JPS6247814A - ダブルアジマス薄膜磁気ヘツド - Google Patents
ダブルアジマス薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6247814A JPS6247814A JP60187227A JP18722785A JPS6247814A JP S6247814 A JPS6247814 A JP S6247814A JP 60187227 A JP60187227 A JP 60187227A JP 18722785 A JP18722785 A JP 18722785A JP S6247814 A JPS6247814 A JP S6247814A
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- Japan
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- thin film
- core
- film
- magnetic head
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G—PHYSICS
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＶＴＲなどに用いる薄膜磁気ヘッドで特に特殊
再生に好適な異なるアジマス角の２つのギャップを有す
るダブルアジマス薄膜磁気ヘッドに関する。
再生に好適な異なるアジマス角の２つのギャップを有す
るダブルアジマス薄膜磁気ヘッドに関する。
ＶＴＲの特殊再生（メチル、スロー等）を画面プレやノ
イズのない良好な状態で行うには、アジマス角の相異な
る２個のヘッドを走行方向に近接配置したダブルアジマ
スヘッドが必要となる。従来は、アジマス角の相異なる
２個のヘッドを別々に製造し、最終工程でこれらを貼合
せて製作していたため製造工程、ヘッド相互間の寸法精
度、性能ベアリング等に問題が多かった。
イズのない良好な状態で行うには、アジマス角の相異な
る２個のヘッドを走行方向に近接配置したダブルアジマ
スヘッドが必要となる。従来は、アジマス角の相異なる
２個のヘッドを別々に製造し、最終工程でこれらを貼合
せて製作していたため製造工程、ヘッド相互間の寸法精
度、性能ベアリング等に問題が多かった。
この問題を解決する方法として、例えば特開昭６０−４
７２１９号公報や特開昭６０−５９５１４号公報に記載
されているように、半導体薄膜技術を応用し、２個のヘ
ッドを一体的に同時に製造する方法がある。これによれ
ば２個のヘッドを同一基板上に同一条件で製造できるの
で、ヘッド間隔や性能ベアリング精度が向上し、量産性
が大幅に改善される。しかしながら長時間録画対応を実
現するためには、各々のトラック幅が異なシかつトラッ
ク位置に所定の段差を設けて最適トラッキングを行うダ
ブルアジマスヘッドが新たに要求されており、これを高
精度に実現するためには新技術が必要になってきた。
７２１９号公報や特開昭６０−５９５１４号公報に記載
されているように、半導体薄膜技術を応用し、２個のヘ
ッドを一体的に同時に製造する方法がある。これによれ
ば２個のヘッドを同一基板上に同一条件で製造できるの
で、ヘッド間隔や性能ベアリング精度が向上し、量産性
が大幅に改善される。しかしながら長時間録画対応を実
現するためには、各々のトラック幅が異なシかつトラッ
ク位置に所定の段差を設けて最適トラッキングを行うダ
ブルアジマスヘッドが新たに要求されており、これを高
精度に実現するためには新技術が必要になってきた。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を補いダブルアジ
マスヘッドに於て各ギャップのトラック幅及びトラック
段差を高精度に実現しうるヘッド構造を提供することで
ある。
マスヘッドに於て各ギャップのトラック幅及びトラック
段差を高精度に実現しうるヘッド構造を提供することで
ある。
上記目的を達成するため、本発明のダブルアジマス薄膜
磁気ヘッドでは、軟磁性薄膜からなるセンタコア及び２
