JP2000195014A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スロートハイトの精度を向上し得る薄膜磁気
ヘッドの製造方法を提供すること。 【解決手段】 下コア１７及び書込みギャップ膜１８の
積層体の上に第１のインシュレータ１９を所定形状に形
成し、上面にメッキ下地膜２０を成膜する。次いで、コ
イルパターンと、第１のインシュレータ１９の端縁であ
って後にスロートハイトＴＨを決定することになる部分
Ｐを含む領域ＡＲとを除いた部分にレジスト２１を形成
する。次に、銅をメッキしてコイル２２と被覆体３０と
を形成し、プラズマエッチング処理を施してメッキ下地
膜２０を除去する。このとき、領域ＡＲには被覆体３０
が形成されているので、第１のインシュレータ１９の端
縁Ｐが後退しない。これにより、後の研磨加工にて所期
のスロートハイトを有する薄膜磁気ヘッドの製造が可能
となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、スロートハイトを
精度良く設定することができる薄膜磁気ヘッドの製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜磁気ヘッドが有する上コアと下コア
は、先端部において書込みギャップを挟んで対向すると
ともに後方領域において結合され、開ループの磁路を形
成している。コイルは、この磁路と鎖交するように、上
コアと下コア間にインシュレータ（絶縁層）を介して配
設されている。

【０００３】この薄膜磁気ヘッドの製造手順について、
薄膜磁気ヘッドの縦断面図を示した図１１〜図１５を参
酌しつつ説明すると、先ず、図１１（Ａ）に示したよう
に、アルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）等のスライダ基板
１１上にアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の非磁性絶縁膜の保護
層１２、パーマロイ等の軟磁性膜である下シールド１３
を積層する。次に、アルミナ等の絶縁膜からなる再生下
ギャップ１４と、同再生下ギャップ１４の上にバイアス
磁石膜と電気導電膜とからなる一対のリード（図示省
略）を形成し、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子、ＧＭＲ素
子）１５を前記一対のリード間に形成する。次いで、磁
気抵抗効果素子１５、及び再生下ギャップ１４の上にア
ルミナの絶縁膜からなる再生上ギャップ１６を成膜し、
この再生上ギャップ１６の上に上シールド層を兼ねる下
コア（下部磁性膜）１７を形成する。

【０００４】続いて、図１１（Ｂ）に示したように、下
コア１７の上にアルミナ或は酸化珪素（ＳｉＯ₂）等か
らなる書込みギャップ膜１８を形成し、図１１（Ｃ）に
示したように、書込みギャップ膜１８の一部を除去す
る。次に、図１１（Ｄ）に示したように、第１のインシ
ュレータ１９をレジスト塗布、パターンカット、加熱フ
ロー等の工程を介して形成する。この第１のインシュレ
ータ１９の位置により、書込みギャップ位置が決定され
る。換言すれば、予定される書込みギャップの端縁が、
第１のインシュレータ１９の端縁（第１のインシュレー
タ１９が書込みギャップ膜１８から立上がり始める位
置）Ｐと一致するように、同第１のインシュレータ１９
を形成する。なお、書込みギャップ膜１８が除去されて
いる部分には第１のインシュレータ１９を形成させない
ようにしておく。

【０００５】次に、図１２（Ａ）に示したように、全面
にコイル形成のためのメッキ下地膜２０を蒸着或はスパ
ッタ等により堆積する。メッキ下地膜２０としては、通
常は銅（Ｃｕ）を用いる。その後、図１２（Ｂ）に示し
たように、コイルパターンが除去されたレジスト２１を
形成し、図１２（Ｃ）に示したように、銅をメッキし、
次いでレジスト２１を除去することにより、図１２
（Ｄ）に示したようなコイル２２を形成する。

