JPH04302810A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH04302810A JPH04302810A JP3121971A JP12197191A JPH04302810A JP H04302810 A JPH04302810 A JP H04302810A JP 3121971 A JP3121971 A JP 3121971A JP 12197191 A JP12197191 A JP 12197191A JP H04302810 A JPH04302810 A JP H04302810A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置に使
用する薄膜磁気ヘッドに関するものである。
用する薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の薄膜磁気ヘッド１０の要
部拡大断面図である。同図において、１１は非磁性絶縁
基板、１２は下部磁性体層、１３はギャップ層、１４は
第１の絶縁層、１５は第１のコイル層、１６は第２の絶
縁層、１７は第２のコイル層、１８は第３の絶縁層、１
９は上部磁性体層、２０は保護層である。
部拡大断面図である。同図において、１１は非磁性絶縁
基板、１２は下部磁性体層、１３はギャップ層、１４は
第１の絶縁層、１５は第１のコイル層、１６は第２の絶
縁層、１７は第２のコイル層、１８は第３の絶縁層、１
９は上部磁性体層、２０は保護層である。
【０００３】図８は従来の薄膜磁気ヘッド１０の製造工
程（工程１〜工程３）を、図９は製造工程（工程４〜工
程６）を示す要部断面工程図である。
程（工程１〜工程３）を、図９は製造工程（工程４〜工
程６）を示す要部断面工程図である。
【０００４】以下、図８、図９を用いて製造工程を説明
する。 工程１、ガラス或いはセラミックスなどの耐磨耗性の材
料からなる非磁性絶縁基板１１上にアモルファスなどの
材料からなる下部磁性体層１２を形成する。 工程２、下部磁性体層１２上にＳｉＯ２ 、Ａｌ２ Ｏ
３ などの材料からなり、ヘッドギャップを構成するギ
ャップ層１３を形成する。さらに、このギャップ層１３
上には絶縁体層である第１の絶縁層１４を形成する。 工程３、第１の絶縁層１４上の所定の位置に第１のコイ
ル層１５を形成する。この第１のコイル層１５を覆うよ
うに第２の絶縁層１６を形成する。 工程４、第２の絶縁層１６上に前工程３と同様にして第
２のコイル層１７を形成する。この第２のコイル層１７
を覆うように第３の絶縁層１８を形成する。 工程５、第３の絶縁層１８上に上部磁性体層１９を形成
する。この結果、下部磁性体層１２と上部磁性体層１９
とで磁気ループを形成することができる。工程６、さら
に、上部磁性体層１９を覆うように、樹脂あるいは低融
点ガラスな どの材料からなる保護層２
０を形成する。
する。 工程１、ガラス或いはセラミックスなどの耐磨耗性の材
料からなる非磁性絶縁基板１１上にアモルファスなどの
材料からなる下部磁性体層１２を形成する。 工程２、下部磁性体層１２上にＳｉＯ２ 、Ａｌ２ Ｏ
３ などの材料からなり、ヘッドギャップを構成するギ
ャップ層１３を形成する。さらに、このギャップ層１３
上には絶縁体層である第１の絶縁層１４を形成する。 工程３、第１の絶縁層１４上の所定の位置に第１のコイ
ル層１５を形成する。この第１のコイル層１５を覆うよ
うに第２の絶縁層１６を形成する。 工程４、第２の絶縁層１６上に前工程３と同様にして第
２のコイル層１７を形成する。この第２のコイル層１７
を覆うように第３の絶縁層１８を形成する。 工程５、第３の絶縁層１８上に上部磁性体層１９を形成
する。この結果、下部磁性体層１２と上部磁性体層１９
とで磁気ループを形成することができる。工程６、さら
に、上部磁性体層１９を覆うように、樹脂あるいは低融
点ガラスな どの材料からなる保護層２
０を形成する。
【０００５】上記は下部磁性体層１２と上部磁性体層１
９との層間に二層のコイル層１５、１７を設けた従来の
薄膜磁気ヘッド１０の一例を説明したが、この薄膜磁気
ヘッド１０を構成する各層の形成には、スパッタリング
や蒸着などの薄膜形成技術や、イオンミリングやドライ
エッチングなどの薄膜加工技術などの手法が用いられて
いる。
９との層間に二層のコイル層１５、１７を設けた従来の
薄膜磁気ヘッド１０の一例を説明したが、この薄膜磁気
ヘッド１０を構成する各層の形成には、スパッタリング
や蒸着などの薄膜形成技術や、イオンミリングやドライ
エッチングなどの薄膜加工技術などの手法が用いられて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した薄膜磁気ヘッ
ド１０において、磁気ループを形成する下部磁性体層１
２と上部磁性体層１９の各々の厚さは、磁気飽和を避け
るために、例えば数１０μｍ程度に厚くする必要がある
。しかし、この程度の厚さになると、下部磁性体層１２
、上部磁性体層１９にパターンニングする場合、パター
ン精度は±５〜１０μｍ程度になって精度が非常に悪く
なるものである。
ド１０において、磁気ループを形成する下部磁性体層１
２と上部磁性体層１９の各々の厚さは、磁気飽和を避け
