JPH0830928A - ヘッド特性測定用磁気ヘッド - Google Patents
ヘッド特性測定用磁気ヘッドInfo
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- JPH0830928A JPH0830928A JP16185294A JP16185294A JPH0830928A JP H0830928 A JPH0830928 A JP H0830928A JP 16185294 A JP16185294 A JP 16185294A JP 16185294 A JP16185294 A JP 16185294A JP H0830928 A JPH0830928 A JP H0830928A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハー状態でＭＲヘッドのヘッド特性を、
実際のヘッドが持つヘッド特性に近い形で測定可能とな
す。 【構成】 同一ウエハー１上に、ＭＲ素子８を一対の薄
膜磁気コア４，５によって挟み込んでなるＭＲヘッド２
と、このＭＲヘッド２の前方に導体コイル１６を上記一
対の薄膜磁気コア１４，１５によって挟み込んでなる疑
似ヘッド３を所定距離隔てて設ける。
実際のヘッドが持つヘッド特性に近い形で測定可能とな
す。 【構成】 同一ウエハー１上に、ＭＲ素子８を一対の薄
膜磁気コア４，５によって挟み込んでなるＭＲヘッド２
と、このＭＲヘッド２の前方に導体コイル１６を上記一
対の薄膜磁気コア１４，１５によって挟み込んでなる疑
似ヘッド３を所定距離隔てて設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばハードディスク
等の磁気記録媒体に対して記録された情報を読み出すの
に好適な磁気抵抗効果型磁気ヘッドのヘッド特性を測定
するのに用いて好適なヘッド特性測定用磁気ヘッドに関
する。
等の磁気記録媒体に対して記録された情報を読み出すの
に好適な磁気抵抗効果型磁気ヘッドのヘッド特性を測定
するのに用いて好適なヘッド特性測定用磁気ヘッドに関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気抵抗効果を有するパーマロイ
等の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）を用
いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う。）の開発が盛んに進められている。
等の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子という。）を用
いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドとい
う。）の開発が盛んに進められている。
【０００３】ＭＲヘッドは、ハードディスク等の如き磁
気ディスク又は磁気テープ等の磁気記録媒体から漏れ出
る信号磁界により、当該ＭＲ素子の抵抗が変化し、その
抵抗変化を検出することによって上記磁気記録媒体に記
録された情報を読み取ることができるように構成されて
いる。
気ディスク又は磁気テープ等の磁気記録媒体から漏れ出
る信号磁界により、当該ＭＲ素子の抵抗が変化し、その
抵抗変化を検出することによって上記磁気記録媒体に記
録された情報を読み取ることができるように構成されて
いる。
【０００４】このようなＭＲヘッドは、通常、電磁誘導
型磁気ヘッド（以下、インダクティブヘッドという。）
に比べて、短波長感度に優れることから、狭トラック再
生、短波長再生、超低速再生において高い感度が得られ
るとされている。
型磁気ヘッド（以下、インダクティブヘッドという。）
に比べて、短波長感度に優れることから、狭トラック再
生、短波長再生、超低速再生において高い感度が得られ
るとされている。
【０００５】ＭＲヘッドは、先端と後端に電極が電気的
に接続されてなるＭＲ素子と、このＭＲ素子にバイアス
磁界を印加するバイアス導体と、これらＭＲ素子とバイ
アス導体を挟み込む一対の薄膜磁気コアとを有した，い
わゆるシールド型構造とされるのが一般的である。
に接続されてなるＭＲ素子と、このＭＲ素子にバイアス
磁界を印加するバイアス導体と、これらＭＲ素子とバイ
アス導体を挟み込む一対の薄膜磁気コアとを有した，い
