JP2725618B2 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JP2725618B2 JP2725618B2 JP6304300A JP30430094A JP2725618B2 JP 2725618 B2 JP2725618 B2 JP 2725618B2 JP 6304300 A JP6304300 A JP 6304300A JP 30430094 A JP30430094 A JP 30430094A JP 2725618 B2 JP2725618 B2 JP 2725618B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- G11B5/313—Disposition of layers
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- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、再生信号におけるデ
ィップを低減して再生特性の向上を図るために下ポール
の先端露出面を突出形状に形成した薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
ィップを低減して再生特性の向上を図るために下ポール
の先端露出面を突出形状に形成した薄膜磁気ヘッドおよ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは磁気ディスク装置の記
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている従来の磁気ヘッドを図２に示す。
図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視図である。ここで
は導体コイルを３層とした場合について示している。
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている従来の磁気ヘッドを図２に示す。
図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視図である。ここで
は導体コイルを３層とした場合について示している。
【０００３】この薄膜磁気ヘッド１は、鏡面研磨された
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパ
ッタ法によりＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の無機絶縁材で作
られた保護層１２が１０数μｍ付着され、その上に下部
磁性層１４が電気メッキにより積層されている。下部磁
性層１４の上には磁気ギャップ層１６がスパッタ法によ
り積層されて、磁気ギャップ１７を形成している。磁気
ギャップ層１６は例えば保護層１２と同様にＳｉＯ2 ，
Ａｌ2 Ｏ3 等で作られている。
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパ
ッタ法によりＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の無機絶縁材で作
られた保護層１２が１０数μｍ付着され、その上に下部
磁性層１４が電気メッキにより積層されている。下部磁
性層１４の上には磁気ギャップ層１６がスパッタ法によ
り積層されて、磁気ギャップ１７を形成している。磁気
ギャップ層１６は例えば保護層１２と同様にＳｉＯ2 ，
Ａｌ2 Ｏ3 等で作られている。
【０００４】磁気ギャップ層１６上には第１絶縁層１８
が積層されている。絶縁層には通常ポジ型のホトレジス
トが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されている。
第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ等で
電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。第１
コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶縁層
２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コイル
層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
が積層されている。絶縁層には通常ポジ型のホトレジス
トが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されている。
第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ等で
電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。第１
コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶縁層
２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コイル
層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
【０００５】第４絶縁層３０の上には上部磁性層３２が
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２のポ
ール部と反対側の後部は、下部磁性層１４と密着してい
る。上部磁性層３２の上には、保護層３０がＳｉＯ2 ，
Ａｌ2 Ｏ3 等でスパッタ法により積層されて、全体を覆
っている。
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２のポ
ール部と反対側の後部は、下部磁性層１４と密着してい
る。上部磁性層３２の上には、保護層３０がＳｉＯ2 ，
Ａｌ2 Ｏ3 等でスパッタ法により積層されて、全体を覆
っている。
【０００６】従来の薄膜磁気ヘッドの上部および下部磁
性層１４，３２のポール部（上ポール（リーディングポ
ール）３６、下ポール（トレーリングポール）３８）の
先端部露出面形状は図２（ｃ）に示すように、エッジ
（リーディングエッジ４０、トレーリングエッジ４２）
が磁気ギャップ１７に対し平行な直線状に形成されてい
た。
性層１４，３２のポール部（上ポール（リーディングポ
ール）３６、下ポール（トレーリングポール）３８）の
先端部露出面形状は図２（ｃ）に示すように、エッジ
（リーディングエッジ４０、トレーリングエッジ４２）
が磁気ギャップ１７に対し平行な直線状に形成されてい
た。
【０００７】図２のエッジ形状を持つ薄膜磁気ヘッドの
孤立波出力を図３に示す。これによれば、通常の出力波
形（高さＶL ）以外に、波形のディップ（アンダーシュ
