JP2636539B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2636539B2 JP2636539B2 JP3081458A JP8145891A JP2636539B2 JP 2636539 B2 JP2636539 B2 JP 2636539B2 JP 3081458 A JP3081458 A JP 3081458A JP 8145891 A JP8145891 A JP 8145891A JP 2636539 B2 JP2636539 B2 JP 2636539B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は薄膜磁気ヘッドに関
し、リーディングエッジによる再生信号におけるアンダ
ーシュートを低減して再生特性の向上を図ったものであ
る。
し、リーディングエッジによる再生信号におけるアンダ
ーシュートを低減して再生特性の向上を図ったものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは磁気ディスク装置の記
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている従来の磁気ヘッドを図２に示す。
図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視図である。ここで
は導体コイルを３層とした場合について示している。
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている従来の磁気ヘッドを図２に示す。
図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
矢視図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視図である。ここで
は導体コイルを３層とした場合について示している。
【０００３】この薄膜磁気ヘッド１は、鏡面研磨された
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ２Ｏ３−Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下部磁性層１４が電気メッキ
により積層されている。下部磁性層１４の上には磁気ギ
ャップ層１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャ
ップ１７を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば
保護層１２と同様にＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等で作られて
いる。
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ２Ｏ３−Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下部磁性層１４が電気メッキ
により積層されている。下部磁性層１４の上には磁気ギ
ャップ層１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャ
ップ１７を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば
保護層１２と同様にＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等で作られて
いる。
【０００４】磁気ギャップ層１６上には第１絶縁層１８
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
【０００５】第４絶縁層３０の上には上部磁性層３２が
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２のポ
ール部と反対側の後部は、下部磁性層１４と密着してい
る。上部磁性層３２の上には、保護層３０がＳｉＯ２，
Ａｌ２Ｏ３等でスパッタ法により積層されて、全体を覆
っている。
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２のポ
ール部と反対側の後部は、下部磁性層１４と密着してい
る。上部磁性層３２の上には、保護層３０がＳｉＯ２，
Ａｌ２Ｏ３等でスパッタ法により積層されて、全体を覆
っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜磁気ヘッド
の上部および下部磁性層１４，３２のポール部（リーデ
ィングポール３６、トレーリングポール３８）の先端部
露出面形状は図２（Ｃ）に示すように、エッジ（リーデ
ィングエッジ４０、トレーリングエッジ４２）が記録媒
体との相対移動方向に対し直角な線上に形成されてい
た。そして、このようなエッジ形状では、再生時に図３
に示すように、記録媒体上の磁化反転部で再生信号にア
ンダーシュートという歪が生じ、特にリーディングエッ
ジによるアンダーシュートは大きく、読取りエラー等の
原因となっていた。
の上部および下部磁性層１４，３２のポール部（リーデ
ィングポール３６、トレーリングポール３８）の先端部
露出面形状は図２（Ｃ）に示すように、エッジ（リーデ
ィングエッジ４０、トレーリングエッジ４２）が記録媒
