JPS6260115A - 磁気抵抗効果型ヘツド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 本発明は磁気テープ装置等に用いられるシャントバイア
ス型の磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法において
、２つのシールド磁性体間に、絶膜される磁気抵抗効果
素子を、そのトランスジューサ部と端子部のみとし、そ
の間の端子引出し部を、磁界による抵抗変化のないバイ
アス導体の端子引出し部により兼備した構成とすること
より、磁気抵抗効果素子のρ−Ｈ特性を正確に１１定す
ることを可能とし、またその磁気抵抗効果素子とバイア
ス導体とをケミカルエソチング工程とイオンミリングに
より形成することにより、磁気抵抗効果素子を精度良く
形成するようにしたものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は磁気テープ装置等に用いられる磁気抵抗効果型
ヘッドの改良及びその製造方法に係り、特にシャントバ
イアス型の磁気抵抗効果型ヘッドにおける磁気抵抗効果
素子のρ−Ｈ特性を正確に測定することを可能とするヘ
ッドの構造及びその製造方法に関するものである。

磁気テープ装置等に用いられるシャントバイアス型の磁
気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘヘッと称する）は、バ
イアス導体と直接接合された磁気抵抗効果素子（以下Ｍ
Ｒ素子と称する）の両側に、それぞれ非磁性絶縁層を介
してシールド磁性体を配設した構成から成り、外部の電
流供給部よりＭＲ素子及びバイアス導体に一定電流を供
給することにより、この電流は該ＭＲ素子及びバイアス
導体の抵抗値に応じて分流される。

このバイアス導体に分流する電流にようて発生する磁界
がＭＲ素子のバイアス磁界として働（が、このようなヘ
ッド構成を磁界中においてそのｌ素子のρ−ＩＩ特性を
測定する際に、該素子の端子引出し部の抵抗も磁界によ
って変化し、該特性を正確に測定することが出来ないと
いう問題があり、かかる問題の解消が要求されている。

〔従来の技術〕

第６図は従来のシャントバイアス型のＭＲヘヘッの一例
を示す要部断面図であり、例えばＭｎ−Ｚｎフェライト
などから成るシールド磁性体を兼ねた磁性基板１上に５
ｉ０２等からなる第一絶縁層２を介して第７図の拡大斜
視図に示されるようにＴｉ等からなるバイアス導体３に
直接接合されたパーマロイなどの強磁性体からなるＭＲ
素子４が配設され、その上面に更に５ｉ０２等からなる
第二絶縁層５を介してパーマロイなどからなるシールド
磁性体層６及び５ｉ０２等からなる保護層７が積層され
た構成となっている。

８は磁気テープなどの磁気記録媒体９に対して上記ＭＲ
素子４の端面が露呈したヘッドのスライダ面である。

しかして、かかるヘッドのバイアス導体３とＭＲ素子４
に、外部の電流供給部より一定の電流を供給することに
より、該バイアス導体３に分流する電流によって発生す
る磁界がＭＲ素子４のバイアス磁界トしてバイアスされ
ると共に、シールド磁性体を兼ねた磁性基板１を磁化し
て実効バイアス磁界を増大させて、ＭＲ素子４を適正な
バイアス点で動作させている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところでこのような構成のＭＲヘヘッにおいては、ＭＦ
？素子４のρ−■１特性をヘルムホルツコイル等による
一様な磁界中にて測定する際に、第７図に示すＭＲ素子
４の主要部となるトランスジューサ部４ａの磁界による
抵抗の磁化の他に、両端子引出し部４ｂ＋　４ｃの抵抗
も変化して、これがトランスジューサ部４ａの変化した
抵抗値に重畳され、トランスジューサ部４ａの本来の抵
抗の変化が不明確となり、ＭＲ素子４のρ−Ｈ特性を正
確に測定することが出来ないという問題があり、ＭＲ素
子４の磁気特性の変化や再生特性を劣化させる各種要因
を適切に追跡調査できない欠点があった。

本発明はこのような従来の欠点に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、バイアス導体を利用してＭＲ
素子をトランスジューサ部と磁界による抵抗変化のない
バイアス導体の端子引出し部とで構成するようにしてＭ
Ｒ素子のρ−Ｈ特性を正確に測定することを可能にした
新規なシャントバイアス型のＭＲヘヘッ及びその製造方
法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は上記目的を達成するため、第１図に示すように
シールド磁性体を兼ねた磁性基板２１とシールド磁性体
層２６間に絶縁層２２を介して配設されたバイアス導体
２３と直接接合するＭＲ素子２４が、第２図の部分拡大
図に示すように該バイアス導体２３にり・１して、その
トランスジューサ部２４ａと端子部２４ｃのみが接合さ
れ、該トランスジューサ部２４ａと端子部２４ｃとの間
の端子引出し部を、磁界により抵抗変化の生じない前記
バイアス導体２３の端子引出し部２３ａにより兼ねた構
成とする。

また上記した構成のシャントバイアス型のＭＲヘヘッの
製造方法としては、第３図〜第５図に示すようにシール
ド磁性体を兼ねた磁性基板３１上に第一絶縁層３２を介
してバイアス導体膜３３とＭＲ素子形成用強磁性膜３４
とを順に被着形成し、次に該素子形成用強磁性膜３４を
形成すべきＭＲ素子３６のトランスジューサ部３６ａと
端子部３６ｃの所定形状よりも大きいパターン形状にパ
ターニングする。

その後、パターニングした素子形成用強磁性膜３５とバ
イアス導体膜３３とをドライエツチング工程により一括
して所定素子パターン形状に選択的にパターニングする
。そのパターニングされたバイアス導体３５及びＭＲ素
子３６上に、従来と同様に第二絶縁層とシールド磁性体
層及び保護層を順に被着形成し、更に磁気記録媒体と対
向させる面を切削研磨して前記ＭＲ素子３６のトランス
ジューサ部３６ａが露出するスライダ面を形成すること
により完成させる。

〔作　用〕

このようなヘッド構成とすることにより、磁界中にてＭ
Ｒ素子２４のρ−Ｈ特性を測定する際に、該ＭＲ素子２
４のトランスジューサ部２４ａのみに磁界による抵抗の
変化が生じてＭＲ素子２４の正確なρ−Ｈ特性を測定す
ることが可能となる。

また上記製造方法によりバイアス導体２３とトランスジ
ューサ部２４ａ及び端子部２４ｃとからなるＭＲ素子２
４を精度よく形成することが可能となる。

〔実施例〕

以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。

第１図は本発明に係るＭＲベフドの一実施例を示す要部
断面図である。

図において、２１は例えばＭｎ−Ｚｎフェライトからな
るシールド磁性体を兼ねた磁性基板であり、該磁性基板
２１上にＳｉＯ３からなる第一絶縁層２２を介してＴｉ
などからなるバイアス導体２３と、該バイアス導体２３
と直接接合するパーマロイなどからなるＭＲ素子２４と
が、第２図の部分拡大図に示すように該バイアス導体２
３に対して、そのトランスジューサ部２４ａと端子部２
４ｃのみが接合され、該トランスジューサ部２４ａと端
子部２４ｃとの間の端子引出し部を、磁界によって抵抗
変化の生じない前記バイアス導体２３の端子引出し部２
３ａにより兼ねた構成とする。

その上面に更に、５ｉ０２からなる第二絶縁層２５を介
してパーマロイなどからなるシールド磁性体層２６を及
び５ｉ０２からなる保護層２７が順に積層された構造と
なっている。

２８は磁気テープ等の磁気記録媒体２９に対応するスラ
イダ面である。

しかして、このように構成されたＭＲヘヘッにおいては
、バイアス導体２３と直接接合するパーマロイなどから
なるＭＲ素子２４をトランスジューサ部２４ａと端子部
２４ｃのみとし、その間の端子引出し部を、該バイアス
導体２３の端子引出し部２３ａにより兼ねた構成とする
ことにより、該ＭＲ素子２４のρ−Ｈ特性をヘルムホル
ツコイルによる一様な磁界中にて測定する際に、ＭＲ素
子２４のトランスジューサ部２４ａの抵抗のみが磁界に
より変化するので、該ＭＲ素子２４の正確なρ−Ｈ特性
を測定することが可能となる。

次に上記構成のＭｌ？ヘッドの製造方法の一実施例を説
明する。

先ず、第３図に示すように例えばＭｎ−Ｚｎフェライト
からなるシールド磁性体を兼ねた磁性基板３１上に５ｉ
０２からなる第一絶縁層３２を０．５μｍの厚さに被着
形成する。

次に該第−絶縁層３２上にＴｉなどからなるバイアス導
体膜３３と、該バイアス導体膜３３と直接接合する形に
パーマロイなどからなるＭＲ素子形成用強磁性膜３４と
を、それぞれ０．４　μｍ　、　０．０５μｍの厚さに
順に被着形成する。

次に第４図に示すように前記ＭＲ素子形成用強磁性膜３
４をケミカルエツチングを用いたフォトリソグラフィ工
程により、鎖線により示す形成すべきＭＩ？素子３６の
トランスジューサ部３６ａ　と端子部３６ｃの所定形状
よりも大きいパターン形状にパターニングする。

しかる後、第５図に示すように上記パターニングした素
子形成用強磁性膜３４とバイアス導体膜３３とをイオン
ミリング工程により一括して所定素子パターン形状に選
択的にパターニングしてバイアス導体３５及びＭＲ素子
３６を形成する。以下、形成されたバイアス導体３５及
びＭＲ素子３６上に従来と同様に５ｉ０２からなる第二
絶縁層とパーマロイ等からなるシールド磁性体層及び５
ｉ０２からなる保護層とをそれぞれ１μｍ、１μｍ　、
　０．５μｍの厚さに順に被着形成する。

更に、前記第二絶縁層にスルホールを設けてＭＲ素子３
６の端子部３６ｃに外部接続リードを接続すると共に、
磁気記録媒体と対応する面を切削研磨して前記肝素子３
６の１−ランスジューサ部３６ａが露出するスライダ面
を形成することにより、第１図に示す如き肝へノドが完
成される。

このような？ＩＲヘッドの製造方法によれば、バイアス
導体３５及びトランスジューサ部３６ａと端子部３６ｃ
とからなるＭＲ素子３６を精度よく形成することが可能
となる。またＭＲ素子３６としてトランスジューサ部３
６ａ以外に端子部３６ｃを設けている所以は、上記第二
絶縁層に外部接続リードを接続すべきスルホールを設け
る際に、バイアス導体３５を保護するためである。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように、本発明に係るＭＲヘヘ
ッによれば、ＭＲ素子のトランスジューサ部の抵抗のみ
が磁界により変化するので、該ＭＲ素子の正確なρ−Ｈ
特性を測定することが可能となり、例えば、ヘッド加工
時の機械的応力によるＭｌ？素子の磁気特性の変化や磁
気テープ走行系の不備による再生特性の劣化などの、再
生特性に影響を及ぼす各種の要因を分離して追跡調査す
ることができる優れた利点を有する。

またその製造方法によれば、バイアス導体及びトランス
ジューサ部と端子部とからなるＭＲｆｆｉ子ヲ精度よく
形成することが可能となる。

従って、本実施例で説明したシールドタイプのシャント
バイアス型１’ｌＲヘツドはもとより、ヨークタイプ、
或いはその他のタイプのシャントバイアス型ＭＲヘッド
及びその製造に通用して極めて有利であり、実用上、優
れた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッドの一実施例
を示す要部断面図、 第２図はバイアス導体及び磁気抵抗効果素子の一実施例
を示す部分拡大斜視図、 第３図乃至第５図は本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法の一実施例を順に 製造方法するための工程図、 第６図は従来の磁気抵抗効果型へノドを説明するための
要部断面図、 第７図は従来のバイアス導体及び磁気抵抗効果素子を示
す部分拡大斜視図である。 第１図乃至第５図において、 ２１、３１は磁性基板、２２．３２は第一絶縁層、２３
、３５はバイアス導体、２３ａはバイアス導体の端子引
出し部、２４．３６はＭＲ素子、２４ａ、　３６ａはト
ランスジューサ部、２４ｃ、３６ｃは端子部、２５は第
二絶縁層、２６はシールド磁性体層、２７は保護層、３
３はバイアス導体膜、３４はＭＲ素子形成用強磁性膜を
それぞれ示す。 ＠　１　図　　　　　　　　第　２２ 庄Ｊｆイーｆかパ介二〉大工Ｉ呈図 第４図 ＭＲ亨Ｊつ１１１＃７−二〉２−工刺冒刀＠　５　図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）２つのシールド磁性体（２１、２６）間に、絶縁
   層（２２、２５）を介してバイアス導体（２３）と直接
   接合した磁気抵抗効果素子（２４）が配設されたヘッド
   構成であって、上記磁気抵抗効果素子（２４）は前記バ
   イアス導体（２３）に対して、そのトランスジューサ部
   （２４ａ）と端子部（２４ｃ）のみが接合され、該トラ
   ンスジューサ部（２４ａ）と端子部（２４ｃ）との間の
   端子引出し部を、前記バイアス導体（２３）の端子引出
   し部（２３ａ）により兼備してなることを特徴とする磁
   気抵抗効果型ヘッド。
2. （２）シールド磁性体を兼ねた磁性基板（３１）上に第
   一絶縁層（３２）を介してバイアス導体膜（３３）と磁
   気抵抗効果素子形成用強磁性膜（３４）とを順に被着形
   成する工程と、該素子形成用強磁性膜（３４）を磁気抵
   抗効果素子（３６）のトランスジューサ部（３６ａ）と
   端子部（３６ｃ）の所定形状よりも大きいパターン形状
   にパターニングする工程と、該パターニングした素子形
   成用強磁性膜（３４）とバイアス導体膜（３３）とをド
   ライエッチング工程により一括して所定素子パターン形
   状に選択的にパターニングする工程とを行った後、パタ
   ーニングされた磁気抵抗効果素子（３６）上に第二絶縁
   層とシールド磁性体層及び保護層を順に被着形成するこ
   とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。