【０００６】次に、図１３（Ａ）に示したように、プラ
ズマエッチング処理を全面に施してメッキ下地膜２０を
除去する。次いで、全面にレジストを塗布した後に同レ
ジストをパターンカットし、更に加熱溶融（レジストフ
ロー）を施すことにより、図１３（Ｂ）に示したよう
に、コイル２２の周囲を覆う第２のインシュレータ２３
を形成する。

【０００７】その後は、図１２（Ａ）〜図１３（Ｂ）を
用いて説明した工程を繰返す。即ち、図１３（Ｃ）に示
したように全面に下地膜２４を堆積し、図１３（Ｄ）に
示したようにレジスト２５を形成し、その後、図１４
（Ａ）に示したようにコイルパターンを部分メッキす
る。次いで、図１４（Ｂ）に示したようにレジスト２５
を除去して２層目のコイル２６を形成し、図１４（Ｃ）
に示したようにプラズマエッチング処理によって下地膜
２４を除去し、図１４（Ｄ）に示したようにコイル２６
の周囲を覆う第３のインシュレータ２７を形成する。な
お、これらの工程は、コイルが１層の場合には省略され
る。

【０００８】次に、図１５（Ａ）に示したように、全面
に対して上コア下地膜２８を成膜した後、レジストの塗
布、パターンカット等により上コア用のフレーム（図示
省略）を形成する。その後、このフレームを用いて電気
メッキにより上コア２９を形成し、更に、不要となった
レジスト、下地膜等を除去して図１５（Ｂ）に示した構
造の薄膜磁気ヘッドを得る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記薄膜磁気ヘッド
は、実際には一つのウエハにマトリクス状に多数形成さ
れる。ウエハは、その後、複数の薄膜磁気ヘッドを一列
に並べたスライダローに切断され、スライダローの状態
にて切断面が研磨加工される。研磨の目的は、磁気ヘッ
ドのオーバーライト特性に大きな影響を及すスロートハ
イトＴＨを、所望の値に調整することにある。かかる研
磨は、±０．１μｍの精度が要求されるため、例えば、
スロートハイトに応じて変化する磁気抵抗効果素子１５
の抵抗値（素子１５のトラック幅方向に直交する奥行方
向の長さＬを示す。）を計測しながら行われる。

【００１０】しかしながら、上記従来の製造手順による
と、メッキ下地膜２０，２４の除去をプラズマエッチン
グにより行うため、磁気ヘッド先端部を拡大して示した
図１６（Ａ），（Ｂ）から理解されるように、スロート
ハイトＴＨを決定する第１のインシュレータ１９の端縁
Ｐも同時に削られ、同端縁が点Ｐから点Ｑ１，Ｑ２へと
不確定な距離だけ後退してしまう。このため、磁気抵抗
効果素子１５の抵抗値が同一であってもスロートハイト
ＴＨが異り、結果として所期のスロートハイトを得るこ
とができないという問題があった。

【００１１】一方、こうした点Ｐの変化を招かないメッ
キ下地膜２０，２４の除去方法として、湿式で溶解除去
する方法がある。しかしながら、この場合は図１７
（Ａ），（Ｂ）に示したように、コイル２２，２６が溶
解してコイル断面が小さくなってしまう（図中の破線が
コイル２２，２６の本来の形状である。）という問題が
生じる。また、コイル２２，２６の根元２２ａ，２６ａ
部分にサイドエッチが入り、場合によってはコイル２
２，２６がインシュレータ１９，２３から遊離した状態
となり、磁気ヘッドの信頼性が低下するという問題も生
じ得る。