るために、例えば数１０μｍ程度に厚くする必要がある
。しかし、この程度の厚さになると、下部磁性体層１２
、上部磁性体層１９にパターンニングする場合、パター
ン精度は±５〜１０μｍ程度になって精度が非常に悪く
なるものである。
【０００７】従って、下部磁性体層１２、上部磁性体層
１９をパターンニングすることにより、薄膜磁気ヘッド
１０のトラック幅を形成する場合、高い精度のトラック
幅を得ることが困難であるという問題があった。
１９をパターンニングすることにより、薄膜磁気ヘッド
１０のトラック幅を形成する場合、高い精度のトラック
幅を得ることが困難であるという問題があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであり、非磁性絶縁基板上に
少なくとも、下部磁性体層と、ギャップ層と、第１の絶
縁層と、コイル導体層と、第２の絶縁層と、上部磁性体
層と、保護層とを順次積層してなる薄膜ヘッドにおいて
、少なくとも前記下部磁性体層または前記上部磁性体層
が、トラック幅と同一の溝幅からなる第１の溝と、前記
第１の溝と直交する第２の溝とに充填された磁性体層か
らなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを提供しようと
するものである。
決するためになされたものであり、非磁性絶縁基板上に
少なくとも、下部磁性体層と、ギャップ層と、第１の絶
縁層と、コイル導体層と、第２の絶縁層と、上部磁性体
層と、保護層とを順次積層してなる薄膜ヘッドにおいて
、少なくとも前記下部磁性体層または前記上部磁性体層
が、トラック幅と同一の溝幅からなる第１の溝と、前記
第１の溝と直交する第２の溝とに充填された磁性体層か
らなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドを提供しようと
するものである。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の薄膜磁気ヘッド５０の一実施
例の要部拡大断面図である。
例の要部拡大断面図である。
【００１０】同図において、本発明の薄膜磁気ヘッド５
０は非磁性絶縁基板５１、下部磁性体層５２、ギャップ
層５３、第１の絶縁層５４、第１のコイル層５５、第２
の絶縁層５６、第２のコイル層５７、第３の絶縁層５８
、上部磁性体層５９、保護層６０から構成されているが
、従来の薄膜磁気ヘッド１０との相違は下部磁性体層５
２と上部磁性体層５９の構成が異なる点である。
０は非磁性絶縁基板５１、下部磁性体層５２、ギャップ
層５３、第１の絶縁層５４、第１のコイル層５５、第２
の絶縁層５６、第２のコイル層５７、第３の絶縁層５８
、上部磁性体層５９、保護層６０から構成されているが
、従来の薄膜磁気ヘッド１０との相違は下部磁性体層５
２と上部磁性体層５９の構成が異なる点である。
【００１１】以下、下部磁性体層５２と上部磁性体層５
９について図２〜図３と併せて説明する。
９について図２〜図３と併せて説明する。
【００１２】下部磁性体層５２は非磁性絶縁基板５１上
に形成した互いに直交する第１の溝５２ａ，第２の溝５
２ｂに磁性体層５２ｃを充填したものである。
に形成した互いに直交する第１の溝５２ａ，第２の溝５
２ｂに磁性体層５２ｃを充填したものである。
【００１３】図２は非磁性絶縁基板５１上に形成した互
いに直交する第１の溝５２ａ，第２の溝５２ｂを示す拡
大要部斜視図、図３は図２の第１の溝５２ａ，第２の溝
５２ｂに磁性体層５２ｃを充填した下部磁性体層５２の
拡大要部斜視図で、６１はテープ摺動面，ｔはトラック
幅である。
いに直交する第１の溝５２ａ，第２の溝５２ｂを示す拡
大要部斜視図、図３は図２の第１の溝５２ａ，第２の溝
５２ｂに磁性体層５２ｃを充填した下部磁性体層５２の
拡大要部斜視図で、６１はテープ摺動面，ｔはトラック
幅である。
【００１４】非磁性絶縁基板５１は従来の薄膜磁気ヘッ
ド１０と同様にガラス或いはセラミックスなどの耐磨耗
性の材料からなり、この非磁性絶縁基板５１上には、ダ
イシングソーやレーザまたは各種エッチング法などを用
いて第１の溝５２ａ，第２の溝５２ｂが形成されている
。この第１の溝５２ａはトラック幅（例えば１９μｍ）
相当、第２の溝５２ｂは磁路長（例えば３００μｍ）相
当の溝幅からなり、各々の溝深さＷは数１０μｍである
。また、第１の溝５２ａの一端はテープ摺動面６１に露
出してトラック幅ｔを形成している。
ド１０と同様にガラス或いはセラミックスなどの耐磨耗
性の材料からなり、この非磁性絶縁基板５１上には、ダ
イシングソーやレーザまたは各種エッチング法などを用
いて第１の溝５２ａ，第２の溝５２ｂが形成されている
。この第１の溝５２ａはトラック幅（例えば１９μｍ）
相当、第２の溝５２ｂは磁路長（例えば３００μｍ）相
当の溝幅からなり、各々の溝深さＷは数１０μｍである
。また、第１の溝５２ａの一端はテープ摺動面６１に露
出してトラック幅ｔを形成している。
【００１５】この第１の溝５２ａ，第２の溝５２ｂを満
たすように溝の深さにほぼ等しい厚さのアモルファス、
センダスト、パーマロイなどの材料からなる磁性体層５
２ｃを充填し、図３に示すように非磁性絶縁基板５１の