個のサイドコアで磁路を形成する際、各々のギャップ位
置に於るサイドコアの厚みを対向しているセンタコアの
厚みよシ小さくして、これによりトラック幅を規制する
ようにした。またトラック段差を得るために基板とサイ
ドコアの間に、各ギャップ位置で所定の膜厚差を有する
非磁性部（下地膜）を設けたことに特徴がある。
磁気ヘッドでは、軟磁性薄膜からなるセンタコア及び２
個のサイドコアで磁路を形成する際、各々のギャップ位
置に於るサイドコアの厚みを対向しているセンタコアの
厚みよシ小さくして、これによりトラック幅を規制する
ようにした。またトラック段差を得るために基板とサイ
ドコアの間に、各ギャップ位置で所定の膜厚差を有する
非磁性部（下地膜）を設けたことに特徴がある。
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明によるダブルアジマス薄膜磁気ヘッドの
一実施例を示したものである。１は非磁性基板、２α、
２ｂは軟磁性薄膜からなシ奥行方向にＣ形状に配設した
一対のサイドコア、５は軟磁性薄膜からなる！形状のセ
ンタコアで、これらのコア２α、 ２Ａ 、 ３は非磁
性材からなる２個のギャップ４α、４ｈを介して接して
いる。サイドコア２α、２４及びセンタコア５の下面と
非磁性基板１０間には非磁性金属からなる下地膜５α、
５ｂ。
一実施例を示したものである。１は非磁性基板、２α、
２ｂは軟磁性薄膜からなシ奥行方向にＣ形状に配設した
一対のサイドコア、５は軟磁性薄膜からなる！形状のセ
ンタコアで、これらのコア２α、 ２Ａ 、 ３は非磁
性材からなる２個のギャップ４α、４ｈを介して接して
いる。サイドコア２α、２４及びセンタコア５の下面と
非磁性基板１０間には非磁性金属からなる下地膜５α、
５ｂ。
５ｃを配設し、一方サイドコア２α、２ｂの上面には非
磁性金属からなる上地膜６α、６ｂ（前記下地膜と区別
して上地膜と呼ぶことにする）を有し、さらにこれらの
上面全体には保護膜７を配設した。８ａ、８Ａは巻線穴
で、これらに２組の巻線９ａ。
磁性金属からなる上地膜６α、６ｂ（前記下地膜と区別
して上地膜と呼ぶことにする）を有し、さらにこれらの
上面全体には保護膜７を配設した。８ａ、８Ａは巻線穴
で、これらに２組の巻線９ａ。
９ｈを施してダブルアジマス薄膜磁気ヘッド１０を構成
している。
している。
各部分についてさらに詳しく説明する。非磁性基板１は
耐摩耗性の良い結晶化ガラスまたはセラミクス材で、形
状は約２１１ＩＩ角厚み０．１〜０．５■である。その
熱膨張係数は１００〜１３０ｘ １ｏ−７／・０程度の
ものが適している。サイドコア２α、２Ａとセンタコア
３はアモルファス軟磁性合金（コバルト系）の薄膜であ
るが、この他にセンダスト合金も適している。これらの
コアの厚みはサイドコア２ａの部分がＦ、 、 ２ｂの
部分がＷ２．センタコア３の部分がＷ、とすると、Ｗｌ
とＷ、はそれぞれ所望のトラック幅の値とし、Ｗ３はこ
れらよシ大きい値として、かつＩＦ、 、 Ｆ、はＷ、
の幅内部に含まれる配置とした。Ｗ、 、 Ｆ、の値は
１０〜３０μｍで、Ｗ、はこれらよ９１〜１０μｍ大き
くした。
耐摩耗性の良い結晶化ガラスまたはセラミクス材で、形
状は約２１１ＩＩ角厚み０．１〜０．５■である。その
熱膨張係数は１００〜１３０ｘ １ｏ−７／・０程度の
ものが適している。サイドコア２α、２Ａとセンタコア
３はアモルファス軟磁性合金（コバルト系）の薄膜であ
るが、この他にセンダスト合金も適している。これらの
コアの厚みはサイドコア２ａの部分がＦ、 、 ２ｂの
部分がＷ２．センタコア３の部分がＷ、とすると、Ｗｌ
とＷ、はそれぞれ所望のトラック幅の値とし、Ｗ３はこ
れらよシ大きい値として、かつＩＦ、 、 Ｆ、はＷ、
の幅内部に含まれる配置とした。Ｗ、 、 Ｆ、の値は
１０〜３０μｍで、Ｗ、はこれらよ９１〜１０μｍ大き
くした。
またセンタコア３の幅ｌは所定のギャップ間隔値とした
。（１＝ ０．３〜０．６ｍ）これらの一部あるいは全
部は眉間材Ｓ ｉ ０２で５〜１０μｍ毎に絶縁して多
層膜構造とし、ビデオ帯域でのコア損失をなくした。ギ