体との相対移動方向に対し直角な線上に形成されてい
た。そして、このようなエッジ形状では、再生時に図３
に示すように、記録媒体上の磁化反転部で再生信号にア
ンダーシュートという歪が生じ、特にリーディングエッ
ジによるアンダーシュートは大きく、読取りエラー等の
原因となっていた。
【０００７】この発明は、前記従来の技術における問題
を解決して、再生信号におけるリーディングエッジによ
るアンダーシュートを低減して再生特性の向上を図るこ
とを目的とするものである。
を解決して、再生信号におけるリーディングエッジによ
るアンダーシュートを低減して再生特性の向上を図るこ
とを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板上に下
部磁性層を成膜し、その上に磁気ギャップ層を介して導
体コイルおよびこの導体コイルを保護する非磁性絶縁層
を積層し、その上に上部磁性層を成膜し、記録媒体対向
面寄りの位置で前記上部磁性層を前記磁気ギャップ層を
介して前記下部磁性層と対向させてなる薄膜磁気ヘッド
において、前記下部磁性層が、記録媒体対向面寄りの位
置で薄肉に形成された薄板部と記録媒体対向面から奥寄
りの位置で前記薄板部の奥行き方向後端部に連続しかつ
当該薄板部よりも板厚の薄い部分を介在させることなく
板厚を増大させるコア増厚部を有し、前記薄板部の前記
基板に対向する側の面の幅方向中央部の領域には記録媒
体対向面側から見て前記磁気ギャップ層から離れるに従
い幅が狭くなる台形状に突出した１つの突起部が形成さ
れ、当該突起部の前端部は記録媒体対向面と同一面を形
成し後端部は前記コア増厚部に重ならずあるいは到達し
ない位置で終了して、前記突起部の後端部と前記コア増
厚部の前端部との間に前記薄板部自体の板厚を有する部
分を形成し、前記薄板部の厚さが、書込磁界によって前
記突起部の後端部と前記コア増厚部の前端部との間の前
記薄板部自体の板厚を有する部分が磁気飽和する厚さに
形成されてなるものである。
部磁性層を成膜し、その上に磁気ギャップ層を介して導
体コイルおよびこの導体コイルを保護する非磁性絶縁層
を積層し、その上に上部磁性層を成膜し、記録媒体対向
面寄りの位置で前記上部磁性層を前記磁気ギャップ層を
介して前記下部磁性層と対向させてなる薄膜磁気ヘッド
において、前記下部磁性層が、記録媒体対向面寄りの位
置で薄肉に形成された薄板部と記録媒体対向面から奥寄
りの位置で前記薄板部の奥行き方向後端部に連続しかつ
当該薄板部よりも板厚の薄い部分を介在させることなく
板厚を増大させるコア増厚部を有し、前記薄板部の前記
基板に対向する側の面の幅方向中央部の領域には記録媒
体対向面側から見て前記磁気ギャップ層から離れるに従
い幅が狭くなる台形状に突出した１つの突起部が形成さ
れ、当該突起部の前端部は記録媒体対向面と同一面を形
成し後端部は前記コア増厚部に重ならずあるいは到達し
ない位置で終了して、前記突起部の後端部と前記コア増
厚部の前端部との間に前記薄板部自体の板厚を有する部
分を形成し、前記薄板部の厚さが、書込磁界によって前
記突起部の後端部と前記コア増厚部の前端部との間の前
記薄板部自体の板厚を有する部分が磁気飽和する厚さに
形成されてなるものである。
【０００９】
【作用】この発明によれば、下部磁性層が、ポール部先
端露出面側から見てリーディングエッジの幅方向中央部
に、磁気ギャップから離れるに従い幅が狭くなる台形状
に突出した１つの突起部を有するので、記録媒体の磁化
反転部分に対してリーディングエッジが前後方向に幅を
持つことになるため、エッジ全体が一度に急激に通過せ
ず、分散されて通過することになり、再生信号中のリー
ディングエッジによるアンダーシュートはピークが抑え
られて平坦化され、再生特性が向上して読取りエラーの
発生が防止される。また、溝部でなく突起部であるの
で、ポール部としての必要な厚み（薄すぎると再生時の
磁気抵抗が大きくなり、再生出力が小さくなる）を確保
することができる。
端露出面側から見てリーディングエッジの幅方向中央部
に、磁気ギャップから離れるに従い幅が狭くなる台形状
に突出した１つの突起部を有するので、記録媒体の磁化
反転部分に対してリーディングエッジが前後方向に幅を
持つことになるため、エッジ全体が一度に急激に通過せ
ず、分散されて通過することになり、再生信号中のリー
ディングエッジによるアンダーシュートはピークが抑え
られて平坦化され、再生特性が向上して読取りエラーの
発生が防止される。また、溝部でなく突起部であるの
で、ポール部としての必要な厚み（薄すぎると再生時の
磁気抵抗が大きくなり、再生出力が小さくなる）を確保
することができる。
【００１０】ところで、適正な書込みを行なうために
は、書込み時に適正箇所（スロートハイトゼロ位置近
傍）の磁性層のみに磁気飽和を生じさせて、ポール部に
一定量（適正量）の磁束量しか流れないようにする必要
があるが、突起部を下部磁性層の厚みが厚くなっている
コア増厚部に重なったりあるいは到達した状態に形成し
た場合には、スロートハイトゼロ位置近傍で磁性層が厚
くなりすぎ、書込み電流を大きくしていくと、磁気飽和
箇所がスロートハイトゼロ位置近傍にとどまらずポール
先端部にかけて広く生じてしまう。このため、シャープ
な書込磁界が得られず、記録密度が低下する可能性があ
り、書込み電流の制御が難しくなる。そこで、この発明
では突起部の奥行き方向の後端部をコア増厚部に重なら