【００１２】

【発明の概要（解決手段・作用・効果）】本発明は、上
記課題を解決するためになされたものであり、その特徴
は、下部磁性膜からなる下コアと、下コアに積層された
書込みギャップ膜の上面に形成されたインシュレータ
と、インシュレータの上面に形成された所定パターンを
有するコイルと、一端が書込みギャップ膜を挟んで下コ
アと対向し他端が下コアと接合されてなり、コイルが鎖
交する磁路を下コアとともに構成する上コアとを備えた
薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記インシュレー
タ及び前記コイルを形成する工程が、書込みギャップ膜
の上面に所定形状のインシュレータを形成する工程と、
書込みギャップ膜及びインシュレータの上面にメッキ下
地膜を成膜する工程と、メッキ下地膜の上面であってコ
イルが形成されるべき領域、及び薄膜磁気ヘッドのスロ
ートハイトを決定するインシュレータの端縁の上方部分
を除いた領域にレジストを形成する工程と、レジストが
形成された状態にてコイル材をメッキしてコイルと被覆
体とを形成する工程と、レジストを除去した後に全面に
プラズマエッチング処理を施して、コイル及び被覆体に
より覆われていない部分の下地膜を除去する工程と、被
覆体を除く部分であってコイルが形成されている領域に
レジストを形成してコイルを保護し、この状態にて被覆
体を選択的に溶解除去する工程とを含んだことにある。

【００１３】かかる特徴によれば、スロートハイトを決
定する部位となるインシュレータの端縁部分が被覆体に
て被覆され、この状態にてプラズマエッチングを施して
下地膜を除去するので、前記スロートハイトを決定する
部位が移動することがない。また、被覆体は、コイルが
レジストにて保護された状態にて選択的に溶解除去され
るので、この工程においても前記スロートハイトを決定
する部位が移動することがない。従って、その後のスロ
ートハイト調整を正確に行うことができ、精度良く所期
のスロートハイトを得ることが可能となる。なお、上記
特徴は、被覆体をコイルと同時にメッキにより形成する
ため、工程を簡素化することも可能となる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明に係る製造方法の一実施形
態について以下に図面を参酌して説明する。なお、図１
〜図６は同実施形態の各工程における個々の薄膜磁気ヘ
ッド（以下、簡単に「磁気ヘッド」という場合があ
る。）の縦断面図を示している。実際には、かかる磁気
ヘッドが単一のウエハ上にマトリクス状（多数かつ整列
した状態）に同時に形成される。図７，８は、この工程
により製造される磁気ヘッドの要部を模式的に示した図
であり、図７は縦断面図、図８は上面図（但し、コイル
は一層のみ示し、その上部のインシュレータは省略した
もの）である。

【００１５】先ず、図１（Ａ）に示したように、アルチ
ック（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）等のスライダ基板（ウエハ）
１１にアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の非磁性絶縁膜の保護層
１２、及びパーマロイ等の軟磁性膜である下シールド１
３を積層する。次に、アルミナ等の絶縁膜からなる再生
下ギャップ１４と、再生下ギャップ１４の上にバイアス
磁石膜及び電気導電膜からなる一対のリード（図示省
略）を形成し、後にウエハ１１が切断されて形成される
磁気記録媒体対向面Ｓを臨む位置であって、前記一対の
リード間に磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子、ＧＭＲ素子）
１５を形成する。次いで、磁気抵抗効果素子１５、及び
再生下ギャップ１４の上にアルミナ等の絶縁膜からなる
再生上ギャップ１６を成膜し、この再生上ギャップ１６
の上に上シールド層を兼ねる下コア（下部磁性膜）１７
を形成する。

【００１６】続いて、図１（Ｂ）に示したように、アル
ミナ或は酸化珪素（ＳｉＯ₂）等からなる書込みギャッ
プ膜１８を下コア１７の上に形成し、図１（Ｃ）に示し
たように、書込みギャップ膜１８の一部を除去する。こ
の書込みギャップ膜１８を除去する位置は、後に形成さ
れる磁気記録媒体対向面Ｓから同対向面Ｓに対し垂直方
向に所定の距離だけ離れている。ギャップ膜１８が除去
される形状は略長方形である。