ャップ４α、４ｂは５ｉ０２ 等の非磁性膜でその厚み
は０．２〜０．６μｍとした。ギャップ面の方向は非磁
性基板１０法線方向に対し所定のアジ了ス角θ１．θ、
たけ傾斜させる。実施例ではθ１＝θ、＝１０°とした
。またこのギャップ用非磁性膜は、ヘッド奥行方向全体
にわたって形成したが、最小限巻線穴８α、８ｈより摺
動面側の部分に形成すれはよいし、製造上これ以外の平
坦部分、例えはセンタコア３と下地膜５Ｃの境界部等に
存在する場合もあるが支障にならない。
。（１＝ ０．３〜０．６ｍ）これらの一部あるいは全
部は眉間材Ｓ ｉ ０２で５〜１０μｍ毎に絶縁して多
層膜構造とし、ビデオ帯域でのコア損失をなくした。ギ
ャップ４α、４ｂは５ｉ０２ 等の非磁性膜でその厚み
は０．２〜０．６μｍとした。ギャップ面の方向は非磁
性基板１０法線方向に対し所定のアジ了ス角θ１．θ、
たけ傾斜させる。実施例ではθ１＝θ、＝１０°とした
。またこのギャップ用非磁性膜は、ヘッド奥行方向全体
にわたって形成したが、最小限巻線穴８α、８ｈより摺
動面側の部分に形成すれはよいし、製造上これ以外の平
坦部分、例えはセンタコア３と下地膜５Ｃの境界部等に
存在する場合もあるが支障にならない。
下地膜５α、５４，５ｃは非磁性金属材で、クロムやジ
ルコニウムが適しておシ、各部分での厚さを１１゜Ｔ！
、 ｒ、とするとＴ、 −Ｔ、 ＝ΔＴを所望のトラッ
ク段差の値としＴ、はＴ、 、 ＴＨよシ小さくした。
ルコニウムが適しておシ、各部分での厚さを１１゜Ｔ！
、 ｒ、とするとＴ、 −Ｔ、 ＝ΔＴを所望のトラッ
ク段差の値としＴ、はＴ、 、 ＴＨよシ小さくした。
−例としてトラック段差ΔＴ＝３μｍを得るために、
ＴＨ” ６ ｒ ＴＨ” ３ ｒ Ｔ３ ” １μｍと
した。上地膜６α、６ｂも下地膜と同じ材料で１〜１０
μｍ 厚である。保護膜７はアルミナやフォルステライ
ト等の耐摩耗性の良い材料を用いて、３０〜５０μｍ厚
さ形成した。
ＴＨ” ６ ｒ ＴＨ” ３ ｒ Ｔ３ ” １μｍと
した。上地膜６α、６ｂも下地膜と同じ材料で１〜１０
μｍ 厚である。保護膜７はアルミナやフォルステライ
ト等の耐摩耗性の良い材料を用いて、３０〜５０μｍ厚
さ形成した。
本実施例によれば、サイドコア２α、２ｈのコア厚をト
ラック幅Ｗ、、Ｗ、の値とし、センタコア６のコア厚Ｗ
、をこれらを内部に含みかつこれらの値より大きくする
ように構成した。また各コアに対応する下地膜５ａ、５
ｂ、５ｃの厚さＴ１＋ Ｔ２＋ Ｔｓに於て、トラック
段差ΔＴ ” ＴＩ −７’２となるようにＴ、 、
Ｔｔ を決め、かつＴ、はこれらの値より小さくなるよ
うに構成したことに特徴がある。その結果、ダブルアジ
マスヘッドに要求されるトランク幅とトラック段差の値
が、サイドコア２α。
ラック幅Ｗ、、Ｗ、の値とし、センタコア６のコア厚Ｗ
、をこれらを内部に含みかつこれらの値より大きくする
ように構成した。また各コアに対応する下地膜５ａ、５
ｂ、５ｃの厚さＴ１＋ Ｔ２＋ Ｔｓに於て、トラック
段差ΔＴ ” ＴＩ −７’２となるようにＴ、 、
Ｔｔ を決め、かつＴ、はこれらの値より小さくなるよ
うに構成したことに特徴がある。その結果、ダブルアジ
マスヘッドに要求されるトランク幅とトラック段差の値
が、サイドコア２α。
２ｂ及び下地膜５α、５６の厚さで一義的に決定される
ことになシ、いずれも後述する薄膜技術によシきわめて
高精度に実現することができる。
ことになシ、いずれも後述する薄膜技術によシきわめて
高精度に実現することができる。
次に第２図は本発明によるダブルアジマス薄膜磁気ヘッ
ドの他の実施例を示したものである。
ドの他の実施例を示したものである。
その構成は前実施例第１図に於る上地膜６ａ、 ６ｂを
省略廃除し、各ギャップ位置でのサイドコアとセンタコ
アの上面が一致している。この場合必要に応じギャップ
を含みセンタコアまで達する上部段差部１１１段差値Δ
Ｔ′を設けて一方のトラック幅Ｆ、を実現させている。
省略廃除し、各ギャップ位置でのサイドコアとセンタコ
アの上面が一致している。この場合必要に応じギャップ
を含みセンタコアまで達する上部段差部１１１段差値Δ
Ｔ′を設けて一方のトラック幅Ｆ、を実現させている。
この場合も、イオンエツチング等の薄膜技術で段差を形
成することにより、トラック幅を高精度に実現できる。
成することにより、トラック幅を高精度に実現できる。
第３図は本発明によるダブルアジマス薄膜磁気ヘッドの
他の実施例を示したものである。下地膜５ｇ’ 、 ５
ｂ’ 、 ５ｃ’及び上部段差部１１′をギャップ近傍
に限定し、前述のコア厚、下地膜厚等をギャップ位置に
て定義し所定の値とする。この場合もトラック幅等の寸
法精度に関しては前記実施例と同様である。さらに本実
施例ではギャップ部分で磁気回路を絞った構造にしてあ
υ、これによシヘッド効率を改善できる効果がある。
他の実施例を示したものである。下地膜５ｇ’ 、 ５
ｂ’ 、 ５ｃ’及び上部段差部１１′をギャップ近傍
に限定し、前述のコア厚、下地膜厚等をギャップ位置に
て定義し所定の値とする。この場合もトラック幅等の寸
法精度に関しては前記実施例と同様である。さらに本実
施例ではギャップ部分で磁気回路を絞った構造にしてあ
υ、これによシヘッド効率を改善できる効果がある。
さらに本発明のダブルアジマス薄膜磁気ヘッドは、上記
した３つの実施例のみならず、これらを組合せたもの、
あるいは下地膜、上地膜。
した３つの実施例のみならず、これらを組合せたもの、
あるいは下地膜、上地膜。
上部段差部の形状などの各種変形構造についても同様の
効果がある。
効果がある。
次に第４図は本発明によるダブルアジマス薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を示したものである。
ドの製造方法を示したものである。
図面では簡単のために１個のヘッドで説明するが、実際
にはウェハ基板上に多数個同時に製造できる。
にはウェハ基板上に多数個同時に製造できる。
（α） 非磁性基板１に巻線穴１２をあける。この際機
械加工、又は非磁性基板１が感光性ガラスの場合はフォ
トエツチングが有効である。
械加工、又は非磁性基板１が感光性ガラスの場合はフォ
トエツチングが有効である。
（ｂ） 下地膜５をスパッタリングで形成する。この
際マスクスパッタリング、もしくはエツチングによシ段
差を付け、膜厚Ｔ、とＴ、を得る。
際マスクスパッタリング、もしくはエツチングによシ段
差を付け、膜厚Ｔ、とＴ、を得る。
ＴＩ Ｉ Ｔｔの値はスパッタ時間、エツチング時間の
管理によシ誤差１μ以下の高精度に制御できる。
管理によシ誤差１μ以下の高精度に制御できる。
（ｃ） サイドコア２α、２ｈとして軟磁性薄膜をス
パッタリングで形成する。必要に応じてＳ ｉ Ｏ２層
間膜を用いる。この際マスクスパッタまたはエツチング
によシ段差を付け、コア厚ｕ／。
パッタリングで形成する。必要に応じてＳ ｉ Ｏ２層
間膜を用いる。この際マスクスパッタまたはエツチング
によシ段差を付け、コア厚ｕ／。
とＷ、を得る。この場合もスパッタ時間、エツチング時
間の管理によシ誤差１μｍ以下の高精度コア厚を得るこ
とができる。
間の管理によシ誤差１μｍ以下の高精度コア厚を得るこ
とができる。
（ｄ） 上地膜６をスパッタリングで形成する。その
膜厚はサイドコア２α、２ｂの上面段差値以上とする。
膜厚はサイドコア２α、２ｂの上面段差値以上とする。
（１） センタコア相当する部分にＵ形溝１３を形成
する。溝側面は面粗さが良好で直線性の良くかつ溝間隔
ｌと側面の傾斜角θ１．θ２ を高精度に実現する必要
があり、その方法として、イオンエツチング法とダイヤ
モンドバイト切削法の組合せがきわめて有効である。溝
深さはダイヤモンドバイト切削時の負荷低減のため、溝
底が下地膜５以内に収めるようにし、残りの下地膜の厚
さＴ、とした。
する。溝側面は面粗さが良好で直線性の良くかつ溝間隔
ｌと側面の傾斜角θ１．θ２ を高精度に実現する必要
があり、その方法として、イオンエツチング法とダイヤ
モンドバイト切削法の組合せがきわめて有効である。溝
深さはダイヤモンドバイト切削時の負荷低減のため、溝
底が下地膜５以内に収めるようにし、残りの下地膜の厚
さＴ、とした。
（ｆ） ＳｉＪ等の非磁性膜をスパッタリングで前記
溝１３の側面に被着しギャップ４ａ、４ｂを形成した。
溝１３の側面に被着しギャップ４ａ、４ｂを形成した。
この際非磁性膜は溝底面の下地膜５ｃや上地膜６α、６
ｂ上に付着しても支障はない。この後センタコア５とし
て軟磁性薄膜をスパッタリングで全面に形成する。
ｂ上に付着しても支障はない。この後センタコア５とし
て軟磁性薄膜をスパッタリングで全面に形成する。
（！１）平坦化ラップによりサイドコア２ａ、２ｂ上の
センタコア３′を除去する。ラップの終点は両サイドコ
ア上の上地膜６α、６Ａが露出する位置とする。
センタコア３′を除去する。ラップの終点は両サイドコ
ア上の上地膜６α、６Ａが露出する位置とする。
（Ａ） エツチングにより巻線穴８α、Ｂｂをあげる
。
。
これは非磁性基板１に予めあけた巻線穴１２と連続する
位置とするが、その形状は必ずしも一致させる必要はな
い。本実施例ではＢａ、Ｂｂの形状をやや大きめの台形
状とした。
位置とするが、その形状は必ずしも一致させる必要はな
い。本実施例ではＢａ、Ｂｂの形状をやや大きめの台形
状とした。
（１）保護膜７をスパッタリング、蒸着で形成する。
（））摺動面側を同病し、巻線９α、９ｂを施す。
以上により第１図に示すダブルアジマス薄膜磁気ヘッド
■を完成させた。第２図、第３図の場合も同様である。
■を完成させた。第２図、第３図の場合も同様である。
この工程に於て、下地膜及びサイドコアの膜厚は、±１
μｍ以内の精度で制御することができ、従って、所望の
トラック幅及びトラック段差を±１μｍ程度の高精度で
実現することができる。
μｍ以内の精度で制御することができ、従って、所望の
トラック幅及びトラック段差を±１μｍ程度の高精度で
実現することができる。
以上述べたように本発明によれば、ダブルアジマスヘッ
ドの各ギャップのトラック幅及びトラック段差を高精度
に実現できる。このヘッドにより長時間録画可能で特殊
再生（スチル、スロー等）時に画面プレやノイズの少な
い高性能ＶＴＲが可能となる。
ドの各ギャップのトラック幅及びトラック段差を高精度
に実現できる。このヘッドにより長時間録画可能で特殊
再生（スチル、スロー等）時に画面プレやノイズの少な
い高性能ＶＴＲが可能となる。
第１図は本発明によるダブルアジマス薄膜磁気ヘッドの
一実施例を示す斜視図、第２図及び第３図は本発明によ
るダブルアジマス薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示す斜
視図、第４図（α）〜（））は本発明によるダブルアジ
マス薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を示す工程図であ
る。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・非磁性
基板２α、２ｂ・・・・・−・・・・・サイドコア３・
・−・・・・・・・・・・・・・・・・・センタコア４
４．４Ａ・・・・・・・・・・・・ギャップ５ａ、５ｈ
、５ｃｍ下地膜 ６α、６ｂ・・・・・・・・・・・・上地膜７・・・・
・・・・・・・・・・・・・−・・保護膜８α、８ｂ・
・・・・・・・・・・・巻線穴９α、９ｂ・・・・・・
・・・・・・巻線す・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ダブルアジマス薄膜磁気ヘッドと一゛・ 代理人弁理士 小 川 勝 男゛ ′ 五 １凹 ス２ 凹 ３′ ル Ｘ３回 第 ４
一実施例を示す斜視図、第２図及び第３図は本発明によ
るダブルアジマス薄膜磁気ヘッドの他の実施例を示す斜
視図、第４図（α）〜（））は本発明によるダブルアジ
マス薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を示す工程図であ
る。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・非磁性
基板２α、２ｂ・・・・・−・・・・・サイドコア３・
・−・・・・・・・・・・・・・・・・・センタコア４
４．４Ａ・・・・・・・・・・・・ギャップ５ａ、５ｈ