ート）ｄ１，ｄ２を生じる。ディップｄ１は下ポール３
６の厚さ（下ポール厚）Ｐ１が有限長であることによる
ものであり、ディップｄ２は上ポール３８の厚さ（上ポ
ール厚）Ｐ２が有限長であることによるものである。こ
のディップｄ１，ｄ２が大きい程ＰＲＭＬ（Partial Re
sponse Maximun Likelihood ）信号処理ではエラーが発
生し易くなる。すなわち、一般的にＰＲＭＬ信号処理
は、図４に示すように、ディップをカットした信号を用
いる。ディップカットは信号カットと同義であり、ディ
ップが大きい程カット量を大きくしなければならず、Ｓ
Ｎマージンにおいてエラー発生の確率を大きくする方向
に働く。
孤立波出力を図３に示す。これによれば、通常の出力波
形（高さＶL ）以外に、波形のディップ（アンダーシュ
ート）ｄ１，ｄ２を生じる。ディップｄ１は下ポール３
６の厚さ（下ポール厚）Ｐ１が有限長であることによる
ものであり、ディップｄ２は上ポール３８の厚さ（上ポ
ール厚）Ｐ２が有限長であることによるものである。こ
のディップｄ１，ｄ２が大きい程ＰＲＭＬ（Partial Re
sponse Maximun Likelihood ）信号処理ではエラーが発
生し易くなる。すなわち、一般的にＰＲＭＬ信号処理
は、図４に示すように、ディップをカットした信号を用
いる。ディップカットは信号カットと同義であり、ディ
ップが大きい程カット量を大きくしなければならず、Ｓ
Ｎマージンにおいてエラー発生の確率を大きくする方向
に働く。
【０００８】ディップを減らす効果が得られるポール形
状として、図５に示すように、ポール３６，３８の正面
からポール３６，３８の端面の四隅をイオンエッチング
等で切り取る（ポールトリミング）ようにしたポール形
状が提案されている。しかし、この方法では、多数の薄
膜磁気ヘッドを成膜したウェファーが完成した後、この
ウェファーをロー（短冊状）に切断し、切断面を所定の
スロートハイトに加工仕上げした後に、フォトリソニン
グ、エッチング加工等でポール３６，３８の端面の四隅
を切り取る加工をしなければならず（すなわち、ポール
３６，３８の端面はウェファーの膜面側でなくローの切
断面側にあるので、ローに切断した状態でなければ、ポ
ール３６，３８の端面の四隅を切り取る加工はできな
い。）、ローを１本ずつ加工する必要があることから生
産性に欠ける欠点があった。
状として、図５に示すように、ポール３６，３８の正面
からポール３６，３８の端面の四隅をイオンエッチング
等で切り取る（ポールトリミング）ようにしたポール形
状が提案されている。しかし、この方法では、多数の薄
膜磁気ヘッドを成膜したウェファーが完成した後、この
ウェファーをロー（短冊状）に切断し、切断面を所定の
スロートハイトに加工仕上げした後に、フォトリソニン
グ、エッチング加工等でポール３６，３８の端面の四隅
を切り取る加工をしなければならず（すなわち、ポール
３６，３８の端面はウェファーの膜面側でなくローの切
断面側にあるので、ローに切断した状態でなければ、ポ
ール３６，３８の端面の四隅を切り取る加工はできな
い。）、ローを１本ずつ加工する必要があることから生
産性に欠ける欠点があった。
【０００９】また、ディップを減らす効果が得られる別
のポール形状として本出願人が特願平３−８１４５８号
にて実施例として開示したものがある。これは、図６
（ａ）〜（ｄ）に示すようなポール断面形状を有するも
ので、ウェファー膜面上の加工で実現できるので、前記
図５のようにポール端面の加工で実現する場合に比べて
生産性が良好である。
のポール形状として本出願人が特願平３−８１４５８号
にて実施例として開示したものがある。これは、図６
（ａ）〜（ｄ）に示すようなポール断面形状を有するも
ので、ウェファー膜面上の加工で実現できるので、前記
図５のようにポール端面の加工で実現する場合に比べて
生産性が良好である。
【００１０】ところが、図６の構造のうち、（ａ），
（ｂ）のようにリーディングエッジ４０の一端部または
両端部が突出して、下ポール３６の一端部または両端部
で下ポール厚Ｐ１が厚くなっているものでは、隣接トラ
ック間のオフトラックオーバライト特性が悪化し、トラ
ック間距離を広げざるを得なくなり、結果として記録密
度を低下させる。また、（ｃ）のように曲線状のリーデ
ィングエッジ形状を有するものでは、フォトリソニング
やエッチング加工で保護層１２（図２（ｂ），（ｃ））
上にこのような曲線状のリーディングエッジ形状を形成
するのは容易ではなく、ウェファー上で直接機械加工で
溝入れを行なう方法しかなく、生産性が悪い。
（ｂ）のようにリーディングエッジ４０の一端部または
両端部が突出して、下ポール３６の一端部または両端部
で下ポール厚Ｐ１が厚くなっているものでは、隣接トラ
ック間のオフトラックオーバライト特性が悪化し、トラ
ック間距離を広げざるを得なくなり、結果として記録密
度を低下させる。また、（ｃ）のように曲線状のリーデ
ィングエッジ形状を有するものでは、フォトリソニング
やエッチング加工で保護層１２（図２（ｂ），（ｃ））
上にこのような曲線状のリーディングエッジ形状を形成
するのは容易ではなく、ウェファー上で直接機械加工で
溝入れを行なう方法しかなく、生産性が悪い。
【００１１】これに対し、（ｄ）のように下ポール３６
の中央部の下ポール厚Ｐ１を厚くし、その両端部の下ポ
ール厚Ｐ１′を薄くした台形状のリーディングエッジ形
状を持つものでは、下ポール３６の両端部で下ポール厚
Ｐ１′が薄いので隣接トラック間のオフトラックオーバ
ーライト特性が良好であり、しかも直線状のリーディン
グエッジ形状なので、フォトリソニングやエッチング加
工でリーディング形状を形成することができ生産性も良
好である。
の中央部の下ポール厚Ｐ１を厚くし、その両端部の下ポ
ール厚Ｐ１′を薄くした台形状のリーディングエッジ形
状を持つものでは、下ポール３６の両端部で下ポール厚
Ｐ１′が薄いので隣接トラック間のオフトラックオーバ
ーライト特性が良好であり、しかも直線状のリーディン
グエッジ形状なので、フォトリソニングやエッチング加
工でリーディング形状を形成することができ生産性も良
好である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】図６（ｄ）のリーディ
ングエッジ形状においても、その寸法形状によってはウ
ィグルを増大させたり、オーバライト特性が悪化する。
ングエッジ形状においても、その寸法形状によってはウ
ィグルを増大させたり、オーバライト特性が悪化する。
【００１３】この発明は、上述の点に鑑みてなされたも
ので、図６（ｄ）のポール形状を有するものにおいて、
ウィグルが少なくかつオーバライト特性が良好な寸法形
状を有する薄膜磁気ヘッドおよびこの薄膜磁気ヘッドに
適した製造方法を提供しようとするものである。
ので、図６（ｄ）のポール形状を有するものにおいて、
