JPS61110320A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS61110320A JPS61110320A JP23216884A JP23216884A JPS61110320A JP S61110320 A JPS61110320 A JP S61110320A JP 23216884 A JP23216884 A JP 23216884A JP 23216884 A JP23216884 A JP 23216884A JP S61110320 A JPS61110320 A JP S61110320A
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- Japan
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- layer
- lower magnetic
- magnetic
- magnetic layer
- lapping
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッド
の製造方法に係り、特に下部磁性層と上部磁性層が非磁
性な絶縁性ギャップ層を介して対向する磁気ギャップ先
端部を精度良く形成する方法に関するものである。
の製造方法に係り、特に下部磁性層と上部磁性層が非磁
性な絶縁性ギャップ層を介して対向する磁気ギャップ先
端部を精度良く形成する方法に関するものである。
近来、磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドとして
は、磁気記録媒体に対する高記録密度化及び高速転送化
が図られ、その形状も益々小型化、高精度化され、記録
・再生に寄与する磁極先端部の磁気ギャップでのヘッド
磁界分布が急峻で、高密度記録が可能な磁気ヘッドが要
望されている。
は、磁気記録媒体に対する高記録密度化及び高速転送化
が図られ、その形状も益々小型化、高精度化され、記録
・再生に寄与する磁極先端部の磁気ギャップでのヘッド
磁界分布が急峻で、高密度記録が可能な磁気ヘッドが要
望されている。
上記した従来の磁気ヘッドは、第3図の平面図及び第3
図に示すA−A’切断線に沿った第4図の要部断面図に
示すように、例えば非磁性基板1上に下部磁性層2及び
5i02等からなるギャップ層3がスパッタリング法等
の*膜形成方法とフォトリングラフィ工程によって所定
パターンに形成されている。
図に示すA−A’切断線に沿った第4図の要部断面図に
示すように、例えば非磁性基板1上に下部磁性層2及び
5i02等からなるギャップ層3がスパッタリング法等
の*膜形成方法とフォトリングラフィ工程によって所定
パターンに形成されている。
又、前記下部磁性層2及びギャップ層3が形成された基
板1上の所定領域に、例えばレジスト材等を熱硬化して
形成された第1樹脂絶縁層4を介してコイル導体層5及
び第2樹脂絶縁NI6がスパッタリング法やメッキ法等
とフォトリソグラフィ工程等により所定パターンに形成
されている。
板1上の所定領域に、例えばレジスト材等を熱硬化して
形成された第1樹脂絶縁層4を介してコイル導体層5及
び第2樹脂絶縁NI6がスパッタリング法やメッキ法等
とフォトリソグラフィ工程等により所定パターンに形成
されている。
更にその上面には、上部磁性層7がメッキ法及びフォト
リソグラフィ工程等により所定パターンに形成され、該
上部磁性層7上にAj203等からなる厚い保護絶縁層
8をスパッタリング法等により被着した後、磁気記録媒
体と対向する下部磁性層2及び上部磁性層7の先端面が
露出するスライダ面を平面研磨して、所定ギャップ深さ
に仕上げることにより完成させている。
リソグラフィ工程等により所定パターンに形成され、該
上部磁性層7上にAj203等からなる厚い保護絶縁層
8をスパッタリング法等により被着した後、磁気記録媒
体と対向する下部磁性層2及び上部磁性層7の先端面が
露出するスライダ面を平面研磨して、所定ギャップ深さ
に仕上げることにより完成させている。
ところで上記の如き構成のiFJ磁気ヘッドにおける磁
気変換特性を左右するパラメーターとしては、第4図に
示すギヤツブ長二g、ギャップ深さ: Dg+磁極長:
p、ヨーク長:Lなどがあげられる。
気変換特性を左右するパラメーターとしては、第4図に
示すギヤツブ長二g、ギャップ深さ: Dg+磁極長:
p、ヨーク長:Lなどがあげられる。
特にギヤツブ長二g及びギャップ深さ80gの精度が当
該磁気ヘッドの磁気記録能力及び再生効率に大きな影響
を与えることは周知であり、これらを如何に精度良く形
成するかが、薄膜磁気ヘッドの製造上、極めて重要な課
題となっている。
該磁気ヘッドの磁気記録能力及び再生効率に大きな影響
を与えることは周知であり、これらを如何に精度良く形
成するかが、薄膜磁気ヘッドの製造上、極めて重要な課
題となっている。
