JPH06139520A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH06139520A JPH06139520A JP29019592A JP29019592A JPH06139520A JP H06139520 A JPH06139520 A JP H06139520A JP 29019592 A JP29019592 A JP 29019592A JP 29019592 A JP29019592 A JP 29019592A JP H06139520 A JPH06139520 A JP H06139520A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 非磁性基板に対してアジマス角だけ傾斜して
いるギャップ面を機械加工を用いずに形成する。 【構成】 上面にアジマス角に等しい角度θだけ傾斜し
ている傾斜部９を有する転写基板８上に第１の磁性膜１
０を形成する第１の工程と、前記第１の磁性膜１０を前
記転写基板８が露出するまで除去し平滑面１１を形成す
る第２の工程と、前記転写基板８の平滑面１１を非磁性
基板１４に接合して接合体１５を形成する第３の工程
と、前記接合体１５から上記転写基板８を取り除き、前
記第１の磁性膜１０にアジマス角だけ傾斜している斜面
１６を形成する第４の工程と、前記斜面１６上にギャッ
プスペーサ膜１７を形成する第５の工程と、前記第１の
磁性膜１０及び前記非磁性基板１４上に上記ギャップス
ペーサ膜１７を介して第２の磁性膜１８を形成する第６
の工程と、前記第２の磁性膜１８を上記第１の磁性膜１
０が露出するまで除去し平坦化する第７の工程とにより
薄膜磁気ヘッドを製造する。
いるギャップ面を機械加工を用いずに形成する。 【構成】 上面にアジマス角に等しい角度θだけ傾斜し
ている傾斜部９を有する転写基板８上に第１の磁性膜１
０を形成する第１の工程と、前記第１の磁性膜１０を前
記転写基板８が露出するまで除去し平滑面１１を形成す
る第２の工程と、前記転写基板８の平滑面１１を非磁性
基板１４に接合して接合体１５を形成する第３の工程
と、前記接合体１５から上記転写基板８を取り除き、前
記第１の磁性膜１０にアジマス角だけ傾斜している斜面
１６を形成する第４の工程と、前記斜面１６上にギャッ
プスペーサ膜１７を形成する第５の工程と、前記第１の
磁性膜１０及び前記非磁性基板１４上に上記ギャップス
ペーサ膜１７を介して第２の磁性膜１８を形成する第６
の工程と、前記第２の磁性膜１８を上記第１の磁性膜１
０が露出するまで除去し平坦化する第７の工程とにより
薄膜磁気ヘッドを製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高品位ＶＴＲやデジタル
ＶＴＲ等の高密度磁気記録装置に用いられる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
ＶＴＲ等の高密度磁気記録装置に用いられる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高品位（ハイビジョン）ＶＴＲやデジタ
ルＶＴＲ等に用いられる磁気ヘッドとしては、３０ＭＨ
ｚ以上の高周波帯域で高効率であることが必要であり、
近年、ＶＴＲ用の薄膜磁気ヘッドが開発されている。こ
のＶＴＲ用の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば特開昭６
１−３９２１１号公報等に示すように、基板に対して傾
斜角を有するギャップ面を持つ構造のものが提案されて
おり、そのギャップ面近傍の構造を図４に示す。
ルＶＴＲ等に用いられる磁気ヘッドとしては、３０ＭＨ
ｚ以上の高周波帯域で高効率であることが必要であり、
近年、ＶＴＲ用の薄膜磁気ヘッドが開発されている。こ
のＶＴＲ用の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば特開昭６
１−３９２１１号公報等に示すように、基板に対して傾
斜角を有するギャップ面を持つ構造のものが提案されて
おり、そのギャップ面近傍の構造を図４に示す。
【０００３】図４において、非磁性基板１上に、非磁性
膜２と第１の磁性膜３が積層されてなる積層膜と第２の
磁性膜４とがギャップスペーサ膜５を挟んで形成されて
いる。前記ギャップスペーサ膜５の第１、第２の磁性膜