わゆるシールド型構造とされるのが一般的である。
【０００６】かかるＭＲヘッドの動作原理は、一軸異方
性を付与したパーマロイ等からなるＭＲ素子内を磁気記
録媒体からの信号磁界が通過すると、その電気抵抗値が
変化する。その抵抗値は、ＭＲ素子の先端と後端に接続
された一対の電極間で検知できる。したがって、その変
化も検知できることになる。
性を付与したパーマロイ等からなるＭＲ素子内を磁気記
録媒体からの信号磁界が通過すると、その電気抵抗値が
変化する。その抵抗値は、ＭＲ素子の先端と後端に接続
された一対の電極間で検知できる。したがって、その変
化も検知できることになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の構成
のＭＲヘッドは、次のような工程に従って作製される。
先ず、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板等からなるウエハー上に
真空薄膜形成プロセスによって、下層の薄膜磁気コアを
形成し、その上に絶縁膜を介してＭＲ素子を形成する。
のＭＲヘッドは、次のような工程に従って作製される。
先ず、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板等からなるウエハー上に
真空薄膜形成プロセスによって、下層の薄膜磁気コアを
形成し、その上に絶縁膜を介してＭＲ素子を形成する。
【０００８】そして、このＭＲ素子上に絶縁膜を介して
先端電極と後端電極を形成した後、絶縁膜を介してバイ
アス導体を形成する。
先端電極と後端電極を形成した後、絶縁膜を介してバイ
アス導体を形成する。
【０００９】しかる後、上記バイアス導体上に絶縁膜を
介して上層の薄膜磁気コアを形成し、その上に保護膜層
を積層する。なお、ウエハー上には複数個のＭＲヘッド
素子を同時に作製する。
介して上層の薄膜磁気コアを形成し、その上に保護膜層
を積層する。なお、ウエハー上には複数個のＭＲヘッド
素子を同時に作製する。
【００１０】そして最後に、同一ウエハー上に複数同時
に形成された各ＭＲヘッド素子部を各ヘッドチップ毎に
切り出し、スライダー加工等することによりＭＲヘッド
を完成させる。
に形成された各ＭＲヘッド素子部を各ヘッドチップ毎に
切り出し、スライダー加工等することによりＭＲヘッド
を完成させる。
【００１１】その後、完成したＭＲヘッドに対して予め
決められたヘッド特性，例えば電磁変換特性を備えてい
るか否かを測定する。ヘッド特性を測定するには、完成
したＭＲヘッドを実際にハードディスク駆動装置に搭載
して、該ハードディスクに記録された磁気信号を再生す
ることにより行われる。
決められたヘッド特性，例えば電磁変換特性を備えてい
るか否かを測定する。ヘッド特性を測定するには、完成
したＭＲヘッドを実際にハードディスク駆動装置に搭載
して、該ハードディスクに記録された磁気信号を再生す
ることにより行われる。
【００１２】このように、ヘッド特性を測定するに当た
り、最終製品上がりの状態で測定すると、測定した結果
規定の特性が得られなかった場合には、そのウエハーか
ら切り出した全てのＭＲヘッドが無駄になる。
り、最終製品上がりの状態で測定すると、測定した結果
規定の特性が得られなかった場合には、そのウエハーか
ら切り出した全てのＭＲヘッドが無駄になる。
【００１３】そこで本発明は、上述の従来の有する技術
的な課題に鑑みて提案されたものであって、最終製品上
がりの状態ではなくウエハー状態でＭＲヘッドのヘッド
特性を測定可能とするヘッド特性測定用磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
的な課題に鑑みて提案されたものであって、最終製品上
がりの状態ではなくウエハー状態でＭＲヘッドのヘッド
特性を測定可能とするヘッド特性測定用磁気ヘッドを提
供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のヘッド特性測定
用磁気ヘッドにおいては、ＭＲ素子とこのＭＲ素子にバ
イアス磁界を印加するバイアス導体とを一対の薄膜磁気
コアによって挟み込んでなるＭＲヘッドの前方に、この
ＭＲヘッドのヘッド特性を測定するための磁気信号を該
ＭＲ素子に入力する疑似ヘッドを所定距離隔てて同一基
板上に設けた構成として、上述の課題を解決する。