表面と同一面になるように磁性体層５２ｃをラッピング
する。
たすように溝の深さにほぼ等しい厚さのアモルファス、
センダスト、パーマロイなどの材料からなる磁性体層５
２ｃを充填し、図３に示すように非磁性絶縁基板５１の
表面と同一面になるように磁性体層５２ｃをラッピング
する。
【００１６】本発明は、この磁性体層５２ｃを下部磁性
体層５２として用いるものである。
体層５２として用いるものである。
【００１７】上述したように、非磁性絶縁基板５１上に
ダイシングソーやレーザまたは各種エッチング法などを
用いて加工された第１の溝５２ａ，第２の溝５２ｂは溝
深さＷを任意の深さに容易に加工可能であり、従って磁
気飽和を防止するために充填する磁性体層５２ｃの厚さ
を厚くすることができことができると共に、第１の溝５
２ａの溝幅がトラック幅ｔを形成するためパターンニン
グを必要としないものである。
ダイシングソーやレーザまたは各種エッチング法などを
用いて加工された第１の溝５２ａ，第２の溝５２ｂは溝
深さＷを任意の深さに容易に加工可能であり、従って磁
気飽和を防止するために充填する磁性体層５２ｃの厚さ
を厚くすることができことができると共に、第１の溝５
２ａの溝幅がトラック幅ｔを形成するためパターンニン
グを必要としないものである。
【００１８】さらに、上部磁性体層５９においても下部
磁性体層５２と略同様に形成することができる。
磁性体層５２と略同様に形成することができる。
【００１９】図４は本発明の薄膜磁気ヘッド５０の製造
工程（工程１〜工程２）を、図５は製造工程（工程３〜
工程６）を示す要部断面工程図である。
工程（工程１〜工程２）を、図５は製造工程（工程３〜
工程６）を示す要部断面工程図である。
【００２０】以下、図４、図５を用いて製造工程を説明
する。 工程１、ガラス或いはセラミックスなどの耐磨耗性の材
料からなる非磁性絶縁基板５１上にダイシングソーやレ
ーザまたは各種エッチング法などを用いて第１の溝５２
ａ，第２の溝５２ｂを加工する。この第１の溝５２ａ，
第２の溝５２ｂにアモルファスなどの材料からなる磁性
体層５２ｃを充填した後、非磁性絶縁基板５１の表面と
同一面になるように磁性体層５２ｃをラッピングして下
部磁性体層５２とする。 工程２、磁性体層５２ｃ４埋め込んだ非磁性絶縁基板５
１上にＳｉＯ２、Ａｌ２ Ｏ３ などの材料からなり、
ヘッドギャップを構成するギャップ層５３を形成する。 さらに、このギャップ層５３上には絶縁体層である第１
の絶縁層５４を形成する。 工程３、第１の絶縁層５４上の所定の位置に第１のコイ
ル層５５を形成する。この第１のコイル層５５を覆うよ
うに第２の絶縁層５６を形成する。 工程４、第２の絶縁層５６上に前工程３と同様にして第
２のコイル層５７を形成する。この第２のコイル層５７
を覆うように第３の絶縁層５８を形成する。 工程５、第３の絶縁層５８上に第１の保護層５９ａを形
成する。この第１の保護層５９ａ上にレーザまたは各種
エッチング法などを用いて第１の溝５９ｂ，第２の溝５
９ｃを加工する。この第１の溝５９ｂ，第２の溝５９ｃ
にアモルファスなどの材料からなる磁性体層５９ｄを充
填して上部磁性体層５９とする。
する。 工程１、ガラス或いはセラミックスなどの耐磨耗性の材
料からなる非磁性絶縁基板５１上にダイシングソーやレ
ーザまたは各種エッチング法などを用いて第１の溝５２
ａ，第２の溝５２ｂを加工する。この第１の溝５２ａ，
第２の溝５２ｂにアモルファスなどの材料からなる磁性
体層５２ｃを充填した後、非磁性絶縁基板５１の表面と
同一面になるように磁性体層５２ｃをラッピングして下
部磁性体層５２とする。 工程２、磁性体層５２ｃ４埋め込んだ非磁性絶縁基板５
１上にＳｉＯ２、Ａｌ２ Ｏ３ などの材料からなり、
ヘッドギャップを構成するギャップ層５３を形成する。 さらに、このギャップ層５３上には絶縁体層である第１
の絶縁層５４を形成する。 工程３、第１の絶縁層５４上の所定の位置に第１のコイ
ル層５５を形成する。この第１のコイル層５５を覆うよ
うに第２の絶縁層５６を形成する。 工程４、第２の絶縁層５６上に前工程３と同様にして第
２のコイル層５７を形成する。この第２のコイル層５７
を覆うように第３の絶縁層５８を形成する。 工程５、第３の絶縁層５８上に第１の保護層５９ａを形
成する。この第１の保護層５９ａ上にレーザまたは各種
エッチング法などを用いて第１の溝５９ｂ，第２の溝５
９ｃを加工する。この第１の溝５９ｂ，第２の溝５９ｃ
にアモルファスなどの材料からなる磁性体層５９ｄを充
填して上部磁性体層５９とする。
【００２１】この結果、本発明の薄膜磁気ヘッド５０は
下部磁性体層５２と上部磁性体層５９とで磁気ループを
形成することができる。 工程６、さらに、上部磁性体層５９を覆うように、樹脂
あるいは低融点ガラスなどの材料からなる第２の保護層
６０を形成する。
下部磁性体層５２と上部磁性体層５９とで磁気ループを
形成することができる。 工程６、さらに、上部磁性体層５９を覆うように、樹脂
あるいは低融点ガラスなどの材料からなる第２の保護層
６０を形成する。
【００２２】図６は上記製造工程にて製造された本発明
の薄膜磁気ヘッド５０のテープ摺接面近傍の拡大斜視図
である。
の薄膜磁気ヘッド５０のテープ摺接面近傍の拡大斜視図