ずあるいは到達しない位置で終了させることにより、コ
ア増厚部と突起部との間に薄板部自体の板厚を有する部
分を形成して、書込磁界によってこの部分が磁気飽和す
るようにしている。これにより、書込み電流が大きくて
もポール先端部は磁気飽和しにくくなり、容易に強くて
シャープな書込み磁界が得られ、記録密度の低下を防止
し、さらには記録密度の増大を図ることができる。
は、書込み時に適正箇所（スロートハイトゼロ位置近
傍）の磁性層のみに磁気飽和を生じさせて、ポール部に
一定量（適正量）の磁束量しか流れないようにする必要
があるが、突起部を下部磁性層の厚みが厚くなっている
コア増厚部に重なったりあるいは到達した状態に形成し
た場合には、スロートハイトゼロ位置近傍で磁性層が厚
くなりすぎ、書込み電流を大きくしていくと、磁気飽和
箇所がスロートハイトゼロ位置近傍にとどまらずポール
先端部にかけて広く生じてしまう。このため、シャープ
な書込磁界が得られず、記録密度が低下する可能性があ
り、書込み電流の制御が難しくなる。そこで、この発明
では突起部の奥行き方向の後端部をコア増厚部に重なら
ずあるいは到達しない位置で終了させることにより、コ
ア増厚部と突起部との間に薄板部自体の板厚を有する部
分を形成して、書込磁界によってこの部分が磁気飽和す
るようにしている。これにより、書込み電流が大きくて
もポール先端部は磁気飽和しにくくなり、容易に強くて
シャープな書込み磁界が得られ、記録密度の低下を防止
し、さらには記録密度の増大を図ることができる。
【００１１】また、突起部の奥行き方向の後端部をコア
増厚部に重ならずあるいは到達しない位置で終了させ
て、コア増厚部と突起部との間に薄板部自体の板厚で構
成される薄肉の部分を形成したので、薄板部に薄板部自
体の板厚よりも薄い減厚部を別途形成しなくても、前記
コア増厚部と突起部との間の薄板部自体の板厚で構成さ
れる部分を書込磁界によって磁気飽和させることがで
き、別途減厚部を形成しなくてすむ分製造が容易にな
る。
増厚部に重ならずあるいは到達しない位置で終了させ
て、コア増厚部と突起部との間に薄板部自体の板厚で構
成される薄肉の部分を形成したので、薄板部に薄板部自
体の板厚よりも薄い減厚部を別途形成しなくても、前記
コア増厚部と突起部との間の薄板部自体の板厚で構成さ
れる部分を書込磁界によって磁気飽和させることがで
き、別途減厚部を形成しなくてすむ分製造が容易にな
る。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。 （実施例１） この発明の一実施例を図１（ａ）に示す。前記図２の従
来装置と共通する部分には同一の符号を用いる。
来装置と共通する部分には同一の符号を用いる。
【００１３】この薄膜磁気ヘッド１は、鏡面研磨された
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ２Ｏ３−Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下部磁性層１４が電気メッキ
により積層されている。下部磁性層１４の上には磁気ギ
ャップ層１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャ
ップ１７を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば
保護層１２と同様にＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等で作られて
いる。
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ２Ｏ３−Ｔ
ｉ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはスパッ
タ法によりＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等の保護層１２が１０
数μｍ付着され、その上に下部磁性層１４が電気メッキ
により積層されている。下部磁性層１４の上には磁気ギ
ャップ層１６がスパッタ法により積層されて、磁気ギャ
ップ１７を形成している。磁気ギャップ層１６は例えば
保護層１２と同様にＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等で作られて
いる。
【００１４】磁気ギャップ層１６上には第１絶縁層１８
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
が積層されている。絶縁層には通常、ポジ型のホトレジ
ストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化されてい
る。第１絶縁層１８の上には、第１コイル層２０がＣｕ
等で電気メッキにより数μｍの厚さに形成されている。
第１コイル層２０の上には、さらに同様の方法で第２絶
縁層２２、第２コイル層２４、第３絶縁層２６、第３コ
イル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
【００１５】第４絶縁層３０の上には上部磁性層３２が
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２の上
には、保護層３４がＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等でスパッタ