３、４で挟まれた部分は平面状をなし、磁気ギャップ６
を形成している。さらに、磁気ギャップ６を形成するギ
ャップスペーサ膜５の面は非磁性基板１の面に対して傾
斜しており、磁気ギャップ６に所定のアジマス角θを持
たせている。一方、前記ギャップスペーサ膜５の非磁性
膜２と第２の磁性膜４とで挟まれた部分は、その一部が
半径Ｒの丸みを帯びた曲面状をなしており、ギャップと
して機能することが防止されている。
膜２と第１の磁性膜３が積層されてなる積層膜と第２の
磁性膜４とがギャップスペーサ膜５を挟んで形成されて
いる。前記ギャップスペーサ膜５の第１、第２の磁性膜
３、４で挟まれた部分は平面状をなし、磁気ギャップ６
を形成している。さらに、磁気ギャップ６を形成するギ
ャップスペーサ膜５の面は非磁性基板１の面に対して傾
斜しており、磁気ギャップ６に所定のアジマス角θを持
たせている。一方、前記ギャップスペーサ膜５の非磁性
膜２と第２の磁性膜４とで挟まれた部分は、その一部が
半径Ｒの丸みを帯びた曲面状をなしており、ギャップと
して機能することが防止されている。
【０００４】次に、上記従来の薄膜磁気ヘッドの製造方
法を図５及び図６に示す。
法を図５及び図６に示す。
【０００５】まず、図５（ａ）に示すように、非磁性基
板１上にＣｒ、Ｚｒ等の切削容易な非磁性膜２を形成す
る。次に、図５（ｂ）に示すように、前記非磁性膜２上
にセンダスト、アモルファス合金等の第１の磁性膜３を
スパッタリング等により成膜形成する。この時、第１の
磁性膜３の膜厚は少なくともギャップのトラック幅以上
とする。次に、図５（ｃ）に示すように、ダイヤモンド
バイト等により第１の磁性膜３を完全に切断し、且つ切
断刃物の稜線の曲率部分が非磁性膜２を切断するように
溝加工を行い、非磁性基板１に対してアジマス角θだけ
傾斜している斜面７を形成する。次に、図６（ａ）に示
すように、少なくとも前記第１の磁性膜３の斜面７を含
む部分にＳｉＯ2等の非磁性材料よりなるギャップスペ
ーサ膜５をギャップ長に相当する厚みだけ蒸着等により
形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、非磁性基板
１及び第１の磁性膜３上にギャップスペーサ膜５を介し
て第２の磁性膜４をスパッタリング等により形成する。
次に図６（ｃ）に示すように、研磨若しくはエッチバッ
ク法等により第１、第２の磁性膜３、４を平坦化し、ギ
ャップスペーサ膜５のギャップを形成する部分が所定の
トラック幅となるように加工し、アジマス角θだけ傾斜
している磁気ギャップ６を形成する。
板１上にＣｒ、Ｚｒ等の切削容易な非磁性膜２を形成す
る。次に、図５（ｂ）に示すように、前記非磁性膜２上
にセンダスト、アモルファス合金等の第１の磁性膜３を
スパッタリング等により成膜形成する。この時、第１の
磁性膜３の膜厚は少なくともギャップのトラック幅以上
とする。次に、図５（ｃ）に示すように、ダイヤモンド
バイト等により第１の磁性膜３を完全に切断し、且つ切
断刃物の稜線の曲率部分が非磁性膜２を切断するように
溝加工を行い、非磁性基板１に対してアジマス角θだけ
傾斜している斜面７を形成する。次に、図６（ａ）に示
すように、少なくとも前記第１の磁性膜３の斜面７を含
む部分にＳｉＯ2等の非磁性材料よりなるギャップスペ
ーサ膜５をギャップ長に相当する厚みだけ蒸着等により
形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、非磁性基板
１及び第１の磁性膜３上にギャップスペーサ膜５を介し
て第２の磁性膜４をスパッタリング等により形成する。
次に図６（ｃ）に示すように、研磨若しくはエッチバッ
ク法等により第１、第２の磁性膜３、４を平坦化し、ギ
ャップスペーサ膜５のギャップを形成する部分が所定の
トラック幅となるように加工し、アジマス角θだけ傾斜
している磁気ギャップ６を形成する。
【０００６】しかしながら、上述した従来の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法では、以下に示す問題がある。
ッドの製造方法では、以下に示す問題がある。
【０００７】まず、図５（ｃ）に示す工程において、第
１の磁性膜３を機械加工により切断するため、ギャップ
面となる斜面７に加工変質層が存在し、磁気ギャップ６
での記録再生特性が劣化する。また、この工程において
は、刃物の先端の曲率部分によって加工される部分が磁