用磁気ヘッドにおいては、ＭＲ素子とこのＭＲ素子にバ
イアス磁界を印加するバイアス導体とを一対の薄膜磁気
コアによって挟み込んでなるＭＲヘッドの前方に、この
ＭＲヘッドのヘッド特性を測定するための磁気信号を該
ＭＲ素子に入力する疑似ヘッドを所定距離隔てて同一基
板上に設けた構成として、上述の課題を解決する。
【００１５】疑似ヘッドとしては、導体コイルを一対の
薄膜磁気コアで挟み込んだ構造とされる。そして、これ
ら疑似ヘッドとＭＲヘッドの間隔は、実際のヘッドと媒
体との対向距離（フライングハイト）と略同じ０．０１
μｍ〜１０μｍとする。
薄膜磁気コアで挟み込んだ構造とされる。そして、これ
ら疑似ヘッドとＭＲヘッドの間隔は、実際のヘッドと媒
体との対向距離（フライングハイト）と略同じ０．０１
μｍ〜１０μｍとする。
【００１６】
【作用】本発明のヘッド特性測定用磁気ヘッドにおいて
は、ＭＲ素子とこのＭＲ素子にバイアス磁界を印加する
バイアス導体を一対の薄膜磁気コアで挟み込んでなるＭ
Ｒヘッドの前方に、このＭＲヘッドのヘッド特性を測定
するための磁気信号を該ＭＲ素子に入力する疑似ヘッド
を所定距離隔てて設けているので、ウエハー状態でＭＲ
ヘッドのヘッド特性が測定し得る。
は、ＭＲ素子とこのＭＲ素子にバイアス磁界を印加する
バイアス導体を一対の薄膜磁気コアで挟み込んでなるＭ
Ｒヘッドの前方に、このＭＲヘッドのヘッド特性を測定
するための磁気信号を該ＭＲ素子に入力する疑似ヘッド
を所定距離隔てて設けているので、ウエハー状態でＭＲ
ヘッドのヘッド特性が測定し得る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１８】本実施例のヘッド特性測定用磁気ヘッド
は、ＭＲヘッドのヘッド特性をウエハー状態で測定する
ためのものであり、磁気記録媒体からの信号を再現する
ために、ＭＲヘッドの前方にインダクティブヘッドとし
て機能する疑似ヘッドを設けた構成とされる。
は、ＭＲヘッドのヘッド特性をウエハー状態で測定する
ためのものであり、磁気記録媒体からの信号を再現する
ために、ＭＲヘッドの前方にインダクティブヘッドとし
て機能する疑似ヘッドを設けた構成とされる。
【００１９】具体的には、かかるヘッド特性測定用磁気
ヘッドは、図１に示すように、同一ウエハー１上にＭＲ
ヘッド２と疑似ヘッド３とが設けられ、該疑似ヘッド３
がＭＲヘッド２の再生ギャップの前方に所定距離隔てて
設けられた構成とされている。
ヘッドは、図１に示すように、同一ウエハー１上にＭＲ
ヘッド２と疑似ヘッド３とが設けられ、該疑似ヘッド３
がＭＲヘッド２の再生ギャップの前方に所定距離隔てて
設けられた構成とされている。
【００２０】ＭＲヘッド２は、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔｉ
Ｃ基板等からなるウエハー１上に、一対の薄膜磁気コア
４，５と、これら薄膜磁気コア４，５間に先端電極６と
後端電極７が積層されてなるＭＲ素子８と、このＭＲ素
子８にバイアス磁界を印加するバイアス導体９とが形成
されることにより構成されている。
Ｃ基板等からなるウエハー１上に、一対の薄膜磁気コア
４，５と、これら薄膜磁気コア４，５間に先端電極６と
後端電極７が積層されてなるＭＲ素子８と、このＭＲ素
子８にバイアス磁界を印加するバイアス導体９とが形成
されることにより構成されている。
【００２１】なお、一対の薄膜磁気コア４，５のうち、
ウエハー１上に設けられる薄膜磁気コア４を下層薄膜磁
気コア４、バイアス導体９側に設けられる薄膜磁気コア
５を上層薄膜磁気コア５と称する。
ウエハー１上に設けられる薄膜磁気コア４を下層薄膜磁
気コア４、バイアス導体９側に設けられる薄膜磁気コア
５を上層薄膜磁気コア５と称する。
【００２２】ＭＲ素子８は、例えば平面形状が略長方形
パターンとして形成され、その長手方向がウエハー１の
一側面１ａに対して垂直となるようにして設けられてい
る。かかるＭＲ素子８は、例えばパーマロイ等の如き強
磁性体薄膜からなり、下層薄膜磁気コア４上に設けられ
たギャップ膜として機能する絶縁膜１０上に蒸着やスパ
ッタリング等の真空薄膜形成手段によって形成されてい
る。
パターンとして形成され、その長手方向がウエハー１の
一側面１ａに対して垂直となるようにして設けられてい
る。かかるＭＲ素子８は、例えばパーマロイ等の如き強