ウィグルが少なくかつオーバライト特性が良好な寸法形
状を有する薄膜磁気ヘッドおよびこの薄膜磁気ヘッドに
適した製造方法を提供しようとするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の薄膜磁気
ヘッドは、下部磁性層の先端部を構成する下ポールの磁
気ギャップと反対側のエッジ形状が、前記下ポールの幅
方向の略々中央部で前記磁気ギャップと略々平行に当該
下ポールの全幅の１０〜２５％の幅に形成された中央平
行部と、前記下ポールの幅方向の両端部で前記磁気ギャ
ップとそれぞれ略々平行に形成され、これら両側を合わ
せて当該下ポールの全幅の２０〜４０％の幅に形成され
た端部平行部と、前記中央平行部と前記各端部平行部と
をそれぞれ結ぶ外向きの傾斜部とを有し、前記端部平行
部における前記下ポールの厚さが前記中央平行部におけ
る当該下ポールの厚さの１／３〜２／３に形成されてな
るものである。
ヘッドは、下部磁性層の先端部を構成する下ポールの磁
気ギャップと反対側のエッジ形状が、前記下ポールの幅
方向の略々中央部で前記磁気ギャップと略々平行に当該
下ポールの全幅の１０〜２５％の幅に形成された中央平
行部と、前記下ポールの幅方向の両端部で前記磁気ギャ
ップとそれぞれ略々平行に形成され、これら両側を合わ
せて当該下ポールの全幅の２０〜４０％の幅に形成され
た端部平行部と、前記中央平行部と前記各端部平行部と
をそれぞれ結ぶ外向きの傾斜部とを有し、前記端部平行
部における前記下ポールの厚さが前記中央平行部におけ
る当該下ポールの厚さの１／３〜２／３に形成されてな
るものである。
【００１５】請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、下部磁性層の先端部を構成する下ポールの磁気ギャ
ップと反対側のエッジ形状が、前記下ポールの幅方向の
略々中央部で前記磁気ギャップと略々平行に形成された
中央平行部と、前記下ポールの幅方向の両端部で前記磁
気ギャップと略々平行にそれぞれ形成された端部平行部
と、前記中央平行部と前記各端部平行部とをそれぞれ結
ぶ外向きの傾斜部とを有する薄膜磁気ヘッドを製造する
方法であって、当該薄膜磁気ヘッドを形成する無機絶縁
基材の表面に、略々前記中央平行部を形成する幅で粒子
ビームを略々垂直に照射して当該無機絶縁基材を垂直に
掘込加工して凹部を形成し、その後当該凹部およびその
周囲にかけて粒子ビームを略々垂直に照射して当該凹部
の内壁面を傾斜状に形成し、当該凹部内にポール材を成
膜して当該凹部の底面位置に前記下ポールの前記中央平
行部を形成し、当該凹部の内壁面位置に当該下ポールの
前記傾斜部を形成してなるものである。
は、下部磁性層の先端部を構成する下ポールの磁気ギャ
ップと反対側のエッジ形状が、前記下ポールの幅方向の
略々中央部で前記磁気ギャップと略々平行に形成された
中央平行部と、前記下ポールの幅方向の両端部で前記磁
気ギャップと略々平行にそれぞれ形成された端部平行部
と、前記中央平行部と前記各端部平行部とをそれぞれ結
ぶ外向きの傾斜部とを有する薄膜磁気ヘッドを製造する
方法であって、当該薄膜磁気ヘッドを形成する無機絶縁
基材の表面に、略々前記中央平行部を形成する幅で粒子
ビームを略々垂直に照射して当該無機絶縁基材を垂直に
掘込加工して凹部を形成し、その後当該凹部およびその
周囲にかけて粒子ビームを略々垂直に照射して当該凹部
の内壁面を傾斜状に形成し、当該凹部内にポール材を成
膜して当該凹部の底面位置に前記下ポールの前記中央平
行部を形成し、当該凹部の内壁面位置に当該下ポールの
前記傾斜部を形成してなるものである。
【００１６】
【作用】請求項１記載の薄膜磁気ヘッドによれば、中央
平行部を下ポールの全幅の１０〜２５％の幅に形成した
ので、再生波形のディップを減少させつつウィグルの増
大を防止することができる。また、端部平行部を左右合
わせて下ポールの全幅の２０〜４０％の幅に形成したの
で、孤立波を減少させつつオーバライト特性が弱くなる
のを防止することができる。また、ウェファー膜面に対
するフォトリソニングやエッチング加工でリーディング
エッジ形状を形成できるので、生産性も良好となる。
平行部を下ポールの全幅の１０〜２５％の幅に形成した
ので、再生波形のディップを減少させつつウィグルの増
大を防止することができる。また、端部平行部を左右合
わせて下ポールの全幅の２０〜４０％の幅に形成したの
で、孤立波を減少させつつオーバライト特性が弱くなる
のを防止することができる。また、ウェファー膜面に対
するフォトリソニングやエッチング加工でリーディング
エッジ形状を形成できるので、生産性も良好となる。
【００１７】請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、請求項１の薄膜磁気ヘッドの条件に適合した
傾斜部を正確に形成することができ、高い歩留りが得ら
れる。
によれば、請求項１の薄膜磁気ヘッドの条件に適合した
傾斜部を正確に形成することができ、高い歩留りが得ら
れる。
【００１８】
【実施例】この発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を図１
に示す。また、その斜視図を図７に示す。前記図２の従
来の薄膜磁気ヘッドと共通する部分には同一の符号を用
いる。
に示す。また、その斜視図を図７に示す。前記図２の従
来の薄膜磁気ヘッドと共通する部分には同一の符号を用
いる。
【００１９】この薄膜磁気ヘッド２は、鏡面研磨された
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパ
ッタ法によりＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の無機絶縁材で作
られた保護層１２が１０数μｍ付着され、その上に下部
磁性層１４が電気メッキにより積層されている。下部磁
性層１４の上には磁気ギャップ層１６がスパッタ法によ
り積層されて、磁気ギャップ１７を形成している。磁気
ギャップ層１６は例えば保護層１２と同様にＳｉＯ2 ，
Ａｌ2 Ｏ3 等で作られている。
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパ
ッタ法によりＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の無機絶縁材で作
られた保護層１２が１０数μｍ付着され、その上に下部
磁性層１４が電気メッキにより積層されている。下部磁
性層１４の上には磁気ギャップ層１６がスパッタ法によ
り積層されて、磁気ギャップ１７を形成している。磁気
ギャップ層１６は例えば保護層１２と同様にＳｉＯ2 ，
Ａｌ2 Ｏ3 等で作られている。
【００２０】磁気ギャップ層１６上には第１絶縁層１８
が積層されている。絶縁層には通常ポジ型のホトレジス