【００１７】次に、図１（Ｄ）に示したように、第１の
インシュレータ（有機絶縁材）１９をレジスト塗布、パ
ターンカット、加熱フロー等の工程を経て所定形状に形
成する。なお、この第１のインシュレータ１９の形成位
置により、書込みギャップ位置が決定される。換言すれ
ば、予定される書込みギャップ（下コア１７と後に形成
される上コアのポール部が書込みギャップ膜１８を挟ん
で対向する部位）の磁気ヘッドの奥行方向（図１〜図８
における右方向）の端縁に、インシュレータの端縁（イ
ンシュレータが書込みギャップ膜１８から立上がり始め
る位置）Ｐを一致させる。また、第１のインシュレータ
１９は、書込みギャップ膜１８が除去されている部分に
は形成されないように形成する。

【００１８】なお、上記においては書込みギャップ膜１
８の一部を第１のインシュレータ１９の形成に先だって
除去したが、書込みギャップ膜１８を全面に形成した
後、書込みギャップ膜１８の除去すべき部分に対応する
部分が除去されたパターンを有する第１のインシュレー
タ１９を形成し、その後に書込みギャップ膜１８の一部
を除去するようにしてもよい。

【００１９】次に、図２（Ａ）に示したように、全面に
コイル形成のためのメッキ下地膜２０を蒸着或はスパッ
タ等により堆積する。メッキ下地膜２０としては、通常
はコイル材である銅（Ｃｕ）を用いる。以上の工程まで
は、従来の工程と同じである。

【００２０】次いで、図２（Ｂ）に示したように、所定
のコイルパターン（コイルパターンについては図８も参
照）を有するレジスト２１を形成する。即ち、第１のイ
ンシュレータ１９の上部を並行に通過するコイルパター
ンを有するコイルが後のメッキ工程にて形成されるよう
に、同コイルパターンを除いた部分にレジスト２１を形
成する。このとき、第１のインシュレータ１９の前記端
縁Ｐを含む領域（スロートハイト位置決め部を含む領
域）ＡＲにはレジスト２１が形成されないように同レジ
スト２１をパターンカットする。

【００２１】次に、メッキ下地膜２０とレジスト２１を
使用してコイル材、例えば、銅をメッキする。これによ
り、図２（Ｃ）に示したように、レジスト２１で被覆さ
れておらずメッキ下地膜２０が露出している部分に銅が
メッキされ、コイルパターンを有するコイル２２が形成
されるとともに、前述した領域ＡＲに被覆体（先端保護
メッキ膜）３０が形成される。その後、レジスト２１を
除去して、図２（Ｄ）に示したようなコイル２２と被覆
体３０を得る。

【００２２】次に、図３（Ａ）に示したように、プラズ
マエッチング（プラズマ状態のアルゴンを照射してミリ
ングする）処理を施して全面を均一にエッチングし、こ
れによりメッキ下地膜２０を除去する。このとき、領域
ＡＲは被覆体３０により保護されているので、第１のイ
ンシュレータ１９の端縁Ｐが後退（磁気ヘッドの奥行方
向への移動＝図３における右方向への移動）することが
なく、また第１のインシュレータ１９の端縁Ｐ近傍の斜
面が荒れることがない。

【００２３】次いで、図３（Ｂ）に示したように、領域
ＡＲ（従って、被覆体３０）は被覆せず、コイル２２が
形成されている部分のみを被覆するようなパターンを有
するコイル保護レジスト３１を形成し、図３（Ｃ）に示
したように、銅を選択的にエッチングするがコイル保護
レジスト３１を浸食することのない溶液を用いて被覆体
３０を除去する。この溶液は、例えば、硫酸に塩化アン
モニウムを加えたもの、或は硫酸セリウムアンモンの溶
液等であり、有機物であるレジスト、或は書込みギャッ
プ膜１８に使用されるアルミナ又は酸化珪素等には全く
影響を及さない。

【００２４】続いて、図３（Ｄ）に示したように、アセ
トン等の有機溶媒を用いてコイル保護レジスト３１を除
去する。なお、第１のインシュレータ１９を形成してい
るレジストは、既に加熱フロー処理が施されているた
め、アセトン等の有機溶媒に溶解しないが、コイル保護
レジストは加熱フロー処理が施されていないため、同溶
媒に簡単に溶解され除去される。

