JPH097121A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド、その製造方法及びウエハ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】磁気抵抗効果素子の浮上面研磨加工後のＭＲ高
さを正確に測定して、所望の電磁変換特性を満足する磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを歩留まりよく製造する方法。 【構成】ウエハ上に、磁気抵抗効果素子Ａと、これとＭ
Ｒ高さ（磁気抵抗効果素子の浮上面に当たる面から奥行
き方向の磁気抵抗効果センサ膜３の寸法）の異なる抵抗
測定用の素子Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３を形成し、これらを含む
部分をスライダーバーとして切断し、これを研磨するこ
とにより、磁気抵抗効果素子Ａの浮上面に当たる面を研
磨して、ＭＲ高さを所望の高さとするときに、ＭＲ高さ
の異なる素子Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３の抵抗値に基づいて、上
記所望の高さを定める磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造
方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記憶装置等に用い
られる磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッド、その製造方法
及び磁気抵抗効果素子が設けられたウエハに関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッド（以
下、ＭＲヘッドという）は、磁気抵抗効果素子（以下、
ＭＲ素子という）を用いた磁気ヘッドである。ＭＲ素子
は、抵抗値が磁界の強さに依存して変化する特性を利用
したもので、再生出力が磁気記録媒体走行速度に依存せ
ず、磁気信号の磁束量のみによって決まるため、低速で
も十分な再生出力が得られ、磁気記録装置の高密度化、
小型化に対して有利である。

【０００３】このＭＲヘッドの製造方法は次の通りであ
る。まず薄膜形成技術及びホトリソグラフィ技術を使用
して、多数の層を積層した素子をウエハ上に作成する。
その後、ウエハを複数個の素子が一列に並んだスライダ
ーバーに切断する。そして、切断されたスライダーバー
の基板を研磨加工することにより、各素子の浮上面に当
たる面を研磨し、磁気抵抗効果センサ膜の寸法（以下、
ＭＲ高さという）を所望の値にする。ここでＭＲ高さと
は、ＭＲ素子の浮上面に当たる面から奥行き方向の磁気
抵抗効果センサ膜の寸法である。

【０００４】ＭＲヘッドにおけるＭＲ高さは、所望の電
気特性を得るための重要な因子であり、実素子それぞれ
のＭＲ高さを把握する必要がある。しかしながら、実素
子それぞれのＭＲ高さは、磁気抵抗効果膜の上に記録用
のヘッドや保護膜等が積層されているので光学的に測定
することは困難である。そこで、浮上面研磨は複数個の
実素子が並んだスライダーバーを実素子とは別に配置さ
れている加工検知素子の抵抗値の変化を測定しながら行
う。

【０００５】この方法により、ＭＲ高さを高精度に制御
する技術が特開平４−３６０００８に記載されている。
この方法は、所望の加工検知素子の最終抵抗と同じ電気
抵抗を有する浮上面研磨ガイドを基板内に設けておい
て、実際の浮上面研磨をこの抵抗値を元にして停止する
もので、高精度に浮上面研磨を行うことができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、スラ
イダーバーの実素子の位置により研磨加工量のばらつき
が生じ、それぞれの実素子のＭＲ高さがある程度異なる
ということに配慮されておらず、そのため、ＭＲヘッド
の製造歩留まりが悪いという問題があった。

【０００７】本発明の第１の目的は、ＭＲ素子の浮上面
研磨加工後のＭＲ高さを正確に測定することのできるウ
エハを提供することにある。本発明の第２の目的は、複
数のＭＲ素子の浮上面研磨加工後のＭＲ高さを正確に測
定することにより、ＭＲヘッドの製造歩留まりを向上さ
せたＭＲヘッドの製造方法を提供することにある。本発
明の第３の目的は、そのような製造方法で製造されたＭ
Ｒヘッドを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために、本発明のウエハは、磁気抵抗効果素子と、こ
の磁気抵抗効果素子のＭＲ高さ（磁気抵抗効果素子の浮
上面に当たる面から奥行き方向の磁気抵抗効果センサ膜
の寸法）と異なるＭＲ高さの他の磁気抵抗効果素子の１
個以上とを配置するようにしたものである。