磁性体薄膜からなり、下層薄膜磁気コア４上に設けられ
たギャップ膜として機能する絶縁膜１０上に蒸着やスパ
ッタリング等の真空薄膜形成手段によって形成されてい
る。
【００２３】このＭＲ素子８は、パーマロイよりなるＭ
Ｒ薄膜の単層膜であってもよいが、例えばＳｉＯ2 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
ＭＲ薄膜を積層するようにしてもよい。積層膜構造とす
ることによって、バルクハウゼンノイズの発生が回避で
きる。
Ｒ薄膜の単層膜であってもよいが、例えばＳｉＯ2 等よ
りなる非磁性の絶縁層を介して静磁的に結合する一対の
ＭＲ薄膜を積層するようにしてもよい。積層膜構造とす
ることによって、バルクハウゼンノイズの発生が回避で
きる。
【００２４】上記絶縁膜１０は、再生用磁気ギャップの
下層ギャップ膜として機能することから、例えばＳｉＯ
2 やＡｌ2 Ｏ3 等の非磁性且つ非導電性材料からなる。
下層ギャップ膜として機能することから、例えばＳｉＯ
2 やＡｌ2 Ｏ3 等の非磁性且つ非導電性材料からなる。
【００２５】上記先端電極６は、ＭＲ素子８の先端部に
直接積層され、このＭＲ素子８と電気的に接続されてい
る。さらに、先端電極６は、上記ＭＲ素子８の先端部よ
りさらにウエハー１の一側面１ａ側寄りに延在して設け
られている。かかる先端電極６は、ＭＲ素子８にセンス
電流を通電する電極としての機能を有する他、再生用磁
気ギャップの上層ギャップ膜としても機能するようにな
っている。
直接積層され、このＭＲ素子８と電気的に接続されてい
る。さらに、先端電極６は、上記ＭＲ素子８の先端部よ
りさらにウエハー１の一側面１ａ側寄りに延在して設け
られている。かかる先端電極６は、ＭＲ素子８にセンス
電流を通電する電極としての機能を有する他、再生用磁
気ギャップの上層ギャップ膜としても機能するようにな
っている。
【００２６】一方、後端電極７は、先端電極６とは反対
側のＭＲ素子８の後端部に、その一部がこのＭＲ素子８
に対して電気的に接続されるようにして積層されてい
る。この後端電極７も先端電極６同様、導電性を有する
材料により形成されている。
側のＭＲ素子８の後端部に、その一部がこのＭＲ素子８
に対して電気的に接続されるようにして積層されてい
る。この後端電極７も先端電極６同様、導電性を有する
材料により形成されている。
【００２７】バイアス導体９は、ＭＲ素子８にバイアス
磁界を印加するためのもので、先端電極６と後端電極７
の間であって、該ＭＲ素子８上に形成された絶縁層１１
上に形成されている。このバイアス導体９は、ＭＲ素子
８の長手方向に対して直交する方向に形成され、同方向
に通電されるバイアス電流によってバイアス磁界を当該
ＭＲ素子８の磁化困難軸方向である長手方向に印加する
ようになっている。
磁界を印加するためのもので、先端電極６と後端電極７
の間であって、該ＭＲ素子８上に形成された絶縁層１１
上に形成されている。このバイアス導体９は、ＭＲ素子
８の長手方向に対して直交する方向に形成され、同方向
に通電されるバイアス電流によってバイアス磁界を当該
ＭＲ素子８の磁化困難軸方向である長手方向に印加する
ようになっている。
【００２８】そして、上記ＭＲ素子８を上下方向から挟
み込む形で設けられる一対の薄膜磁気コア４，５は、Ｍ
Ｒ素子８から離れた位置の媒体からの磁界の影響を受け
ないようにするシールドとして機能するもので、例えば
パーマロイ等の強磁性材料をスパッタリング又はメッキ
等することによって形成されている。
み込む形で設けられる一対の薄膜磁気コア４，５は、Ｍ
Ｒ素子８から離れた位置の媒体からの磁界の影響を受け
ないようにするシールドとして機能するもので、例えば
パーマロイ等の強磁性材料をスパッタリング又はメッキ
等することによって形成されている。
【００２９】これら薄膜磁気コア４，５のうち下層薄膜
磁気コア４は、上記ウエハー１の一側面１ａに対して垂
直方向に延在して設けられている。
磁気コア４は、上記ウエハー１の一側面１ａに対して垂
直方向に延在して設けられている。
【００３０】一方、これに対向して設けられる上層薄膜
磁気コア５は、先の下層薄膜磁気コア４と同様に上記一
側面１ａに対して垂直にバック側へ延在して設けられて
いる。また、この上層薄膜磁気コア５は、先端電極６に
対して直接積層され磁気的に結合されると共に、その後
