JPS6141044B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6141044B2 JPS6141044B2 JP9115180A JP9115180A JPS6141044B2 JP S6141044 B2 JPS6141044 B2 JP S6141044B2 JP 9115180 A JP9115180 A JP 9115180A JP 9115180 A JP9115180 A JP 9115180A JP S6141044 B2 JPS6141044 B2 JP S6141044B2
- Authority
- JP
- Japan
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- substrate
- lower core
- magnetoresistive element
- insulating film
- bias
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘツドの改良
に関する。
に関する。
第１図及び第２図は、磁気抵抗効果型磁気ヘツ
ドの従来例を示したものである。図において、１
はガラス等の非磁性材よりなる基板、２，３はパ
ーマロイ等の強磁性材よりなる磁気シールド層、
４ａ，４ｂ，４ｃはSiO2膜よりなる絶縁膜、５
はパーマロイ等の強磁性体薄膜からなる磁気抵抗
素子、６，６は信号取出導体、７はバイアス導
体、７ａ，７ｂはバイアス導体７の引出導体部で
ある。Twはトラツク巾、ｇeはギヤツプ長を示し
ている。なお、第１図の平面図においては絶縁層
４ａ，４ｂ，４ｃは省略してある。
ドの従来例を示したものである。図において、１
はガラス等の非磁性材よりなる基板、２，３はパ
ーマロイ等の強磁性材よりなる磁気シールド層、
４ａ，４ｂ，４ｃはSiO2膜よりなる絶縁膜、５
はパーマロイ等の強磁性体薄膜からなる磁気抵抗
素子、６，６は信号取出導体、７はバイアス導
体、７ａ，７ｂはバイアス導体７の引出導体部で
ある。Twはトラツク巾、ｇeはギヤツプ長を示し
ている。なお、第１図の平面図においては絶縁層
４ａ，４ｂ，４ｃは省略してある。
この構成では、信号磁界Hsによる磁気抵抗素
子５の抵抗変化を、信号取出導体６，６から検知
電流Isを流して電圧変化として取出す。この抵抗
変化△Ｒは、磁化方向Hsと検知電流Isの方向と
のなす角度をθとすると、Cos2θに比例するの
で、そのまゝでは取出された再生波形が大きく歪
む。この歪みを抵減する為にバイアス導体７を設
けてバイアス電流ＩBを流し、角度θがほゞ45度
となるようにバイアス磁界ＨBを加えている。
子５の抵抗変化を、信号取出導体６，６から検知
電流Isを流して電圧変化として取出す。この抵抗
変化△Ｒは、磁化方向Hsと検知電流Isの方向と
のなす角度をθとすると、Cos2θに比例するの
で、そのまゝでは取出された再生波形が大きく歪
む。この歪みを抵減する為にバイアス導体７を設
けてバイアス電流ＩBを流し、角度θがほゞ45度
となるようにバイアス磁界ＨBを加えている。
この従来構造の磁気抵抗効果型磁気ヘツドでは
導電性材料である磁気シールド層２，３、磁気抵
抗素子５、バイアス導体７が媒体対向面Ｆの一部
を構成している為、記録媒体（図示しない）との
摺動によつてだれが生じ、このだれを通して電気
的な短絡が起こり、雑音が発生するという欠点が
あり、導電性媒体に対しては使用することができ
ないという問題があつた。さらに、積層部が上記
磁気シールド層２，３、磁気抵抗素子５、バイア
ス導体７を絶縁膜を介して積層する複雑な積層構
造となつているから、充分な絶縁を確保する為に
は必然的に生産工程が複雑になり、生産性及び歩
どまりが極めて悪いという欠点があつた。
導電性材料である磁気シールド層２，３、磁気抵
抗素子５、バイアス導体７が媒体対向面Ｆの一部
を構成している為、記録媒体（図示しない）との
摺動によつてだれが生じ、このだれを通して電気
的な短絡が起こり、雑音が発生するという欠点が
あり、導電性媒体に対しては使用することができ
ないという問題があつた。さらに、積層部が上記
磁気シールド層２，３、磁気抵抗素子５、バイア
ス導体７を絶縁膜を介して積層する複雑な積層構
造となつているから、充分な絶縁を確保する為に
は必然的に生産工程が複雑になり、生産性及び歩
どまりが極めて悪いという欠点があつた。
この発明は、上記した従来の欠点を除去する為
になされたもので、絶縁層で分割した強磁性体の
基板を用い、この基板上に絶縁層をまたいで磁気
抵抗素子を形成し、この磁気抵抗素子を絶縁層で
包んだ上この絶縁層上に基板と磁気的に結合する
上コアを形成し、バイアス磁界印加用コイルを基
板に巻回することによつて、媒体対向面における
導電性材のだれによる短絡、雑音の発生がなく、
従来に比して層間の絶縁確保が容易であつて、生
産性、歩留りを向上することができる磁気抵抗効
果型磁気ヘツドを提供することを目的とする。
になされたもので、絶縁層で分割した強磁性体の
基板を用い、この基板上に絶縁層をまたいで磁気
抵抗素子を形成し、この磁気抵抗素子を絶縁層で
包んだ上この絶縁層上に基板と磁気的に結合する
上コアを形成し、バイアス磁界印加用コイルを基
板に巻回することによつて、媒体対向面における
導電性材のだれによる短絡、雑音の発生がなく、
従来に比して層間の絶縁確保が容易であつて、生
産性、歩留りを向上することができる磁気抵抗効
果型磁気ヘツドを提供することを目的とする。
以下、この発明の１実施例を図について説明す
る。
る。
第３図及び第４図において、８はフエライト等
の強磁性体材料で作られた基板であつて、前部下
コア８ａと後部下コア８ｂとをガラス層等の絶縁
層９で突合せ接着してある。前部下コア８ａと後
部下コア８ｂの間のギヤツプＧは磁気抵抗素子５
の巾Ｗより若干狭くし、両下エアの対向面８a1，
８b1を表面部を除いて裏面側に向つて傾斜させる
ことにより広くしてある。これは磁束の有効利用
の為である。磁気抵抗素子５は絶縁層９をまたい
で基板８上に形成され、絶縁膜１０ａでおゝわれ
ている。この絶縁膜１０ａは媒体対向面Ｆまで伸
びている。１０ｂは絶縁膜１０ａ上に形成された
絶縁膜である。両絶縁膜はSiO2等で構成されて
いる。１１は上コアであつて、パーマロイ、セン
ダス ト等の強磁性材を用いて、後部下コア８ｂ
上から絶縁膜１０ａ，１０ｂ上に形成され、媒体
対向面Ｆまで伸びている。従つて、ギヤツプ長gl
は絶縁膜１０ａの厚さでのみ定まる。又媒体対向
面Ｆは前部下コア８ａと絶縁膜１０ａ及び上コア
１１で構成され、通電が行われる導電性材は存在
しない。１２はバイアス磁界印加用のコイルであ
つて後部下コア８ｂに巻回されている。従つて、
積層部から従来のバイアス導体７が除去されたか
たちとなつている。
の強磁性体材料で作られた基板であつて、前部下
コア８ａと後部下コア８ｂとをガラス層等の絶縁
層９で突合せ接着してある。前部下コア８ａと後
部下コア８ｂの間のギヤツプＧは磁気抵抗素子５
の巾Ｗより若干狭くし、両下エアの対向面８a1，
８b1を表面部を除いて裏面側に向つて傾斜させる
ことにより広くしてある。これは磁束の有効利用
の為である。磁気抵抗素子５は絶縁層９をまたい
で基板８上に形成され、絶縁膜１０ａでおゝわれ
ている。この絶縁膜１０ａは媒体対向面Ｆまで伸
びている。１０ｂは絶縁膜１０ａ上に形成された
絶縁膜である。両絶縁膜はSiO2等で構成されて
いる。１１は上コアであつて、パーマロイ、セン
ダス ト等の強磁性材を用いて、後部下コア８ｂ
上から絶縁膜１０ａ，１０ｂ上に形成され、媒体
対向面Ｆまで伸びている。従つて、ギヤツプ長gl
は絶縁膜１０ａの厚さでのみ定まる。又媒体対向
面Ｆは前部下コア８ａと絶縁膜１０ａ及び上コア
１１で構成され、通電が行われる導電性材は存在
しない。１２はバイアス磁界印加用のコイルであ
つて後部下コア８ｂに巻回されている。従つて、
積層部から従来のバイアス導体７が除去されたか
たちとなつている。
この構成においては、信号磁界Hsを受ける
と、上コア１１、後部下コア８ｂ、磁気抵抗素子
５、前部下コア８ａからなる閉磁路を通つて磁束
が流れ、図に矢印M1で示す向きに磁化される。
従つて、磁気抵抗素子５は、従来の場合と同じ
く、その膜面に平行かつ媒体対向面Ｆに直角な方
向に磁化され、信号磁界Hsの大きさに応じて磁
気抵抗効果による抵抗変化△Ｒが生じる。この抵
抗変化△Ｒは信号取出導体６，６を通して検知電
流Isを流すことによつて従来と同様、電圧変化と
して取出すことができる。又バイアスコイル１２
にバイアス電流ＩBを流すと図示矢印方向M2にバ
イアス磁界が加わるので信号磁界Hsと抵抗変化
△Ｒの非直線性を改善することができる。
と、上コア１１、後部下コア８ｂ、磁気抵抗素子
５、前部下コア８ａからなる閉磁路を通つて磁束
が流れ、図に矢印M1で示す向きに磁化される。
従つて、磁気抵抗素子５は、従来の場合と同じ
く、その膜面に平行かつ媒体対向面Ｆに直角な方
向に磁化され、信号磁界Hsの大きさに応じて磁
気抵抗効果による抵抗変化△Ｒが生じる。この抵
抗変化△Ｒは信号取出導体６，６を通して検知電
流Isを流すことによつて従来と同様、電圧変化と
して取出すことができる。又バイアスコイル１２
にバイアス電流ＩBを流すと図示矢印方向M2にバ
イアス磁界が加わるので信号磁界Hsと抵抗変化
△Ｒの非直線性を改善することができる。
なお、上記実施例では、基板８上に一箇の磁気
抵抗素子を有するシングル、トラツクヘツドのも
のについて説明したが、複数個の磁気抵抗素子を
持つマルチトラツクヘツドの場合にも、個々の磁
気抵抗素子若しくは全体の磁気抵抗素子に対応す
る基板にバイアスコイルを巻回することにより前
記と同様の効果が得られる。
抵抗素子を有するシングル、トラツクヘツドのも
のについて説明したが、複数個の磁気抵抗素子を
持つマルチトラツクヘツドの場合にも、個々の磁
気抵抗素子若しくは全体の磁気抵抗素子に対応す
る基板にバイアスコイルを巻回することにより前
記と同様の効果が得られる。
又、バイアス磁界は基板に巻回したバイアス磁
界印加用のコイルを通して与える構成としたこと
によつて、積層部にバイアス導体が存在しなくな
つたから、従来のものに比して積層構造が簡単と
なり、絶縁確保が容易で、生産性、歩留りを向上
しうるという利点がある。
界印加用のコイルを通して与える構成としたこと
によつて、積層部にバイアス導体が存在しなくな
つたから、従来のものに比して積層構造が簡単と
なり、絶縁確保が容易で、生産性、歩留りを向上
しうるという利点がある。
第１図は磁気抵抗効果型磁気ヘツドの従来例の
平面図、第２図は第１図の−断面図、第３図
はこの発明による磁気抵抗効果型磁気ヘツドの実
施例の平面図、第４図は第３図の−断面視図
である。 図において、５……磁気抵抗素子、６……信号
取出導体、８……基板、８ａ……前部下コア、８
ｂ……後部下コア、９……絶縁層、１０ａ，１０
ｂ……絶縁膜、１２……バイアスコイル。なお、
図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
平面図、第２図は第１図の−断面図、第３図
はこの発明による磁気抵抗効果型磁気ヘツドの実
施例の平面図、第４図は第３図の−断面視図
である。 図において、５……磁気抵抗素子、６……信号
取出導体、８……基板、８ａ……前部下コア、８
ｂ……後部下コア、９……絶縁層、１０ａ，１０
ｂ……絶縁膜、１２……バイアスコイル。なお、
図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 絶縁層を介して突合わされた前部下コアと後
部下コアからなる強磁性体の基板、該基板上に絶
縁層をまたいで形成された磁気抵抗素子、該磁気
抵抗素子から伸びる信号取出導体、上記磁気抵抗
素子をおおつて上記基板上に形成された絶縁膜、
上記後部下コアより上記絶縁膜上に伸び該絶縁膜
を介して上記基板との間に媒体対向面ギヤツプを
形成する強磁性体のコア及び上記基板の上記後部
下コア部分に巻回されたバイアスコイルを備えた
ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115180A JPS5715225A (en) | 1980-07-01 | 1980-07-01 | Magnetic resistance effect type magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115180A JPS5715225A (en) | 1980-07-01 | 1980-07-01 | Magnetic resistance effect type magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5715225A JPS5715225A (en) | 1982-01-26 |
| JPS6141044B2 true JPS6141044B2 (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=14018509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9115180A Granted JPS5715225A (en) | 1980-07-01 | 1980-07-01 | Magnetic resistance effect type magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5715225A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61150120A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-08 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果形ヘッド |
| JPS61237218A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Akai Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス付与方法 |
| JPS6288122A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | Akai Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス磁界印加方法 |
| JPS6336912U (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-09 | ||
| JPS6352108U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 |
-
1980
- 1980-07-01 JP JP9115180A patent/JPS5715225A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5715225A (en) | 1982-01-26 |
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