JP2680750B2 - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、非磁性材料からなる基
板上にFeAlSi合金薄膜等の軟磁性材料を設け薄膜
積層ヘッドとして構成される磁気ヘッドの製造方法に関
するものである。
板上にFeAlSi合金薄膜等の軟磁性材料を設け薄膜
積層ヘッドとして構成される磁気ヘッドの製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度化に伴いメ
タルテープのような高保磁力媒体が主流となって来てい
る。このため磁気ヘッドに使用されるコア材料も高い飽
和磁束密度を有するものが要求されている。そこで、例
えば図11に示すように磁気コアとして高い飽和磁束密
度を有するFeAlSi合金からなる軟磁性薄膜17
を、非磁性材料からなる基板18上に直接設けてなる薄
膜積層型の磁気ヘッドチップ19が知られている。
タルテープのような高保磁力媒体が主流となって来てい
る。このため磁気ヘッドに使用されるコア材料も高い飽
和磁束密度を有するものが要求されている。そこで、例
えば図11に示すように磁気コアとして高い飽和磁束密
度を有するFeAlSi合金からなる軟磁性薄膜17
を、非磁性材料からなる基板18上に直接設けてなる薄
膜積層型の磁気ヘッドチップ19が知られている。
【0003】また近年長時間録画等に対応するためにト
ラック幅が狭くなってきているが、上記のような磁気ヘ
ッドチップ19において、トラック幅に対応して軟磁性
薄膜17の厚さを薄くすると、磁気コアとしての磁気断
面積が減少し、その磁気抵抗が大きくなって記録・再
生、特に再生効率が低下するという問題を生じていた。
ラック幅が狭くなってきているが、上記のような磁気ヘ
ッドチップ19において、トラック幅に対応して軟磁性
薄膜17の厚さを薄くすると、磁気コアとしての磁気断
面積が減少し、その磁気抵抗が大きくなって記録・再
生、特に再生効率が低下するという問題を生じていた。
【0004】そこで上記問題を回避するために、図12
に示すように、ギャップ近傍の軟磁性薄膜21の厚さを
薄く形成する。つまり絞り込むことにより、狭いトラッ
ク幅に対応する一方、ギャップ23近傍以外の軟磁性薄
膜21の厚さを厚くして磁気断面積を増やし、磁気抵抗
を低減した磁気ヘッドチップ20が提案されている。上
記のような磁気ヘッドチップ20の製造方法について、
以下説明する。まず、図13に示すように、結晶化ガラ
ス等の非磁性材料からなる略直方体形状の基板22に、
ダイシング加工により断面積V字状の溝24を連続して
形成した後、図14に示すように、これら各溝24,2
4‥‥の一方の側壁面24a,24a‥‥上に沿って軟
磁性薄膜21とSiO2 等の非磁性材料からなる絶縁層
25とを、真空蒸着法により所定の層数だけ交互に積層
蒸着して、所定の厚さの軟磁性積層薄膜26を形成す
る。なお、軟磁性積層薄膜26の積層構造は、簡略化し
て図示する。
に示すように、ギャップ近傍の軟磁性薄膜21の厚さを
薄く形成する。つまり絞り込むことにより、狭いトラッ
ク幅に対応する一方、ギャップ23近傍以外の軟磁性薄
膜21の厚さを厚くして磁気断面積を増やし、磁気抵抗
を低減した磁気ヘッドチップ20が提案されている。上
記のような磁気ヘッドチップ20の製造方法について、
以下説明する。まず、図13に示すように、結晶化ガラ
ス等の非磁性材料からなる略直方体形状の基板22に、
ダイシング加工により断面積V字状の溝24を連続して
形成した後、図14に示すように、これら各溝24,2
4‥‥の一方の側壁面24a,24a‥‥上に沿って軟
磁性薄膜21とSiO2 等の非磁性材料からなる絶縁層
25とを、真空蒸着法により所定の層数だけ交互に積層
蒸着して、所定の厚さの軟磁性積層薄膜26を形成す