気ギャップ６に残ることを避けるために、第１の磁性膜
３よりも深く切り込む必要がある。このため、図４に示
すようなトラックずれａが生じ、隣接トラックからのク
ロストーク成分を再生してしまうという問題が起こる。
さらに、ギャップ面を機械加工により形成しているの
で、巻線を薄膜コイルにより形成することが困難であ
る。
１の磁性膜３を機械加工により切断するため、ギャップ
面となる斜面７に加工変質層が存在し、磁気ギャップ６
での記録再生特性が劣化する。また、この工程において
は、刃物の先端の曲率部分によって加工される部分が磁
気ギャップ６に残ることを避けるために、第１の磁性膜
３よりも深く切り込む必要がある。このため、図４に示
すようなトラックずれａが生じ、隣接トラックからのク
ロストーク成分を再生してしまうという問題が起こる。
さらに、ギャップ面を機械加工により形成しているの
で、巻線を薄膜コイルにより形成することが困難であ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来例の
欠点に鑑み為されたものであり、ギャップ面となる第１
の磁性膜のアジマス角だけ傾斜している斜面を機械加工
することなく形成することにより、ギャップ面に加工変
質層が形成されず、且つトラックずれによる隣接トラッ
クからのクロストーク成分の再生を防止、さらに巻線を
薄膜コイルにより形成することを可能にした薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
欠点に鑑み為されたものであり、ギャップ面となる第１
の磁性膜のアジマス角だけ傾斜している斜面を機械加工
することなく形成することにより、ギャップ面に加工変
質層が形成されず、且つトラックずれによる隣接トラッ
クからのクロストーク成分の再生を防止、さらに巻線を
薄膜コイルにより形成することを可能にした薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
の製造方法は、上面にアジマス角に等しい角度だけ傾斜
している傾斜部を有する転写基板上に第１の磁性膜を形
成する第１の工程と、前記第１の磁性膜を前記転写基板
が露出するまで除去し平滑面を形成する第２の工程と、
前記転写基板の平滑面を非磁性基板に接合して接合体を
形成する第３の工程と、前記接合体から上記転写基板を
取り除き、前記第１の磁性膜にアジマス角だけ傾斜して
いる斜面を形成する第４の工程と、前記斜面上にギャッ
プスペーサ膜を形成する第５の工程と、前記第１の磁性
膜及び前記非磁性基板上に上記ギャップスペーサ膜を介
して第２の磁性膜を形成する第６の工程と、前記第２の
磁性膜を上記第１の磁性膜が露出するまで除去し平坦化
する第７の工程とを有することを特徴とする。
の製造方法は、上面にアジマス角に等しい角度だけ傾斜
している傾斜部を有する転写基板上に第１の磁性膜を形
成する第１の工程と、前記第１の磁性膜を前記転写基板
が露出するまで除去し平滑面を形成する第２の工程と、
前記転写基板の平滑面を非磁性基板に接合して接合体を
形成する第３の工程と、前記接合体から上記転写基板を
取り除き、前記第１の磁性膜にアジマス角だけ傾斜して
いる斜面を形成する第４の工程と、前記斜面上にギャッ
プスペーサ膜を形成する第５の工程と、前記第１の磁性
膜及び前記非磁性基板上に上記ギャップスペーサ膜を介
して第２の磁性膜を形成する第６の工程と、前記第２の
磁性膜を上記第１の磁性膜が露出するまで除去し平坦化
する第７の工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記製造方法によれば、転写基板上の傾斜部に
成膜した第１の磁性膜を転写することにより、機械加工
無しに、ギャップ面となる第１の磁性膜のアジマス角だ
け傾斜している斜面を形成することが可能となる。
成膜した第１の磁性膜を転写することにより、機械加工
無しに、ギャップ面となる第１の磁性膜のアジマス角だ
け傾斜している斜面を形成することが可能となる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１２】図１及び図２は本実施例の薄膜磁気ヘッド
製造方法を示す断面図である。
製造方法を示す断面図である。
【００１３】まず、図１（ａ）に示すように、レプリカ
となる転写基板８上にアジマス角θに等しい角度だけ傾
斜している傾斜部９を形成する。この傾斜部９は、ダイ
ヤモンドバイト等による切削加工、あるいは転写基板８