トが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されている。
第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ等で
電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。第１
コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶縁層
２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コイル
層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
が積層されている。絶縁層には通常ポジ型のホトレジス
トが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されている。
第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ等で
電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。第１
コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶縁層
２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コイル
層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
【００２１】第４絶縁層３０の上には上部磁性層３２が
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２の上
には、保護層３４がＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等でスパッタ
法により積層されて、全体を覆っている。
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２の上
には、保護層３４がＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等でスパッタ
法により積層されて、全体を覆っている。
【００２２】図１（ａ）のＡ部の構造を図１（ｂ）に拡
大して示す。また、先端部露出面形状を図１（ｂ）のＢ
−Ｂ矢視図として図１（ｃ）に示す。下部磁性層１４の
下ポール（リーディングポール）３６の先端露出面中央
部には、磁気ギャップ１７と反対側のエッジ（リーディ
ングエッジ４０）に台形状の突起部３６ａが形成されて
いる。この突起部３６ａの存在により、下ポール３６は
中央部が厚く、両端部が薄くなっている。また、リーデ
ィングエッジ４０の形状は、図１（ｃ）のように下ポー
ル３６の幅方向の略々中央部で磁気ギャップ１７と略々
平行に形成された中央平行部４０ａと、下ポール３６の
幅方向の両端部で磁気ギャップ１７と略々平行に形成さ
れた端部平行部４０ｂ，４０ｃと、中央平行部４０ａと
各端部平行部４０ｂ，４０ｃとをそれぞれ結ぶ外向きの
傾斜部４０ｄ，４０ｅとを有しており、ポール幅の中心
線に対し左右対称に形成されている。
大して示す。また、先端部露出面形状を図１（ｂ）のＢ
−Ｂ矢視図として図１（ｃ）に示す。下部磁性層１４の
下ポール（リーディングポール）３６の先端露出面中央
部には、磁気ギャップ１７と反対側のエッジ（リーディ
ングエッジ４０）に台形状の突起部３６ａが形成されて
いる。この突起部３６ａの存在により、下ポール３６は
中央部が厚く、両端部が薄くなっている。また、リーデ
ィングエッジ４０の形状は、図１（ｃ）のように下ポー
ル３６の幅方向の略々中央部で磁気ギャップ１７と略々
平行に形成された中央平行部４０ａと、下ポール３６の
幅方向の両端部で磁気ギャップ１７と略々平行に形成さ
れた端部平行部４０ｂ，４０ｃと、中央平行部４０ａと
各端部平行部４０ｂ，４０ｃとをそれぞれ結ぶ外向きの
傾斜部４０ｄ，４０ｅとを有しており、ポール幅の中心
線に対し左右対称に形成されている。
【００２３】ここで、中央平行部４０ａの幅Ｔwcは、出
力波形のディップを減少させるためには短い方がよい。
しかし、Ｔwcが下ポール３６の全幅Ｔwaの１０％を切る
と、下ポール３６を電気メッキで形成する場合にメッキ
の初期成長において誘導磁気異方性を攪乱し、ウィグル
等を増大させる原因となる。したがって、ＴwcはＴwaの
１０％以上であることが好ましい。一方、ＴwcがＴwaの
２５％を超えると、孤立波のディップが５％を超えてく
る。したがって、Ｔwcの最適範囲は、 １０％≦Ｔwc／Ｔwa≦２５％ であることが好ましい。
力波形のディップを減少させるためには短い方がよい。
しかし、Ｔwcが下ポール３６の全幅Ｔwaの１０％を切る
と、下ポール３６を電気メッキで形成する場合にメッキ
の初期成長において誘導磁気異方性を攪乱し、ウィグル
等を増大させる原因となる。したがって、ＴwcはＴwaの
１０％以上であることが好ましい。一方、ＴwcがＴwaの
２５％を超えると、孤立波のディップが５％を超えてく
る。したがって、Ｔwcの最適範囲は、 １０％≦Ｔwc／Ｔwa≦２５％ であることが好ましい。
【００２４】また、端部平行部４０ｂ，４０ｃの幅Ｔwe
は、出力波形のディップを減少させるためには短い方が
よい。しかし、Ｔweが短すぎると、書き込み能力（オー
バライト特性）がポール周辺で弱まるので、左右両方合
わせて（つまり２・Ｔweで）Ｔwaの２０％以上（片側で
１０％以上）であることが望ましい。一方、Ｔweが左右
合わせてＴwaの４０％を超えると、孤立波のディップが
大きくなる。したがって、２・Ｔweの最適範囲は、 ２０％≦２・Ｔwe≦４０％（片側では、１０％≦Ｔwe≦
２０％） であることが好ましい。
は、出力波形のディップを減少させるためには短い方が
よい。しかし、Ｔweが短すぎると、書き込み能力（オー
バライト特性）がポール周辺で弱まるので、左右両方合
わせて（つまり２・Ｔweで）Ｔwaの２０％以上（片側で
１０％以上）であることが望ましい。一方、Ｔweが左右
合わせてＴwaの４０％を超えると、孤立波のディップが
大きくなる。したがって、２・Ｔweの最適範囲は、 ２０％≦２・Ｔwe≦４０％（片側では、１０％≦Ｔwe≦
２０％） であることが好ましい。
【００２５】また、中央平行部４０ａでの下ポール厚Ｐ
１は、コア材としてパーマロイを用いた場合には最低で
も３．５μｍが必要である（これ以上小さくなると、磁
気ギャップ１７での漏れ磁束量が減って十分な書き込み
能力がなくなる。）。また、端部平行部４０ｂ，４０ｃ
での下ポール厚Ｐ１′は中央平行部４０ａでの下ポール
厚Ｐ１に対して Ｐ１／３＜Ｐ１′＜２・Ｐ１／３ とするのが望ましい。
１は、コア材としてパーマロイを用いた場合には最低で
も３．５μｍが必要である（これ以上小さくなると、磁