る。なお、軟磁性積層薄膜26の積層構造は、簡略化し
て図示する。
【0005】次に、図15に示すように、各溝24,2
4‥‥の側壁面の山頂付近から山頂にいたる軟磁性積層
薄膜26,26‥‥をイオンミリング等のドライエッチ
ングにより所定厚さ分除去するために、基板22をイオ
ン入射方向に対して傾けて、イオンの当たる所望する軟
磁性積層薄膜26,26‥‥部分にドライエッチングを
施す。このときの基板22の傾け方は、各溝24,24
‥‥間に形成される山頂部22a,22a‥‥によって
軟磁性積層薄膜26上の山頂部付近にイオンが当たり、
他の部分にイオンの当たらない影をつくるようにする。
4‥‥の側壁面の山頂付近から山頂にいたる軟磁性積層
薄膜26,26‥‥をイオンミリング等のドライエッチ
ングにより所定厚さ分除去するために、基板22をイオ
ン入射方向に対して傾けて、イオンの当たる所望する軟
磁性積層薄膜26,26‥‥部分にドライエッチングを
施す。このときの基板22の傾け方は、各溝24,24
‥‥間に形成される山頂部22a,22a‥‥によって
軟磁性積層薄膜26上の山頂部付近にイオンが当たり、
他の部分にイオンの当たらない影をつくるようにする。
【0006】その後、図16に示すように、ドライエッ
チングにより薄くなった軟磁性積層薄膜26,26‥‥
部分であるトラック幅用薄膜26a,26a‥‥の厚さ
をトラック幅に相当する厚さとした基板22を作製す
る。続いて、図17に示すように、軟磁性積層薄膜26
と後述する低融点ガラスとの不所望な反応を防止するた
めに、SiO2 等の反応防止膜を形成し、さらに、その
反応防止膜の上に、上記低融点ガラスとの濡れを改善す
るために、クロム等の活性金属膜をスパッタリング法等
により重ねて複合膜27,27‥‥を形成する。
チングにより薄くなった軟磁性積層薄膜26,26‥‥
部分であるトラック幅用薄膜26a,26a‥‥の厚さ
をトラック幅に相当する厚さとした基板22を作製す
る。続いて、図17に示すように、軟磁性積層薄膜26
と後述する低融点ガラスとの不所望な反応を防止するた
めに、SiO2 等の反応防止膜を形成し、さらに、その
反応防止膜の上に、上記低融点ガラスとの濡れを改善す
るために、クロム等の活性金属膜をスパッタリング法等
により重ねて複合膜27,27‥‥を形成する。
【0007】上記の工程後は、図18に示すように、溝
24,24‥‥上に低融点ガラス28を充填した後、図
19に示すように各山頂部22a,22a‥‥の稜線を
結んだ平面まで低融点ガラス28の表面を研削すると共
に、図20に示すようにその研削された面およびその反
対面にコイル巻線用溝29,29をそれぞれ形成して片
側基板ブロック30を作製し、次いで、一対の片側基板
ブロック30,30を非磁性ギャップ材(図示せず)を
挟んで相互に接合した後、所定の幅で切断することで、
図12に示すような磁気ヘッドチップ20を得る。
24,24‥‥上に低融点ガラス28を充填した後、図
19に示すように各山頂部22a,22a‥‥の稜線を
結んだ平面まで低融点ガラス28の表面を研削すると共
に、図20に示すようにその研削された面およびその反
対面にコイル巻線用溝29,29をそれぞれ形成して片
側基板ブロック30を作製し、次いで、一対の片側基板
ブロック30,30を非磁性ギャップ材(図示せず)を
挟んで相互に接合した後、所定の幅で切断することで、
図12に示すような磁気ヘッドチップ20を得る。
【0008】このように、上記磁気ヘッドチップ20で
は、狭いトラック幅に精度よく対応するため、ギャップ
23およびその近傍における軟磁性積層薄膜26の厚さ
を、ドライエッチングにより薄くし、一方磁気ヘッドの
記録・再生、特に再生効率を著しく向上させるために、
上記ギャップ23およびその近傍以外の磁気コア部分で