例えば薄膜磁気ヘッドの製造において、従来、ギャップ
深さを所定寸法に仕上げるには、ギャップ層3を介して
対向配置した下部磁性層2と上部磁性層7の磁気記録媒
体と対向する先端部を、ラフピング研磨と顕微鏡による
目視によりギャップ深さを測定しながら、所定ギャップ
深さ寸法に仕上げるといった方法が用いられているため
、かなりの熟練を要し、充分な仕上げ精度を確保するこ
とが困難なる欠点があった。
深さを所定寸法に仕上げるには、ギャップ層3を介して
対向配置した下部磁性層2と上部磁性層7の磁気記録媒
体と対向する先端部を、ラフピング研磨と顕微鏡による
目視によりギャップ深さを測定しながら、所定ギャップ
深さ寸法に仕上げるといった方法が用いられているため
、かなりの熟練を要し、充分な仕上げ精度を確保するこ
とが困難なる欠点があった。
上記問題点は、下部磁性層が形成された基板上に、所定
パターンの非磁性な絶縁性ギャップ層及び絶縁層を介し
てコイル導体層、絶縁層を順に積層形成し、更に該コイ
ル導体層上の絶縁層及び前記下部磁性層上に上部磁性層
、保護層を形成した後、磁気記録媒体と対向する上下磁
性層先端面を露出するスライダ面を、所定ギャップ深さ
となる研磨仕上げの終了点と定めた上下磁性層間の測定
電気抵抗値の変化点が検出されるまで研磨するようにし
た本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によって解決
される。
パターンの非磁性な絶縁性ギャップ層及び絶縁層を介し
てコイル導体層、絶縁層を順に積層形成し、更に該コイ
ル導体層上の絶縁層及び前記下部磁性層上に上部磁性層
、保護層を形成した後、磁気記録媒体と対向する上下磁
性層先端面を露出するスライダ面を、所定ギャップ深さ
となる研磨仕上げの終了点と定めた上下磁性層間の測定
電気抵抗値の変化点が検出されるまで研磨するようにし
た本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法によって解決
される。
即ち、下部磁性層が形成された基板上に、所定ギャップ
深さを構成し得るパターンの非磁性な絶縁性ギャップ層
を形成しておき、これらの上面に絶縁層を介してコイル
導体層、絶縁層を順に形成した後、更に該絶縁層及び下
部磁性層先端部上に上部磁性層、保護層を順に形成して
、下部磁性層と上部磁性層とをその先端部で電気的に導
通状態とする。
深さを構成し得るパターンの非磁性な絶縁性ギャップ層
を形成しておき、これらの上面に絶縁層を介してコイル
導体層、絶縁層を順に形成した後、更に該絶縁層及び下
部磁性層先端部上に上部磁性層、保護層を順に形成して
、下部磁性層と上部磁性層とをその先端部で電気的に導
通状態とする。
しかして、該下部磁性層と上部磁性層の他端を電気抵抗
変化検出器に接続した状態で該下部磁性層と上部磁性層
が導通状態にある磁気記録媒体と対向する先端部をラッ
ピングすることにより、該下部磁性層と上部磁性層の導
通状態部分がラフピング除去されて前記絶縁性ギャップ
層の介在部分が露呈する際に電気抵抗が変化する。この
抵抗変化を検出した時点を、ラッピング仕上げ終了点と
することで、ギャップ深さを所定寸法に精度良くラッピ
ング仕上げすることが可能となる。
変化検出器に接続した状態で該下部磁性層と上部磁性層
が導通状態にある磁気記録媒体と対向する先端部をラッ
ピングすることにより、該下部磁性層と上部磁性層の導
通状態部分がラフピング除去されて前記絶縁性ギャップ
層の介在部分が露呈する際に電気抵抗が変化する。この
抵抗変化を検出した時点を、ラッピング仕上げ終了点と
することで、ギャップ深さを所定寸法に精度良くラッピ
ング仕上げすることが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第1図及び第2図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を順に説明するための要部断面図である
。
方法の一実施例を順に説明するための要部断面図である
。
先ず、第1図に示すように例えばガラス、又はセラミッ
クスなどから成る非磁性基板21上に、スパッタリング
法及びフォトリソグラフィ工程等によりパーマロイから
成る下部磁性層22を、その先端部を従来よりも長くし
た所定パターンに形成する。
クスなどから成る非磁性基板21上に、スパッタリング
法及びフォトリソグラフィ工程等によりパーマロイから
成る下部磁性層22を、その先端部を従来よりも長くし
た所定パターンに形成する。
次に該下部磁性層22上に所定ギャップ深さを構成し得
るパターン形状に非磁性な5i02等からなる絶縁性ギ
ャップ層23を形成する。
るパターン形状に非磁性な5i02等からなる絶縁性ギ
ャップ層23を形成する。
しかる後、前記下部磁性層22及び絶縁性ギャップ層2
3が形成された基板21上の所定領域に、例えばレジス
ト材等を熱硬化して形成された第2樹脂絶縁N26を介
して、コイル導体層25及び第2樹脂絶縁N26をスパ
ッタリング法やメッキ法等とフォトリソゲラフイエ程等
により所定パターンに形成する。
3が形成された基板21上の所定領域に、例えばレジス
ト材等を熱硬化して形成された第2樹脂絶縁N26を介
して、コイル導体層25及び第2樹脂絶縁N26をスパ
ッタリング法やメッキ法等とフォトリソゲラフイエ程等
により所定パターンに形成する。
その上面に、引続きパーマロイから成る上部磁性層27
を、メッキ法及びフォトリングラフィ工程等によりその
先端部が前記下部磁性層22の先端部上に図示のように
直接被着した所定パターン形状に形成すると共に、更に
、該上部磁性層27及びそれと連なる前記第2樹脂絶縁
層26上に、Al2O3等からなる厚い保護絶縁層28
をスパッタリング法等により被着形成する。
を、メッキ法及びフォトリングラフィ工程等によりその
先端部が前記下部磁性層22の先端部上に図示のように
直接被着した所定パターン形状に形成すると共に、更に
、該上部磁性層27及びそれと連なる前記第2樹脂絶縁
層26上に、Al2O3等からなる厚い保護絶縁層28
をスパッタリング法等により被着形成する。
尚、本実施例では前記下部磁性層22及び上部磁性層2
7を形成する際に、それぞれ外部接続リード線22a
、 27a も同時に形成しておく。
7を形成する際に、それぞれ外部接続リード線22a
、 27a も同時に形成しておく。
その後、磁気記録媒体と対向する前記下部磁性層22及
び上部磁性層27の先端部を所定寸法分切断した後、該
下部磁性/1F22及び上部磁性層27の各外部接続リ
ード線22a、27aを電気抵抗変化検出器29に接続
した状態で、該切断先端面が露出するスライダ面の平面
ランピングを行う。
び上部磁性層27の先端部を所定寸法分切断した後、該
下部磁性/1F22及び上部磁性層27の各外部接続リ
ード線22a、27aを電気抵抗変化検出器29に接続
した状態で、該切断先端面が露出するスライダ面の平面
ランピングを行う。
この際、図中、B−B’ 線までラッピングされると前
記下部磁性層22と上部磁性層27との間の電気的導通
がなくなり、この現象が前記電気抵抗変化検出器29に
より検出される。この検出時点を例えば警報するように
すれば、従来の如き顕微鏡測定に頼ることなく、ラフピ
ング仕上げの終了点を明確に察知することが出来る。
記下部磁性層22と上部磁性層27との間の電気的導通
がなくなり、この現象が前記電気抵抗変化検出器29に
より検出される。この検出時点を例えば警報するように
すれば、従来の如き顕微鏡測定に頼ることなく、ラフピ
ング仕上げの終了点を明確に察知することが出来る。
従って第2図に示すように所望とするギャップ深さ寸法
に精度よく仕上げることが可能となり、ギャップ深さ精
度の良い薄膜磁気ヘッドを得ることが出来る。
に精度よく仕上げることが可能となり、ギャップ深さ精
度の良い薄膜磁気ヘッドを得ることが出来る。
尚、上記ラフピング仕上げ終了後は、前記外部接続リー
ド線22a 、 27aが不要となるので削除する。
ド線22a 、 27aが不要となるので削除する。
又、以上の実施例では下部磁性層22と上部磁性層27
がラフピング仕上げ終了後、電気的に絶縁された構成の
場合の例について説明したが、本発明はこの例に限定さ
れるものではなく、例えば第4図°に示すように下部磁
性層2と上部磁性層7がコイル導体層5の中央部にて接
続穴により接続された構成の場合にも本方法を通用回部
なことはいうまでもない。
がラフピング仕上げ終了後、電気的に絶縁された構成の
場合の例について説明したが、本発明はこの例に限定さ
れるものではなく、例えば第4図°に示すように下部磁
性層2と上部磁性層7がコイル導体層5の中央部にて接
続穴により接続された構成の場合にも本方法を通用回部
なことはいうまでもない。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
へラドの製造方法によれば、磁気ギャップ部のギャップ
深さを所望寸法に精度よく、かつ容易に仕上げることが
可能となり、磁気記録特性の変動がなく、かつ再生効率
の良いWXPA磁気ヘッドを得ることが出来る優れた利
点を有する等、実用上極めて効果的である。
へラドの製造方法によれば、磁気ギャップ部のギャップ
深さを所望寸法に精度よく、かつ容易に仕上げることが
可能となり、磁気記録特性の変動がなく、かつ再生効率
の良いWXPA磁気ヘッドを得ることが出来る優れた利
点を有する等、実用上極めて効果的である。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施例を順に説明するための要部断面図、 第3図及び第4図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を
説明するための上面図、及び第3図に示すA−A’切断
線に沿った断面図である。 図中、21は非磁性基板、22は下部磁性層、22a。 27aは外部接続リード、23は絶縁性ギャップ層、2
4は第1樹脂絶縁層、25はコイ・ル導体層、26は第
2樹脂絶縁層、27は上部磁性層、28は保護絶縁層、
29は電気抵抗変化検出器をそれぞれ示す。 第 3171
方法の一実施例を順に説明するための要部断面図、 第3図及び第4図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を
説明するための上面図、及び第3図に示すA−A’切断
線に沿った断面図である。 図中、21は非磁性基板、22は下部磁性層、22a。 27aは外部接続リード、23は絶縁性ギャップ層、2
4は第1樹脂絶縁層、25はコイ・ル導体層、26は第
2樹脂絶縁層、27は上部磁性層、28は保護絶縁層、
29は電気抵抗変化検出器をそれぞれ示す。 第 3171
Claims (1)
- 下部磁性層が形成された基板上に、所定パターンの非磁
性な絶縁性ギャップ層及び絶縁層を介してコイル導体層
、絶縁層を順に積層形成し、更に該コイル導体層上の絶
縁層及び前記下部磁性層上に上部磁性層、保護層を形成
した後、磁気記録媒体と対向する上下磁性層先端面を露
出するスライダ面を、所定ギャップ深さとなる研磨仕上
げの終了点と定めた上下磁性層間の測定電気抵抗値の変
化点が検出されるまで研磨することを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23216884A JPS61110320A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23216884A JPS61110320A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61110320A true JPS61110320A (ja) | 1986-05-28 |
Family
ID=16935057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23216884A Pending JPS61110320A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61110320A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62279384A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-04 | Toshiba Corp | 画像形成装置 |
JPS62285212A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
US4841402A (en) * | 1986-01-27 | 1989-06-20 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and method of manufacture |
US5187860A (en) * | 1990-07-12 | 1993-02-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing thin film magnetic head |
US5470491A (en) * | 1992-07-03 | 1995-11-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process for producing a thin-film magnetic head having an insulation formed of a ladder-type silicone resin |
US8182705B2 (en) | 2009-10-30 | 2012-05-22 | Tdk Corporation | Method for producing thin film magnetic head having magnetoresistive effect element |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP23216884A patent/JPS61110320A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4841402A (en) * | 1986-01-27 | 1989-06-20 | Hitachi, Ltd. | Thin film magnetic head and method of manufacture |
JPS62279384A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-04 | Toshiba Corp | 画像形成装置 |
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