方側において絶縁層１２を介して積層されている。
磁気コア５は、先の下層薄膜磁気コア４と同様に上記一
側面１ａに対して垂直にバック側へ延在して設けられて
いる。また、この上層薄膜磁気コア５は、先端電極６に
対して直接積層され磁気的に結合されると共に、その後
方側において絶縁層１２を介して積層されている。
【００３１】上記絶縁層１２は、非磁性且つ非導電性を
有する材料からなり、上記バイアス導体９及び後端電極
７を覆うようにして設けられている。
有する材料からなり、上記バイアス導体９及び後端電極
７を覆うようにして設けられている。
【００３２】なお、上層薄膜磁気コア５上には、一対の
薄膜磁気コア４，５によってＭＲ素子８を挟み込んでな
るＭＲヘッド２を保護するための保護層１３が形成され
ている。この保護層１３は、例えばＳｉＯ2 又はＡｌ2
Ｏ3 等の非磁性且つ非導電性を有する層からなる。
薄膜磁気コア４，５によってＭＲ素子８を挟み込んでな
るＭＲヘッド２を保護するための保護層１３が形成され
ている。この保護層１３は、例えばＳｉＯ2 又はＡｌ2
Ｏ3 等の非磁性且つ非導電性を有する層からなる。
【００３３】一方、疑似ヘッド３は、インダクティブヘ
ッドと同様の構成とされ、ＭＲヘッド２の前方に設けら
れている。この疑似ヘッド３は、磁路を構成する一対の
薄膜磁気コア１４，１５と、これら薄膜磁気コア１４，
１５間に設けられる導体コイル１６とから構成されてい
る。
ッドと同様の構成とされ、ＭＲヘッド２の前方に設けら
れている。この疑似ヘッド３は、磁路を構成する一対の
薄膜磁気コア１４，１５と、これら薄膜磁気コア１４，
１５間に設けられる導体コイル１６とから構成されてい
る。
【００３４】上記一対の薄膜磁気コア１４，１５は、い
ずれもＭＲヘッド２を構成する薄膜磁気コア４，５と同
じくパーマロイ等の強磁性材料をスパッタリング又はメ
ッキ等することによって形成されている。下層薄膜磁気
コア１４は、ウエハー１の一側面１ａにその先端部を露
出させるようにして、この一側面１ａに対して垂直にＭ
Ｒヘッド２側へ延在して設けられている。
ずれもＭＲヘッド２を構成する薄膜磁気コア４，５と同
じくパーマロイ等の強磁性材料をスパッタリング又はメ
ッキ等することによって形成されている。下層薄膜磁気
コア１４は、ウエハー１の一側面１ａにその先端部を露
出させるようにして、この一側面１ａに対して垂直にＭ
Ｒヘッド２側へ延在して設けられている。
【００３５】これに対して、上層薄膜磁気コア１５は、
上記下層薄膜磁気コア１４に対して所定のギャップ間距
離を有してこの下層薄膜磁気コア１４上に絶縁膜１０，
１１を介して積層されている。また、この上層薄膜磁気
コア１５は、下層薄膜磁気コア１４と同様に、ウエハー
１の一側面１ａにその先端部を露出させるようにして、
この一側面１ａに対して垂直にＭＲヘッド２側へ延在し
て設けられている。
上記下層薄膜磁気コア１４に対して所定のギャップ間距
離を有してこの下層薄膜磁気コア１４上に絶縁膜１０，
１１を介して積層されている。また、この上層薄膜磁気
コア１５は、下層薄膜磁気コア１４と同様に、ウエハー
１の一側面１ａにその先端部を露出させるようにして、
この一側面１ａに対して垂直にＭＲヘッド２側へ延在し
て設けられている。
【００３６】上記一対の薄膜磁気コア１４，１５間に設
けられる導体コイル１６は、上層薄膜磁気コア１４と下
層薄膜磁気コア１５間であって、該上層薄膜磁気コア１
４の一部を屈曲させた部分に設けられている。この導体
コイル１６は、一対の薄膜磁気コア１４，１５の長手方
向に対して直交する方向に１ターン又は複数ターンとし
て形成され、ＭＲヘッド２のヘッド特性を測定するため
の任意波形を紙面に対して垂直な方向に入力するように
なっている。
けられる導体コイル１６は、上層薄膜磁気コア１４と下
層薄膜磁気コア１５間であって、該上層薄膜磁気コア１
４の一部を屈曲させた部分に設けられている。この導体
コイル１６は、一対の薄膜磁気コア１４，１５の長手方
向に対して直交する方向に１ターン又は複数ターンとし
て形成され、ＭＲヘッド２のヘッド特性を測定するため
の任意波形を紙面に対して垂直な方向に入力するように
なっている。
【００３７】そして特にこの疑似ヘッド３においては、
実際のヘッドにおける特性をできるだけ正確にシュミレ
ートするために、記録再生装置に搭載される媒体（例え