気ギャップ１７での漏れ磁束量が減って十分な書き込み
能力がなくなる。）。また、端部平行部４０ｂ，４０ｃ
での下ポール厚Ｐ１′は中央平行部４０ａでの下ポール
厚Ｐ１に対して Ｐ１／３＜Ｐ１′＜２・Ｐ１／３ とするのが望ましい。
【００２６】中央平行部４０ａと傾斜部４０ｄ，４０ｅ
とのなす角度θについては、角度が大きいほど、より狭
いトラック幅を実現できるが（トラック幅：Ｔwa）、後
述の製造方法ではθ＝４０〜６５°に決定されるので、
下ポール厚Ｐ１を決定すると、上記条件を満たすトラッ
ク幅Ｔwaは自動的に決定される。上記条件でトラック幅
Ｔwaを最小にする条件を考える。角度θが４５°とする
と、Ｐ１′が大きい方がトラック幅Ｔwaを小さくでき
る。Ｐ１が３．５μｍではＰ１′は最大２．４μｍが許
される。このとき、トラック幅Ｔwaは最小となり、約
３．４μｍとなる。現在の最先端の磁気ヘッドのトラッ
ク幅が５μｍを切ったところで展開されていることを考
えると、上記条件によれば十分狭いトラック幅を実現で
きることがわかる。また、コア材がより大きな保磁力と
透磁力を持つ材料の場合には、Ｐ１の制約が小さくなり
（Ｐ１をより薄くできる。）、トラック幅Ｔwaをより狭
くすることができる。
とのなす角度θについては、角度が大きいほど、より狭
いトラック幅を実現できるが（トラック幅：Ｔwa）、後
述の製造方法ではθ＝４０〜６５°に決定されるので、
下ポール厚Ｐ１を決定すると、上記条件を満たすトラッ
ク幅Ｔwaは自動的に決定される。上記条件でトラック幅
Ｔwaを最小にする条件を考える。角度θが４５°とする
と、Ｐ１′が大きい方がトラック幅Ｔwaを小さくでき
る。Ｐ１が３．５μｍではＰ１′は最大２．４μｍが許
される。このとき、トラック幅Ｔwaは最小となり、約
３．４μｍとなる。現在の最先端の磁気ヘッドのトラッ
ク幅が５μｍを切ったところで展開されていることを考
えると、上記条件によれば十分狭いトラック幅を実現で
きることがわかる。また、コア材がより大きな保磁力と
透磁力を持つ材料の場合には、Ｐ１の制約が小さくなり
（Ｐ１をより薄くできる。）、トラック幅Ｔwaをより狭
くすることができる。
【００２７】上記のような寸法形状によれば、出力波形
状のディップが減少し（前記図２の従来の平行ポールの
場合８〜１２％であるのに対し、５％以下にでき
る。）、ＰＲＭＬ信号処理に適した信号波形が得られ、
磁気ディスク装置の記録密度を上げることができる。ま
た、ウィグルの発生を防止でき、エラーが減少する。さ
らに、ウェファー全面の一括加工（フォトリソニングや
エッチング加工等）でリーディングエッジ形状を形成で
きるので、生産性に優れている。
状のディップが減少し（前記図２の従来の平行ポールの
場合８〜１２％であるのに対し、５％以下にでき
る。）、ＰＲＭＬ信号処理に適した信号波形が得られ、
磁気ディスク装置の記録密度を上げることができる。ま
た、ウィグルの発生を防止でき、エラーが減少する。さ
らに、ウェファー全面の一括加工（フォトリソニングや
エッチング加工等）でリーディングエッジ形状を形成で
きるので、生産性に優れている。
【００２８】次に、この発明の薄膜磁気ヘッドの製造に
適用できるこの発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法につい
て説明する。ここでは、図１の薄膜磁気ヘッド２を製造
する場合について説明する。この製造方法では、下ポー
ル３６を作るのに、薄膜磁気ヘッドを形成する無機絶縁
膜（保護層１２）をイオンエッチング等で垂直に掘り込
み、次に全面のイオンエッチングで傾斜部を形成し、そ
の後全面に下地金属膜を形成した後、レジストパターン
カットで下ポール幅を決め、下ポールをメッキで形成
し、平面研磨にて基板との平行面を出し、ギャップ面を
形成している。この製造工程の詳細について図８〜１３
を参照して説明する。
適用できるこの発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法につい
て説明する。ここでは、図１の薄膜磁気ヘッド２を製造
する場合について説明する。この製造方法では、下ポー
ル３６を作るのに、薄膜磁気ヘッドを形成する無機絶縁
膜（保護層１２）をイオンエッチング等で垂直に掘り込
み、次に全面のイオンエッチングで傾斜部を形成し、そ
の後全面に下地金属膜を形成した後、レジストパターン
カットで下ポール幅を決め、下ポールをメッキで形成
し、平面研磨にて基板との平行面を出し、ギャップ面を
形成している。この製造工程の詳細について図８〜１３
を参照して説明する。
【００２９】（１） レジスト塗布 まず、アルチック（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）等の基板１０
上に形成されている平滑なアルミナ等の保護層１２上
に、各薄膜磁気ヘッドを形成すべき位置に下部磁性層１
４を形成する凹所を形成するため、ウェファー全面にレ
ジスト９０を塗布する。 （２） パターンカット 凹所を形成する位置のレジスト９０を垂直にカットす
る。 （３） 加熱、溶融 レジスト９０を加熱して溶融（リフロー）する。
上に形成されている平滑なアルミナ等の保護層１２上
に、各薄膜磁気ヘッドを形成すべき位置に下部磁性層１
４を形成する凹所を形成するため、ウェファー全面にレ
ジスト９０を塗布する。 （２） パターンカット 凹所を形成する位置のレジスト９０を垂直にカットす
る。 （３） 加熱、溶融 レジスト９０を加熱して溶融（リフロー）する。
【００３０】（４） イオンミリング アルゴンイオン等を照射して、保護層１２を削り、凹部
７３を形成する。 （５） イオンミリング終了 所定の深さに凹部７３を形成したら、イオンミリングを
終了する。 （６） レジスト除去 レジスト９０を除去すれば、保護層１２の上に下コア形
成部を構成する凹部７３が完成する。
７３を形成する。 （５） イオンミリング終了 所定の深さに凹部７３を形成したら、イオンミリングを
終了する。 （６） レジスト除去 レジスト９０を除去すれば、保護層１２の上に下コア形
成部を構成する凹部７３が完成する。
【００３１】（７） 基板上レジストカット 下部磁性層１４の下ポールを形成する位置に凹所を形成
するためウェファー全面にレジスト７０を塗布する。そ
して、下ポール３６のリーディングエッジ４０の中央平
行部４０ａの幅Ｔwcでレジスト７０を垂直にカットす
る。 （８） イオンエッチングによる垂直掘込加工 イオンビーム（あるいはその他の粒子ビーム）７５をウ
ェファー全面に垂直に照射して、レジスト７０の開口部
７０ａ内に露出している保護層１２を垂直に掘込加工
（イオンエッチング等のドライエッチングによるミリン
グ加工）して、凹部７２を形成する。掘込加工する深さ
は、中央平行部４０ａにおいて形成すべき下ポール３６
の長さＰ１に応じて定める。
するためウェファー全面にレジスト７０を塗布する。そ