である。
【００２３】上述したように、下部磁性体層５２と上部
磁性体層５９を形成する第１の溝５２ａ、５９ｂ、第２
の溝５２ｂ、５９ｃはダイシングソーやレーザまたは各
種エッチング法などを用いて加工するので溝深さは任意
の深さに容易に加工可能であり、従って充填する磁性体
層５２ｃ、５９ｄの厚さを厚くすることができ磁気飽和
を防止することができると共にトラック幅ｔを形成する
ためのパターンニングを必要としないものである。
磁性体層５９を形成する第１の溝５２ａ、５９ｂ、第２
の溝５２ｂ、５９ｃはダイシングソーやレーザまたは各
種エッチング法などを用いて加工するので溝深さは任意
の深さに容易に加工可能であり、従って充填する磁性体
層５２ｃ、５９ｄの厚さを厚くすることができ磁気飽和
を防止することができると共にトラック幅ｔを形成する
ためのパターンニングを必要としないものである。
【００２４】
【発明の効果】上述したように、非磁性絶縁基板上に少
なくとも、下部磁性体層と、ギャップ層と、第１の絶縁
層と、コイル導体層と、第２の絶縁層と、上部磁性体層
と、保護層とを順次積層してなる薄膜ヘッドにおいて、
少なくとも前記下部磁性体層または前記上部磁性体層が
、トラック幅と同一の溝幅からなる第１の溝と、前記第
１の溝と直交する第２の溝とに充填された磁性体層から
なることにより、磁気飽和の防止のために下部磁性体層
と上部磁性体層の厚さを容易に厚くでき、且つ加工工数
が低減できる薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
なくとも、下部磁性体層と、ギャップ層と、第１の絶縁
層と、コイル導体層と、第２の絶縁層と、上部磁性体層
と、保護層とを順次積層してなる薄膜ヘッドにおいて、
少なくとも前記下部磁性体層または前記上部磁性体層が
、トラック幅と同一の溝幅からなる第１の溝と、前記第
１の溝と直交する第２の溝とに充填された磁性体層から
なることにより、磁気飽和の防止のために下部磁性体層
と上部磁性体層の厚さを容易に厚くでき、且つ加工工数
が低減できる薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例の要部拡大
断面図である。
断面図である。
【図２】非磁性絶縁基板上に形成した互いに直交する第
１の溝，第２の溝を示す拡大要部斜視図である。
１の溝，第２の溝を示す拡大要部斜視図である。
【図３】第１の溝，第２の溝に磁性体層を充填した下部
磁性体層の拡大要部斜視図である。
磁性体層の拡大要部斜視図である。
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程（工程１〜
工程３）を示す要部断面工程図である。
工程３）を示す要部断面工程図である。
【図５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程（工程４〜
工程６）を示す要部断面工程図である。
工程６）を示す要部断面工程図である。
【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドのテープ摺接面近傍の
拡大斜視図である。
拡大斜視図である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの要部拡大断面図である
。
。
【図８】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程（工程１〜工
程３）を示す要部断面工程図である。
程３）を示す要部断面工程図である。
【図９】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程（工程４〜工
程６）を示す要部断面工程図である。
程６）を示す要部断面工程図である。
５０ 本発明の薄膜磁気ヘッド
５１ 非磁性絶縁基板
５２ 下部磁性体層
５２ａ 第１の溝
５２ｂ 第２の溝
５２ｃ 磁性体層
５３ ギャップ層
５４ 第１の絶縁層
５５ 第１のコイル層
５６ 第２の絶縁層
５７ 第２のコイル層
５８ 第３の絶縁層
５９ 上部磁性体層
５９ａ 第１の保護層
５９ｂ 第１の溝
５９ｃ 第２の溝
５９ｄ 磁性体層
６０ 第２の保護層
６１ テープ摺動面
ｔ トラック幅
Ｇ ギャップ
Ｗ 溝深さ
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性絶縁基板上に少なくとも、下部磁性
体層と、ギャップ層と、絶縁層と、コイル導体層と、絶
縁層と、上部磁性体層と、保護層とを順次積層してなる
薄膜ヘッドにおいて、少なくとも前記下部磁性体層また
は前記上部磁性体層が、トラック幅と同一の溝幅からな
る第１の溝と、前記第１の溝と直交する第２の溝とに充
填された磁性体層からなることを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121971A JPH04302810A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 薄膜磁気ヘッド |