ばハードディスク）とヘッド間のフライングハイトを考
慮して、ＭＲヘッド２の前方に所定距離Ｌを隔てて設け
られている。本来は、実際のヘッドと媒体の間隔（通
常、０．０５μｍ〜０．１μｍ）と同じ間隔であるのが
理想であるが、疑似ヘッド３の発生する磁界が実際のヘ
ッドで拾えればよいので、それ以上の間隔があってもよ
い。したがって、本実施例では、上記ＭＲヘッド２と疑
似ヘッド３間の所定距離Ｌを０．０１μｍ〜１０μｍと
した。
実際のヘッドにおける特性をできるだけ正確にシュミレ
ートするために、記録再生装置に搭載される媒体（例え
ばハードディスク）とヘッド間のフライングハイトを考
慮して、ＭＲヘッド２の前方に所定距離Ｌを隔てて設け
られている。本来は、実際のヘッドと媒体の間隔（通
常、０．０５μｍ〜０．１μｍ）と同じ間隔であるのが
理想であるが、疑似ヘッド３の発生する磁界が実際のヘ
ッドで拾えればよいので、それ以上の間隔があってもよ
い。したがって、本実施例では、上記ＭＲヘッド２と疑
似ヘッド３間の所定距離Ｌを０．０１μｍ〜１０μｍと
した。
【００３８】上記疑似ヘッド３は、ウエハー１上にＭＲ
ヘッド２をスパッタリングや蒸着等の真空薄膜形成技術
により一緒に順次作製する段階で予め所定距離Ｌを隔て
て形成するようにしてもよく、或いはＭＲヘッド２と疑
似ヘッド３の下層薄膜磁気コア４，１４及び上層薄膜磁
気コア５，１５を共通に形成し、その後エッチング技術
を用いる等してＭＲヘッド２と疑似ヘッド３との間に所
定距離Ｌを設けるようにしてもよい。特に、エッチング
によってＭＲヘッド２と疑似ヘッド３を分離する場合
は、ＭＲ素子８にダメージを与えないように注意を払う
必要がある。
ヘッド２をスパッタリングや蒸着等の真空薄膜形成技術
により一緒に順次作製する段階で予め所定距離Ｌを隔て
て形成するようにしてもよく、或いはＭＲヘッド２と疑
似ヘッド３の下層薄膜磁気コア４，１４及び上層薄膜磁
気コア５，１５を共通に形成し、その後エッチング技術
を用いる等してＭＲヘッド２と疑似ヘッド３との間に所
定距離Ｌを設けるようにしてもよい。特に、エッチング
によってＭＲヘッド２と疑似ヘッド３を分離する場合
は、ＭＲ素子８にダメージを与えないように注意を払う
必要がある。
【００３９】以上のように構成されたヘッド特性測定用
磁気ヘッドを用いてＭＲヘッド２の電磁変換特性等の如
きヘッド特性を測定するには、次のようにして行う。
磁気ヘッドを用いてＭＲヘッド２の電磁変換特性等の如
きヘッド特性を測定するには、次のようにして行う。
【００４０】先ず、図２に示すように、疑似ヘッド３の
導体コイル１６に、磁気記録媒体からの信号を再現する
ための任意の波形を流す。任意波形は、例えば図３に示
す如き波形とする。
導体コイル１６に、磁気記録媒体からの信号を再現する
ための任意の波形を流す。任意波形は、例えば図３に示
す如き波形とする。
【００４１】すると、疑似ヘッド３より磁気信号が出力
される。その出力された磁気信号は、ＭＲヘッド２のギ
ャップ部よりＭＲ素子８に入る。そして、このＭＲ素子
８に入った磁気信号より出力が得られ、そのＭＲヘッド
出力が先端電極６と後端電極７から取り出される。その
ＭＲヘッド２の出力波形図を図４に示す。
される。その出力された磁気信号は、ＭＲヘッド２のギ
ャップ部よりＭＲ素子８に入る。そして、このＭＲ素子
８に入った磁気信号より出力が得られ、そのＭＲヘッド
出力が先端電極６と後端電極７から取り出される。その
ＭＲヘッド２の出力波形図を図４に示す。
【００４２】このように、ＭＲヘッド出力を測定するこ
とにより、完成品とする前のウエハー状態で、当該ＭＲ
ヘッド２の電磁変換特性を評価することができる。特
に、ＭＲヘッド２と疑似ヘッド３間の対向距離Ｌが実際
の磁気ヘッドと媒体間の対向距離と略同じとされている
ため、より実際に近い状態でのＭＲヘッド２の特性評価
が行える。
とにより、完成品とする前のウエハー状態で、当該ＭＲ
ヘッド２の電磁変換特性を評価することができる。特
に、ＭＲヘッド２と疑似ヘッド３間の対向距離Ｌが実際
の磁気ヘッドと媒体間の対向距離と略同じとされている
ため、より実際に近い状態でのＭＲヘッド２の特性評価
が行える。
【００４３】上記のようにウエハーの状態でＭＲヘッド
２のヘッド特性が評価できるため、当該ＭＲヘッド２が
予め決められたヘッド特性を有していなかった場合に