して、下ポール３６のリーディングエッジ４０の中央平
行部４０ａの幅Ｔwcでレジスト７０を垂直にカットす
る。 （８） イオンエッチングによる垂直掘込加工 イオンビーム（あるいはその他の粒子ビーム）７５をウ
ェファー全面に垂直に照射して、レジスト７０の開口部
７０ａ内に露出している保護層１２を垂直に掘込加工
（イオンエッチング等のドライエッチングによるミリン
グ加工）して、凹部７２を形成する。掘込加工する深さ
は、中央平行部４０ａにおいて形成すべき下ポール３６
の長さＰ１に応じて定める。
【００３２】（９） レジスト除去 掘込加工が終了したら、レジスト７０を除去する。 （10） 全面ミリング加工 イオンビーム（あるいはその他の粒子ビーム）をウェフ
ァー全面に垂直に照射して、ウェファー全面を掘込加工
する。このとき、凹部７２の上部開口部でミリングが促
進されるので、凹部７２の内壁面７４が一定の角度で斜
めに削られて傾斜面に形成されていく。内壁面７４全体
が傾斜面に形成されたら全面ミリング加工を終了する。
このようにして得られた傾斜面７４は、レジスト等を傾
斜して形成しイオンエッチング等で掘込加工した場合
（図８（１）〜（６）の方法）に比べて非常に制御性が
よく、各所の寸法精度を０．３μｍ以下にコントロール
することが可能である。
ァー全面に垂直に照射して、ウェファー全面を掘込加工
する。このとき、凹部７２の上部開口部でミリングが促
進されるので、凹部７２の内壁面７４が一定の角度で斜
めに削られて傾斜面に形成されていく。内壁面７４全体
が傾斜面に形成されたら全面ミリング加工を終了する。
このようにして得られた傾斜面７４は、レジスト等を傾
斜して形成しイオンエッチング等で掘込加工した場合
（図８（１）〜（６）の方法）に比べて非常に制御性が
よく、各所の寸法精度を０．３μｍ以下にコントロール
することが可能である。
【００３３】内壁面７４全体が一定の角度で斜めに削ら
れていくメカニズムについて説明する。ミリングの粒子
の進行方向とミリングの速度には、図１４に示すような
関係がある。すなわち、ミリング角度が大きくなるに従
って、ミリングレートは速くなり、アルミナの場合、４
５〜５５°の傾斜で最大のミリングレートとなる。した
がって、直角に段差のあるアルミナ表面を全面ミリング
したとき、段差の角の部分では、ミリングが最大ミリン
グレートとなるような角度で進行する。
れていくメカニズムについて説明する。ミリングの粒子
の進行方向とミリングの速度には、図１４に示すような
関係がある。すなわち、ミリング角度が大きくなるに従
って、ミリングレートは速くなり、アルミナの場合、４
５〜５５°の傾斜で最大のミリングレートとなる。した
がって、直角に段差のあるアルミナ表面を全面ミリング
したとき、段差の角の部分では、ミリングが最大ミリン
グレートとなるような角度で進行する。
【００３４】保護層１２（アルミナ）に垂直にイオンビ
ームを照射して全面ミリング加工することにより、凹部
７２の内壁面が一定の角度で傾斜面に形成されていく過
程を図１５により説明する。 ｉ） 予め垂直カットしたパターン ii） 上面から垂直にミリング粒子を当てる。このと
き、エッジの部分はミリング粒子に対し傾斜しているの
で、エッジの部分は最もレートの速い角度で削られてい
く。
ームを照射して全面ミリング加工することにより、凹部
７２の内壁面が一定の角度で傾斜面に形成されていく過
程を図１５により説明する。 ｉ） 予め垂直カットしたパターン ii） 上面から垂直にミリング粒子を当てる。このと
き、エッジの部分はミリング粒子に対し傾斜しているの
で、エッジの部分は最もレートの速い角度で削られてい
く。
【００３５】iii) アルミナの場合、θは４５〜５０°
で最もレートが速いので、この角度にてエッジの部分が
削られていく。 iv） エッジ部分が削られて、エッジが下部に達する
と、垂直部はなくなる。この後は、傾斜面の角度一定で
傾斜の端が広がりながら逆台形の底辺が広がっていく。
（ｙo とｙi は、ミリング角度０の時の速度と最大ミリ
ング角度の時の速度の比となる。） （11） メッキ下地膜の形成 パーマロイ等のメッキ下地膜７６をスパッタ、蒸着等で
ウェファー全面に形成する。 （12） レジストカット メッキ下地膜７６の上に下ポール３６を含む下部磁性層
１４全体をメッキで形成するためのレジスト７８をカッ
トする。下ポール３６を形成する位置では、形成すべき
下ポール３６の幅Ｔwaにレジスト７８をカットする。
で最もレートが速いので、この角度にてエッジの部分が
削られていく。 iv） エッジ部分が削られて、エッジが下部に達する
と、垂直部はなくなる。この後は、傾斜面の角度一定で
傾斜の端が広がりながら逆台形の底辺が広がっていく。
（ｙo とｙi は、ミリング角度０の時の速度と最大ミリ
ング角度の時の速度の比となる。） （11） メッキ下地膜の形成 パーマロイ等のメッキ下地膜７６をスパッタ、蒸着等で
ウェファー全面に形成する。 （12） レジストカット メッキ下地膜７６の上に下ポール３６を含む下部磁性層
１４全体をメッキで形成するためのレジスト７８をカッ
トする。下ポール３６を形成する位置では、形成すべき
下ポール３６の幅Ｔwaにレジスト７８をカットする。
【００３６】（13） 下部磁性層メッキ 露出しているメッキ下地膜７６上にパーマロイ等をメッ
キして、下ポール３６を含む下部磁性層１４を形成す
る。 （14） レジスト除去 レジスト７８を除去する。 （15） 下地全面ミリング ウェファー全面にイオンビームを照射して、レジスト７
８を除去したあとに露出しているメッキ下地膜７６をイ
オンエッチングで除去する。
キして、下ポール３６を含む下部磁性層１４を形成す
る。 （14） レジスト除去 レジスト７８を除去する。 （15） 下地全面ミリング ウェファー全面にイオンビームを照射して、レジスト７
８を除去したあとに露出しているメッキ下地膜７６をイ
オンエッチングで除去する。
【００３７】（16） 下部磁性層以外のメッキ膜除去 下ポール３６を含む下部磁性層１４に保護レジスト８０
を被せ、その周囲にある不要なメッキ膜１４′をイオン
エッチング等で除去する。 （17） 無機絶縁膜成膜 ウェファー全面にアルミナ等の無機絶縁膜８２を成膜す
る。
を被せ、その周囲にある不要なメッキ膜１４′をイオン
エッチング等で除去する。 （17） 無機絶縁膜成膜 ウェファー全面にアルミナ等の無機絶縁膜８２を成膜す
る。
【００３８】（18） 仕上げラッピング 全面をラッピングして、下ポール３６を含む下部磁性層
１４を露出させて平滑面に形成し、規定のポール厚Ｐ
１，Ｐ１′に形成する。以上の工程により、図１
（ｂ），（ｃ）の下ポール形状が正確に形成される。 （19） 完 成 磁気ギャップ層１６を成膜し、コイルおよび絶縁層を形
成した後上ポール３８を含む上部磁性層３２を形成し、
最後に保護層３４を形成する。そして、所定のスロート
ハイトに相当する位置６０まで切削、研磨して、図１の
薄膜磁気ヘッド２が完成する。
１４を露出させて平滑面に形成し、規定のポール厚Ｐ
１，Ｐ１′に形成する。以上の工程により、図１
（ｂ），（ｃ）の下ポール形状が正確に形成される。 （19） 完 成 磁気ギャップ層１６を成膜し、コイルおよび絶縁層を形
成した後上ポール３８を含む上部磁性層３２を形成し、
最後に保護層３４を形成する。そして、所定のスロート
ハイトに相当する位置６０まで切削、研磨して、図１の
薄膜磁気ヘッド２が完成する。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の薄
膜磁気ヘッドによれば、中央平行部を下ポールの全幅の
１０〜２５％の幅に形成したので、再生波形のディップ
を減少させつつウィグルの増大を防止することができ
る。また、端部平行部を左右合わせて下ポールの全幅の
２０〜４０％の幅に形成したので、孤立波を減少させつ
つオーバライト特性が弱くなるのを防止することができ
る。また、ウェファー膜面に対するフォトリソニングや
エッチング加工でリーディングエッジ形状を形成できる
ので、生産性も良好となる。
膜磁気ヘッドによれば、中央平行部を下ポールの全幅の
１０〜２５％の幅に形成したので、再生波形のディップ
を減少させつつウィグルの増大を防止することができ
る。また、端部平行部を左右合わせて下ポールの全幅の
２０〜４０％の幅に形成したので、孤立波を減少させつ
つオーバライト特性が弱くなるのを防止することができ
る。また、ウェファー膜面に対するフォトリソニングや
エッチング加工でリーディングエッジ形状を形成できる
ので、生産性も良好となる。
【００４０】請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、請求項１の薄膜磁気ヘッドの条件に適合した
傾斜部を正確に形成することができ。高い歩留りが得ら
れる。
によれば、請求項１の薄膜磁気ヘッドの条件に適合した
傾斜部を正確に形成することができ。高い歩留りが得ら
れる。
【図１】 この発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
図である。
図である。
【図２】 従来の薄膜磁気ヘッドを示す図である。
【図３】 図２の従来の薄膜磁気ヘッドにおける再生波
形のディップの発生状態を示す波形図である。
形のディップの発生状態を示す波形図である。
【図４】 図３のディップを除去するための処理手順を
示す波形図である。
示す波形図である。
【図５】 ディップを減らすためのポール形状の従来例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図６】 ディップを減らすためのポール形状の他の従
来例を示す断面図である。
来例を示す断面図である。
【図７】 図１の薄膜磁気ヘッドのポール部の構造を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図８】 この発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施例を示す工程図である。
施例を示す工程図である。
【図９】 図８の続きを示す工程図である。
【図１０】 図９の続きを示す工程図である。
【図１１】 図１０の続きを示す工程図である。
【図１２】 図１１の続きを示す工程図である。
【図１３】 図１２の続きを示す工程図である。
【図１４】 ミリング粒子の進行方向とミリング速度と
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図１５】 図１０の工程１０において、凹部７２の内
壁面７４が一定の角度で傾斜面に形成されていく過程を
示す図である。
壁面７４が一定の角度で傾斜面に形成されていく過程を
示す図である。
２ 薄膜磁気ヘッド １２ 保護層（無機絶縁基材） １４ 下部磁性層 １７ 磁気ギャップ ３６ 下ポール ４０ リーディングエッジ（下ポールの磁気ギャップと
反対側のエッジ） ４０ａ 中央平行部 ４０ｂ，４０ｃ 傾斜部 ７２ 凹部 ７４ 凹部の内壁面 ７５ イオンビーム（粒子ビーム）
反対側のエッジ） ４０ａ 中央平行部 ４０ｂ，４０ｃ 傾斜部 ７２ 凹部 ７４ 凹部の内壁面 ７５ イオンビーム（粒子ビーム）
Claims (2)
- 【請求項１】下部磁性層の先端部を構成する下ポールの
磁気ギャップと反対側のエッジ形状が、 前記下ポールの幅方向の略々中央部で前記磁気ギャップ
と略々平行に当該下ポールの全幅の１０〜２５％の幅に
形成された中央平行部と、 前記下ポールの幅方向の両端部で前記磁気ギャップとそ
れぞれ略々平行に形成され、これら両側を合わせて当該
下ポールの全幅の２０〜４０％の幅に形成された端部平
行部と、 前記中央平行部と前記各端部平行部とをそれぞれ結ぶ外
向きの傾斜部とを有し、 前記端部平行部における前記下ポールの厚さが前記中央
平行部における当該下ポールの厚さの１／３〜２／３に
形成されてなる薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】下部磁性層の先端部を構成する下ポールの
磁気ギャップと反対側のエッジ形状が、前記下ポールの
幅方向の略々中央部で前記磁気ギャップと略々平行に形
成された中央平行部と、前記下ポールの幅方向の両端部
で前記磁気ギャップと略々平行にそれぞれ形成された端
部平行部と、前記中央平行部と前記各端部平行部とをそ
れぞれ結ぶ外向きの傾斜部とを有する薄膜磁気ヘッドを
製造する方法であって、 当該薄膜磁気ヘッドを形成する無機絶縁基材の表面に、
略々前記中央平行部を形成する幅で粒子ビームを略々垂
直に照射して当該無機絶縁基材を垂直に掘込加工して凹
部を形成し、 その後当該凹部およびその周囲にかけて粒子ビームを略
々垂直に照射して当該凹部の内壁面を傾斜状に形成し、
当該凹部内にポール材を成膜して当該凹部の底面位置に
前記下ポールの前記中央平行部を形成し、当該凹部の内
壁面位置に当該下ポールの前記傾斜部を形成してなる薄
膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6304300A JP2725618B2 (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US08/556,574 US5978187A (en) | 1994-11-14 | 1995-11-13 | Thin film magnetic head having a lower pole shaped to improve reproduction characteristics |
| US09/002,389 US6010753A (en) | 1994-11-14 | 1998-01-28 | Thin film magnetic head with special shaped pole and manufacture method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6304300A JP2725618B2 (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08147623A JPH08147623A (ja) | 1996-06-07 |
| JP2725618B2 true JP2725618B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=17931380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6304300A Expired - Lifetime JP2725618B2 (ja) | 1994-11-14 | 1994-11-14 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5978187A (ja) |
| JP (1) | JP2725618B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1125421A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド |
| JP2000057520A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記憶装置 |
| JP2000306215A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-11-02 | Toshiba Corp | 磁気ヘッド及びこれを用いた磁気ディスク装置 |
| US6594112B1 (en) * | 2000-01-05 | 2003-07-15 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording head with a precision throatheight-defining structure |
| KR100360483B1 (ko) * | 2000-06-22 | 2002-11-08 | 삼성전자 주식회사 | 자기헤드 |
| US7903372B2 (en) | 2005-01-11 | 2011-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic recording head and method of manufacturing the same |
| KR100682914B1 (ko) * | 2005-01-11 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 자기 기록헤드 및 그 제조 방법 |
| US7639451B2 (en) | 2007-01-30 | 2009-12-29 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk system |
| US8018679B2 (en) * | 2007-12-17 | 2011-09-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic recording write head with slanted magnetic write pole |
| US8351305B2 (en) * | 2009-06-22 | 2013-01-08 | Seagate Technology Llc | Notched pole design for HAMR recording |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06101097B2 (ja) * | 1988-02-19 | 1994-12-12 | ヤマハ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US5137750A (en) * | 1990-11-06 | 1992-08-11 | Seagate Technology, Inc. | Method of making a thin film head with contoured pole face edges for undershoot reduction |
| JP2636539B2 (ja) * | 1991-03-20 | 1997-07-30 | ヤマハ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
| US5479310A (en) * | 1991-03-20 | 1995-12-26 | Yamaha Corporation | Thin film magnetic head having a variable thickness magnetic layer |
| US5452166A (en) * | 1993-10-01 | 1995-09-19 | Applied Magnetics Corporation | Thin film magnetic recording head for minimizing undershoots and a method for manufacturing the same |
| US5452164A (en) * | 1994-02-08 | 1995-09-19 | International Business Machines Corporation | Thin film magnetic write head |
-
1994
- 1994-11-14 JP JP6304300A patent/JP2725618B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-11-13 US US08/556,574 patent/US5978187A/en not_active Expired - Fee Related
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1998
- 1998-01-28 US US09/002,389 patent/US6010753A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08147623A (ja) | 1996-06-07 |
| US6010753A (en) | 2000-01-04 |
| US5978187A (en) | 1999-11-02 |
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