JPS6288122A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツドにおけるバイアス磁界印加方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、ヨークタイプの磁気抵抗効果（以下ｒＭＲ
Ｊと略す）型磁気ヘッドにおけるバイアス磁界印加方法
に関するものである。

〔発明の概要〕

この発明は、閉磁路を形成する磁気コアの一部にＭＲ素
子を配設してなるヨークタイプのＭＲ型磁気ヘッドにお
いて、磁気コアの外部に配設した磁石又はコイルによっ
てＭＲ素子の素子幅方向に磁界を与えることにより、バ
イアス導体を使用せずにＭＲ素子に適正なバイアス磁界
を印加することができるようにしたものである。

〔従来の技術〕

ＭＲ効果を利用した再生磁気ヘッドにはＭＲＪ？子を記
録媒体との摺動面よりも内部に配置したヨークタイプの
ＭＲ型磁気ヘッドがある。

このヨークタイプのＭＲ型磁気ヘッドは、例えば第３図
に概略断面を示すように、磁性基板１の上にバイアス導
体２．ＭＲ素子３．磁性ヨーク４が順次形成されており
、それぞれの間には絶縁層５が介在して相互の絶縁が保
たれた構造となっている。

このような構造にすることにより、記録媒体６との摺動
面７における磁気ギャップＧを介して。

破線Ａで示す閉磁路を形成する磁気コアが構成される。

なお、ＭＲ素子３と磁性基板１との間での磁気信号漏れ
による再生出力の低下を防ぐために、ｒνＩＲ素子３ど
磁性基板１との間隔を大きくとる必要かある。

第４図はＭＲ素子の動作を示す概略斜視図である。

ＭＲＲ子３には７電流＠７−８ａ、８ｂより一定の電流
、が供給される。そして、このＭＲＲ子６は長手方向Ｘ
に磁化容易軸が向くように一軸異方性が付与されており
、外部磁界によりその抵抗値が変化する１３２象を利用
して磁気信号の検出を行なう。

すなわち、ＪのＭ　Ｒ索子乙に対して素子幅方向（困難
磁化方向）■に外部磁界ＨＹが加わると。

ＭＲ素素子力抵抗値の変化率ΔＲ／ΔＲｍａｘと外部磁
界ＨＹの関係は第５図に示すようになる。

外部磁界ＨＹと抵抗値変化の関係はこのままでは非線形
であるので、素子幅方向Ｙにバイアス磁界を印加して、
ＭＲ素子の動作を線形化する必要がある。

さて、第３図においてバイアス導体２に流れる電流によ
って生じ、る磁界の他に、ＭＲ素素子力検出電流によっ
て生じる磁界がＭＲＲ子３に自己バイアス磁界として作
用する。

例えば、バイアス導体２に第３図で紙面に直交する方向
に電流を流せば６破線Ａで示す閉磁路に沿って矢印で示
す方向に磁界が発生し、ＭＲＭ子乙にバイアス磁界とし
て作用する１、また、同じ方向にＭＲＲ子３に検出電流
を流せば、同様に矢印で示す方向に磁界が発生して、Ｍ
Ｒ素″ｆ３自身に自己バイアス磁界として作用する。

したがって、自己バイアス磁界１１ｉ独で適正バイアス
磁界を印加することが可能であるので５バイアス導体２
を必ら「しも形成する必要はない。

また、上述した構造のものの場合、磁性ヨーク４がステ
ップ形状をなしているが、ＭＲＲ子３への磁気ｍ号の伝
達効率を向上させる目的で、第６図に示すように磁性ヨ
ークを平担にした溝付構造のものが提案されている。

すなわち、非磁性体Ｓで充填された溝１０ａを有する磁
性基板１０の上にＭＲＲ子３ど磁性ヨーり１１が順次形
成さＪしており、それぞれの間には絶縁層１２が介在し
て相互の絶縁が保たれた構造のものである。

これによっても、記録媒体６との摺動面７における磁気
ギャップＧを介して破線Ｂで示す閉磁路を形成する磁気
コアが構成され、上述の従来例と同様にＭ　Ｒ素子３に
流れる検出電流によって上記閉磁路に沿った自己バイア
ス磁界が発生する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、自己バイアス磁界単独で適性バイアス磁
界を印加しようとすると、ＭＲ索子を流れる検出電流を
大きくしなければならず、発熱による劣化や熱雑音の増
加等の恐れがあるため、自己バイアス磁界単独でのバイ
アス磁界印加方法は好ましくない。

一方、バイアス導体によりバイアス磁界を印加する方法
では、ＭＲ素子を流れる検出電流は低く抑えられるので
、上記の問題は解消されるが、バイアス導体や絶縁層を
形成するためのホトリソ工程が増加するという問題点が
ある。