ある軟磁性積層薄膜26部分の厚みを厚くして磁気抵抗
を下げることにより、狭いトラック幅に対応すると共
に、再生効率の高い磁気ヘッドを製造している。
は、狭いトラック幅に精度よく対応するため、ギャップ
23およびその近傍における軟磁性積層薄膜26の厚さ
を、ドライエッチングにより薄くし、一方磁気ヘッドの
記録・再生、特に再生効率を著しく向上させるために、
上記ギャップ23およびその近傍以外の磁気コア部分で
ある軟磁性積層薄膜26部分の厚みを厚くして磁気抵抗
を下げることにより、狭いトラック幅に対応すると共
に、再生効率の高い磁気ヘッドを製造している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の方法
では、イオンミリング等のドライエッチングによる軟磁
性積層薄膜26の除去速度が数100Å/minであることか
ら、必要な膜厚(絞り込み量)の軟磁性積層薄膜26を
除去するのに非常に長時間を要し、磁気ヘッド製造の生
産性が悪いという問題を生じている。
では、イオンミリング等のドライエッチングによる軟磁
性積層薄膜26の除去速度が数100Å/minであることか
ら、必要な膜厚(絞り込み量)の軟磁性積層薄膜26を
除去するのに非常に長時間を要し、磁気ヘッド製造の生
産性が悪いという問題を生じている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドの製
造方法は、上記課題を解決するために、結晶化ガラス等
の非磁性材料からなる基板に断面略V字状の溝を形成
後、溝壁面に沿ってFeAlSi合金積層薄膜等の軟磁
性材料薄膜を蒸着法等により形成後、第1のガラスを溝
に充填し、その後、溝頂点部分のFeAlSi合金積層
薄膜等の軟磁性薄膜を、前記溝以上の角度を有するブレ
ードを用いて機械加工により除去し、次いで、この除去
部に第2のガラスを充填することを特徴としている。
造方法は、上記課題を解決するために、結晶化ガラス等
の非磁性材料からなる基板に断面略V字状の溝を形成
後、溝壁面に沿ってFeAlSi合金積層薄膜等の軟磁
性材料薄膜を蒸着法等により形成後、第1のガラスを溝
に充填し、その後、溝頂点部分のFeAlSi合金積層
薄膜等の軟磁性薄膜を、前記溝以上の角度を有するブレ
ードを用いて機械加工により除去し、次いで、この除去
部に第2のガラスを充填することを特徴としている。
【0011】また、第1のガラスが第2のガラスに比
べ、高融点性のガラスであることを特徴としたものであ
る。
べ、高融点性のガラスであることを特徴としたものであ
る。
【0012】さらにまた、第1のガラスが上記溝に充填
後に結晶化する結晶化ガラスであることを特徴としてい
る。
後に結晶化する結晶化ガラスであることを特徴としてい
る。
【0013】
【作用】上記の方法によれば、軟磁性薄膜の厚さを前記
側壁面の山頂近傍から山頂に向かって薄く形成する研削
加工がブレードを用いたダイシング加工による研削によ
って施されるので、従来のようにイオンミリング等のド
ライエッチングによる軟磁性薄膜の形成加工と比べて、
その形成加工時間を大幅に短縮することができる。
側壁面の山頂近傍から山頂に向かって薄く形成する研削
加工がブレードを用いたダイシング加工による研削によ
って施されるので、従来のようにイオンミリング等のド
ライエッチングによる軟磁性薄膜の形成加工と比べて、
その形成加工時間を大幅に短縮することができる。
【0014】さらにまた、上記の方法によれば、機械加
工による軟磁性薄膜の絞り込み加工を行う際、断面略V
字状溝は、第1のガラスにより充填され、機械加工を付
される部分は強固に保護されているため、溝頂点部分に
クラックが生じたり、軟磁性薄膜が基板から剥離してし
まうのを防ぐことが可能となる。
工による軟磁性薄膜の絞り込み加工を行う際、断面略V