は、その後に行う各ＭＲヘッド２毎のチップ切断やスラ
イダー加工等の工程を行う必要が無くなり、無駄な工程
の省略並びに生産性の向上が実現される。逆に、予め決
められたヘッド特性を有している場合には、磁気記録媒
体との対向面となる面まで研磨を行い、その後チップ切
断並びにスライダー加工等を行い、ＭＲヘッドを完成さ
せることができ、歩留りの向上を図ることができる。
２のヘッド特性が評価できるため、当該ＭＲヘッド２が
予め決められたヘッド特性を有していなかった場合に
は、その後に行う各ＭＲヘッド２毎のチップ切断やスラ
イダー加工等の工程を行う必要が無くなり、無駄な工程
の省略並びに生産性の向上が実現される。逆に、予め決
められたヘッド特性を有している場合には、磁気記録媒
体との対向面となる面まで研磨を行い、その後チップ切
断並びにスライダー加工等を行い、ＭＲヘッドを完成さ
せることができ、歩留りの向上を図ることができる。
【００４４】ここで、実際に次のような実験を行ってみ
た。すなわち、疑似ヘッド３に孤立波を入力し、バイア
ス電流とＭＲ素子出力の依存性を調べるための実験を行
った。実験では、バイアス導体に流す電流を変化させて
ＭＲヘッド出力を求めた。
た。すなわち、疑似ヘッド３に孤立波を入力し、バイア
ス電流とＭＲ素子出力の依存性を調べるための実験を行
った。実験では、バイアス導体に流す電流を変化させて
ＭＲヘッド出力を求めた。
【００４５】図５には、ＭＲ出力とバイアス電流との関
係を示す。図６には、再生出力の２次高調波歪みＳＨＤ
（Secondary Harmonic Distortion ）とバイアス電流と
の関係を示す。
係を示す。図６には、再生出力の２次高調波歪みＳＨＤ
（Secondary Harmonic Distortion ）とバイアス電流と
の関係を示す。
【００４６】これらの測定結果より、実際のヘッドでの
ＭＲ出力、ＳＨＤとバイアス電流の測定結果は、ほぼ一
致している。この実験から、ウエハー状態でヘッド特性
の測定が行えることが実証された。
ＭＲ出力、ＳＨＤとバイアス電流の測定結果は、ほぼ一
致している。この実験から、ウエハー状態でヘッド特性
の測定が行えることが実証された。
【００４７】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、磁気記録媒体からの信号を再現する疑似ヘ
ッドを、同一ウエハー上に形成されるＭＲヘッドの前方
に、このＭＲヘッドに対して所定距離隔てて設けている
ので、この疑似ヘッドに任意の波形を入力してＭＲヘッ
ドより得られるヘッド出力を測定することで、ウエハー
状態でのＭＲヘッドのヘッド特性を完成ヘッドの特性に
近い形で測定することができる。したがって、ウエハー
上でＭＲヘッドの良否の判断を行うことができ、その後
の製造プロセスを無駄にすることなく進めることがで
き、高品位のＭＲヘッドを提供できる。
明によれば、磁気記録媒体からの信号を再現する疑似ヘ
ッドを、同一ウエハー上に形成されるＭＲヘッドの前方
に、このＭＲヘッドに対して所定距離隔てて設けている
ので、この疑似ヘッドに任意の波形を入力してＭＲヘッ
ドより得られるヘッド出力を測定することで、ウエハー
状態でのＭＲヘッドのヘッド特性を完成ヘッドの特性に
近い形で測定することができる。したがって、ウエハー
上でＭＲヘッドの良否の判断を行うことができ、その後
の製造プロセスを無駄にすることなく進めることがで
き、高品位のＭＲヘッドを提供できる。
【図１】ヘッド特性測定用磁気ヘッドを示す断面図であ
る。
る。
【図２】ヘッド特性の測定方法を示す概略図である。
【図３】疑似ヘッドの導体コイルに入力されるコイル入
力波形図である。
力波形図である。
【図４】ＭＲヘッドから出力されるＭＲヘッド出力波形
図である。
図である。
【図５】ＭＲ出力とバイアス電流の関係を示す特性図で
ある。
ある。
【図６】再生出力の２次高調波歪とバイアス電流の関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【符号の説明】 １ ウエハー ２ ＭＲヘッド ３ 疑似ヘッド ４，１４ 下層薄膜磁気コア ５，１５ 上層薄膜磁気コア ６ 先端電極 ７ 後端電極 ８ ＭＲ素子 ９ バイアス導体
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子とこの磁気抵抗効果素