法により積層されて、全体を覆っている。
電気メッキにより形成されている。上部磁性層３２の上
には、保護層３４がＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等でスパッタ
法により積層されて、全体を覆っている。
【００１６】図１（ａ）のＡ部の構造を図１（ｂ）に拡
大して示す。また、その斜視図を図４に示す。また、先
端部露出面形状を図１（ｂ）のＢ−Ｂ矢視図として図１
（ｃ）に示す。下部磁性層１４は記録媒体対向面４１寄
りの位置で薄肉に形成された薄板部３９（図４）と、記
録媒体対向面４１から奥寄りの位置で薄板部３９の奥行
き方向後端部に連続しかつ薄板部３９よりも板厚の薄い
部分を介在させること なく板厚を増大させるコア増厚部
３７を有している。下部磁性層１４のポール（リーディ
ングポール）３６の先端露出面中央部には、磁気ギャッ
プ１７と反対側のエッジに突起部３６ａが形成されてい
る。この突起部３６ａにより、リーディングエッジ４０
の形状は、図１（ｃ）のように記録媒体との相対移動方
向に対して直角な線Ｌから外れた形状（中央に台形を有
する形状）となる。このようなリーディングエッジ形状
によれば、図１（ｃ）のように、記録媒体との相対移動
方向に対し、リーディングエッジ４０は前方に位置する
部分４０ａと後方に位置する部分４０ｂ，４０ｃに分割
された形となるので、再生時に記録媒体上の磁化反転部
（磁化反転部は、磁気ギャップ１７が直線状なので直線
状に形成される。）に対して、リーディングエッジ４０
全体が前記図２のように記録媒体との相対移動方向に対
して直角な線上にある場合のように一度には通過せず
に、分散されて通過するので、リーディングエッジ４０
により生じるアンダーシュートは図５に実線で示すよう
に、図２の従来装置の場合（図５に点線で示す）に比べ
てピークが半分以下に抑えられて平坦化される。したが
って、アンダーシュートによるピークがスレッショール
ドレベルを超えることにより生じる読取りエラーをなく
すことができる。また、突起部３６ａとして形成したの
で、ポール部としての必要な厚みを確保することがで
き、再生時の磁気抵抗を低下させて、再生出力を増大さ
せることができる。なお、突起部３６ａの高さｄ（図１
（ｃ））は０．２〜３μｍ程度が好ましい。すなわち
０．２μｍ未満ではアンダーシュート低減の効果はあま
り得られず、３．０μｍ超では磁気ギャップにおける磁
気勾配がなだらかになり、書込磁界がシャープでなくな
る。また、突起部３６ａ以外のリーディングポール３６
の厚さｅは例えば１〜４μｍである。
大して示す。また、その斜視図を図４に示す。また、先
端部露出面形状を図１（ｂ）のＢ−Ｂ矢視図として図１
（ｃ）に示す。下部磁性層１４は記録媒体対向面４１寄
りの位置で薄肉に形成された薄板部３９（図４）と、記
録媒体対向面４１から奥寄りの位置で薄板部３９の奥行
き方向後端部に連続しかつ薄板部３９よりも板厚の薄い
部分を介在させること なく板厚を増大させるコア増厚部
３７を有している。下部磁性層１４のポール（リーディ
ングポール）３６の先端露出面中央部には、磁気ギャッ
プ１７と反対側のエッジに突起部３６ａが形成されてい
る。この突起部３６ａにより、リーディングエッジ４０
の形状は、図１（ｃ）のように記録媒体との相対移動方
向に対して直角な線Ｌから外れた形状（中央に台形を有
する形状）となる。このようなリーディングエッジ形状
によれば、図１（ｃ）のように、記録媒体との相対移動
方向に対し、リーディングエッジ４０は前方に位置する
部分４０ａと後方に位置する部分４０ｂ，４０ｃに分割
された形となるので、再生時に記録媒体上の磁化反転部
（磁化反転部は、磁気ギャップ１７が直線状なので直線
状に形成される。）に対して、リーディングエッジ４０
全体が前記図２のように記録媒体との相対移動方向に対
して直角な線上にある場合のように一度には通過せず
に、分散されて通過するので、リーディングエッジ４０
により生じるアンダーシュートは図５に実線で示すよう
に、図２の従来装置の場合（図５に点線で示す）に比べ
てピークが半分以下に抑えられて平坦化される。したが
って、アンダーシュートによるピークがスレッショール
ドレベルを超えることにより生じる読取りエラーをなく
すことができる。また、突起部３６ａとして形成したの
で、ポール部としての必要な厚みを確保することがで
き、再生時の磁気抵抗を低下させて、再生出力を増大さ
せることができる。なお、突起部３６ａの高さｄ（図１
（ｃ））は０．２〜３μｍ程度が好ましい。すなわち
０．２μｍ未満ではアンダーシュート低減の効果はあま
り得られず、３．０μｍ超では磁気ギャップにおける磁
気勾配がなだらかになり、書込磁界がシャープでなくな
る。また、突起部３６ａ以外のリーディングポール３６
の厚さｅは例えば１〜４μｍである。
【００１７】突起部３６ａの前端部は記録媒体対向面４
１と同一面を形成し、後端部３６ｅはコア増厚部３７に
重ならない位置（図１の例ではスロートハイトゼロ位置
６２の近傍）で終了している。これにより、突起部後端
部３６ｅとコア増厚部３７の前端部との間には薄板部３
９自体の板厚を有する肉薄部６４が形成され、書込時に
書込磁界によって肉薄部６４付近だけを磁気飽和させ
て、リーディングポール３６の先端部が磁気飽和するの
を防止することができる。
