JPH04252409A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH04252409A JPH04252409A JP932791A JP932791A JPH04252409A JP H04252409 A JPH04252409 A JP H04252409A JP 932791 A JP932791 A JP 932791A JP 932791 A JP932791 A JP 932791A JP H04252409 A JPH04252409 A JP H04252409A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 59
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高画質VTRや磁気デ
ィスク装置等に使用する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
する。
ィスク装置等に使用する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】近年、VTRや磁気ディスク装置等の記
録密度の向上に伴う記録トラック幅の狭小化に対応する
ため、薄膜ウエハプロセスを用いた磁気ヘッドが提案さ
れており、中でも磁性膜の側面をヘッドギャップとし、
磁性膜の形成方向が記録トラックの幅方向に対応する構
造の磁気ヘッドが提案されている。
録密度の向上に伴う記録トラック幅の狭小化に対応する
ため、薄膜ウエハプロセスを用いた磁気ヘッドが提案さ
れており、中でも磁性膜の側面をヘッドギャップとし、
磁性膜の形成方向が記録トラックの幅方向に対応する構
造の磁気ヘッドが提案されている。
【0003】上記構造の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
先ず図6(a)に示すガラス等の非磁性基板(1)上の
全域に第1磁性膜(2)を形成した(図6(b))後、
この磁性膜(2)の側面(2a)が所定のアジマス角度
になるように除去する。(図6(c))。次に、基板(
1)及び第1磁性膜(2)の上面全域にギャップスペー
サ(3)を形成したのち、更にその上に第2磁性膜(4
)を形成する(図6(d))。そして最後に第1磁性膜
(2)上の第2磁性膜(4)を除去して表面を平坦化す
るのである。このようにして第1磁性膜(2)の側面(
2a)と第2磁性膜(4)との間に位置するギャップス
ペーサ(3)が磁気ギャップgとなる。尚、図示しない
が、実際には図6(e)のギャップスペーサ(3)及び
第2磁性膜(4)上に保護膜及び保護板を形成して薄膜
磁気ヘッドが完成する。
先ず図6(a)に示すガラス等の非磁性基板(1)上の
全域に第1磁性膜(2)を形成した(図6(b))後、
この磁性膜(2)の側面(2a)が所定のアジマス角度
になるように除去する。(図6(c))。次に、基板(
1)及び第1磁性膜(2)の上面全域にギャップスペー
サ(3)を形成したのち、更にその上に第2磁性膜(4
)を形成する(図6(d))。そして最後に第1磁性膜
(2)上の第2磁性膜(4)を除去して表面を平坦化す
るのである。このようにして第1磁性膜(2)の側面(
2a)と第2磁性膜(4)との間に位置するギャップス
ペーサ(3)が磁気ギャップgとなる。尚、図示しない
が、実際には図6(e)のギャップスペーサ(3)及び
第2磁性膜(4)上に保護膜及び保護板を形成して薄膜
磁気ヘッドが完成する。
【0004】以上の製造方法の図6(c)の工程におい
て、第1磁性膜(2)の側面(2a)を所定のアジマス
角度になるように除去する方法としては、イオンミリン
グ、機械加工等がある。
て、第1磁性膜(2)の側面(2a)を所定のアジマス
角度になるように除去する方法としては、イオンミリン
グ、機械加工等がある。
【0005】図7にイオンミリングによるギャップ形成
面となる側面(2a)の形成方法を示す。先ず図7(a
)に示すように第1磁性膜(2)の上面にレジスト等の
マスク(5)を形成する。前記マスク(5)はアジマス
角だけ傾斜している側面(5a)を有する。次に、上方
よりイオンビームエッチングを行うことにより図7(b