【００２５】次いで、２層目のコイルを形成するため全
面にレジストを塗布し、このレジストを第１のインシュ
レータ１９の上面であり、且つコイル２２を覆うように
パターンカットした後に加熱フロー処理を施し、図４
（Ａ）に示したように、第２のインシュレータ２３を形
成する。

【００２６】その後は、図２（Ａ）〜図３（Ｂ）を用い
て説明した工程を繰返す。即ち、図４（Ｂ）に示したよ
うに全面に下地膜２４を堆積し、図４（Ｃ）に示したよ
うに、コイルパターンが除去されたレジスト２５を形成
する。なお、この場合においても、第１のインシュレー
タ１９の端部を含む領域ＡＲにはレジスト２５が存在し
ないようレジスト２５をカットする。

【００２７】次に、図４（Ｄ）に示したように、銅をメ
ッキする。これにより、レジスト２５で被覆されておら
ず下地膜２４が露出している部分に銅がメッキされ、コ
イル２６が形成されるとともに領域ＡＲにも銅がメッキ
されて被覆体（先端保護メッキ膜）３２が形成される。
その後、レジスト２５を除去することにより、図５
（Ａ）に示したような２層目のコイル２６と被覆体３２
を得る。

【００２８】次に、ウエハの全面にプラズマエッチング
処理を施して均一にエッチングし、図５（Ｂ）に示した
ように、下地膜２４を除去する。このとき、領域ＡＲは
被覆体３２により保護されているので、第１のインシュ
レータ１９の端縁Ｐが後退することがなく、また第１の
インシュレータ１９の端縁Ｐ近傍の斜面、及びこの斜面
に続く第２のインシュレータ２３の斜面が荒れることが
ない。

【００２９】次いで、図５（Ｃ）に示したように、領域
ＡＲ（即ち、被覆体３２）は被覆せず、コイル２６が形
成されている部分のみを被覆するようなパターンを有す
るコイル保護レジスト３３を形成し、図５（Ｄ）に示し
たように、銅を選択的にエッチングするがコイル保護レ
ジスト３３を浸食することのない溶液（硫酸に塩化アン
モニウムを加えたもの、或は硫酸セリウムアンモンの溶
液等）を用いて領域ＡＲにある被覆体３２及び下地膜２
４を除去する。なお、下地膜２４は除去しなくてもよ
い。

【００３０】続いて、アセトン等の有機溶媒を用いてコ
イル保護レジスト３３を除去し、図６（Ａ）に示した状
態を得る。なお、インシュレータ１９，２３を形成して
いるレジストは、既に加熱フロー処理が施されているた
め、アセトン等の有機溶媒に溶解しない。次いで、第２
のインシュレータ２３の上面であってコイル２６を覆う
ように、レジストを塗布・パターンカットした後に加熱
フロー処理を施し、図６（Ｂ）に示したように、第３の
インシュレータ２７を形成する。

【００３１】次に、図６（Ｃ）に示したように、全面に
対して上コア下地膜２８を成膜した後、レジストの塗
布、パターンカット等により上コア用のフレーム（図示
省略）を形成し、このフレームを用いて図６（Ｄ）に示
したように、電気メッキにより上コア（上部磁性膜）２
９を形成する。かかる方法により形成された上コア２９
は、一端側（図６（Ｄ）における左端）のポール部２９
ａにて書込みギャップ膜１８を挟んで下コア１７と対向
するとともに、他端側（書込みギャップ膜１８が除去さ
れている部分）で下コア１７と接合し、下コア１７とと
もに磁路を形成する。この結果、下コア１７、上コア２
９及び書込みギャップ膜１８の一部で構成された磁路内
にコイル２２，２６が鎖交することになる。この上コア
２９の形成後は、不要となったレジストや下地膜等を除
去し、保護膜３４で全体を被覆して図７に示した構造の
薄膜磁気ヘッドを得る。