１と同一面を形成し、後端部３６ｅはコア増厚部３７に
重ならない位置（図１の例ではスロートハイトゼロ位置
６２の近傍）で終了している。これにより、突起部後端
部３６ｅとコア増厚部３７の前端部との間には薄板部３
９自体の板厚を有する肉薄部６４が形成され、書込時に
書込磁界によって肉薄部６４付近だけを磁気飽和させ
て、リーディングポール３６の先端部が磁気飽和するの
を防止することができる。
【００１８】突起部３６ａの奥行き方向の長さによる書
込時の磁気飽和の違いについて説明する。図６のように
突起部３６ａを長く伸ばして下部磁性層１４の厚みが厚
くなっているコア増厚部３７に重ねる（つなげる）こと
もできる。ただし、このようにすると、書込み時にポー
ル部３６，３８の磁気飽和に影響することがある。すな
わち、再生時のアンダーシュート防止の効果は突起部３
６ａの長さにかかわらず得られ、例えば図６のように突
起部３６ａの後端部をコア増厚部３７に重ねることもで
きるが、このようにすると、突起部３６ａの高さが比較
的高く、その断面積が大きい場合には、書込み時に書込
電流の大小によりポールの磁気飽和状態が図７のように
変化することがある。図７の説明を表１に示す。
込時の磁気飽和の違いについて説明する。図６のように
突起部３６ａを長く伸ばして下部磁性層１４の厚みが厚
くなっているコア増厚部３７に重ねる（つなげる）こと
もできる。ただし、このようにすると、書込み時にポー
ル部３６，３８の磁気飽和に影響することがある。すな
わち、再生時のアンダーシュート防止の効果は突起部３
６ａの長さにかかわらず得られ、例えば図６のように突
起部３６ａの後端部をコア増厚部３７に重ねることもで
きるが、このようにすると、突起部３６ａの高さが比較
的高く、その断面積が大きい場合には、書込み時に書込
電流の大小によりポールの磁気飽和状態が図７のように
変化することがある。図７の説明を表１に示す。
【００１９】 すなわち、突起部３６ａがコア増厚部３７に重なると、
スロートハイトゼロ位置６２の近傍で下部磁性層１４が
厚くなりすぎ、書込電流を大きくしていくと、磁気飽和
が適正箇所（スロートハイトゼロ位置６２の近傍）にと
どまらず、ポール部３６，３８にかけて広く生じてしま
う。このため、シャープな磁界が得られなくなり、記録
密度が低下する。したがって、書込み電流をうまく調整
しないと、図７（ａ），（ｃ）のような現象が生じる。
そして、図７（ｂ）のようにちょうどよい磁界を安定し
て得るための製造プロセス、スロートハイトの調整は困
難をきわめ、歩留りが悪くなる可能性がある。
スロートハイトゼロ位置６２の近傍で下部磁性層１４が
厚くなりすぎ、書込電流を大きくしていくと、磁気飽和
が適正箇所（スロートハイトゼロ位置６２の近傍）にと
どまらず、ポール部３６，３８にかけて広く生じてしま
う。このため、シャープな磁界が得られなくなり、記録
密度が低下する。したがって、書込み電流をうまく調整
しないと、図７（ａ），（ｃ）のような現象が生じる。
そして、図７（ｂ）のようにちょうどよい磁界を安定し
て得るための製造プロセス、スロートハイトの調整は困
難をきわめ、歩留りが悪くなる可能性がある。
【００２０】これに対し、前記図１（ｂ）の実施例のよ
うに、突起部３６ａの後端部３６ｅをコア増厚部３７に
重ならない位置に形成すれはコア増厚部３７の厚みｎｃ
や、突起部３６ａを含むリーディングポール３６全体の
厚みｎａよりも小さな厚みｎｂ（すなわち、薄板部３９
自体の厚み。図４参照）を有する肉薄部６４が形成され
るので、書込み時に適正位置（スローハイトゼロ位置６
２）の近傍のみで磁気飽和が生じやすくなる。図１の薄
膜磁気ヘッド１における書込電流の大小によるポールの
磁気飽和状態を図８に示す。また、その説明を表２に示
す。
うに、突起部３６ａの後端部３６ｅをコア増厚部３７に
重ならない位置に形成すれはコア増厚部３７の厚みｎｃ
や、突起部３６ａを含むリーディングポール３６全体の
厚みｎａよりも小さな厚みｎｂ（すなわち、薄板部３９
自体の厚み。図４参照）を有する肉薄部６４が形成され
るので、書込み時に適正位置（スローハイトゼロ位置６
２）の近傍のみで磁気飽和が生じやすくなる。図１の薄
膜磁気ヘッド１における書込電流の大小によるポールの
磁気飽和状態を図８に示す。また、その説明を表２に示
す。
【００２１】 すなわち、図１の薄膜磁気ヘッド１によれば、書込電流
を大きくすると、下部磁性層１４の肉薄部１４ａがある
スローハイトゼロ位置６２の付近が磁気飽和するだけ
で、ここでポール部３６へ流れ込む総磁束数が制約され
てしまうため、ポール部３６の磁気飽和は生じず、強く
てシャープな書込磁界が得られる。したがって、強くて
シャープな書込磁界が安定して得られる書込電流の範囲
が広いため製造プロセス、スレートハイト調整にさほど
厳密さが要求されず、歩留りを向上させることができ
る。
を大きくすると、下部磁性層１４の肉薄部１４ａがある
スローハイトゼロ位置６２の付近が磁気飽和するだけ
で、ここでポール部３６へ流れ込む総磁束数が制約され
てしまうため、ポール部３６の磁気飽和は生じず、強く
てシャープな書込磁界が得られる。したがって、強くて
シャープな書込磁界が安定して得られる書込電流の範囲
が広いため製造プロセス、スレートハイト調整にさほど
厳密さが要求されず、歩留りを向上させることができ
る。
【００２２】なお、図９は図１の薄膜磁気ヘッドと図２
の従来の薄膜磁気ヘッドについて、書込電流１２．５ｍ