として上面に（１００）面をもつ単結晶Ｓｉを用い、Ｋ
ＯＨ溶液による異方性エッチングを施して（１００）面
に対して５４．７°の角度を持つ（１１１）面を露出さ
せることにより形成される。
となる転写基板８上にアジマス角θに等しい角度だけ傾
斜している傾斜部９を形成する。この傾斜部９は、ダイ
ヤモンドバイト等による切削加工、あるいは転写基板８
として上面に（１００）面をもつ単結晶Ｓｉを用い、Ｋ
ＯＨ溶液による異方性エッチングを施して（１００）面
に対して５４．７°の角度を持つ（１１１）面を露出さ
せることにより形成される。
【００１４】次に、図１（ｂ）に示すように、前記転写
基板８上にセンダスト、アモルファス合金等の第１の磁
性膜１０をスパッタリング等により形成する。
基板８上にセンダスト、アモルファス合金等の第１の磁
性膜１０をスパッタリング等により形成する。
【００１５】次に、図１（ｃ）に示すように、前記第１
の磁性膜１０の上面を研磨あるいはエッチバック法等に
より平坦化して転写基板８及び第１の磁性膜１０が露出
している平滑面１１を形成する。
の磁性膜１０の上面を研磨あるいはエッチバック法等に
より平坦化して転写基板８及び第１の磁性膜１０が露出
している平滑面１１を形成する。
【００１６】次に、図１（ｄ）に示すように、前記平滑
面１１上にＳｉＯ2等よりなる０．１〜１μｍ厚の保護
膜１２を成膜形成する。
面１１上にＳｉＯ2等よりなる０．１〜１μｍ厚の保護
膜１２を成膜形成する。
【００１７】次に、図１（ｅ）に示すように、上面にス
パッタリングによりガラス層１３が形成されている非磁
性基板１４上に、上記転写基板８の保護膜１２を矢印Ａ
の如く密着させる。
パッタリングによりガラス層１３が形成されている非磁
性基板１４上に、上記転写基板８の保護膜１２を矢印Ａ
の如く密着させる。
【００１８】次に、図１（ｆ）に示すように、前記ガラ
ス層１３を溶融させることにより、前記転写基板８と非
磁性基板１４とを接合して接合体１５を形成する。尚、
この接合は、非磁性基板１４に数１００Ｖの負の電圧を
印加することにより常温で圧着することも可能である。
また、転写基板８にＳｉを用い、非磁性基板１４に結晶
化ガラスを用いることにより、ガラス層１３を形成せず
に、非磁性基板１４に数１００Ｖの負の電圧を印加する
ことにより、２００〜５００℃の温度下で圧着（陽極接
合）することも可能である。
ス層１３を溶融させることにより、前記転写基板８と非
磁性基板１４とを接合して接合体１５を形成する。尚、
この接合は、非磁性基板１４に数１００Ｖの負の電圧を
印加することにより常温で圧着することも可能である。
また、転写基板８にＳｉを用い、非磁性基板１４に結晶
化ガラスを用いることにより、ガラス層１３を形成せず
に、非磁性基板１４に数１００Ｖの負の電圧を印加する
ことにより、２００〜５００℃の温度下で圧着（陽極接
合）することも可能である。
【００１９】次に、図２（ａ）に示すように、前記接合
体１５から転写基板８を取り除き、非磁性基板１４上に
アジマス角θだけ傾斜している斜面１６を有する第１の
磁性膜１０を形成する。尚、この時の転写基板８の除去
は、転写基板８としてＳｉを用いた場合は、ＨＦ＋ＨＮ
Ｏ3あるいはＮａＯＨ等の溶液によるエッチングにより
可能である。また、転写基板８としてＳｉＯ2単結晶を
用いた場合、ＮａＯＨ等によるアルカリエッチング、Ｈ
Ｆ、ＨＮＯ3等の酸エッチングにより等方的にエッチン
グすることにより、転写基板８を取り除くことが可能で
ある。
体１５から転写基板８を取り除き、非磁性基板１４上に
アジマス角θだけ傾斜している斜面１６を有する第１の
磁性膜１０を形成する。尚、この時の転写基板８の除去
は、転写基板８としてＳｉを用いた場合は、ＨＦ＋ＨＮ
Ｏ3あるいはＮａＯＨ等の溶液によるエッチングにより
可能である。また、転写基板８としてＳｉＯ2単結晶を
用いた場合、ＮａＯＨ等によるアルカリエッチング、Ｈ
Ｆ、ＨＮＯ3等の酸エッチングにより等方的にエッチン
グすることにより、転写基板８を取り除くことが可能で
ある。
【００２０】次に、図２（ｂ）に示すように、前記第１
の磁性膜１０の斜面１６上にＳｉＯ2等の非磁性材料よ
りなるギャップスペーサ膜１７を形成する。
の磁性膜１０の斜面１６上にＳｉＯ2等の非磁性材料よ
りなるギャップスペーサ膜１７を形成する。
【００２１】次に、図２（ｃ）に示すように、前記非磁
性基板１４及び第１の磁性膜１０上にギャップスペーサ
