JPH05314428A - 複合型磁気ヘッド - Google Patents
複合型磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH05314428A JPH05314428A JP12319992A JP12319992A JPH05314428A JP H05314428 A JPH05314428 A JP H05314428A JP 12319992 A JP12319992 A JP 12319992A JP 12319992 A JP12319992 A JP 12319992A JP H05314428 A JPH05314428 A JP H05314428A
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- JP
- Japan
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- metal magnetic
- magnetic film
- film
- track width
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気ギャップ近傍に金属磁性膜を配した複合型
磁気ヘッドにおいて、うず電流損失が少なく、かつ高精
度なトラック幅を歩留まりよく製造できる複合型磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。 【構成】トラック幅を規制するための切り欠き溝によ
り、その一部を除去される金属磁性膜２の１層の厚み
を、切り欠き溝により除去されない金属磁性膜２’の１
層の厚みよりも大きくする。 【効果】切り欠き溝加工時の金属磁性膜２のはく離等が
少なくなり、高精度なトラック幅を歩留まり良く製造す
ることのできる複合型磁気ヘッドが可能となる。
磁気ヘッドにおいて、うず電流損失が少なく、かつ高精
度なトラック幅を歩留まりよく製造できる複合型磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。 【構成】トラック幅を規制するための切り欠き溝によ
り、その一部を除去される金属磁性膜２の１層の厚み
を、切り欠き溝により除去されない金属磁性膜２’の１
層の厚みよりも大きくする。 【効果】切り欠き溝加工時の金属磁性膜２のはく離等が
少なくなり、高精度なトラック幅を歩留まり良く製造す
ることのできる複合型磁気ヘッドが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ギャップ近傍に金
属磁性膜を配した複合型磁気ヘッドにおいて、上記磁性
膜のうず電流損失を抑制するとともに、トラック幅を高
精度に製造するのに好適な複合型磁気ヘッドを提供する
ものである。
属磁性膜を配した複合型磁気ヘッドにおいて、上記磁性
膜のうず電流損失を抑制するとともに、トラック幅を高
精度に製造するのに好適な複合型磁気ヘッドを提供する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＶＴＲの高画質化に対処するた
め、磁気ヘッドも従来のフェライトヘッドから、磁気ギ
ャップ近傍に金属磁性膜を配したＭＩＧ（Ｍetal In Ｇ
ap）ヘッドと呼ばれる複合型磁気ヘッドが開発されてい
る。一方、上記金属磁性膜は電気比抵抗が小さいため、
うず電流損失が発生し、実効透磁率が下がってしまう欠
点を有する。このため、特開平１−２２４９０６号公報
に見られるごとく、金属磁性膜をＳiＯ2等の絶縁膜と交
互にスパッタリング等で形成することにより、磁性膜の
１層の厚みを小さくし、多層の磁性膜とすることによ
り、上記うず電流損失を抑制している。さらに、トラッ
ク幅精度を向上させるため、上記多層の金属磁性膜の磁
気ギャップ近傍に切り欠きを施す狭トラック加工を行っ
ている。これにより、金属磁性膜の厚みばらつきによる
トラック幅精度の誤差をなくしている。
め、磁気ヘッドも従来のフェライトヘッドから、磁気ギ
ャップ近傍に金属磁性膜を配したＭＩＧ（Ｍetal In Ｇ
ap）ヘッドと呼ばれる複合型磁気ヘッドが開発されてい
る。一方、上記金属磁性膜は電気比抵抗が小さいため、
うず電流損失が発生し、実効透磁率が下がってしまう欠
点を有する。このため、特開平１−２２４９０６号公報
に見られるごとく、金属磁性膜をＳiＯ2等の絶縁膜と交
互にスパッタリング等で形成することにより、磁性膜の
１層の厚みを小さくし、多層の磁性膜とすることによ
り、上記うず電流損失を抑制している。さらに、トラッ
ク幅精度を向上させるため、上記多層の金属磁性膜の磁
気ギャップ近傍に切り欠きを施す狭トラック加工を行っ
ている。これにより、金属磁性膜の厚みばらつきによる
トラック幅精度の誤差をなくしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したごとく、複合
型磁気ヘッドにおいては、うず電流損失を抑制するた
め、金属磁性膜を絶縁膜を介した多層にするとともに、
トラック幅精度を向上させるため、金属磁性膜の一部に
狭トラック加工を施すことが有効である。この狭トラッ
ク加工法としては、研削加工等の機械加工法が、加工能
率、加工精度の両面から多く用いられている。しかしな
がら、多層の金属磁性膜の一部を研削加工による除去加
工を行うと、金属磁性膜及び絶縁膜を同時に研削するこ
とになり、しかもトラック幅を決定する切り欠き部の境
界は、絶縁膜と非常に近くなるため、金属磁性膜の一部
が絶縁膜との界面からはく離しやすく、トラック幅を精
度良く、しかも高能率に加工することが難しくなる。そ
こで、本発明では多層からなる金属磁性膜の一部の狭ト
ラック加工を施し、トラック幅を高精度に歩留り良く製
造するために好適な複合型磁気ヘッドを提供するもので
ある。
型磁気ヘッドにおいては、うず電流損失を抑制するた
め、金属磁性膜を絶縁膜を介した多層にするとともに、
トラック幅精度を向上させるため、金属磁性膜の一部に
狭トラック加工を施すことが有効である。この狭トラッ
ク加工法としては、研削加工等の機械加工法が、加工能
率、加工精度の両面から多く用いられている。しかしな
がら、多層の金属磁性膜の一部を研削加工による除去加
工を行うと、金属磁性膜及び絶縁膜を同時に研削するこ
とになり、しかもトラック幅を決定する切り欠き部の境
界は、絶縁膜と非常に近くなるため、金属磁性膜の一部
が絶縁膜との界面からはく離しやすく、トラック幅を精
度良く、しかも高能率に加工することが難しくなる。そ
こで、本発明では多層からなる金属磁性膜の一部の狭ト
ラック加工を施し、トラック幅を高精度に歩留り良く製
造するために好適な複合型磁気ヘッドを提供するもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、絶縁膜と絶縁膜
との間の１層の金属磁性膜の厚みを、狭トラック加工を
施す部分と狭トラック加工を施さない部分とで異なるよ
うに形成した。つまり、狭トラック加工を施す部分の金
属磁性膜の１層の厚みを、狭トラック加工を施さない部
分の金属磁性膜に１層の厚みよりも大きくした。
との間の１層の金属磁性膜の厚みを、狭トラック加工を
施す部分と狭トラック加工を施さない部分とで異なるよ
うに形成した。つまり、狭トラック加工を施す部分の金
属磁性膜の１層の厚みを、狭トラック加工を施さない部
分の金属磁性膜に１層の厚みよりも大きくした。
【０００５】
【作用】上述したごとく、狭トラック加工を施す部分の
金属磁性膜の１層の厚みを大きくすることにより、トラ
ック幅を決定する切り欠き部の境界と絶縁膜との間の金
属磁性膜の残りの厚みも従来よりも大きくすることが可
能になるため、上記加工において、金属磁性膜が絶縁膜
との界面よりはく離することがなくなり、トラック幅精
度の向上及び歩留り向上が可能となる。
金属磁性膜の１層の厚みを大きくすることにより、トラ
ック幅を決定する切り欠き部の境界と絶縁膜との間の金
属磁性膜の残りの厚みも従来よりも大きくすることが可
能になるため、上記加工において、金属磁性膜が絶縁膜
との界面よりはく離することがなくなり、トラック幅精
度の向上及び歩留り向上が可能となる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。図１は、本発明の一実施例を示す複合型磁気ヘッ
ドの部分平面図、図２は、その製造過程の一部を示す部
分斜視図である。１は非磁性のセラミック基板、２、
２’は金属磁性膜であり、３の絶縁膜により多層に形成
されている。４、４’は充填ガラスであり、磁気ギャッ
プ５は各々の磁気コア１１、及び１２をガラスボンディ
ングし形成する。Ｔｗはトラック幅寸法を示す。６は、
トラック幅Ｔｗを規制するための機械加工による切り欠
き溝である。
する。図１は、本発明の一実施例を示す複合型磁気ヘッ
ドの部分平面図、図２は、その製造過程の一部を示す部
分斜視図である。１は非磁性のセラミック基板、２、
２’は金属磁性膜であり、３の絶縁膜により多層に形成
されている。４、４’は充填ガラスであり、磁気ギャッ
プ５は各々の磁気コア１１、及び１２をガラスボンディ
ングし形成する。Ｔｗはトラック幅寸法を示す。６は、
トラック幅Ｔｗを規制するための機械加工による切り欠
き溝である。
【０００７】非磁性のセラミック基板１に所定のピッチ
(たとえば０.４mm）にＶ溝（たとえば先端角６０゜）等
の溝を形成し、この斜面に、たとえばＣｏ系の非晶質金
属磁性膜２及び２’をＳiＯ2等の絶縁膜３を介して多層
にスパッタリング等で形成する。たとえば、トラック幅
Ｔｗ２１μｍのヘッドを製造する場合、一層の厚み６μ
ｍの非晶質金属磁性膜２を厚み０.１μｍのＳｉＯ2絶縁
膜３を介して７層形成した後、厚み３μｍの非晶質金属
膜２’を同様に６層形成し、約６０μｍの非晶質金属磁
性膜を形成する。この後、充填ガラス４を埋込み、さら
に上面を研削、研磨等の手段により平坦化する。なお、
前記充填ガラス４は必ずしも埋め込む必要はない。しか
る後、トラック幅Ｔｗ２１μｍを規制するための切り欠
き溝６を形成する。この方法として、たとえば、粒度＃
８００のダイヤモンド砥石を用いて、非晶質金属磁性膜
２の一部を除去し、トラック幅Ｔw２1μｍになるよう溝
入れ研削を施す。上記非晶質金属磁性膜２の１層の厚み
を６μｍと非晶質金属磁性膜２’の１層の厚み３μｍと
変えることにより、前記トラック幅Ｔｗを規制するため
の切り欠き溝が除去する非晶質金属磁性膜２の１部は、
１層の厚みが６μｍと大きくなるため、上記切り欠き溝
による加工の際に絶縁膜との界面から金属磁性膜２の１
部がはく離することが少なくなる。しかも、トラック幅
Ｔｗ２１μｍを規制するための前記切り欠き溝の境界
が、１層が３μｍと薄い非晶質金属磁性膜２’から数μ
ｍ離れたところとなるため、同様に絶縁膜３の界面から
の非晶質金属磁性膜２のはく離が少なくなる効果があ
る。以上により製造した２つのコアブロック１１及び１
２をガラスボンディングし、所定のチップコアに切断す
ることにより図１に示した複合型磁気ヘッドが製造でき
る。
(たとえば０.４mm）にＶ溝（たとえば先端角６０゜）等
の溝を形成し、この斜面に、たとえばＣｏ系の非晶質金
属磁性膜２及び２’をＳiＯ2等の絶縁膜３を介して多層
にスパッタリング等で形成する。たとえば、トラック幅
Ｔｗ２１μｍのヘッドを製造する場合、一層の厚み６μ
ｍの非晶質金属磁性膜２を厚み０.１μｍのＳｉＯ2絶縁
膜３を介して７層形成した後、厚み３μｍの非晶質金属
膜２’を同様に６層形成し、約６０μｍの非晶質金属磁
性膜を形成する。この後、充填ガラス４を埋込み、さら
に上面を研削、研磨等の手段により平坦化する。なお、
前記充填ガラス４は必ずしも埋め込む必要はない。しか
る後、トラック幅Ｔｗ２１μｍを規制するための切り欠
き溝６を形成する。この方法として、たとえば、粒度＃
８００のダイヤモンド砥石を用いて、非晶質金属磁性膜
２の一部を除去し、トラック幅Ｔw２1μｍになるよう溝
入れ研削を施す。上記非晶質金属磁性膜２の１層の厚み
を６μｍと非晶質金属磁性膜２’の１層の厚み３μｍと
変えることにより、前記トラック幅Ｔｗを規制するため
の切り欠き溝が除去する非晶質金属磁性膜２の１部は、
１層の厚みが６μｍと大きくなるため、上記切り欠き溝
による加工の際に絶縁膜との界面から金属磁性膜２の１
部がはく離することが少なくなる。しかも、トラック幅
Ｔｗ２１μｍを規制するための前記切り欠き溝の境界
が、１層が３μｍと薄い非晶質金属磁性膜２’から数μ
ｍ離れたところとなるため、同様に絶縁膜３の界面から
の非晶質金属磁性膜２のはく離が少なくなる効果があ
る。以上により製造した２つのコアブロック１１及び１
２をガラスボンディングし、所定のチップコアに切断す
ることにより図１に示した複合型磁気ヘッドが製造でき
る。
【０００８】なお、上記非晶質金属磁性膜２は、極端な
場合単層にしてもさしつかえない。
場合単層にしてもさしつかえない。
【０００９】
【発明の効果】以上のごとく、トラック幅Ｔｗを規制す
るために切り欠き溝６により一部を除去される非晶質金
属磁性膜２の一層の厚みを、非晶質金属磁性膜２’の一
層の厚みよりも大きくすることにより、前記切り欠き溝
形成時の非晶質金属磁性膜２の絶縁膜３の界面からのは
く離等が少なくなりトラック幅精度の向上及び歩留まり
向上が可能となる。しかも、磁気ギャップ５の近傍の非
晶質金属磁性膜２’の一層の厚みは小さくできるため、
金属磁性膜のうず電流損失を少なくできるため、高性能
ヘッドが可能となる。
るために切り欠き溝６により一部を除去される非晶質金
属磁性膜２の一層の厚みを、非晶質金属磁性膜２’の一
層の厚みよりも大きくすることにより、前記切り欠き溝
形成時の非晶質金属磁性膜２の絶縁膜３の界面からのは
く離等が少なくなりトラック幅精度の向上及び歩留まり
向上が可能となる。しかも、磁気ギャップ５の近傍の非
晶質金属磁性膜２’の一層の厚みは小さくできるため、
金属磁性膜のうず電流損失を少なくできるため、高性能
ヘッドが可能となる。
【図１】本発明の一実施例を示す複合型磁気ヘッドの部
分平面図である。
分平面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す複合型磁気ヘッドの製
造過程の一部を示す部分斜視図である。
造過程の一部を示す部分斜視図である。
１…非磁性セラミック基板、２、２’…金属磁性膜、３
…絶縁膜、４、４’…充填ガラス、５…磁気ギャップ、
６…切り欠き溝、Ｔｗ…トラック幅寸法。
…絶縁膜、４、４’…充填ガラス、５…磁気ギャップ、
６…切り欠き溝、Ｔｗ…トラック幅寸法。
Claims (1)
- 【請求項１】磁気ギャップ近傍に薄い絶縁膜を介在さ
せ、多層からなる金属磁性膜を配し、該金属磁性膜の一
部に切り欠きを設けることによりトラック幅を決定する
複合型磁気ヘッドにおいて、切り欠きを施す部分の金属
磁性膜の一層の厚みを、切り欠きを施さない部分の金属
磁性膜の一層の厚みよりも大きくしたことを特徴とした
複合型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12319992A JPH05314428A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 複合型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12319992A JPH05314428A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 複合型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314428A true JPH05314428A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14854650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12319992A Pending JPH05314428A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 複合型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05314428A (ja) |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP12319992A patent/JPH05314428A/ja active Pending
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