【０００９】この磁気抵抗効果素子は、複数個を１組と
して同一の方向に配列された素子列を構成し、この素子
列を、ウエハに複数列設け、さらに、上記の他の磁気抵
抗効果素子を各素子列に少なくとも１個配置することが
好ましい。

【００１０】後に磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法
により詳述するが、このウエハは、素子列毎に切断して
スライダーバーとして用いる。よって、スライダーバー
当たり他の磁気抵抗効果素子が１個以上設けられること
が好ましい。一般にこの個数は５個以下が好ましい。

【００１１】また、上記第２の目的を達成するために、
本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法は、ウエ
ハ上に、磁気抵抗効果素子を複数個１組として同一の方
向に配列させて形成し、このウエハの上記１組の磁気抵
抗効果素子が形成された部分を切断してスライダーバー
とし、これを研磨することにより、磁気抵抗効果素子の
浮上面に当たる面を研磨して、ＭＲ高さを所望の高さと
し、スライダーバーを各磁気抵抗効果素子に切断して磁
気ヘッドとするときに、ウエハ上に、上記磁気抵抗効果
素子のＭＲ高さと異なるＭＲ高さを持つ他の磁気抵抗効
果素子を少なくとも１個形成しておき、磁気抵抗効果素
子と他の磁気抵抗効果素子の内から、互いにＭＲ高さの
異なる２個以上の素子を選び、それらの抵抗値に基づい
て、上記研磨の際の上記所望の高さを定めるようにした
ものである。

【００１２】互いにＭＲ高さの異なる２個以上の素子を
選ぶとは、磁気抵抗効果素子から１個と、他の磁気抵抗
効果素子から１個以上を選んでもよく、他の磁気抵抗効
果素子としてＭＲ高さの異なるものを２個以上設けてお
き、それらの２個以上を選んでもよい。また、他の磁気
抵抗効果素子も、そのＭＲ高さを浮上面研磨して得られ
る上記所望の高さより大きくしておけば、浮上面研磨に
より上記所望の高さとすることができるので、製品とし
て用いることができる。

【００１３】この磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法
で、上記の他の磁気抵抗効果素子は、スライダーバーに
少なくとも１個形成されていることが好ましい。また、
磁気抵抗効果素子を複数個１組として同一の方向に配列
させるのは、最終的に形成される浮上面が実質的に直線
上に並ぶように配列させればよい。

【００１４】さらにまた、上記第３の目的を達成するた
めに、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、上記の磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法により、製造される
ようにしたものである。

【００１５】

【作用】磁気抵抗効果素子の浮上面研磨加工後のＭＲ高
さを正確に測定できるため、所望の電磁変換特性を満足
する磁気抵抗効果素子だけを選別することができる。

【００１６】

【実施例】以下、図面を用いて本発明を詳細に説明す
る。 〈実施例１〉図１は、本発明に用いるスライダーバーの
一例の斜視図である。この図においてＡは実素子、Ｂは
ＭＲ高さを変えた抵抗測定用の素子、Ｃは加工検知用の
素子である。もちろん、これらの素子の配置位置及び個
数については、技術的に最適な任意の位置や個数を設定
することができる。例えば、実素子Ａの数はもっと多く
配置される。

【００１７】図２は、実素子Ａにより構成された本発明
のＭＲヘッドの部分斜視図である。この図を元にして、
ウエハ作成プロセスの概要を以下に示す。セラミック基
板１上にＮｉＦｅ等の磁性膜により形成された下部シー
ルド膜２及びアルミナ等の絶縁膜により形成された下部
ギャップ膜（図示せず）があり、その上に磁気抵抗効果
センサ膜３がストライプ状に形成される。磁気抵抗効果
センサ膜３はＮｉＦｅ等の磁性材料を使用した磁気抵抗
効果膜や磁気抵抗効果膜にバイアスを加えるバイアス膜
や磁気抵抗効果膜の磁区を安定させるための磁区制御膜
等の複数の膜で構成されている。さらにこれらの上に
は、磁気抵抗効果センサ膜をセンサーとして働かせるた
めの電流を供給する役割を果たす電極導体膜４が形成さ
れている。

【００１８】さらに、アルミナ等の絶縁膜からなる上部
ギャップ膜（図示せず）、ＮｉＦｅ等の磁性膜によりな
る上部シールド膜５、ライト素子用ギャップ（図示せ
ず）が順番に形成されている。そして、この上に上部磁
性膜６、コイル７、層間絶縁膜８等からなるライトヘッ
ド素子が形成されるが、これは一般的な誘導型の薄膜ヘ
ッド素子であり、詳細は割愛する。最後に、リード線を
接続させるための端子及び素子を保護するための保護膜
（図示せず）を形成してウエハ作成プロセスは完成す
る。

【００１９】次にスライダーバーの作成方法を以下に示
す。上記のように、薄膜形成技術及びホトリソグラフィ
技術を使用して、ウエハ上に多数の層を積層して素子を
作成し、その後、ウエハを複数個の素子が一列にならん
だスライダーバーに切断する。図１はこの状態を示して
いる。次ぎに、切断されたスライダーバーの基板を研磨
加工することにより、基板に形成されているＭＲ素子の
浮上面に当たる面を研磨し（以下、単に浮上面研磨とい
う）、各素子のＭＲ高さを所定の値にする。

【００２０】ＭＲ高さは所望の電気特性を得るための重
要な因子であり、実素子それぞれのＭＲ高さを把握する
必要がある。しかし、前述のように、実素子それぞれの
ＭＲ高さは、磁気抵抗効果膜の上に、記録用のヘッドや
保護膜等が積層されるため、光学的に測定することは困
難である。そこで、ＭＲヘッドそれぞれのＭＲ高さの測
定は、ＭＲヘッドの素子抵抗値から求める。この原理に
ついて図３を用いて説明する。磁気抵抗効果センサ膜３
の抵抗値Ｒは、図３に示すように磁気抵抗効果センサ膜
のシート抵抗ｒ、ＭＲ高さＨ及び磁気抵抗効果センサ膜
に電流を供給する役割を果たす左右の電極導体膜４の間
隔ｗによって決る。これらの関係は、以下の式によって
表される。

【００２１】Ｒ＝ｒ×ｗ／Ｈ すなわち、磁気抵抗効果センサ膜３のシート抵抗ｒと左
右の電極導体膜４の間隔ｗが分かっていれば、磁気抵抗
効果センサ膜の抵抗ＲはＭＲ高さＨに反比例する。従っ
て、ＭＲヘッドの研磨加工後の素子抵抗値を測定するこ
とによりＲが求まれば、ＭＲヘッドのＭＲ高さＨは Ｈ＝ｒ×ｗ／Ｒ から求まることになる。

【００２２】ＭＲヘッドは、磁気抵抗効果センサ膜３と
それに接続した一対の電極導体膜４さらに端子引出し部
が直列に接続された構造である。従って、ＭＲヘッドの
素子抵抗値は、磁気抵抗効果センサ膜３の抵抗、電極導
体膜４の抵抗、端子引出し部の抵抗及びそれら各々の接
触部分に生じた接触抵抗の合計値で表わされる。このた
め、ＭＲヘッドの抵抗を測定しただけでは、磁気抵抗効
果センサ膜３そのものの抵抗値を求めることができず、
電極導体膜４と端子引出し部の抵抗及びそれら各々の接
続部分に生じた接触抵抗を補正しなければならない。そ
こで、本発明においては、ウエハ上にＭＲヘッド素子を
作成する際に少なくとも１種類の実素子と同じ構造でＭ
Ｒ高さのみを変えた素子をウエハ上に同時に作成し、Ｍ
Ｒ高さの異なった素子の端子間の抵抗値を測定すること
により、抵抗値とＭＲ高さとの関係を求め、この抵抗値
とＭＲ高さとの関係を元に浮上面研磨後のＭＲヘッドの
抵抗値から、ＭＲ高さを測定することにした。

【００２３】前述のようにＭＲヘッドの抵抗値は、磁気
抵抗効果センサ膜３の抵抗、電極導体膜４の抵抗、端子
引出し部の抵抗及びそれら各々の接触部分に生じた接触
抵抗の合計値で表わされる。ここで、ＭＲ高さが変わる
と変化する抵抗をＲｖとし、ＭＲ高さＨが変わっても変
化しない抵抗をＲｃとするとＭＲヘッドの抵抗Ｒは、 Ｒ＝ａ×Ｒｖ／Ｈ+Ｒｃ ただし、ａは定数 と表すことができることになる。

【００２４】ここで、ＭＲ高さがＨ１の場合のＭＲヘッ
ドの抵抗をＲ１ ＭＲ高さがＨ２の場合のＭＲヘッドの抵抗をＲ２ とすると Ｒ１＝ａ×Ｒｖ／Ｈ１＋Ｒｃ Ｒ２＝ａ×Ｒｖ／Ｈ２＋Ｒｃ となり、これらを整理すると ａ×Ｒｖ＝１／（Ｒ１−Ｒ２）×（１／Ｈ１−１／Ｈ
２） Ｒｃ＝（Ｒ１Ｈ１−Ｒ２Ｈ２）／（Ｈ１−Ｈ２） となる。すなわち、ＭＲ高さＨが異なる少なくとも２素
子の抵抗値を元にすれば、実素子の抵抗値ＲとそのＭＲ
高さＨとの間には、 Ｒ＝１／（Ｒ１−Ｒ２）×（１／Ｈ１−１／Ｈ２）×１
／Ｈ＋（Ｒ１Ｈ１−Ｒ２Ｈ２）／（Ｈ１−Ｈ２） という関係が成立する。

【００２５】これを変形すれば、 Ｈ＝｛１／（Ｒ１−Ｒ２）×（１／Ｈ１−１／Ｈ２）｝
／｛Ｒ−（Ｒ１Ｈ１−Ｒ２Ｈ２）／（Ｈ１−Ｈ２）｝ と表すことができる。従って、この式を用いれば浮上面
研磨加工後のＭＲヘッドの抵抗値Ｒを測定することによ
り、そのＭＲヘッドのＭＲ高さＨを求めることができ
る。実際にはＲ及びＨの測定精度のばらつきが有るの
で、３個以上のＭＲ高さの異なる素子を用いて、ＨとＲ
の関係を求める方がより望ましい。また、少なくとも３
点のＭＲ高さが異なるデータがあれば、実素子のＭＲ高
さＨと抵抗値Ｒの関係には、十分な信頼性があることを
確認してある。

【００２６】それでは、図１に戻って各素子の具体的な
配置について述べる。この図の中では、ＭＲ高さＨを変
えた抵抗測定用の素子として、ＭＲ高さＨを変えた３種
類の素子Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３が設けてある。各々のＭＲ高
さは、Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３とする。ここで、磁気抵抗効果
センサ膜３以外の抵抗値は実際にウエハを作成するプロ
セスにおいてウエハの面内でさまざまな要因による分布
をもつ。例えば、磁気抵抗効果センサ膜３を構成する各
々の薄膜の膜厚分布及び電極導体膜４の膜厚分布による
抵抗分布、素子の電極導対膜４の間隔の分布及び磁気抵
抗効果センサ膜３の寸法分布等である。そこでこれらの
面内分布がＭＲ高さの測定精度に影響しないように、図
１に示す素子Ｂ１、素子Ｂ２、素子Ｂ３をスライダーバ
ー各々に配置する。そして、浮上面研磨加工をする前
に、素子Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３各々の抵抗値Ｒを予め測定す
ることにより、各素子のＭＲ高さＨ１、Ｈ２、Ｈ３の逆
数で整理すれば、ＭＲ高さＨと素子抵抗Ｒの関係が求ま
る。このとき、 Ｈ１＜Ｈ２＜Ｈ３ とし、最終浮上面研磨後のＭＲヘッドの目的のＭＲ高さ
Ｈ０に対して、Ｈ２＝Ｈ０とすれば、素子Ｂ１、素子Ｂ
２、素子Ｂ３の各素子の抵抗値ＲとＭＲ高さＨの測定値
の範囲の中心に実素子のＭＲ高さを測定する場合の抵抗
値が、Ｂ１〜Ｂ３の抵抗値の範囲に入るので、測定精度
を高くすることができる。ここで、ＭＲ高さを変えた素
子は、パターンを転写するホトマスクの寸法を最適化
し、フォトリソグラフィ技術を使用して磁気抵抗効果膜
を微細加工することにより得られる。

【００２７】また、浮上面研磨後のＭＲ高さの目標値を
例えば２．０μｍとした場合、素子Ｂ１のＭＲ高さＨ１
は１．５μｍ、素子Ｂ２のＭＲ高さＨ２は２．０μｍ、
素子Ｂ３のＭＲ高さＨ３は２．５μｍとすることによ
り、測定精度を向上でき、ＭＲ高さを高精度に測定でき
る。

【００２８】以上の結果をまとめると、ＭＲヘッドの浮
上面研磨加工後の実素子Ａの抵抗値Ｒをそれぞれ測定す
ることで、それらのＭＲ高さＨを高精度に測定すること
ができる。また、抵抗測定用のＢ素子をスライダーバー
各々に配置しているため、磁気抵抗効果センサ膜３を構
成する各々の薄膜の膜厚分布等が、ＭＲ高さの測定精度
に影響しないようにすることが可能となり、ＭＲヘッド
の浮上面研磨加工後の実素子ＡそれぞれのＭＲ高さの測
定値が非常に信頼性の高いものになる。以下、所望の抵
抗の実素子を選択し、各素子に切断してＭＲヘッドを製
造する。

【００２９】〈実施例２〉実施例１の抵抗測定用素子の
内、実素子の目的のＭＲ高さＨ０よりＭＲ高さの大きい
抵抗測定用の素子Ｂ３をウエハ上の実素子Ａと共通さ
せ、実素子ＡのＭＲ高さＨを素子Ｂ３のＭＲ高さＨ３と
一致させる。このようにすれば、ウエハ作成プロセス中
でＭＲ高さを変えた抵抗測定用素子の種類を減らすこと
ができる。すなわち、ＭＲ高さＨを変えた素子Ｂの数を
減らすことができるので、一本のスライダー上に作成で
きる実素子Ａの数を増やすことができる。

【００３０】〈実施例３〉本発明の他の実施例のスライ
ダーバーの斜視図を図４に示す。このスライダーバーの
抵抗測定用素子の構成は次ぎの通りである。抵抗測定用
の素子Ｂ２のＭＲ高さＨ２を、実素子Ａの浮上面研磨後
の目的のＭＲ高さＨ０とほぼ同じとする。素子Ｂ３のＭ
Ｒ高さＨ３は、ＭＲ高さＨ２より大きくし、さらに、素
子Ｂ４のＭＲ高さＨ４は、このＭＲ高さＨ３より大きく
する。

【００３１】浮上面研磨後にそれぞれの素子のＭＲ高さ
Ｈを測定する方法は、実施例１と同様である。この方式
の特徴は、抵抗測定用の素子Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３の内、少
なくとも素子Ｂ３と素子Ｂ４は、浮上面研磨加工後には
実素子と全く変わらないので、ＭＲヘッドの実素子とし
て使えることである。よって、スライダーバーに配置さ
れた素子のうち、ＭＲヘッドとして使える素子数を実施
例１よりも多くできる。

【００３２】〈実施例４〉本発明の他の実施例のスライ
ダーバーの斜視図を図５に示す。このスライダーバーの
抵抗測定用素子の構成は次ぎの通りである。抵抗測定用
の素子Ｂ２のＭＲ高さＨ２を、実素子Ａの浮上面研磨後
の目的のＭＲ高さＨ０より大きくする。素子Ｂ３のＭＲ
高さＨ３は、ＭＲ高さＨ２より大きくし、さらに、素子
Ｂ４のＭＲ高さＨ４は、このＭＲ高さＨ３より大きくす
る。浮上面研磨後にそれぞれの素子のＭＲ高さＨを測定
する方法は、実施例１と同様である。

【００３３】本実施例によれば抵抗測定用素子Ｂ２、Ｂ
３、Ｂ４は、浮上面研磨加工後に実素子Ａから製造され
るＭＲヘッドと全く同一の形状になるので、抵抗測定用
素子は全てＭＲヘッドとして使えることになり、スライ
ダーバー上の素子を全てＭＲヘッドとして使用できる。

【００３４】以上の実施例１〜４では、スライダーバー
の各々に抵抗測定用素子Ｂを配置しているので、抵抗測
定用素子Ｂの抵抗はスライダーバーに切断してから浮上
面研磨加工するまでの間に抵抗値Ｒを測定し、それを元
にしてＭＲ高さＨと素子抵抗値Ｒの関係を求めておき、
浮上面研磨加工後のＭＲヘッドの素子抵抗値Ｒから、Ｍ
Ｒ高さＨを求めることができる。

【００３５】また、別の方法としては抵抗測定用素子の
抵抗値は、スライダーバーに切断する前にウエハ上に素
子が完成した時点で予め測定しておく方法ももちろん可
能である。また、抵抗測定素子の種類は３種類として示
したが、少なくとも２種類のＭＲ高さの異なる抵抗測定
素子を設ければよい。もちろん３種類以上、例えば５種
類のＭＲ高さの異なる抵抗測定素子を用いることも可能
である。また、どの場合でも抵抗測定素子の一種類を、
実素子を用いて実施することが可能である。

【００３６】〈実施例５〉以上の実施例１〜４では、各
々のスライダーバーに必ず抵抗測定用素子を配置した構
造のスライダーバーを示したが、本実施例では全てのス
ライダーバー上に必ず抵抗測定用素子を配置するのでは
なく、ウエハ上にある間隔で配置する例について述べ
る。

【００３７】前述したように、ＭＲヘッドの抵抗値は磁
気抵抗効果センサ膜３の抵抗値、電極導対膜４、端子引
出し部の抵抗値及びそれらの各々の接触抵抗が直列に接
続された合計値で求められる。ウエハプロセスでは、ウ
エハの面内すべてが均一な膜厚でかつ同じ寸法で出来上
がるということは、量産した場合不可能であり、それぞ
れの因子はある精度のばらつきをもっているものであ
る。しかしながら、例えば１２５ｍｍの基板上で面内の
抵抗ばらつきが±５％あったとしても、その面内で例え
ば１０ｍｍ離れた２点間の抵抗ばらつきは±０．５％以
下である。従って、抵抗測定用素子Ｂはすべてのスライ
ダーバー上に必ず必要であるものではなく、ウエハ上で
例えば１０ｍｍ間隔とかのある間隔で配置することによ
り、その抵抗値からその近傍でのＭＲ素子のＭＲ高さＨ
と素子抵抗値Ｒの相関関係を代表させることができる。
この場合、スライダーバーで抵抗測定用素子Ｂの抵抗値
を測定することも可能であるが、それよりもウエハ上に
ＭＲ素子を完成したときに、ウエハ上で素子抵抗値を測
定する方が工程的にも簡便である。

【００３８】本実施例によれば、ウエハ面内で抵抗測定
用素子Ｂに使用する素子数が、スライダーバーすべてに
抵抗測定用素子を配置するよりも少なくて済むので、ウ
エハ面内で作成できる実素子の数を増やすことができ
る。つまり、前述のように、各スライダーバーにそれぞ
れ抵抗測定用素子Ｂを設けるときは、１つのスライダー
バー当たり１個から５個の抵抗測定用素子Ｂを設けるこ
とが好ましいので、例えば、ウエハを４００のスライダ
ーバーに切断するなら、ウエハ当たり４００個から２０
００個の抵抗測定用素子Ｂを設ける必要がある。本実施
例のようにするときは、ウエハ当たり１０個から２００
個程度の抵抗測定用素子Ｂを設けることが好ましいの
で、実素子の数を増やすことができる。

【００３９】

【発明の効果】本発明のウエハは、以上説明したよう
に、ＭＲ高さと素子の抵抗値の間の関係を求めておき、
浮上面研磨後の実素子の抵抗値を測定することにより、
実素子のＭＲ高さを高精度に測定することができる。ま
た、本発明のＭＲヘッドの製造方法は、実素子のＭＲ高
さを正確に測定できるため、所望の電磁変換特性を満足
する素子だけを選別することができる。さらに、本発明
のＭＲヘッドは、歩留まりよく製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１で得られたスライダーバーの
斜視図。

【図２】ＭＲヘッドの部分斜視図。

【図３】磁気抵抗効果センサ膜部分を説明するためのそ
の平面図。

【図４】本発明の実施例３で得られたスライダーバーの
斜視図。

【図５】本発明の実施例４で得られたスライダーバーの
斜視図。

【符号の説明】

Ａ…実素子 Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５…抵抗測定用の素子 Ｃ…加工検知用の素子 １…基板 ２…下部シールド膜 ３…磁気抵抗効果センサ膜 ４…電極導体膜 ５…上部シールド膜 ６…上部磁性膜 ７…コイル ８…層間絶縁膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高倉 昭雄 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 小柳 広明 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果素子の
   浮上面に当たる面から奥行き方向の磁気抵抗効果センサ
   膜の寸法をＭＲ高さとするとき、上記磁気抵抗効果素子
   のＭＲ高さと異なるＭＲ高さの他の磁気抵抗効果素子の
   １個以上が配置されたことを特徴とするウエハ。
2. 【請求項２】上記磁気抵抗効果素子は、複数個を１組と
   して同一の方向に配列された素子列を構成し、該素子列
   は、上記ウエハに複数列設けられ、上記他の磁気抵抗効
   果素子は、上記各素子列に少なくとも１個配置されたこ
   とを特徴とする請求項１記載のウエハ。
3. 【請求項３】ウエハ上に、磁気抵抗効果素子を複数個１
   組として同一の方向に配列させて形成し、上記ウエハの
   上記１組の磁気抵抗効果素子が形成された部分を切断し
   てスライダーバーとし、該スライダーバーを研磨するこ
   とにより、上記磁気抵抗効果素子の浮上面に当たる面を
   研磨して、磁気抵抗効果素子の浮上面に当たる面から奥
   行き方向の磁気抵抗効果センサ膜の寸法であるＭＲ高さ
   を所望の高さとし、上記スライダーバーを各磁気抵抗効
   果素子に切断して磁気ヘッドとする磁気抵抗効果型磁気
   ヘッドの製造方法において、上記ウエハ上に、上記磁気
   抵抗効果素子のＭＲ高さと異なるＭＲ高さを持つ他の磁
   気抵抗効果素子を少なくとも１個形成し、上記磁気抵抗
   効果素子と上記他の磁気抵抗効果素子の抵抗値又は互い
   にＭＲ高さの異なる２個以上の他の磁気抵抗効果素子の
   抵抗値に基づいて、上記所望の高さを定めることを特徴
   とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】上記他の磁気抵抗効果素子は、上記スライ
   ダーバーに少なくとも１個形成されたことを特徴とする
   請求項３記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法。
5. 【請求項５】請求項３又は４記載の磁気抵抗効果型磁気
   ヘッドの製造方法により製造されたことを特徴とする磁
   気抵抗効果型磁気ヘッド。