)に示すように第1磁性膜(2)の余分な部分を除去し
てアジマス角だけ傾斜している側面(2a)を形成する
。尚、このイオンビームエッチングによりマスク(5)
の厚みがRwからRw’に減少する。そして最後に、図
7(c)に示すようにマスク(5)を除去する。
面となる側面(2a)の形成方法を示す。先ず図7(a
)に示すように第1磁性膜(2)の上面にレジスト等の
マスク(5)を形成する。前記マスク(5)はアジマス
角だけ傾斜している側面(5a)を有する。次に、上方
よりイオンビームエッチングを行うことにより図7(b
)に示すように第1磁性膜(2)の余分な部分を除去し
てアジマス角だけ傾斜している側面(2a)を形成する
。尚、このイオンビームエッチングによりマスク(5)
の厚みがRwからRw’に減少する。そして最後に、図
7(c)に示すようにマスク(5)を除去する。
【0006】しかし乍ら、上述のようにイオンミリング
によりギャップ形成面となる側面(2a)を形成する場
合、第1磁性膜(2)及びマスク(5)のエッチングレ
ート、エッチング時間、マスク(5)の厚み等のエッチ
ング条件により磁気ギャップgのアジマス角、位置、及
び直線性を高精度に規定することが出来ない。
によりギャップ形成面となる側面(2a)を形成する場
合、第1磁性膜(2)及びマスク(5)のエッチングレ
ート、エッチング時間、マスク(5)の厚み等のエッチ
ング条件により磁気ギャップgのアジマス角、位置、及
び直線性を高精度に規定することが出来ない。
【0007】また、図8に機械加工によるギャップ形成
面となる側面(2a)の形成方法を示す。これは、非磁
性基板(1)上に形成した第1磁性膜(2)の不必要な
部分をダイヤモンドバイト(6)により前記非磁性基板
(1)に達するまで切削除去する方法である。尚、この
場合、ダイヤモンドバイト(6)の側面をアジマス角度
θだけ傾斜させている。
面となる側面(2a)の形成方法を示す。これは、非磁
性基板(1)上に形成した第1磁性膜(2)の不必要な
部分をダイヤモンドバイト(6)により前記非磁性基板
(1)に達するまで切削除去する方法である。尚、この
場合、ダイヤモンドバイト(6)の側面をアジマス角度
θだけ傾斜させている。
【0008】しかし乍ら、このような機械加工によりギ
ャップ形成面となる側面(2a)を形成する場合におい
ても、側面(2a)にチッピングや加工変質層が発生し
たり、非磁性基板(1)への切込み深さDを精度良く制
御することが困難であり、磁気ギャップgのギャップ精
度を高精度に規定することが出来ない。また、バイトに
よる切削加工法では、第1磁性膜の側面を図6(c)と
は逆方向に傾斜させることは不可能であり、マイナスア
ジマスのギャップを形成することが出来ないという問題
も生じる。
ャップ形成面となる側面(2a)を形成する場合におい
ても、側面(2a)にチッピングや加工変質層が発生し
たり、非磁性基板(1)への切込み深さDを精度良く制
御することが困難であり、磁気ギャップgのギャップ精
度を高精度に規定することが出来ない。また、バイトに
よる切削加工法では、第1磁性膜の側面を図6(c)と
は逆方向に傾斜させることは不可能であり、マイナスア
ジマスのギャップを形成することが出来ないという問題
も生じる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来例の
欠点に鑑み為されたものであり、磁気ギャップの位置、
アジマス角、直線性等を高精度に規定することが出来、
且つギャップ形成面にチッピングや加工変質層が発生す
るのを抑えた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
を目的とするものである。
欠点に鑑み為されたものであり、磁気ギャップの位置、
アジマス角、直線性等を高精度に規定することが出来、
且つギャップ形成面にチッピングや加工変質層が発生す
るのを抑えた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
を目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法では、非磁性基板の上面に側面がアジマス角
に相当する角度だけ傾斜しているスペーサ部材を配設し
、前記非磁性基板上に前記スペーサ部材を覆う第1磁性
膜を形成した後、該第1磁性膜を前記スペーサ部材が露
出するまで平坦化除去し、その後前記第1磁性膜にほと
んど影響を与えることなく前記スペーサ部材を除去する
ことにより前記第1磁性膜にアジマス角だけ傾斜してい
る側面を形成し、次いで前記第1磁性膜の側面上にギャ
ップスペーサを被着形成し、更にその上に第2磁性膜を
被着形成する工程を有することを特徴とする。
の製造方法では、非磁性基板の上面に側面がアジマス角
に相当する角度だけ傾斜しているスペーサ部材を配設し
、前記非磁性基板上に前記スペーサ部材を覆う第1磁性
膜を形成した後、該第1磁性膜を前記スペーサ部材が露
出するまで平坦化除去し、その後前記第1磁性膜にほと
んど影響を与えることなく前記スペーサ部材を除去する
ことにより前記第1磁性膜にアジマス角だけ傾斜してい
る側面を形成し、次いで前記第1磁性膜の側面上にギャ
ップスペーサを被着形成し、更にその上に第2磁性膜を
被着形成する工程を有することを特徴とする。
【0011】更に、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
では、前記スペーサ部材の両側面をアジマス角だけ傾斜
させ、底面の幅をギャップ間距離としてダブルアジマス
型のヘッドを形成することを特徴とする。
では、前記スペーサ部材の両側面をアジマス角だけ傾斜
させ、底面の幅をギャップ間距離としてダブルアジマス
型のヘッドを形成することを特徴とする。
【0012】
【作用】上記製造方法に依れば、磁気ギャップのアジマ
ス角をスペーサ部材の側面の傾斜角度により高精度に規
定することが出来る。
ス角をスペーサ部材の側面の傾斜角度により高精度に規
定することが出来る。
【0013】更に、上記製造方法に依れば、磁気ギャッ
プのアジマス角をスペーサ部材の側面の傾斜角度により
高精度に規定することが出来、且つギャップ間距離をス
ペーサ部材の底面の幅により高精度に規定することが出
来る。
プのアジマス角をスペーサ部材の側面の傾斜角度により
高精度に規定することが出来、且つギャップ間距離をス
ペーサ部材の底面の幅により高精度に規定することが出
来る。
【0014】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例で
あるダブルアジマス型の薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて詳細に説明する。
あるダブルアジマス型の薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて詳細に説明する。
【0015】先ず、図1(a)に示すようにガラス、セ
ラミック等の非磁性の基板(7)を用意し、該基板(7
)の上面に図1(b)に示すようにSiO2、ポリイミ
ド樹脂等よりなるスペーサ部材(8)を配設する。 前記スペーサ部材(8)は両側面(8a)(8b)が、
基板(7)に接する底面(8c)に対してアジマス角θ
1、θ2に相当する角度だけ傾斜し、底面(8c)の幅
Lが所望のギャップ間距離に応じた長さとなるように予
め成形されている。また、前記スペーサ部材(8)の厚
みは所望のトラック幅よりも大きい。前記スペーサ部材
(8)は基板(7)の上面に、200〜300℃の耐熱
性を有する接着材、或いは両端を保持具(図示せず)で
固定することにより接合固定されている。また、スペー
サ部材(8)自体を熱硬化型の接着材で形成することに
より前記基板(7)上面にスペーサ部材(8)を接合固
定してもよい。
ラミック等の非磁性の基板(7)を用意し、該基板(7
)の上面に図1(b)に示すようにSiO2、ポリイミ
ド樹脂等よりなるスペーサ部材(8)を配設する。 前記スペーサ部材(8)は両側面(8a)(8b)が、
基板(7)に接する底面(8c)に対してアジマス角θ
1、θ2に相当する角度だけ傾斜し、底面(8c)の幅
Lが所望のギャップ間距離に応じた長さとなるように予
め成形されている。また、前記スペーサ部材(8)の厚
みは所望のトラック幅よりも大きい。前記スペーサ部材
(8)は基板(7)の上面に、200〜300℃の耐熱
性を有する接着材、或いは両端を保持具(図示せず)で
固定することにより接合固定されている。また、スペー
サ部材(8)自体を熱硬化型の接着材で形成することに
より前記基板(7)上面にスペーサ部材(8)を接合固
定してもよい。
【0016】次に、図1(c)に示すように前記基板(
7)とスペーサ部材(8)との接合体の上面にセンダス
トよりなる第1の磁性膜(9)を前記スペーサ部材(8
)の厚み以上にスパッタリング等により被着形成する。
7)とスペーサ部材(8)との接合体の上面にセンダス
トよりなる第1の磁性膜(9)を前記スペーサ部材(8
)の厚み以上にスパッタリング等により被着形成する。
【0017】次に、図2(a)に示すように前記第1磁
性膜(9)及びスペーサ部材(8)を該スペーサ部材(
8)が露出し、その厚みが所望のトラック幅Twに等し
くなるまでラッピング、エッチング等により平坦化除去
する。
性膜(9)及びスペーサ部材(8)を該スペーサ部材(
8)が露出し、その厚みが所望のトラック幅Twに等し
くなるまでラッピング、エッチング等により平坦化除去
する。
【0018】次に、図2(b)に示すようにスペーサ部
材(8)をRIE(反応性イオンエッチング)により完
全に除去する。前述のエッチングに用いる反応ガスとし
ては、スペーサ部材(8)をSiO2で形成した場合、
CHF3ガス、CF4/H2ガス、C2F6ガス等が用
いられ、スペーサ部材(8)をポリイミド樹脂で形成し
た場合、O2ガス等が用いられる。このエッチングの際
、第1磁性膜(9)に対しては形状、磁気特性等にほと
んど変化がない。このスペーサ部材(8)の除去により
第1磁性膜(9)は左右に分断され、アジマス角θ1、
θ2だけ傾斜している側面(9a)(9b)が形成され
る。前記側面(9a)(9b)はギャップ形成面となる
。尚、前記スペーサ部材(8)を除去する方法としては
、薬品により除去してもよい。
材(8)をRIE(反応性イオンエッチング)により完
全に除去する。前述のエッチングに用いる反応ガスとし
ては、スペーサ部材(8)をSiO2で形成した場合、
CHF3ガス、CF4/H2ガス、C2F6ガス等が用
いられ、スペーサ部材(8)をポリイミド樹脂で形成し
た場合、O2ガス等が用いられる。このエッチングの際
、第1磁性膜(9)に対しては形状、磁気特性等にほと
んど変化がない。このスペーサ部材(8)の除去により
第1磁性膜(9)は左右に分断され、アジマス角θ1、
θ2だけ傾斜している側面(9a)(9b)が形成され
る。前記側面(9a)(9b)はギャップ形成面となる
。尚、前記スペーサ部材(8)を除去する方法としては
、薬品により除去してもよい。
【0019】次に、図2(c)に示すように前記第1磁
性膜(9)(9)上にSiO2等よりなるギャップスペ
ーサ(10)を被着形成する。前記第1磁性膜(9)(
9)の側面(9a)(9b)上に被着しているギャップ
スペーサ(10)の厚みがギャップ長となる。
性膜(9)(9)上にSiO2等よりなるギャップスペ
ーサ(10)を被着形成する。前記第1磁性膜(9)(
9)の側面(9a)(9b)上に被着しているギャップ
スペーサ(10)の厚みがギャップ長となる。
【0020】次に、図3(a)に示すように前記ギャッ
プスペーサ(10)上にセンダストよりなる第2磁性膜
(11)をスパッタリング等により被着形成する。
プスペーサ(10)上にセンダストよりなる第2磁性膜
(11)をスパッタリング等により被着形成する。
【0021】次に、図3(b)に示すように前記第2磁
性膜(11)を第1磁性膜(9)(9)の上面に被着し
ているギャップスペーサ(10)(10)が露出するま
でラッピング、エッチバック等の方法により平坦化除去
する。この工程により分断された第1磁性膜(9)(9
)間に位置する第2磁性膜(11)だけが残る。
性膜(11)を第1磁性膜(9)(9)の上面に被着し
ているギャップスペーサ(10)(10)が露出するま
でラッピング、エッチバック等の方法により平坦化除去
する。この工程により分断された第1磁性膜(9)(9
)間に位置する第2磁性膜(11)だけが残る。
【0022】次に、図3(c)に示すように前記第2磁
性膜(9)上にエッチングにより溝(12)を形成する
ことにより該第2磁性膜(11)を左右に分断する。こ
の加工により左右に分断された第2磁性膜(11)(1
1)は磁気的にも分断され、第1磁性膜(9)(9)と
第2磁性膜(11)(11)との間には、アジマス角θ
1、θ2だけ傾斜している磁気ギャップg1、g2が形
成される。図3(c)の状態の媒体摺接面を図4に示す
。
性膜(9)上にエッチングにより溝(12)を形成する
ことにより該第2磁性膜(11)を左右に分断する。こ
の加工により左右に分断された第2磁性膜(11)(1
1)は磁気的にも分断され、第1磁性膜(9)(9)と
第2磁性膜(11)(11)との間には、アジマス角θ
1、θ2だけ傾斜している磁気ギャップg1、g2が形
成される。図3(c)の状態の媒体摺接面を図4に示す
。
【0023】最後に、図示しないが、前記ギャップスペ
ーサ(10)及び第2磁性膜(11)上に保護膜及び保
護板を形成し、図3(c)の破線(13)(13)の位
置にレーザ加工により巻線孔を形成し、その後所定の外
形加工を施すことにより本実施例のダブルアジマス型の
薄膜磁気ヘッドが完成する。
ーサ(10)及び第2磁性膜(11)上に保護膜及び保
護板を形成し、図3(c)の破線(13)(13)の位
置にレーザ加工により巻線孔を形成し、その後所定の外
形加工を施すことにより本実施例のダブルアジマス型の
薄膜磁気ヘッドが完成する。
【0024】上述のような薄膜磁気ヘッドの製造方法で
は、磁気ギャップg1、g2のアジマス角θ1、θ2は
予め別途形成されているスペーサ部材(8)の側面(8
a)(8b)の傾斜角度により高精度に規定され、磁気
ギャップg1、g2のギャップ間距離は前記スペーサ部
材(8)の底面(8c)の幅Lによって高精度に規定さ
れる。また、前記磁気ギャップg1、g2のトラック幅
Twは図2(a)の平坦化除去工程により正確に規定出
来る。また、第1磁性膜(9)(9)のギャップ形成面
となる側面(9a)(9b)は、前記スペーサ部材(8
)の側面(8a)(8b)に沿って形成されるため、磁
気ギャップg1、g2の直線性は高精度に確保される。
は、磁気ギャップg1、g2のアジマス角θ1、θ2は
予め別途形成されているスペーサ部材(8)の側面(8
a)(8b)の傾斜角度により高精度に規定され、磁気
ギャップg1、g2のギャップ間距離は前記スペーサ部
材(8)の底面(8c)の幅Lによって高精度に規定さ
れる。また、前記磁気ギャップg1、g2のトラック幅
Twは図2(a)の平坦化除去工程により正確に規定出
来る。また、第1磁性膜(9)(9)のギャップ形成面
となる側面(9a)(9b)は、前記スペーサ部材(8
)の側面(8a)(8b)に沿って形成されるため、磁
気ギャップg1、g2の直線性は高精度に確保される。
【0025】また、上述の実施例の薄膜磁気ギャップg
1、g2のアジマス角θ1、θ2とは逆方向に傾斜して
いるアジマス角の磁気ギャップg3、g4を有する薄膜
磁気ヘッドを製造するには、先ず、図5(a)に示すよ
うに基板(7)上に上述の実施例で用いたスペーサ部材
(8)の両側面(8a)(8b)とは逆方向に傾斜して
いる両側面(8a’)(8b’)を備えるスペーサ部材
(8’)を配設し、以後は、上述の実施例と同様に図5
(b)に示すように第1磁性膜(9)を形成し、平坦化
除去加工を行った後、前記スペーサ部材(8’)を取り
除き、次いで図5(c)に示すようにギャップ下スペー
サ(10)、第2磁性膜(11)を形成し、平坦化除去
加工を行った後、前記第2磁性膜(11)に溝(12)
を形成する。
1、g2のアジマス角θ1、θ2とは逆方向に傾斜して
いるアジマス角の磁気ギャップg3、g4を有する薄膜
磁気ヘッドを製造するには、先ず、図5(a)に示すよ
うに基板(7)上に上述の実施例で用いたスペーサ部材
(8)の両側面(8a)(8b)とは逆方向に傾斜して
いる両側面(8a’)(8b’)を備えるスペーサ部材
(8’)を配設し、以後は、上述の実施例と同様に図5
(b)に示すように第1磁性膜(9)を形成し、平坦化
除去加工を行った後、前記スペーサ部材(8’)を取り
除き、次いで図5(c)に示すようにギャップ下スペー
サ(10)、第2磁性膜(11)を形成し、平坦化除去
加工を行った後、前記第2磁性膜(11)に溝(12)
を形成する。
【0026】尚、上述の実施例では、スペーサ部材の両
側面をアジマス角に相当する角度だけ傾斜させてダブル
アジマス型のヘッドを形成したが、スペーサ部材の一方
の側面のみをアジマス角だけ傾斜させることによりシン
グルギャップのヘッドを形成することが出来る。
側面をアジマス角に相当する角度だけ傾斜させてダブル
アジマス型のヘッドを形成したが、スペーサ部材の一方
の側面のみをアジマス角だけ傾斜させることによりシン
グルギャップのヘッドを形成することが出来る。
【0027】
【発明の効果】本発明に依れば、磁気ギャップの位置、
アジマス角、直線性等を、ギャップ形成面にチッピング
や加工変質層を形成することなく高精度に規定すること
が出来る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供し得る。
アジマス角、直線性等を、ギャップ形成面にチッピング
や加工変質層を形成することなく高精度に規定すること
が出来る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供し得る。
【図1】薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である
。
。
【図2】薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である
。
。
【図3】薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である
。
。
【図4】薄膜磁気ヘッドの媒体摺接面を示す図である。
【図5】薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である
。
。
【図6】薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図である
。
。
【図7】ギャップ形成面の形成方法を示す断面図である
。
。
【図8】ギャップ形成面の形成方法を示す断面図である
。
。
7 基板
8 スペーサ部材
8a 側面
8b 側面
9 第1磁性膜
9a 側面
9b 側面
10 ギャップスペーサ
11 第2磁性膜
Claims (2)
- 【請求項1】 非磁性基板の上面に側面がアジマス角
に相当する角度だけ傾斜しているスペーサ部材を配設し
、前記非磁性基板上に前記スペーサ部材を覆う第1磁性
膜を形成した後、該第1磁性膜を前記スペーサ部材が露
出するまで平坦化除去し、その後前記第1磁性膜にほと
んど影響を与えることなく前記スペーサ部材を除去する
ことにより前記第1磁性膜にアジマス角だけ傾斜してい
る側面を形成し、次いで前記第1磁性膜の側面上にギャ
ップスペーサを被着形成し、更にその上に第2磁性膜を
被着形成する工程を有することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項2】 前記スペーサ部材の両側面をアジマス
角に相当する角度だけ傾斜させ、底面の幅をギャップ間
距離としてダブルアジマス型のヘッドを形成することを
特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP932791A JPH04252409A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP932791A JPH04252409A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04252409A true JPH04252409A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11717379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP932791A Pending JPH04252409A (ja) | 1991-01-29 | 1991-01-29 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04252409A (ja) |
-
1991
- 1991-01-29 JP JP932791A patent/JPH04252409A/ja active Pending
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