【００３２】その後、ウエハは複数の薄膜磁気ヘッドを
一列に並べたスライダローの状態に切断され、同状態に
て切断面Ｓ（図８に一点鎖線にて示した磁気記録媒体対
向面）が研磨されてスロートハイトＴＨの調整が行われ
る。この研磨加工においては、図７に示した磁気抵抗効
果素子１５の切断面Ｓからの距離Ｌを表す同素子１５の
トラック幅方向（図７の紙面垂直方向）の抵抗値を計測
し、同抵抗値が所定値となったときに、スロートハイト
ＴＨが所期の値となったとして研磨を終了する。

【００３３】以上の工程を経て製造された磁気ヘッド
は、非常に精度の高いスロートハイトＴＨを有してい
る。図９は、このことを実験により確認した結果を示し
ている。図９の横軸は、磁気抵抗効果素子１５のトラッ
ク幅方向の抵抗値Ｒ、縦軸はスロートハイトＴＨの実測
値であり、破線で示した曲線Ａは理想状態を示してい
る。また、曲線Ｂは本実施形態により製造した磁気ヘッ
ド、曲線Ｃ，Ｄは従来の製造方法（下地膜の除去をプラ
ズマエッチングにより行うもの）により製造した磁気ヘ
ッドにおける抵抗値ＲとスロートハイトＴＨの実測値の
関係を示している。

【００３４】図９からも明らかなように、本実施形態に
よる磁気ヘッドは磁気抵抗効果素子の抵抗値Ｒとスロー
トハイトＴＨの実測値との関係が理想状態に極めて近い
が、従来の製造方法によると、この関係が大きくずれて
いることがわかる。このことは、従来の製造方法では狙
いのスロートハイトＴＨが抵抗値Ｒをモニタしながら行
う研磨では達成できないが、本実施形態によれば極めて
精度良く達成できることを意味している。

【００３５】一方、図１０は、本実施形態により製造さ
れた磁気ヘッドと湿式溶解処理により下地膜を除去する
従来の製造方法により製造された磁気ヘッドのコイル抵
抗の分布を示している。図１０から明らかなように、本
実施形態による磁気ヘッドは湿式溶解処理による磁気ヘ
ッドよりもコイル抵抗値のバラツキが小さいことが解
る。これは、本実施形態によれば、湿式溶解処理のよう
にコイル根元部にサイドエッチングが発生したり、コイ
ル全体が浸食されることがない事によるものである。

【００３６】以上、本発明の一実施形態について説明し
てきたが、本発明の範囲内において種々の変形が可能で
ある。例えば、本実施形態は下コア１７が磁気抵抗効果
素子１５を含む再生ヘッドの上シールドを兼ねている複
合型の薄膜磁気ヘッドの製造方法に係るものであるが、
本発明はいわゆる誘導型薄膜磁気ヘッドにも適用でき
る。また、本実施形態においては、磁気抵抗効果素子１
５の抵抗値を計測しながら研磨加工してスロートハイト
ＴＨを調整するようにしていたが、いわゆるスロートハ
イトモニタと呼ばれる基準位置マークを使用しながら研
磨加工し、スロートハイトＴＨを調整するものでもよ
い。

【００３７】なお、係るスロートハイトモニタは、図８
においてスロートハイトモニタＴＨｍとして示したもの
であって、第１のインシュレータ１９と同時にウエハ上
の適所に複数個作り込まれる。より具体的には、スロー
トハイトモニタＴＨｍの各々は、第１のインシュレータ
１９の端縁Ｐと所定の位置関係を有するように製造さ
れ、その位置がその後のプロセスにて変化しないように
メッキ等により被覆されるものである。そして、研磨加
工によるスロートハイトＴＨの調整時においては、所定
のスロートハイトモニタＴＨｍが研磨表面に現れたか否
かが確認され、所定のスロートハイトモニタＴＨｍが現
れた時点でスロートハイトＴＨが所定値になったものと
みなして研磨を終了するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図
である。

【図２】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図
である。

【図３】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図
である。

【図４】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図
である。

【図５】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図
である。

【図６】 本発明の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図
である。

【図７】 本発明の製造工程により製造された薄膜磁気
ヘッドの縦断面図である。

【図８】 本発明の製造工程によりウエハ上に製造され
た薄膜磁気ヘッドの上面図である。

【図９】 本発明及びメッキ下地膜の除去にプラズマエ
ッチングを採用した従来の製造方法により製造された薄
膜磁気ヘッドにおける、磁気抵抗効果素子の抵抗値とス
ロートハイトの実測値との関係を示す図である。

【図１０】 本発明及びメッキ下地膜の除去に湿式溶解
方式を採用した従来の製造方法により製造された薄膜磁
気ヘッドにおける、コイルの抵抗値の分布を示す図であ
る。

【図１１】 薄膜磁気ヘッドの従来の製造工程を示す図
である。

【図１２】 薄膜磁気ヘッドの従来の製造工程を示す図
である。

【図１３】 薄膜磁気ヘッドの従来の製造工程を示す図
である。

【図１４】 薄膜磁気ヘッドの従来の製造工程を示す図
である。

【図１５】 薄膜磁気ヘッドの従来の製造工程を示す図
である。

【図１６】 下地膜の除去にプラズマエッチングを採用
した従来の製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの
要部拡大図である。

【図１７】 下地膜の除去に湿式溶解方式を採用した従
来の製造方法により製造された薄膜磁気ヘッドの要部拡
大図である。

【符号の説明】

１１…スライダ基板、１２…保護層、１３…下シール
ド、１４…再生下ギャップ、１５…磁気抵抗効果素子、
１６…再生上ギャップ、１７…下コア（下部磁性膜）、
１８…書込みギャップ膜、１９…第１のインシュレー
タ、２０…下地膜、２１…レジスト、２２…コイル、２
３…第２のインシュレータ、２５…レジスト、２６…コ
イル（２層目）、２７…第３のインシュレータ、２９…
上コア（上部磁性膜）、３０…被覆体、３１…コイル保
護レジスト、３２…被覆体、３３…コイル保護レジス
ト、３４…保護膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】下部磁性膜からなる下コア、前記下コアに
   積層された非磁性体からなる書込みギャップ膜、前記書
   込みギャップ膜の上面に形成された所定形状のインシュ
   レータ、前記インシュレータの上面に形成された所定パ
   ターンを有するコイル、及び一端が前記書込みギャップ
   膜を挟んで前記下コアと対向し他端が前記下コアと接合
   されてなり、前記コイルが鎖交する磁路を前記下コアと
   ともに構成する上コアを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方
   法において、 前記インシュレータ及び前記コイルを形成する工程が、 前記書込みギャップ膜の上面に前記所定形状のインシュ
   レータを形成する工程と、 前記書込みギャップ膜及び前記インシュレータの上面に
   メッキ下地膜を成膜する工程と、 前記メッキ下地膜の上面であって前記コイルが形成され
   るべき領域、及び前記薄膜磁気ヘッドのスロートハイト
   を決定する前記インシュレータの端縁の上方部分を除い
   た領域にレジストを形成する工程と、 前記レジストが形成された状態にてコイル材をメッキし
   て前記コイルと前記インシュレータの端縁の上方部分を
   被覆する被覆体とを形成する工程と、 前記レジストを除去した後に全面にプラズマエッチング
   処理を施して、前記コイル及び前記被覆体により覆われ
   ていない部分の下地膜を除去する工程と、 前記被覆体を除く部分であって前記コイルが形成されて
   いる領域にレジストを形成して前記コイルを保護し、こ
   の状態にて前記被覆体を選択的に溶解除去する工程とを
   含んだことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。