字状溝は、第1のガラスにより充填され、機械加工を付
される部分は強固に保護されているため、溝頂点部分に
クラックが生じたり、軟磁性薄膜が基板から剥離してし
まうのを防ぐことが可能となる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の磁気ヘッドの製造方法の1実
施例を図1から図10を用いて説明する。まず、図2に
示すように、結晶化ガラス等の非磁性材料からなる略直
方体形状の基板1の表面に所定のピッチ寸法Aで、径方
向断面略V字状の刃先のブレードを用いたダイシング加
工により数mm/secの加工速度で断面略V字状の溝
2,2‥‥を相互に隣接して形成する。このとき各溝
2,2‥‥は、基板1における溝2の底部から上方に延
ばす法線に対し略左右対象にされる。
施例を図1から図10を用いて説明する。まず、図2に
示すように、結晶化ガラス等の非磁性材料からなる略直
方体形状の基板1の表面に所定のピッチ寸法Aで、径方
向断面略V字状の刃先のブレードを用いたダイシング加
工により数mm/secの加工速度で断面略V字状の溝
2,2‥‥を相互に隣接して形成する。このとき各溝
2,2‥‥は、基板1における溝2の底部から上方に延
ばす法線に対し略左右対象にされる。
【0016】その後、図3に示すように、各溝2,2‥
‥の一方の側壁面2a,2a‥‥にFeAlSi合金薄
膜等の軟磁性薄膜3,3‥‥を真空蒸着法あるいはスパ
ッタリング法により形成する。続いて、SiO2 等の非
磁性材料からなる非磁性薄膜4,4‥‥を軟磁性薄膜
3,3‥‥上に真空蒸着法等により形成し、さらに、そ
の上に軟磁性薄膜3,3‥‥を上記と同様の方法で形成
する。なおさらに、この上に非磁性薄膜4,4‥‥と軟
磁性薄膜3,3‥‥とを所定の層数だけ交互に積層して
所定の厚さの軟磁性積層薄膜5,5‥‥を形成する。な
お図では軟磁性積層薄膜5,5‥‥の積層状態を簡略化
して示した。
‥の一方の側壁面2a,2a‥‥にFeAlSi合金薄
膜等の軟磁性薄膜3,3‥‥を真空蒸着法あるいはスパ
ッタリング法により形成する。続いて、SiO2 等の非
磁性材料からなる非磁性薄膜4,4‥‥を軟磁性薄膜
3,3‥‥上に真空蒸着法等により形成し、さらに、そ
の上に軟磁性薄膜3,3‥‥を上記と同様の方法で形成
する。なおさらに、この上に非磁性薄膜4,4‥‥と軟
磁性薄膜3,3‥‥とを所定の層数だけ交互に積層して
所定の厚さの軟磁性積層薄膜5,5‥‥を形成する。な
お図では軟磁性積層薄膜5,5‥‥の積層状態を簡略化
して示した。
【0017】次に、FeAlSi合金薄膜等の軟磁性積
層薄膜5,5‥‥と後述する低融点性の第2のガラスと
の反応を防ぐために、軟磁性積層薄膜5,5‥‥の上に
SiO2 等の反応防止膜6,6‥‥を形成する。続い
て、この反応防止膜6,6‥‥とガラスの濡れを改善す
るためにクロム等の活性金属膜7,7‥‥をそれぞれス
パッタリング等により形成した後、図4に示すように前
記溝2,2‥‥に第1のガラス8を熔融充填する。
層薄膜5,5‥‥と後述する低融点性の第2のガラスと
の反応を防ぐために、軟磁性積層薄膜5,5‥‥の上に
SiO2 等の反応防止膜6,6‥‥を形成する。続い
て、この反応防止膜6,6‥‥とガラスの濡れを改善す
るためにクロム等の活性金属膜7,7‥‥をそれぞれス
パッタリング等により形成した後、図4に示すように前
記溝2,2‥‥に第1のガラス8を熔融充填する。
【0018】次に、図5に示すように、前記第1のガラ
ス8の充填部の表面を図4に一点鎖線で示す前記基板1
の山頂部1a,1a‥‥の稜線を結んだ平面まで研磨す
る。次に、図1に示すように前記山頂部1a近傍の第1
のガラス8充填部から山頂部1aに向かって軟磁性合金
積層薄膜9の厚さが薄くなるように、ガラス充填部およ