子にバイアス磁界を印加するバイアス導体とを一対の薄
膜磁気コアによって挟み込んでなる磁気抵抗効果型磁気
ヘッドと、 この磁気抵抗効果型磁気ヘッドのヘッド特性を測定する
ための磁気信号を該磁気抵抗効果素子に入力する疑似ヘ
ッドが同一基板上に設けられ、 上記疑似ヘッドは磁気抵抗効果型磁気ヘッドの前方に、
所定距離隔てて設けられていることを特徴とするヘッド
特性測定用磁気ヘッド。 - 【請求項２】 疑似ヘッドは、導体コイルを一対の薄膜
磁気コアによって挟み込んでなることを特徴とする請求
項１記載のヘッド特性測定用磁気ヘッド。 - 【請求項３】 疑似ヘッドと磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の間隔が０．０１μｍ〜１０μｍであることを特徴とす
る請求項１又は２記載のヘッド特性測定用磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16185294A JPH0830928A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | ヘッド特性測定用磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16185294A JPH0830928A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | ヘッド特性測定用磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0830928A true JPH0830928A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15743179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16185294A Withdrawn JPH0830928A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | ヘッド特性測定用磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515475B2 (en) | 2001-02-16 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Determination of track width of magnetoresistive sensors during magnetic head fabrication using magnetic fields |
| US6538430B2 (en) | 2001-08-23 | 2003-03-25 | International Business Machines Corporation | Screening test for transverse magnetic-field excited noise in giant magnetoresistive heads |
-
1994
- 1994-07-14 JP JP16185294A patent/JPH0830928A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515475B2 (en) | 2001-02-16 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Determination of track width of magnetoresistive sensors during magnetic head fabrication using magnetic fields |
| US6538430B2 (en) | 2001-08-23 | 2003-03-25 | International Business Machines Corporation | Screening test for transverse magnetic-field excited noise in giant magnetoresistive heads |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |