JPS6212911A - 薄膜磁気ヘツドの製造法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造法Info
- Publication number
- JPS6212911A JPS6212911A JP15015785A JP15015785A JPS6212911A JP S6212911 A JPS6212911 A JP S6212911A JP 15015785 A JP15015785 A JP 15015785A JP 15015785 A JP15015785 A JP 15015785A JP S6212911 A JPS6212911 A JP S6212911A
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- JP
- Japan
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- gap layer
- magnetic head
- thin film
- layer
- depth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気記憶装置に用いる薄膜磁気ヘッドの製造法
に係り、記録再生特性に大きく影響する空隙層深さの加
工工程における。加工量検知に好適な手段を提供する薄
膜磁気ヘッドの製造法に関する。 − 〔発明の背景〕 薄膜磁気ヘッドの空隙層深さと空隙層先端につ°°０°
″″′″″′″″“°′″ｉｔｒ＠４１ｍ”°″″″′
：このように、薄膜磁気ヘッドの記録磁界強さと
空隙層深さとは強い関係があり、空隙深さが大きいと記
録磁界強さは小さく、記録媒体に記録するのに充分な記
録磁界強さを得られない。また、空隙層深さの加工量が
大き過ぎると空隙長が大きくなり再生特性の低下をもた
らし好ましくない。
に係り、記録再生特性に大きく影響する空隙層深さの加
工工程における。加工量検知に好適な手段を提供する薄
膜磁気ヘッドの製造法に関する。 − 〔発明の背景〕 薄膜磁気ヘッドの空隙層深さと空隙層先端につ°°０°
″″′″″′″″“°′″ｉｔｒ＠４１ｍ”°″″″′
：このように、薄膜磁気ヘッドの記録磁界強さと
空隙層深さとは強い関係があり、空隙深さが大きいと記
録磁界強さは小さく、記録媒体に記録するのに充分な記
録磁界強さを得られない。また、空隙層深さの加工量が
大き過ぎると空隙長が大きくなり再生特性の低下をもた
らし好ましくない。
このように薄膜磁気ヘッドの記録再生特性は空隙層深さ
により変化するため、空隙層深さを高精度に加工する必
要がある。従来の加工法としては、特開昭５９−２２１
９号に記載のように、空隙層と平行に位置決めされた抵
抗体を加工量検知手段として用いる方法が知られている
。しかし、抵抗体と空隙層を製造工程が同一でないため
に生じる位置すれについては言及されていない。
により変化するため、空隙層深さを高精度に加工する必
要がある。従来の加工法としては、特開昭５９−２２１
９号に記載のように、空隙層と平行に位置決めされた抵
抗体を加工量検知手段として用いる方法が知られている
。しかし、抵抗体と空隙層を製造工程が同一でないため
に生じる位置すれについては言及されていない。
［発明の目的］
本発明の目的は、上記位置ずれを小さくし、薄膜磁気ヘ
ッドの記録再生特性に大きく影響する空隙層深さを精度
よく加工する際に、加工終了時期を容易に検知する手段
を提供することにある。
ッドの記録再生特性に大きく影響する空隙層深さを精度
よく加工する際に、加工終了時期を容易に検知する手段
を提供することにある。
従来例における空隙層深さとその加工量検知手段との位
置ずれは、各々の製造精度も含め、そのずれは２μｍに
も達することがわかった。これは空隙層と検知手段を同
一の工程で製造していないためである。このため１本発
明では、空隙層と検知手段を同一の工程で製造すること
により上記位置ずれを少なくしている。また、空隙層深
さの基準となる位置を所定量ずらして製造することによ
り、加工終了時期を容易に検知することができる。
置ずれは、各々の製造精度も含め、そのずれは２μｍに
も達することがわかった。これは空隙層と検知手段を同
一の工程で製造していないためである。このため１本発
明では、空隙層と検知手段を同一の工程で製造すること
により上記位置ずれを少なくしている。また、空隙層深
さの基準となる位置を所定量ずらして製造することによ
り、加工終了時期を容易に検知することができる。
本発明の実施例を以下に説明する。
実施例１
第１図は本実施例１の平面図、第２図は第１図ａ ａ’
、ｂ ｂ’線における断面図である。基板１上に薄膜
磁気ヘッド素子１１の下部磁性体５゜空隙部絶縁層２．
導電体コイル３（第１図には図示せず）、絶縁層４．上
部磁性体６を順次形成する。この際、薄膜磁気ヘッド素
子の近傍に空隙層深さＯの点Ｐｉを所定量りだけずらし
て空隙層近傍部と同一形状に加工検知用素子１２を形成
する。
、ｂ ｂ’線における断面図である。基板１上に薄膜
磁気ヘッド素子１１の下部磁性体５゜空隙部絶縁層２．
導電体コイル３（第１図には図示せず）、絶縁層４．上
部磁性体６を順次形成する。この際、薄膜磁気ヘッド素
子の近傍に空隙層深さＯの点Ｐｉを所定量りだけずらし
て空隙層近傍部と同一形状に加工検知用素子１２を形成
する。
本実施例ではＬの値は１μｍで製作し、実８１リシたと
ころ１．０ ±０．３ μｍの範囲であった。保護層７
を形成した後、媒体対向面８の加工工程において、検知
用素子の空隙層を遂次観察しながら加工を行ない、上記
空隙層の長さが拡がった時点において加工を終了させる
ことにより磁気ヘッド素子の空隙層深さを１．３ μｍ
以下とすることができた。
ころ１．０ ±０．３ μｍの範囲であった。保護層７
を形成した後、媒体対向面８の加工工程において、検知
用素子の空隙層を遂次観察しながら加工を行ない、上記
空隙層の長さが拡がった時点において加工を終了させる
ことにより磁気ヘッド素子の空隙層深さを１．３ μｍ
以下とすることができた。
実施例２
第３図は本実施例２における加工検知用素子ので残し、
媒体対向面側をエツチングした。本例ではＤ＝１．５
μｍで作り、実測値は１．５±０．２μｍの範囲であ
った。この後、上部磁性体５を形成し、媒体対向面側で
上・下部磁性体４・５を接触させた。さらに他端におい
て、上・下部磁性体に別々に電極端子（図示せず）を形
成した。本例での磁性体４・５はパーマロイを用いてい
るため、媒体対向面の加工で点Ｐ３まで加工されると上
記電極端子間の電気抵抗は小から大となる。このことを
利用して、電気抵抗が大となるまで媒体対向面の荒加工
を行なった後、検知用素子の空隙層長さが拡がるまで仕
上げ加工を行なった。
媒体対向面側をエツチングした。本例ではＤ＝１．５
μｍで作り、実測値は１．５±０．２μｍの範囲であ
った。この後、上部磁性体５を形成し、媒体対向面側で
上・下部磁性体４・５を接触させた。さらに他端におい
て、上・下部磁性体に別々に電極端子（図示せず）を形
成した。本例での磁性体４・５はパーマロイを用いてい
るため、媒体対向面の加工で点Ｐ３まで加工されると上
記電極端子間の電気抵抗は小から大となる。このことを
利用して、電気抵抗が大となるまで媒体対向面の荒加工
を行なった後、検知用素子の空隙層長さが拡がるまで仕
上げ加工を行なった。
実施例３
本例はＬ二〇（第２図）Ｄ＝１μｍ（第３図）とし、他
は実施例２と同じ構造の磁気ヘッド素子および検知用素
子である。本構造での媒体対向面加工は、電極端子間の
抵抗が大となるまで加工し、空隙層深さを１．２ μｍ
以下とした。
は実施例２と同じ構造の磁気ヘッド素子および検知用素
子である。本構造での媒体対向面加工は、電極端子間の
抵抗が大となるまで加工し、空隙層深さを１．２ μｍ
以下とした。
以上述べたように、本発明によれば、磁気ヘッド素子と
媒体対向面加工用検知素子との位置ずれ誤差を小さくで
きるので、空隙層深さを精度良く加工できる効果がある
。
媒体対向面加工用検知素子との位置ずれ誤差を小さくで
きるので、空隙層深さを精度良く加工できる効果がある
。
第１図は実施例１の平面図、２図は第１図ａ−ａ’、ｂ
−ｂ’断面図、第３図は実施例２の断面図、第４図は薄
膜磁気ヘッドの空隙層深さとその記録磁界強さの関係を
示した図である。 １・・・基板、２・・・空隙層絶縁物、３・・・導電体
コイル、４・・・絶ａＷＩ、５・・・下部磁性体、６・
・・上部磁性層、７・・・保護層、８・・・媒体対向面
、１１・・・薄膜磁気ヘッド素子、１２・・・加工検知
用素子。
−ｂ’断面図、第３図は実施例２の断面図、第４図は薄
膜磁気ヘッドの空隙層深さとその記録磁界強さの関係を
示した図である。 １・・・基板、２・・・空隙層絶縁物、３・・・導電体
コイル、４・・・絶ａＷＩ、５・・・下部磁性体、６・
・・上部磁性層、７・・・保護層、８・・・媒体対向面
、１１・・・薄膜磁気ヘッド素子、１２・・・加工検知
用素子。
Claims (1)
- １、第１の磁性膜または磁性体上に絶縁層を介して導電
性コイルを形成し、さらにその上に絶縁層を介して第２
の磁性膜を形成し、第１と第２の磁性膜の一端は磁気的
に結合しており、他の一端に空隙層を持つ薄膜磁気ヘッ
ドの製造法において、薄膜磁気ヘッドの近傍に、上記薄
膜磁気ヘッドより媒体対向面側に所定の寸法だけずらし
て、少なくとも上記薄膜磁気ヘッドの空隙層近傍部を実
質的に同じ工程で作成し、上記薄膜磁気ヘッドの空隙層
を持つ磁性膜端の加工工程における検知手段として用い
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15015785A JPS6212911A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 薄膜磁気ヘツドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15015785A JPS6212911A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 薄膜磁気ヘツドの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6212911A true JPS6212911A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15490747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15015785A Pending JPS6212911A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | 薄膜磁気ヘツドの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6212911A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0357203A2 (en) * | 1988-08-31 | 1990-03-07 | Quantum Corporation | Electrical guide for tight tolerance machining |
| US5175938A (en) * | 1988-08-31 | 1993-01-05 | Digital Equipment Corporation | Electrical guide for tight tolerance machining |
| US5913550A (en) * | 1995-11-09 | 1999-06-22 | Fujitsu Limited | Method for fabricating magnetic head |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15015785A patent/JPS6212911A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0357203A2 (en) * | 1988-08-31 | 1990-03-07 | Quantum Corporation | Electrical guide for tight tolerance machining |
| US5023991A (en) * | 1988-08-31 | 1991-06-18 | Digital Equipment Corporation | Electrical guide for tight tolerance machining |
| US5175938A (en) * | 1988-08-31 | 1993-01-05 | Digital Equipment Corporation | Electrical guide for tight tolerance machining |
| US5913550A (en) * | 1995-11-09 | 1999-06-22 | Fujitsu Limited | Method for fabricating magnetic head |
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