び軟磁性合金積層薄膜9を、径方向断面V字状の刃先の
ブレード10を用いたダイシング加工により研削加工す
る。このとき山頂部1aに露出する軟磁性合金薄膜9は
トラック幅に相当する厚さとなっている。
ス8の充填部の表面を図4に一点鎖線で示す前記基板1
の山頂部1a,1a‥‥の稜線を結んだ平面まで研磨す
る。次に、図1に示すように前記山頂部1a近傍の第1
のガラス8充填部から山頂部1aに向かって軟磁性合金
積層薄膜9の厚さが薄くなるように、ガラス充填部およ
び軟磁性合金積層薄膜9を、径方向断面V字状の刃先の
ブレード10を用いたダイシング加工により研削加工す
る。このとき山頂部1aに露出する軟磁性合金薄膜9は
トラック幅に相当する厚さとなっている。
【0019】この場合、ダイシング加工は溝2の形状を
示す指標としての溝2の底部からの法線と一方の側壁面
2aとの角度Bに対して、その角度B以上の刃先の角度
Cを有するブレード10を用いて施され、その上ブレー
ド10の刃先の一方の刃先壁面10aを前記法線と一致
させることで、前記軟磁性合金薄膜9の加工制度を上げ
ることができる。
示す指標としての溝2の底部からの法線と一方の側壁面
2aとの角度Bに対して、その角度B以上の刃先の角度
Cを有するブレード10を用いて施され、その上ブレー
ド10の刃先の一方の刃先壁面10aを前記法線と一致
させることで、前記軟磁性合金薄膜9の加工制度を上げ
ることができる。
【0020】次に、図6に示すように、前記研削加工面
にFeAlSi合金薄膜等の軟磁性積層薄膜5と後述す
る低融点の第2のガラスの不所望な反応を防止するため
に、SiO2等の反応防止膜6を再度を形成し、またさ
らに、反応防止膜6とガラスの濡れを改善するためにク
ロム等の活性金属膜7をそれぞれスパッタリング等によ
り形成する。続いて、前記研削加工された溝11に図7
に示すように前述した低融点の第2のガラス12を熔融
充填する。その後図8に示すように、前記第2のガラス
12の充填部の表面を前記基板1の山頂部1a,1a‥
‥の稜線を結んだ平面まで研磨する。このとき研磨面に
はコアギャップを形成する軟磁性積層薄膜5が略トラッ
ク幅となるように露出している。
にFeAlSi合金薄膜等の軟磁性積層薄膜5と後述す
る低融点の第2のガラスの不所望な反応を防止するため
に、SiO2等の反応防止膜6を再度を形成し、またさ
らに、反応防止膜6とガラスの濡れを改善するためにク
ロム等の活性金属膜7をそれぞれスパッタリング等によ
り形成する。続いて、前記研削加工された溝11に図7
に示すように前述した低融点の第2のガラス12を熔融
充填する。その後図8に示すように、前記第2のガラス
12の充填部の表面を前記基板1の山頂部1a,1a‥
‥の稜線を結んだ平面まで研磨する。このとき研磨面に
はコアギャップを形成する軟磁性積層薄膜5が略トラッ
ク幅となるように露出している。
【0021】その後、図9に示すように、基板1におけ
るギャップ面15とその反対面にコイル巻線用の溝1
3,14を加工し、さらに、略V字状の溝を形成した面
(ギャップ面15)に所定のギャップ長となるようSi
O2等の非磁性材料からなるギャップベース材(図示せ
ず)をスパッタリング法等により形成し、こうして片側
コアブロック16を作製する。
るギャップ面15とその反対面にコイル巻線用の溝1
3,14を加工し、さらに、略V字状の溝を形成した面
(ギャップ面15)に所定のギャップ長となるようSi
O2等の非磁性材料からなるギャップベース材(図示せ
ず)をスパッタリング法等により形成し、こうして片側
コアブロック16を作製する。
【0022】次に、こうして作製された2つの片側コア
ブロック16,16を互いに相対向するように位置をあ
わせ、加圧固定を行って接合し、コアブロックを形成す
る。その後、この接合されたコアブロックを所定のピッ