| US07/859,011 US5276579A (en) | 1991-03-29 | 1992-03-30 | High accuracy track width thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121971A JPH04302810A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302810A true JPH04302810A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=14824400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3121971A Pending JPH04302810A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5276579A (ja) |
| JP (1) | JPH04302810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8331058B2 (en) | 2004-05-28 | 2012-12-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for providing a write head with an improved pole tip to improve overwrite and/or adjacent track interference |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5502287A (en) * | 1993-03-10 | 1996-03-26 | Raychem Corporation | Multi-component cable assembly |
| WO1995034891A1 (en) | 1994-06-10 | 1995-12-21 | Conner Peripherals, Inc. | Low profile mechanism for biased driving of driven roller in tape cartridge |
| US6456460B1 (en) | 1998-03-20 | 2002-09-24 | Seagate Technology Llc | Track width definition by patterning of shared pole for integrated thin film/magnetoresistive head |
| US6434814B1 (en) * | 1998-12-16 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Method of manufacturing a magnetic head including a read head with read track width defining layer that planarizes the write gap layer of a write head |
| US7641851B2 (en) * | 2003-12-23 | 2010-01-05 | Baxter International Inc. | Method and apparatus for validation of sterilization process |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4517616A (en) * | 1982-04-12 | 1985-05-14 | Memorex Corporation | Thin film magnetic recording transducer having embedded pole piece design |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3121971A patent/JPH04302810A/ja active Pending
-
1992
- 1992-03-30 US US07/859,011 patent/US5276579A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8331058B2 (en) | 2004-05-28 | 2012-12-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for providing a write head with an improved pole tip to improve overwrite and/or adjacent track interference |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5276579A (en) | 1994-01-04 |
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