Ａで書込周波数を様々に変えて書込んだ場合の再生出力
電圧特性を示したものである。これによれば、図１の薄
膜磁気ヘッドのほうが突起部３６ａを有する分肉厚なの
で、磁気抵抗が小さく、再生出力が高い。しかも従来の
薄膜磁気ヘッドは周波数が高くなると波長が短くなり、
アンダーシュートと隣のメインピークが重なり、見かけ
上再生信号が増減するので周波数によって再生特性にう
ねりが生じる。これに対して図１の薄膜磁気ヘッドで
は、アンダーシュートが低減されるので再生特性のうね
りが少ない。
の従来の薄膜磁気ヘッドについて、書込電流１２．５ｍ
Ａで書込周波数を様々に変えて書込んだ場合の再生出力
電圧特性を示したものである。これによれば、図１の薄
膜磁気ヘッドのほうが突起部３６ａを有する分肉厚なの
で、磁気抵抗が小さく、再生出力が高い。しかも従来の
薄膜磁気ヘッドは周波数が高くなると波長が短くなり、
アンダーシュートと隣のメインピークが重なり、見かけ
上再生信号が増減するので周波数によって再生特性にう
ねりが生じる。これに対して図１の薄膜磁気ヘッドで
は、アンダーシュートが低減されるので再生特性のうね
りが少ない。
【００２３】なお、図１（ｂ）において突起部後端部３
６ｅの位置はスロートハイトゼロ位置６２を原点とし
て、＋側は先端露出面にきわめて近い位置（スローハイ
トゼロは通常０．５〜５μｍ程度）から−側はコア増厚
部３７に接触せずかつ−２０μｍまでの範囲内に設定す
るのが好ましい。
６ｅの位置はスロートハイトゼロ位置６２を原点とし
て、＋側は先端露出面にきわめて近い位置（スローハイ
トゼロは通常０．５〜５μｍ程度）から−側はコア増厚
部３７に接触せずかつ−２０μｍまでの範囲内に設定す
るのが好ましい。
【００２４】図１の薄膜磁気ヘッドの製造工程の一例を
図１０により説明する。 研磨された基板１０の表面にリーディングポール３
６の突起部３６ａを形成するための窪み５２を形成す
る。これは、例えば図１１のようにして行なわれる。す
なわち、（ａ）基板１０にホトレジスト５４を塗布し、
（ｂ）ホトリソグラフィにより窪み５２のパターン５５
を形成し、（ｃ）リフローし、（ｄ）イオンエッチング
でパターン５５内に露出している基板１０を削り、これ
により、（ｅ）窪み５２を形成する。なお、窪み５５も
同様にして形成する。 保護層１２を形成した上にパーマロイ等を電気めっ
きして、下部磁性層１４を形成する。 非磁性体５６でカバーリングする。 研磨して下部磁性層１４を所定の厚さに形成する。 磁気ギャップ層１６を形成し、その上に各段コイル
層および絶縁層を形成し、さらに上部磁性層３２を形成
し、最後に保護層３４を形成する。そして、所定の位置
６０まで切削、研磨して完成する。これにより、リーデ
ィングポール４０の先端部に突起部３６ａが形成された
薄膜磁気ヘッドが作られる。
図１０により説明する。 研磨された基板１０の表面にリーディングポール３
６の突起部３６ａを形成するための窪み５２を形成す
る。これは、例えば図１１のようにして行なわれる。す
なわち、（ａ）基板１０にホトレジスト５４を塗布し、
（ｂ）ホトリソグラフィにより窪み５２のパターン５５
を形成し、（ｃ）リフローし、（ｄ）イオンエッチング
でパターン５５内に露出している基板１０を削り、これ
により、（ｅ）窪み５２を形成する。なお、窪み５５も
同様にして形成する。 保護層１２を形成した上にパーマロイ等を電気めっ
きして、下部磁性層１４を形成する。 非磁性体５６でカバーリングする。 研磨して下部磁性層１４を所定の厚さに形成する。 磁気ギャップ層１６を形成し、その上に各段コイル
層および絶縁層を形成し、さらに上部磁性層３２を形成
し、最後に保護層３４を形成する。そして、所定の位置
６０まで切削、研磨して完成する。これにより、リーデ
ィングポール４０の先端部に突起部３６ａが形成された
薄膜磁気ヘッドが作られる。
【００２５】なお、図１の実施例では下部磁性層１４が
下方に突出したコア増厚部３７を有していたが、図１２
のように上方に突出したコア増厚部３７を有するものに
も適用できる。その場合、突起部後端部３６ａをコア増
厚部３７に到達しない位置に形成して、肉薄部６４を形
成する。
下方に突出したコア増厚部３７を有していたが、図１２
のように上方に突出したコア増厚部３７を有するものに
も適用できる。その場合、突起部後端部３６ａをコア増
厚部３７に到達しない位置に形成して、肉薄部６４を形
成する。
【００２６】さらに、図１３のようにトレーリングエッ
ジ４２およびリーディングエッジ４０の両方に突起部３
６ａを形成することもできる。
ジ４２およびリーディングエッジ４０の両方に突起部３
６ａを形成することもできる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、下部磁性層が、ポール部先端露出面側から見てリー
ディングエッジの幅方向中央部に、磁気ギャップから離
れるに従い幅が狭くなる台形状に突出した１つの突起部
を有するので、記録媒体の磁化反転部分に対してリーデ
ィングエッジが前後方向に幅を持つことになるため、エ
ッジ全体が一度に急激に通過せず、分散されて通過する
ことになり、再生信号中のリーディングエッジによるア
ンダーシュートはピークが抑えられて平坦化され、再生
特性が向上して読取りエラーの発生が防止される。ま
た、溝部でなく突起部であるので、ポール部としての必
要な厚み（薄すぎると再生時の磁気抵抗が大きくなり、
再生出力が小さくなる）を確保することができる。
ば、下部磁性層が、ポール部先端露出面側から見てリー
ディングエッジの幅方向中央部に、磁気ギャップから離
れるに従い幅が狭くなる台形状に突出した１つの突起部
を有するので、記録媒体の磁化反転部分に対してリーデ
ィングエッジが前後方向に幅を持つことになるため、エ
ッジ全体が一度に急激に通過せず、分散されて通過する
ことになり、再生信号中のリーディングエッジによるア
ンダーシュートはピークが抑えられて平坦化され、再生
特性が向上して読取りエラーの発生が防止される。ま
た、溝部でなく突起部であるので、ポール部としての必
要な厚み（薄すぎると再生時の磁気抵抗が大きくなり、
再生出力が小さくなる）を確保することができる。
【００２８】また、この発明によれば、突起部の奥行き
方向の後端部をコア増厚部に重ならずあるいは到達しな
い位置で終了させることにより、コア増厚部と突起部と
の間に薄板部自体の板厚を有する部分を形成して、書込
磁界によってこの部分が磁気飽和するようにしたので、
書込み電流が大きくてもポール先端部は磁気飽和しにく
くなり、容易に強くてシャープな書込み磁界が得られ、
記録密度の低下を防止し、さらには記録密度の増大を図
ることができる。
方向の後端部をコア増厚部に重ならずあるいは到達しな
い位置で終了させることにより、コア増厚部と突起部と
の間に薄板部自体の板厚を有する部分を形成して、書込
磁界によってこの部分が磁気飽和するようにしたので、
書込み電流が大きくてもポール先端部は磁気飽和しにく
くなり、容易に強くてシャープな書込み磁界が得られ、
記録密度の低下を防止し、さらには記録密度の増大を図
ることができる。
【００２９】また、突起部の奥行き方向の後端部をコア
増厚部に重ならずあるいは到達しない位置で終了させ
て、コア増厚部と突起部との間に薄板部自体の板厚で構
成される薄肉の部分を形成したので、薄板部に薄板部自
体の板厚よりも薄い減厚部を別途形成しなくても、前記
コア増厚部と突起部との間の薄板部自体の板厚で構成さ
れる部分を書込磁界によって磁気飽和させることがで
き、別途減厚部を形成しなくてすむ分製造が容易にな
る。
増厚部に重ならずあるいは到達しない位置で終了させ
て、コア増厚部と突起部との間に薄板部自体の板厚で構
成される薄肉の部分を形成したので、薄板部に薄板部自
体の板厚よりも薄い減厚部を別途形成しなくても、前記
コア増厚部と突起部との間の薄板部自体の板厚で構成さ
れる部分を書込磁界によって磁気飽和させることがで
き、別途減厚部を形成しなくてすむ分製造が容易にな
る。
【図１】 この発明の一実施例を示す図である。
【図２】 従来の薄膜磁気ヘッドを示す図である。
【図３】 従来の薄膜磁気ヘッドにおけるアンダーシュ
ートの発生状況を示す図である。
ートの発生状況を示す図である。
【図４】 図１の薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図５】 図１の薄膜磁気ヘッドと図２の薄膜磁気ヘッ
ドの磁化反転部での再生出力電圧波形を示す図である。
ドの磁化反転部での再生出力電圧波形を示す図である。
【図６】 突起部３６ａの後端部がコア増厚部に重なっ
ている構造を示す図である。
ている構造を示す図である。
【図７】 突起部３６ａの後端部がコア増厚部３７に重
なっている場合の書込電流値と磁気飽和の関係を示す図
である。
なっている場合の書込電流値と磁気飽和の関係を示す図
である。
【図８】 図１の薄膜磁気ヘッドにおける書込電流値と
磁気飽和の関係を示す図である。
磁気飽和の関係を示す図である。
【図９】 図１の薄膜磁気ヘッドと図２の薄膜磁気ヘッ
ドの書込周波数に対する再生出力電圧の特性を示す図で
ある。
ドの書込周波数に対する再生出力電圧の特性を示す図で
ある。
【図１０】 図１の薄膜磁気ヘッドの製造工程の一例を
示す図である。
示す図である。
【図１１】 図１０の窪み５２を形成する工程の一例
を示す図である。
を示す図である。
【図１２】 この発明の他の実施例を示す図である。
【図１３】 この発明の他の実施例を示す図である。
１ 薄膜磁気ヘッド １０ 基板 １４ 下部磁性層 １６ 磁気ギャップ層 １７ 磁気ギャップ １８，２２，２６，３０ 非磁性絶縁層 ２０，２４，２８ コイル層（導体コイル） ３２ 上部磁性層 ３６ リーディングポール ３６ａ 突起部 ３６ｅ 突起部後端部（突起部の奥行き方向の後端部） ３７ コア増厚部 ３８ トレーリングポール３９ 薄板部 ４０ リーディングエッジ４１ 記録媒体対向面 ６０ スロートハイトゼロ位置 ６４ 薄肉部（突起部の後端部とコア増厚部の前端部と
の間の薄板部自体の板厚を有する部分）
の間の薄板部自体の板厚を有する部分）
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に下部磁性層を成膜し、その上に磁
気ギャップ層を介して導体コイルおよびこの導体コイル
を保護する非磁性絶縁層を積層し、その上に上部磁性層
を成膜し、記録媒体対向面寄りの位置で前記上部磁性層
を前記磁気ギャップ層を介して前記下部磁性層と対向さ
せてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記下部磁性層が、記録媒体対向面寄りの位置で薄肉に
形成された薄板部と記録媒体対向面から奥寄りの位置で
前記薄板部の奥行き方向後端部に連続しかつ当該薄板部
よりも板厚の薄い部分を介在させることなく板厚を増大
させるコア増厚部を有し、前記薄板部の前記基板に対向
する側の面の幅方向中央部の領域には記録媒体対向面側
から見て前記磁気ギャップ層から離れるに従い幅が狭く
なる台形状に突出した１つの突起部が形成され、当該突
起部の前端部は記録媒体対向面と同一面を形成し後端部
は前記コア増厚部に重ならずあるいは到達しない位置で
終了して、前記突起部の後端部と前記コア増厚部の前端
部との間に前記薄板部自体の板厚を有する部分を形成
し、 前記薄板部の厚さが、書込磁界によって前記突起部の後
端部と前記コア増厚部の前端部との間の前記薄板部自体
の板厚を有する部分が磁気飽和する厚さに形成されてな
る 薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081458A JP2636539B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 薄膜磁気ヘッド |
| US08/375,127 US5479310A (en) | 1991-03-20 | 1995-01-17 | Thin film magnetic head having a variable thickness magnetic layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081458A JP2636539B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 薄膜磁気ヘッド |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3223434A Division JP2586763B2 (ja) | 1991-08-08 | 1991-08-08 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04356704A JPH04356704A (ja) | 1992-12-10 |
| JP2636539B2 true JP2636539B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=13746961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3081458A Expired - Lifetime JP2636539B2 (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2636539B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2725618B2 (ja) * | 1994-11-14 | 1998-03-11 | ヤマハ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US5831801A (en) * | 1997-01-21 | 1998-11-03 | Yamaha Corporation | Thin film magnetic head with special pole configuration |
| JP4687574B2 (ja) * | 2006-06-15 | 2011-05-25 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッド |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5329090B2 (ja) * | 1973-01-31 | 1978-08-18 | ||
| JPS6045916A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS60243812A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-12-03 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 薄膜磁気ヘツド |
| DE3545361A1 (de) * | 1985-12-20 | 1987-06-25 | Siemens Ag | Magnetische speichereinrichtung fuer eine senkrechte magnetisierung |
| US4819111A (en) * | 1986-08-29 | 1989-04-04 | Magnetic Peripheral Inc. | Thin film head with reduced cross section in the core for causing magnetic saturation in the leading leg's throat area |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3081458A patent/JP2636539B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04356704A (ja) | 1992-12-10 |
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