チで切り出して磁気ヘッドチップを作製する。図10は
このようにして切り出された磁気ヘッドチップを示す斜
視図である。
ブロック16,16を互いに相対向するように位置をあ
わせ、加圧固定を行って接合し、コアブロックを形成す
る。その後、この接合されたコアブロックを所定のピッ
チで切り出して磁気ヘッドチップを作製する。図10は
このようにして切り出された磁気ヘッドチップを示す斜
視図である。
【0023】なお上記実施例において、第1のガラス8
が第2のガラス12に比べ、低融点性のガラスである場
合、第2のガラス12を溶融充填する際、第1のガラス
8は低粘度状態となり、第1のガラスの表面に形成され
たSiO2等の反応防止膜6と第1のガラス8との間
に、反応あるいは拡散がおこり、直径数10μmの気泡
が発生する。これを防ぐには、第1のガラス8の表面の
活性の度合をできるだけ下げればよい。通常ガラスは、
温度と共に粘度が低下し、それと共に活性の度合が増
す。つまり、第1のガラス8の表面にSiO2 等の反応
防止膜6の形成後の熱処理工程で、第1のガラス8の粘
度を高く保つことができれば気泡を防ぐことができる。
が第2のガラス12に比べ、低融点性のガラスである場
合、第2のガラス12を溶融充填する際、第1のガラス
8は低粘度状態となり、第1のガラスの表面に形成され
たSiO2等の反応防止膜6と第1のガラス8との間
に、反応あるいは拡散がおこり、直径数10μmの気泡
が発生する。これを防ぐには、第1のガラス8の表面の
活性の度合をできるだけ下げればよい。通常ガラスは、
温度と共に粘度が低下し、それと共に活性の度合が増
す。つまり、第1のガラス8の表面にSiO2 等の反応
防止膜6の形成後の熱処理工程で、第1のガラス8の粘
度を高く保つことができれば気泡を防ぐことができる。
【0024】第1のガラス8が第2のガラス12に比べ
高融点性のガラスであれば、第1のガラス8の表面にS
iO2 等の反応防止膜6の形成後の熱処理工程で第1の
ガラスの粘度を高く保つことができ、気泡の発生を防ぐ
ことができる。また、第1のガラス8が上記溝2に充填
後結晶化する結晶化ガラスであれば、充填後の熱処理工
程の温度による第1のガラス8の粘度低下(活性化)は
なくなる。つまり、第1のガラス8が結晶化ガラスであ
れば、第2のガラス12の作業温度の制約は全く無くな
り、第2のガラス12の選択は第1のガラス8に全く影
響されない。
高融点性のガラスであれば、第1のガラス8の表面にS
iO2 等の反応防止膜6の形成後の熱処理工程で第1の
ガラスの粘度を高く保つことができ、気泡の発生を防ぐ
ことができる。また、第1のガラス8が上記溝2に充填
後結晶化する結晶化ガラスであれば、充填後の熱処理工
程の温度による第1のガラス8の粘度低下(活性化)は
なくなる。つまり、第1のガラス8が結晶化ガラスであ
れば、第2のガラス12の作業温度の制約は全く無くな
り、第2のガラス12の選択は第1のガラス8に全く影
響されない。
【0025】上記のようにして得られる磁気ヘッドチッ
プは、図示しないが、ベース板への接着固定、コイル巻
線やテープ摺動面の研磨が施されて磁気ヘッドを完成す
る。このように上記実施例のような製造方法により得ら
れる磁気ヘッドのトラック幅は軟磁性積層薄膜5のダイ
シング加工による研削加工によりヘッドギャップとなる
軟磁性積層薄膜5の厚さが設定でき、例えば長時間モー
ド専用磁気ヘッドのように狭いトラック幅にも対応で
き、一方最初に真空蒸着法等により形成される磁気コア
としての軟磁性積層薄膜5の厚さは、充分な磁気断面積
を確保して磁気抵抗の充分小さな所定の厚さに設定でき
る。
プは、図示しないが、ベース板への接着固定、コイル巻
線やテープ摺動面の研磨が施されて磁気ヘッドを完成す
る。このように上記実施例のような製造方法により得ら