、５ｃｍ下地膜 ６α、６ｂ・・・・・・・・・・・・上地膜７・・・・
・・・・・・・・・・・・・−・・保護膜８α、８ｂ・
・・・・・・・・・・・巻線穴９α、９ｂ・・・・・・
・・・・・・巻線す・・・・・・・・・・・・・・・・
・・ダブルアジマス薄膜磁気ヘッドと一゛・ 代理人弁理士 小 川 勝 男゛ ′ 五 １凹 ス２ 凹 ３′ ル Ｘ３回 第 ４
Claims (1)
- １、非磁性基板上に、軟磁性薄膜からなる１個のセンタ
コアとその両側に２個のサイドコアが２個のギャップを
介して接し２個の閉磁路をなすように配設され、各ギャ
ップのアジマス角が互に異なるダブルアジマス薄膜磁気
ヘッドに於て、各ギャップ位置でのサイドコアの厚さを
センタコアの厚さ以内で所定のトラック幅の値とし、か
つ各サイドコアと非磁性基板の間に各ギャップ位置に於
て所定の段差を有する非磁性金属からなる下地膜を配設
したことを特徴とするダブルアジマス薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60187227A JPS6247814A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | ダブルアジマス薄膜磁気ヘツド |
| EP86111272A EP0216114A3 (en) | 1985-08-28 | 1986-08-14 | Double azimuth thin film magnetic head and method of manufacturing same |
| KR1019860006939A KR900007487B1 (ko) | 1985-08-28 | 1986-08-22 | 이중방위각 박막 자기헤드와 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60187227A JPS6247814A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | ダブルアジマス薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247814A true JPS6247814A (ja) | 1987-03-02 |
Family
ID=16202286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60187227A Pending JPS6247814A (ja) | 1985-08-28 | 1985-08-28 | ダブルアジマス薄膜磁気ヘツド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0216114A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6247814A (ja) |
| KR (1) | KR900007487B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2661030B1 (fr) * | 1990-04-13 | 1995-04-07 | Thomson Csf | Tete magnetique d'enregistrement/lecture et procedes de realisation. |
| FR2806826B1 (fr) | 2000-03-22 | 2002-11-29 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique integree pour l'enregistrement magnetique helicoidal sur bande et son procede de fabrication |
-
1985
- 1985-08-28 JP JP60187227A patent/JPS6247814A/ja active Pending
-
1986
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