また、第６図に示したような溝付構造のものでは、ヨー
クを平担化しているため、バイアス導体を配設するのは
困難である。

この発明は、上記の問題点を解決することを目的とする
。

〔問題点を解決するための手段〕

そのため、この発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
おけるバイアス磁界印加方法は、磁気コアの外部に配設
した磁石又はコイルによってＭＲ素子の素子幅方向に磁
界を与えることにより、該ＭＲ１ｉ４子に適正バイアス
磁界を印加する。

〔実　施　例〕

以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図はこの発明に係る方法を説明するためのＭ　Ｒ型
磁気ヘッドの概略断面図である。なお、第１図において
第３図と同じ部分には同一の符号を付しである。

この実施例では、磁気コア閉磁路内にバイアス導体を形
成せず、磁気コアの外部に配設した永久磁石１３ａ、１
３ｂにより、磁気コアに対してＭＲ素子乙の素子幅方向
（困難磁化方向）の磁界を与える。

その、磁界は矢印で示すように閉鎖路Ａ内を還流しない
が、ＭＲ素子３に適正なバイアス磁界を印加してバイア
ス効果が得られる。

また、磁性基板１及び磁性ヨーク４は形状効果による反
磁界が大きいため、必要バイアス磁界強度範囲において
飽和しないので、記録媒体６からの磁気信号は従来と同
様に伝達される。

なお、磁気コアの外部から磁界を与えるために、永久磁
石に代えて電磁石又はコイルを使用することもできる。

この発明の詳細な説明するために、外部磁界強度を変化
させたときの再生出力値を測定した結果を第２図に示す
。

図中、磁界強度が正の側はＭＲ素子３による自己バイア
ス磁界と同一方向、負の側は逆方向である。また、再生
出力値は周波数８Ｋ）Ｉｚ、記録レベル−１０ｃｌＢの
正弦波が記録された記録媒体を再生したときの８０ｄＢ
アンプ通過後のものである。

そして、曲線ａ、ｂ、ｃは、それぞれＭＲ素子３の検出
電流を４ｍＡ、８ｍＡ、Ｌ　４ｍＡとしたときの基本波
出力を示し１曲ｆｉｄ、ｅ、ｆは、同じ＜４ｍＡ、８ｍ
Ａ、１４ｍＡのときの２次高調波の値を示している。

ここで、基本波出力値は磁界強度に対してＭ字形の曲線
を描く。谷部は自己バイアス磁界と外部磁界による磁界
とが打ち消し合って、無バイアス状態となっていること
を示す。

ＭＲ素子の抵抗値変化が磁界に対して最大傾斜となるバ
イアス磁界が印加されると、出力が最大となる。またＭ
Ｒ素子の検出電流を増加していくと、自己バイアス磁界
が増加するため曲線は負磁界側ヘシフトしていき、外部
磁界によるバイアス効果が確認される。

一方、ＭＲ素子の動作の線形性の目安となる２次高調波
のレベルを、正磁界側で基本波出力が最大となる領域と
負磁界側で基本波出力が最大となる領域とで比較すると
、正磁界側で低くなり、正磁界側にバイアス磁界を印加
することにより線形性が良好となる。

なお、ＭＲ素子の検出電流及び外部磁界強度は本実施例
に制約されるものではない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明のバイアス磁界印加方法
によれば、磁気コア内にバイアス導体が不要となるので
、ホトリソ工程が短縮され、また溝付構造のヨークタイ
プのＭＲ型磁気ヘッドに対してもバイアス導体なしで適
正なバイアス磁界を印加することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の詳細な説明するための磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの概略断面図、 第２図はこの実施例の効果を説明するための線図、第３
図は従来のバイアス磁界印加方法を説明するためのヨー
クイブの磁気抵抗効果型磁気ヘッドの一例を示す概略断
面図、 第４図はＭＲ素子の動作を説明するための概略斜視図、 第５図はＭＲ素子の抵抗値変化率と外部磁界との関係を
示す線図。 第６図は磁気抵抗効果型磁気ヘッドの他の例を示す概略
断面図である。 １・・・磁性基板　　　　　２・・・バイアス導体３・
・・ＭＲ素子　　　　　４・・・磁性ヨーク５・・・絶
縁層　　　　　　６・・・記録媒体１３ａ、１３ｂ・・
・永久磁石 Ａ、Ｂ・・・閉磁路 第１図 外＄７ｍ＊３１Ｊ艷（ガウス）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　閉磁路を形成する磁気コアの一部に磁気抵抗効果素
   子を配設してなるヨークタイプの磁気抵抗効果型磁気ヘ
   ッドにおいて、前記磁気コアの外部に配設した磁石又は
   コイルによつて前記磁気抵抗効果素子の素子幅方向に磁
   界を与えることにより、該磁気抵抗効果素子に適正バイ
   アス磁界を印加することを特徴とするバイアス磁界印加
   方法。