れる磁気ヘッドのトラック幅は軟磁性積層薄膜5のダイ
シング加工による研削加工によりヘッドギャップとなる
軟磁性積層薄膜5の厚さが設定でき、例えば長時間モー
ド専用磁気ヘッドのように狭いトラック幅にも対応で
き、一方最初に真空蒸着法等により形成される磁気コア
としての軟磁性積層薄膜5の厚さは、充分な磁気断面積
を確保して磁気抵抗の充分小さな所定の厚さに設定でき
る。
【0026】
【効果】本発明の磁気ヘッドの製造方法は、以上のよう
に狭いトラック幅に対応できると共に磁気抵抗の小さな
磁気ヘッドを製造するために、磁気コアとなる硬磁性積
層薄膜におけるギャップ付近の厚さを薄くする形成加工
をブレードによるダイシング加工により施す方法であ
る。
に狭いトラック幅に対応できると共に磁気抵抗の小さな
磁気ヘッドを製造するために、磁気コアとなる硬磁性積
層薄膜におけるギャップ付近の厚さを薄くする形成加工
をブレードによるダイシング加工により施す方法であ
る。
【0027】それ故、従来は軟磁性積層薄膜の厚さを薄
くする形成加工がイオンミリング等によるドライエッチ
ングにより施されており、そのドライエッチングの速度
が遅いため、形成加工に時間がかかり、磁気ヘッドの製
造における生産性が悪化していたが、本発明の方法では
軟磁性積層薄膜の形成加工がブレードを用いたダイシン
グ加工による研削によって施されるので従来よりその形
成加工時間を大幅に短縮することができる。
くする形成加工がイオンミリング等によるドライエッチ
ングにより施されており、そのドライエッチングの速度
が遅いため、形成加工に時間がかかり、磁気ヘッドの製
造における生産性が悪化していたが、本発明の方法では
軟磁性積層薄膜の形成加工がブレードを用いたダイシン
グ加工による研削によって施されるので従来よりその形
成加工時間を大幅に短縮することができる。
【0028】この結果、長時間モード用等の狭いトラッ
ク幅に対応できると共に、磁気断面積を増加させて、記
録再生効率、特に再生効率を向上させた磁気ヘッドの製
造における生産性を向上させることができるという効果
を奏する。
ク幅に対応できると共に、磁気断面積を増加させて、記
録再生効率、特に再生効率を向上させた磁気ヘッドの製
造における生産性を向上させることができるという効果
を奏する。
【図1】本発明の磁気ヘッドの製造方法において、ダイ
シング加工により軟磁性積層薄膜が形成加工されている
状態を示す基板の要部正面図である。
シング加工により軟磁性積層薄膜が形成加工されている
状態を示す基板の要部正面図である。
【図2】上記製造方法における溝の形成された基板の斜
視図である。
視図である。
【図3】上記溝に軟磁性積層薄膜が形成された基板の要
部正面図である。
部正面図である。
【図4】上記溝に第1のガラスが充填された上記基板の
要部正面図である。
要部正面図である。
【図5】上記第1のガラスの表面が研削された基板の要
部正面図である。
部正面図である。
【図6】上記ダイシング加工により軟磁性積層薄膜が形
成された基板の要部正面図である。
成された基板の要部正面図である。
【図7】上記軟磁性積層薄膜が形成された基板の上に第
2のガラスが充填された状態を示す要部正面図である。
2のガラスが充填された状態を示す要部正面図である。
【図8】上記第2のガラスの表面が研削された基板の要
部正面図である。
部正面図である。
【図9】本発明の製造方法により作製された片側コアブ
ロックの斜視図である。
ロックの斜視図である。
【図10】本発明の製造方法により作製された磁気ヘッ
ドチップの斜視図である。
ドチップの斜視図である。
【図11】従来の磁気ヘッドチップの斜視図である。
【図12】従来の他の磁気ヘッドチップの斜視図であ
る。
る。
【図13】上記従来の磁気ヘッドチップの製造方法にお
