだけ小さくしなければならない。従
って第12図に示す複合型薄膜磁気ヘッドではギャップ層
３の中にMR素子膜11を形成し、しかもMR素子膜11を媒体
対向面に一部むき出しになる様に設けられているので、
第11図に示す薄膜磁気ヘッドよりもギャップ長Ｇを短く
するには限界があった。又第13図に示す複合型薄膜磁気
ヘッドは、記録する事にかなりの磁束がMR素子膜12に流
れこむ。すると一般に低飽和密度であるMR素子膜12はす
ぐに磁束飽和の状態になり、それ以上磁束は通らなくな
る。従って媒体対向面飛び出す磁束は弱くなる。これを
解決しようと、さらにコイル層５に強い記録電流を流す
と、MR素子膜12はすでに磁束飽和の状態に達しているの
で、磁束は第15図に示す様に、媒体対向面側を通らず貫
通孔13aの部分から下部磁性層２の方に流れる様になっ
てしまう。従って記録に充分な磁束を媒体対向面から放
出させる事ができないという問題点を有していた。
ギャップ長を出来るだけ小さくしなければならない。従
って第12図に示す複合型薄膜磁気ヘッドではギャップ層
３の中にMR素子膜11を形成し、しかもMR素子膜11を媒体
対向面に一部むき出しになる様に設けられているので、
第11図に示す薄膜磁気ヘッドよりもギャップ長Ｇを短く
するには限界があった。又第13図に示す複合型薄膜磁気
ヘッドは、記録する事にかなりの磁束がMR素子膜12に流
れこむ。すると一般に低飽和密度であるMR素子膜12はす
ぐに磁束飽和の状態になり、それ以上磁束は通らなくな
る。従って媒体対向面飛び出す磁束は弱くなる。これを
解決しようと、さらにコイル層５に強い記録電流を流す
と、MR素子膜12はすでに磁束飽和の状態に達しているの
で、磁束は第15図に示す様に、媒体対向面側を通らず貫
通孔13aの部分から下部磁性層２の方に流れる様になっ
てしまう。従って記録に充分な磁束を媒体対向面から放
出させる事ができないという問題点を有していた。
本発明は前記従来の問題点を解決しようとするもの
で、より短いギャップ長を得る事ができる事によって、
短波長領域の記録再生ができ、しかも記録時に記録に充
分な磁束を放出させる事ができる複合型薄膜磁気ヘッド
及び製造方法を提供する事を目的としている。
で、より短いギャップ長を得る事ができる事によって、
短波長領域の記録再生ができ、しかも記録時に記録に充
分な磁束を放出させる事ができる複合型薄膜磁気ヘッド
及び製造方法を提供する事を目的としている。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために、磁性層の近傍に磁気抵抗
効果素子膜を設けるとともに、磁気抵抗効果素子膜近傍
の磁性膜の一部を、他の部分と略同一膜厚で透磁率の低
い磁性層にした。
効果素子膜を設けるとともに、磁気抵抗効果素子膜近傍
の磁性膜の一部を、他の部分と略同一膜厚で透磁率の低
い磁性層にした。
作用 この構成により、再生時の様に比較的磁束の流れが小
さい時には磁束は透磁率の高い磁気抵抗効果素子の方を
流れ、記録時の様に磁束の流れが極めて多い時には、磁
束の磁性層の高飽和磁束密度及び低透磁率を有する部分
を通過する。
さい時には磁束は透磁率の高い磁気抵抗効果素子の方を
流れ、記録時の様に磁束の流れが極めて多い時には、磁
束の磁性層の高飽和磁束密度及び低透磁率を有する部分
を通過する。
実 施 例 第１図及び第２図は本発明の一実施例における複合型
薄膜磁気ヘッドを示す分解斜視図及び側断面図である。
以下、第１図及び第２図を用いて、構造及び製造方法に
ついて説明する。先ず基板14の表面に研磨加工を施し、
その研磨加工を施した面に所定形状にパターニングされ
た下部磁性層15を形成する。この時下部磁性層15はパー
マロイ等の軟磁性材料によって構成されており、真空蒸
着法やスパッタ法等によって形成される。次に下部磁性
層15の上に磁気ギャップとなるギャップ層16を形成す
る。ギャップ層16は二酸化シリコン等の無機材料によっ
て構成され、スパッタ法等によって形成される。次にギ
ャップ層16の媒体対向面側の端部を除いて上に絶縁層17
を形成する。絶縁層17はフォトレジスト等の有機絶縁材
料によって構成されている。次にこの絶縁層17の上にコ
イル層18を形成する。コイル層18は次の様に構成され
る。先ず絶縁層17の上にCu,Al等の導電材料を電着，蒸
着等の方法によって付着させ、エッチング，リフトオフ
等によって所定の形状に仕上げて形成する。次にこの様
に形成されたコイル層18を覆うように絶縁層17の上に絶
縁層19を形成する。絶縁層19は絶縁層17と同じ材料によ
って構成されている。次に絶縁層19の上に磁気抵抗効果
素子膜20を形成する。図示されていないが、電流が供給
されるリードが磁気抵抗効果素子膜20に接続されてい
る。磁気抵抗効果素子膜20はパーマロイ等の材料によっ
て構成され、蒸着によって形成される。次に磁気抵抗効
果素子膜20を覆う様にして、絶縁層21を形成する。絶縁
層21は絶縁層19と同じ材料で構成されている。次に絶縁
層21の上に上部磁性層22を形成する。上部磁性層22は以
下の様にして形成される。上部磁性層22は磁気抵抗効果
素子膜20と対向する部分を避け、磁性層22aと磁性層22b
の二つに分けて形成する。磁性層22a,22bは下部磁性層1
5と同じ材料で、しかも同じ形成方法で作成した。次に
磁性膜22a,22bの間にCo−CrやCo−Ni等の高飽和磁束密
度及び低透磁率を有する材料を充填し、バイパス部22c
を形成し、上部磁性層22を形成する。最後に保護層23を
形成する。保護層23は二酸化シリコン等の材料で構成さ
れ、スパッタ法等によって形成される。最後に所定のギ
ャップデプスになるまで先端部を研磨して仕上げる。
薄膜磁気ヘッドを示す分解斜視図及び側断面図である。
以下、第１図及び第２図を用いて、構造及び製造方法に
ついて説明する。先ず基板14の表面に研磨加工を施し、
その研磨加工を施した面に所定形状にパターニングされ
た下部磁性層15を形成する。この時下部磁性層15はパー
マロイ等の軟磁性材料によって構成されており、真空蒸
着法やスパッタ法等によって形成される。次に下部磁性
層15の上に磁気ギャップとなるギャップ層16を形成す
る。ギャップ層16は二酸化シリコン等の無機材料によっ
て構成され、スパッタ法等によって形成される。次にギ
ャップ層16の媒体対向面側の端部を除いて上に絶縁層17
を形成する。絶縁層17はフォトレジスト等の有機絶縁材
料によって構成されている。次にこの絶縁層17の上にコ
イル層18を形成する。コイル層18は次の様に構成され
る。先ず絶縁層17の上にCu,Al等の導電材料を電着，蒸
着等の方法によって付着させ、エッチング，リフトオフ
等によって所定の形状に仕上げて形成する。次にこの様
に形成されたコイル層18を覆うように絶縁層17の上に絶
縁層19を形成する。絶縁層19は絶縁層17と同じ材料によ
って構成されている。次に絶縁層19の上に磁気抵抗効果
素子膜20を形成する。図示されていないが、電流が供給
されるリードが磁気抵抗効果素子膜20に接続されてい
る。磁気抵抗効果素子膜20はパーマロイ等の材料によっ
て構成され、蒸着によって形成される。次に磁気抵抗効
果素子膜20を覆う様にして、絶縁層21を形成する。絶縁
層21は絶縁層19と同じ材料で構成されている。次に絶縁
層21の上に上部磁性層22を形成する。上部磁性層22は以
下の様にして形成される。上部磁性層22は磁気抵抗効果
素子膜20と対向する部分を避け、磁性層22aと磁性層22b
の二つに分けて形成する。磁性層22a,22bは下部磁性層1
5と同じ材料で、しかも同じ形成方法で作成した。次に
磁性膜22a,22bの間にCo−CrやCo−Ni等の高飽和磁束密
度及び低透磁率を有する材料を充填し、バイパス部22c
を形成し、上部磁性層22を形成する。最後に保護層23を
形成する。保護層23は二酸化シリコン等の材料で構成さ
れ、スパッタ法等によって形成される。最後に所定のギ
ャップデプスになるまで先端部を研磨して仕上げる。
以上の様に構成された複合型薄膜磁気ヘッドの磁束の
流れ方について以下説明する。第３図は再生時の磁束の
流れを示す図である。第３図に示す様に再生時、すなわ
ち磁束量が比較的少ない時は、磁束は低透磁率のバイパ
ス部22cを通らず、上部磁性層22から絶縁層19を通って
高透磁率の磁気抵抗効果素子膜20に流れこみ、又絶縁層
19を通って上部磁性層22に戻る。次に記録時の動作につ
いて説明する。第４図に示す様に記録時、すなわち磁束
量が多い時は、磁束は高透磁率の磁気抵抗効果素子膜20
の方に流れるが、磁気抵抗効果素子膜20は低飽和磁束密
度の材料で構成されているので、すぐに磁束飽和の状態
になってそれ以上の磁束量が流れなくなる。従って磁束
は低透磁率でかつ高飽和磁束密度を有するバイパス部22
cを流れる。従って記録時には媒体対向面に記録に充分
な磁束を飛び出させる事ができる。
流れ方について以下説明する。第３図は再生時の磁束の
流れを示す図である。第３図に示す様に再生時、すなわ
ち磁束量が比較的少ない時は、磁束は低透磁率のバイパ
ス部22cを通らず、上部磁性層22から絶縁層19を通って
高透磁率の磁気抵抗効果素子膜20に流れこみ、又絶縁層
19を通って上部磁性層22に戻る。次に記録時の動作につ
いて説明する。第４図に示す様に記録時、すなわち磁束
量が多い時は、磁束は高透磁率の磁気抵抗効果素子膜20
の方に流れるが、磁気抵抗効果素子膜20は低飽和磁束密
度の材料で構成されているので、すぐに磁束飽和の状態
になってそれ以上の磁束量が流れなくなる。従って磁束
は低透磁率でかつ高飽和磁束密度を有するバイパス部22
cを流れる。従って記録時には媒体対向面に記録に充分
な磁束を飛び出させる事ができる。
以上の様に本実施例によれば、下部磁性層22にCo−Cr
やCo−Ni等の高飽和磁束密度及び低透磁率を有する材料
を充填し、バイパス部22cを形成し、バイパス部22cの上
にギャップ層16を介して磁気抵抗効果素子膜20を形成し
た事により、再生時には磁束はバイパス部22cを通らず
磁気抵抗効果素子膜20のみの流れ、記録時には、磁束は
バイパス部22c及び磁気抵抗効果素子膜20の両方を通る
様になるので、記録時に充分な磁束を媒体対向面に放出
させる事ができる。
やCo−Ni等の高飽和磁束密度及び低透磁率を有する材料
を充填し、バイパス部22cを形成し、バイパス部22cの上
にギャップ層16を介して磁気抵抗効果素子膜20を形成し
た事により、再生時には磁束はバイパス部22cを通らず
磁気抵抗効果素子膜20のみの流れ、記録時には、磁束は
バイパス部22c及び磁気抵抗効果素子膜20の両方を通る
様になるので、記録時に充分な磁束を媒体対向面に放出
させる事ができる。
又第５図は他の実施例を示す断面図である。以下第５
図を基にして構造及びその製造方法を説明する。先ず基
板24の上に下部磁性層25を形成する。以下、下部磁性層
25の形成方法について説明する。先ず磁性層25aと磁性
層25bに分けて形成する。次に磁性層25a,25bの間にCo−
CrやCo−Ni等の高飽和磁束密度及び低透磁率を有する材
料を充填し、バイパス部25cを形成する。この様に下部
磁性層25は形成される。次に下部磁性層25の上に磁気ギ
ャップとなるギャップ層26を形成する。ギャップ層26は
第１図及び第２図に示す構成と同じである。次にギャッ
プ層26の上に、磁気抵抗効果素子膜27を形成する。この
時磁気抵抗効果素子膜27はバイパス部25cの上方に形成
される。磁気抵抗効果素子膜27は第１図及び第２図に示
す磁気抵抗効果素子膜と同じである。次にギャップ層26
の上に絶縁層28,コイル層29,絶縁層30を順に形成する。
絶縁層28,コイル層29,絶縁層30は第１図及び第２図に示
す構成と同じである。次に絶縁層30の上に下部磁性層25
とともに磁気回路を構成する上部磁性層31を形成する。
次に上部磁性層31の上に保護層32を形成する。最後に所
定のギャップデプスになるまで先端部を研磨して仕上げ
る。
図を基にして構造及びその製造方法を説明する。先ず基
板24の上に下部磁性層25を形成する。以下、下部磁性層
25の形成方法について説明する。先ず磁性層25aと磁性
層25bに分けて形成する。次に磁性層25a,25bの間にCo−
CrやCo−Ni等の高飽和磁束密度及び低透磁率を有する材
料を充填し、バイパス部25cを形成する。この様に下部
磁性層25は形成される。次に下部磁性層25の上に磁気ギ
ャップとなるギャップ層26を形成する。ギャップ層26は
第１図及び第２図に示す構成と同じである。次にギャッ
プ層26の上に、磁気抵抗効果素子膜27を形成する。この
時磁気抵抗効果素子膜27はバイパス部25cの上方に形成
される。磁気抵抗効果素子膜27は第１図及び第２図に示
す磁気抵抗効果素子膜と同じである。次にギャップ層26
の上に絶縁層28,コイル層29,絶縁層30を順に形成する。
絶縁層28,コイル層29,絶縁層30は第１図及び第２図に示
す構成と同じである。次に絶縁層30の上に下部磁性層25
とともに磁気回路を構成する上部磁性層31を形成する。
次に上部磁性層31の上に保護層32を形成する。最後に所
定のギャップデプスになるまで先端部を研磨して仕上げ
る。
以上の様に構成された複合型薄膜磁気ヘッドは第１図
に示す実施例と同じ様に磁束は流れる。すなわち第６図
に示す様に再生時には磁束はバイパス部25cを通らず磁
気抵抗効果素子膜27のみを流れ、第７図に示す様に記録
時には、磁束はバイパス部25c及び磁気抵抗効果素子膜2
7の両方を通る。
に示す実施例と同じ様に磁束は流れる。すなわち第６図
に示す様に再生時には磁束はバイパス部25cを通らず磁
気抵抗効果素子膜27のみを流れ、第７図に示す様に記録
時には、磁束はバイパス部25c及び磁気抵抗効果素子膜2
7の両方を通る。
以上の様に本実施例によれば、下部磁性層25にCo−Cr
やCo−Ni等の高飽和磁束密度及び低透磁率を有する材料
を充填し、バイパス部25cを形成し、バイパス部25cの上
にギャップ層26を介して磁気抵抗効果素子膜27を形成し
た事により、再生時には磁束はバイパス部25cを通らず
磁気抵抗効果素子膜27のみを流れ、記録時には、磁束は
バイパス部25o及び磁気抵抗効果素子膜27の両方を通る
様になるので、記録時に充分な磁束を媒体対向面に放出
させる事ができる。
やCo−Ni等の高飽和磁束密度及び低透磁率を有する材料
を充填し、バイパス部25cを形成し、バイパス部25cの上
にギャップ層26を介して磁気抵抗効果素子膜27を形成し
た事により、再生時には磁束はバイパス部25cを通らず
磁気抵抗効果素子膜27のみを流れ、記録時には、磁束は
バイパス部25o及び磁気抵抗効果素子膜27の両方を通る
様になるので、記録時に充分な磁束を媒体対向面に放出
させる事ができる。
しかし前述の様な製造方法では、磁性層を二つに分け
て形成し、二つの磁性膜の間にCo−Ni等を設けてバイパ
ス部を形成していたが、この方法では二つの磁性層の間
にバイパス部を形成するのは非常に難しく、しかも膜形
成の作業を２回も行わなくてはなければならないので、
工数も増え生産性が向上しなかった。
て形成し、二つの磁性膜の間にCo−Ni等を設けてバイパ
ス部を形成していたが、この方法では二つの磁性層の間
にバイパス部を形成するのは非常に難しく、しかも膜形
成の作業を２回も行わなくてはなければならないので、
工数も増え生産性が向上しなかった。
以下この問題点を解決する複合型薄膜磁気ヘッドの製
造方法を説明する。
造方法を説明する。
先ず基板14の上に下部磁性層15を形成し、下部磁性層
15の上に磁気ギャップとなるギャップ層16を形成する。
次にギャップ層16の媒体対向面側の端部を除いてギャッ
プ層16上に絶縁層17を形成する。次にこの絶縁層17の上
にコイル層18を形成する。次にこの様に形成されたコイ
ル層18を覆うように絶縁層17の上に絶縁層19を形成す
る。次に絶縁層19の上に磁気抵抗効果素子膜20を形成す
る。次に磁気抵抗効果素子膜20を覆う様にして、絶縁層
21を形成する。ここまでは第１図に示す実施例の製造方
法と同じである。次に第８図に示す様に絶縁層21の上に
Co−Nb−Zr−Taアモルファス磁性材料によって上部磁性
層33を形成する。この時上部磁性層33は下部磁性層15と
ともに磁気回路を構成する様に形成される。次に上部磁
性層25の磁気抵抗効果素子膜20上に形成されている部分
にレーザー発信部34から発射されたレーザー等の高エネ
ルギービームを照射する。するとその照射部分は加熱さ
れ、アモルファス状態の上部磁性層33はその熱によって
結晶化する。照射部分はレーザーを照射する前は高透磁
率，低飽和磁束密度を有する材料であったのが、結晶化
する事によって低透磁率，高飽和磁束密度を有する材料
に変化する。この様にバイパス部33aを形成する。最後
に上部磁性層33の上に保護層を形成し、所定のギャップ
デプスになる様に媒体対向面を研磨する。なお、レーザ
ーは保護層を形成する前に照射したが、磁気抵抗効果素
子膜の上方に対応する部分を除いた部分に保護層を形成
し、その後にレーザーを照射しても良い。
15の上に磁気ギャップとなるギャップ層16を形成する。
次にギャップ層16の媒体対向面側の端部を除いてギャッ
プ層16上に絶縁層17を形成する。次にこの絶縁層17の上
にコイル層18を形成する。次にこの様に形成されたコイ
ル層18を覆うように絶縁層17の上に絶縁層19を形成す
る。次に絶縁層19の上に磁気抵抗効果素子膜20を形成す
る。次に磁気抵抗効果素子膜20を覆う様にして、絶縁層
21を形成する。ここまでは第１図に示す実施例の製造方
法と同じである。次に第８図に示す様に絶縁層21の上に
Co−Nb−Zr−Taアモルファス磁性材料によって上部磁性
層33を形成する。この時上部磁性層33は下部磁性層15と
ともに磁気回路を構成する様に形成される。次に上部磁
性層25の磁気抵抗効果素子膜20上に形成されている部分
にレーザー発信部34から発射されたレーザー等の高エネ
ルギービームを照射する。するとその照射部分は加熱さ
れ、アモルファス状態の上部磁性層33はその熱によって
結晶化する。照射部分はレーザーを照射する前は高透磁
率，低飽和磁束密度を有する材料であったのが、結晶化
する事によって低透磁率，高飽和磁束密度を有する材料
に変化する。この様にバイパス部33aを形成する。最後
に上部磁性層33の上に保護層を形成し、所定のギャップ
デプスになる様に媒体対向面を研磨する。なお、レーザ
ーは保護層を形成する前に照射したが、磁気抵抗効果素
子膜の上方に対応する部分を除いた部分に保護層を形成
し、その後にレーザーを照射しても良い。
又他の実施例を以下説明する。先ず第９図に示す様に
基板35の上にCo−Nb−Zr−Taアモルファス磁性材料によ
って下部磁性層36を形成する。次に下部磁性層36の一部
にレーザー発発振部から発射されたレーザーを照射す
る。するとその照射部分は加熱され、アモルファス状態
の下部磁性層36はその熱によって結晶化する。照射部分
はレーザーを照射する前は高透磁率，低飽和磁束密度を
有する材料であったのが、結晶化する事によって低透磁
率，高飽和磁束密度を有する材料に変化する。この様に
バイパス部36aを形成する。次に第10図に示す様に、こ
の上にギャップ層37を形成し、その上に磁気抵抗効果素
子膜38を形成する。この時磁気抵抗効果素子膜33はギャ
ップ層37を介してバイパス部36aと対向する様に設けら
れる。ギャップ層37の上に絶縁層39を形成し、絶縁層39
の上にコイル層40を形成し、コイル層40の上に絶縁層41
を形成し、絶縁層41の上に下部磁性層36とともに磁気回
路を構成する様に上部磁性層42を形成し、上部磁性層42
の上に保護層43を形成し、最後に所定のギャップデプス
になるように媒体対向面を研磨する。
基板35の上にCo−Nb−Zr−Taアモルファス磁性材料によ
って下部磁性層36を形成する。次に下部磁性層36の一部
にレーザー発発振部から発射されたレーザーを照射す
る。するとその照射部分は加熱され、アモルファス状態
の下部磁性層36はその熱によって結晶化する。照射部分
はレーザーを照射する前は高透磁率，低飽和磁束密度を
有する材料であったのが、結晶化する事によって低透磁
率，高飽和磁束密度を有する材料に変化する。この様に
バイパス部36aを形成する。次に第10図に示す様に、こ
の上にギャップ層37を形成し、その上に磁気抵抗効果素
子膜38を形成する。この時磁気抵抗効果素子膜33はギャ
ップ層37を介してバイパス部36aと対向する様に設けら
れる。ギャップ層37の上に絶縁層39を形成し、絶縁層39
の上にコイル層40を形成し、コイル層40の上に絶縁層41
を形成し、絶縁層41の上に下部磁性層36とともに磁気回
路を構成する様に上部磁性層42を形成し、上部磁性層42
の上に保護層43を形成し、最後に所定のギャップデプス
になるように媒体対向面を研磨する。
以上の様に本実施例によれば、磁性層をアモルファス
磁性材料によって形成し、レーザーを照射する事によっ
てその部分を結晶化させ、その照射部分を低透磁率，高
飽和磁束密度を有する材料に変化させる事によって、バ
イパス部を形成できるので、第１図及び第５図に示す実
施例に様に膜形成作業を２回も行わなくても良く、生産
性が向上する。しかもバイパス部がずれるという問題は
生じない。なお本実施例においては磁性層をCo−Nb−Zr
−Taアモルファス磁性材料によって形成したが、Co系の
アモルファス磁性材料ならいずれでも実施可能である。
磁性材料によって形成し、レーザーを照射する事によっ
てその部分を結晶化させ、その照射部分を低透磁率，高
飽和磁束密度を有する材料に変化させる事によって、バ
イパス部を形成できるので、第１図及び第５図に示す実
施例に様に膜形成作業を２回も行わなくても良く、生産
性が向上する。しかもバイパス部がずれるという問題は
生じない。なお本実施例においては磁性層をCo−Nb−Zr
−Taアモルファス磁性材料によって形成したが、Co系の
アモルファス磁性材料ならいずれでも実施可能である。
発明の効果 本発明は、磁性層の近傍に磁気抵抗効果素子膜を設け
るとともに、磁気抵抗効果素子膜近傍の磁性膜の一部
を、他の部分と略同一膜厚で透磁率の低い磁性層にした
事により、再生時の様に比較的磁束の流れが小さい時に
は磁束は透磁率の高い磁気抵抗効果素子膜の方を流れ、
再生感度が向上する上に、磁性膜は凹凸が無いように構
成されているので磁壁が生じず、再生ノイズが発生しに
くい。さらに記録時の様に磁束の流れが極めて多い時に
は磁束は上部磁性層の高飽和磁束密度及び低透磁率を有
する部分を通過するようになるので、記録の際に記録に
十分な磁束を媒体対向面に放出させる事ができる。又磁
性層をアモルファス磁性材料によって構成し、磁気抵抗
効果素子膜近傍の磁性層を高エネルギービームによって
結晶化させて高飽和磁束密度及び透磁率を有する材料に
変換するので、膜形成作業を２回も行わなくても良いの
で生産性が向上する。
るとともに、磁気抵抗効果素子膜近傍の磁性膜の一部
を、他の部分と略同一膜厚で透磁率の低い磁性層にした
事により、再生時の様に比較的磁束の流れが小さい時に
は磁束は透磁率の高い磁気抵抗効果素子膜の方を流れ、
再生感度が向上する上に、磁性膜は凹凸が無いように構
成されているので磁壁が生じず、再生ノイズが発生しに
くい。さらに記録時の様に磁束の流れが極めて多い時に
は磁束は上部磁性層の高飽和磁束密度及び低透磁率を有
する部分を通過するようになるので、記録の際に記録に
十分な磁束を媒体対向面に放出させる事ができる。又磁
性層をアモルファス磁性材料によって構成し、磁気抵抗
効果素子膜近傍の磁性層を高エネルギービームによって
結晶化させて高飽和磁束密度及び透磁率を有する材料に
変換するので、膜形成作業を２回も行わなくても良いの
で生産性が向上する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例における複合型薄
膜磁気ヘッドを示す分解斜視図及び断面図、第３図は第
１図及び第２図に示した本実施例の再生時の磁束の流れ
を示す図、第４図は同記録時の磁束の流れを示す図、第
５図は本発明の他の実施例における複合型薄膜磁気ヘッ
ドを示す断面図、第６図は第５図に示した他の実施例の
再生時の磁束の流れを示す図、第７図は同記録時の磁束
の流れを示す図、第８図，第９図，第10図は本発明の一
実施例における複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す
断面図、第11図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図、
第12図，第13図は従来の複合型薄膜磁気ヘッドを示す断
面図、第14図は第１図に示す従来例の再生時の磁束の流
れを示す図、第15図は同記録時の磁束の流れを示す図で
ある。 14……基板、15……下部磁性層 16……ギャップ層 17……絶縁層、18……コイル層 19……絶縁層 20……磁気抵抗効果素子膜 21……絶縁層、22……上部磁性層 22a,22b……磁性層 22c……バイパス部 23……保護層、24……基板 25……下部磁性層 25a,25b……磁性層 25c……バイパス部 26……ギャップ層 27……磁気抵抗効果素子膜 28……絶縁層、29……コイル層 30……絶縁層、31……上部磁性層 32……保護層、33……上部磁性層 33a……バイパス部 34……レーザー発振部 35……基板、36……下部磁性層 36a……バイパス部 37……ギャップ層 38……磁気抵抗効果素子膜 39……絶縁層、40……コイル層 41……絶縁層、42……上部磁性層 43……保護層
膜磁気ヘッドを示す分解斜視図及び断面図、第３図は第
１図及び第２図に示した本実施例の再生時の磁束の流れ
を示す図、第４図は同記録時の磁束の流れを示す図、第
５図は本発明の他の実施例における複合型薄膜磁気ヘッ
ドを示す断面図、第６図は第５図に示した他の実施例の
再生時の磁束の流れを示す図、第７図は同記録時の磁束
の流れを示す図、第８図，第９図，第10図は本発明の一
実施例における複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す
断面図、第11図は従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図、
第12図，第13図は従来の複合型薄膜磁気ヘッドを示す断
面図、第14図は第１図に示す従来例の再生時の磁束の流
れを示す図、第15図は同記録時の磁束の流れを示す図で
ある。 14……基板、15……下部磁性層 16……ギャップ層 17……絶縁層、18……コイル層 19……絶縁層 20……磁気抵抗効果素子膜 21……絶縁層、22……上部磁性層 22a,22b……磁性層 22c……バイパス部 23……保護層、24……基板 25……下部磁性層 25a,25b……磁性層 25c……バイパス部 26……ギャップ層 27……磁気抵抗効果素子膜 28……絶縁層、29……コイル層 30……絶縁層、31……上部磁性層 32……保護層、33……上部磁性層 33a……バイパス部 34……レーザー発振部 35……基板、36……下部磁性層 36a……バイパス部 37……ギャップ層 38……磁気抵抗効果素子膜 39……絶縁層、40……コイル層 41……絶縁層、42……上部磁性層 43……保護層
Claims (8)
- 【請求項１】基板と、前記基板の上に設けられた下部磁
性層と、前記下部磁性層の上に設けられたギャップ層
と、前記ギャップ層の上に設けられ、絶縁層に挟まれた
コイル層と、前記絶縁層の上に形成された磁気抵抗効果
素子膜と、前記磁気抵抗効果素子膜を覆う様に設けられ
た保護層と、前記保護層の上に設けられ、前記下部磁性
層とともに磁気回路を構成する様に設けられた上部磁性
層を備え、前記上部磁性層の前記磁気抵抗効果素子膜に
対向する部分を他の部分と略同一膜厚で透磁率の低い磁
性層にした事を特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】上部磁性層の磁気抵抗効果素子膜に対向す
る部分をCo−Niか又はCo−Crで形成した事を特徴とする
請求項第１項記載の複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】基板と、前記基板の上に設けられた下部磁
性層と、前記下部磁性層の上に設けられたギャップ層
と、前記ギャップ層の上に形成された磁気抵抗効果素子
膜と、前記磁気抵抗効果素子膜を覆う様に設けられた保
護層と、前記保護層の上に設けられ、前記下部磁性層と
ともに磁気回路を構成する様に設けられた上部磁性層を
備え、前記下部磁性層の前記磁気抵抗効果素子膜に対向
する部分を磁気抵抗が大きい磁性層にした事を特徴とす
る複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】下部磁性層の磁気抵抗効果素子膜に対向す
る部分をCo−Niか又はCo−Crで形成した事を特徴とする
請求項第３項記載の複合型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】基板の上に下部磁性層を形成し、前記下部
磁性層の上に磁気ギャップとなるギャップ層を形成し、
前記ギャップ層の上に電気絶縁層で覆われたコイル層を
形成し、前記電気絶縁層の上に磁気抵抗効果素子膜を形
成するとともに前記磁気抵抗効果素子膜を覆うように絶
縁層を形成し、前記絶縁層の上に前記下部磁性層ととも
に磁気回路を構成する様にアモルファス磁性材料によっ
て上部磁性層を形成し、前記上部磁性層の磁気抵抗効果
素子膜に対向する部分に高エネルギービームを照射し
て、その照射部分を結晶化させた事を特徴とする複合型
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】高エネルギービームはレーザーである事を
特徴とする請求項第５項記載の複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項７】基板の上にアモルファス磁性材料で下部磁
性層を形成し、前記下部磁性層の一部に高エネルギービ
ームを照射して、その照射部分を結晶化させ、前記下部
磁性層の上に磁気ギャップとなるギャップ層を形成し、
前記照射部分に対向する前記ギャップ層の上に磁気抵抗
効果素子膜を形成し、前記磁気抵抗効果素子膜を覆うよ
うに前記ギャップ層の上に電気絶縁層で覆われたコイル
層を形成し、前記絶縁層の上に前記下部磁性層とともに
磁気回路を構成する様に上部磁性層を形成する事を特徴
とする複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項８】高エネルギービームはレーザーである事を
特徴とする請求項第７項記載の複合型薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172206A JP2743491B2 (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1172206A JP2743491B2 (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0337814A JPH0337814A (ja) | 1991-02-19 |
| JP2743491B2 true JP2743491B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=15937556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1172206A Expired - Lifetime JP2743491B2 (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 複合型薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2743491B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101583551B1 (ko) * | 2014-03-13 | 2016-01-08 | 주식회사 엘지생활건강 | 포장용 파우치 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266619A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-02 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツド |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP1172206A patent/JP2743491B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0337814A (ja) | 1991-02-19 |
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