膜１７を介してセンダスト、アモルファス合金等の第２
の磁性膜１８をスパッタリング等により形成する。
性基板１４及び第１の磁性膜１０上にギャップスペーサ
膜１７を介してセンダスト、アモルファス合金等の第２
の磁性膜１８をスパッタリング等により形成する。
【００２２】最後に、図２（ｄ）に示すように、前記第
２の磁性膜１８を研磨あるいはエッチバック法等により
第１の磁性膜１０が露出するまで除去し、ギャップスペ
ーサ膜１７のギャップ形成部分が所定のギャップ長にな
るまで、前記第１、第２の磁性膜１０、１８の平坦化を
行い、本実施例の薄膜磁気ヘッドのギャップ部分を形成
する。
２の磁性膜１８を研磨あるいはエッチバック法等により
第１の磁性膜１０が露出するまで除去し、ギャップスペ
ーサ膜１７のギャップ形成部分が所定のギャップ長にな
るまで、前記第１、第２の磁性膜１０、１８の平坦化を
行い、本実施例の薄膜磁気ヘッドのギャップ部分を形成
する。
【００２３】図３は上述の製造方法により形成された薄
膜磁気ヘッドのギャップ近傍部を示す図である。第１の
磁性膜１０の斜面１６上に形成されたギャップスペーサ
膜１７の部分が、磁気ギャップ１９となる。
膜磁気ヘッドのギャップ近傍部を示す図である。第１の
磁性膜１０の斜面１６上に形成されたギャップスペーサ
膜１７の部分が、磁気ギャップ１９となる。
【００２４】上述した本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、アジマス角だけ傾斜している傾斜部９を有す
る転写基板８に成膜した第１の磁性膜１０を非磁性基板
１４上に転写し、前記傾斜部９上に被着した部分をギャ
ップ面とすることにより、アジマス角だけ傾斜している
ギャップ面を形成しており、従来のように磁性膜を機械
加工により直接切断してギャップ面を形成することは行
っていないため、ギャップ面に加工変質層が形成される
ことはない。また、従来のように、刃物の丸みの部分を
考慮する必要がないため、トラックずれが生じることも
なく、隣接トラックからのクロストーク成分の再生が抑
えられる。さらに、機械加工によりギャップ面を形成し
ていないため、巻線を薄膜コイルにより形成することが
可能となる。
方法では、アジマス角だけ傾斜している傾斜部９を有す
る転写基板８に成膜した第１の磁性膜１０を非磁性基板
１４上に転写し、前記傾斜部９上に被着した部分をギャ
ップ面とすることにより、アジマス角だけ傾斜している
ギャップ面を形成しており、従来のように磁性膜を機械
加工により直接切断してギャップ面を形成することは行
っていないため、ギャップ面に加工変質層が形成される
ことはない。また、従来のように、刃物の丸みの部分を
考慮する必要がないため、トラックずれが生じることも
なく、隣接トラックからのクロストーク成分の再生が抑
えられる。さらに、機械加工によりギャップ面を形成し
ていないため、巻線を薄膜コイルにより形成することが
可能となる。
【００２５】尚、上述の図１（ｆ）の接合工程を、ガラ
ス層１３を用いる代わりに、両者の接合面間に金属アル
コシド（例えば、テトラエトキシシランＳｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4等の）アルコール溶液を浸透させ、その後、２
〜３００℃に加熱して乾燥シリカゲルあるいはＳｉＯ2
層をゾル−ゲル反応によって形成することによって行っ
てもよい。
ス層１３を用いる代わりに、両者の接合面間に金属アル
コシド（例えば、テトラエトキシシランＳｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4等の）アルコール溶液を浸透させ、その後、２
〜３００℃に加熱して乾燥シリカゲルあるいはＳｉＯ2
層をゾル−ゲル反応によって形成することによって行っ
てもよい。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、ギャップ面への加工変
質層の発生を抑えることにより、記録再生特性の劣化を
防止し、且つトラックずれによる隣接トラックからのク
ロストーク成分の再生を防止し、さらに巻線を薄膜コイ
ルにより形成することを可能にした薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供し得る。
質層の発生を抑えることにより、記録再生特性の劣化を
防止し、且つトラックずれによる隣接トラックからのク
ロストーク成分の再生を防止し、さらに巻線を薄膜コイ
ルにより形成することを可能にした薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供し得る。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程
図である。
図である。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程
図である。
図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドのギャップ近傍部を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドのギャップ近傍部を示す
平面図である。
平面図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程図
である。
である。
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程図
である。
である。
８ 転写基板 ９ 傾斜部 １０ 第１の磁性膜 １１ 平滑面 １４ 非磁性基板 １５ 接合体 １６ 斜面 １７ ギャップスペーサ膜 １８ 第２の磁性膜
Claims (1)
- 【請求項１】 上面にアジマス角に等しい角度だけ傾斜
している傾斜部を有する転写基板上に第１の磁性膜を形
成する第１の工程と、前記第１の磁性膜を前記転写基板
が露出するまで除去し平滑面を形成する第２の工程と、
前記転写基板の平滑面を非磁性基板に接合して接合体を
形成する第３の工程と、前記接合体から上記転写基板を
取り除き、前記第１の磁性膜にアジマス角だけ傾斜して
いる斜面を形成する第４の工程と、前記斜面上にギャッ
プスペーサ膜を形成する第５の工程と、前記第１の磁性
膜及び前記非磁性基板上に上記ギャップスペーサ膜を介
して第２の磁性膜を形成する第６の工程と、前記第２の
磁性膜を上記第１の磁性膜が露出するまで除去し平坦化
する第７の工程とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29019592A JPH06139520A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29019592A JPH06139520A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06139520A true JPH06139520A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17752990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29019592A Pending JPH06139520A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06139520A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679405A (en) * | 1990-07-16 | 1997-10-21 | National Semiconductor Corp. | Method for preventing substrate backside deposition during a chemical vapor deposition operation |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP29019592A patent/JPH06139520A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679405A (en) * | 1990-07-16 | 1997-10-21 | National Semiconductor Corp. | Method for preventing substrate backside deposition during a chemical vapor deposition operation |
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