いて、溝の形成された基板の斜視図である。
いて、溝の形成された基板の斜視図である。
【図14】上記溝に軟磁性積層薄膜が形成された基板の
要部正面図である。
要部正面図である。
【図15】上記軟磁性積層薄膜がドライエッチングされ
ている基板の正面図である。
ている基板の正面図である。
【図16】上記軟磁性積層薄膜の一部がドライエッチン
グされた基板の要部正面図である。
グされた基板の要部正面図である。
【図17】積層合金薄膜上に複合層が形成された上記基
板の要部正面図である。
板の要部正面図である。
【図18】低融点ガラスが充填された上記基板の要部正
面図である。
面図である。
【図19】低融点ガラスの表面が研磨された上記基板の
要部正面図である。
要部正面図である。
【図20】上記基板にコイル巻線溝を形成してなる片側
基板ブロックの斜視図である。
基板ブロックの斜視図である。
1 基板 2 溝 3 軟磁性薄膜 4 非磁性薄膜 5 軟磁性積層薄膜 6 反応防止膜 7 活性金属膜 8 第1のガラス 9 軟磁性合金積層薄膜 10 ブレード
Claims (3)
- 【請求項1】非磁性材料からなる基板に溝を形成し、こ
の溝の側壁面に沿って軟磁性積層薄膜を形成した後に、
第1のガラスを充填し、次いで溝頂点部分の前記第1の
ガラスおよび軟磁性積層薄膜を、上記溝の角度以上の角
度を有するブレードを用いて機械加工により除去した後
に、この除去部に第2のガラスを充填することを特徴と
する磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項2】前記第1のガラスが前記第2のガラスに比
べ、高融点性のガラスであることを特徴とする請求項1
記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項3】前記第1のガラスが前記溝に充填後に結晶
化する結晶化ガラスであることを特徴とする請求項1記
載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17502191A JP2680750B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17502191A JP2680750B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0520629A JPH0520629A (ja) | 1993-01-29 |
JP2680750B2 true JP2680750B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=15988834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17502191A Expired - Fee Related JP2680750B2 (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2680750B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000176700A (ja) | 1998-12-18 | 2000-06-27 | Kosmek Ltd | 機械プレスの過負荷防止装置 |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP17502191A patent/JP2680750B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0520629A (ja) | 1993-01-29 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |