JPS6032885B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPS6032885B2 JPS6032885B2 JP3930080A JP3930080A JPS6032885B2 JP S6032885 B2 JPS6032885 B2 JP S6032885B2 JP 3930080 A JP3930080 A JP 3930080A JP 3930080 A JP3930080 A JP 3930080A JP S6032885 B2 JPS6032885 B2 JP S6032885B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic head
- magnetic
- current
- film magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気へッド‘こ
関するもので、外部よりバイアス磁界を磁気抵抗効果素
子に印加する手段を必要とせず、しかも高感度で歪率の
少ない磁気再生を可能とする薄膜磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
関するもので、外部よりバイアス磁界を磁気抵抗効果素
子に印加する手段を必要とせず、しかも高感度で歪率の
少ない磁気再生を可能とする薄膜磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。
従来のこの種磁気ヘッドは、第１図に示すように、基板
１上にほぼ方形状の磁気抵抗効果素子（以降単にＭＲ素
子とよぶ）２を配置し、その両端部に導体層３を接続し
たもので、ＭＲ素子２へ検知電流ｉを、外部回路より供
給する。ＭＲ素子２は、記録媒体４上のトラック５に記
録された記録情報に対応した出力ｅをその両端電圧とし
て示す。この場合、Ｍ旧素子２において飽和磁化Ｍｓの
方向が長手方向（ｘ方向）に平行に配向するよう製造プ
ロセスにおいて工夫がなされる。しかし、この状態では
感度が悪く、しかも、記録情報の周波数の倍周波の応答
であり、実際に使用する場合、不都合を生じる。そのた
め、ＭＲ素子２の中方向（ｙ方向）にバイアス磁界ＨＢ
を印加し、電流ｉとａだけの角度をなすように飽和磁化
Ｍｓの方向をバイアス設定し、高感度でかつ線形性のよ
い信号再生を可能としてきた。このことを第２図を用い
て補足説明する。
１上にほぼ方形状の磁気抵抗効果素子（以降単にＭＲ素
子とよぶ）２を配置し、その両端部に導体層３を接続し
たもので、ＭＲ素子２へ検知電流ｉを、外部回路より供
給する。ＭＲ素子２は、記録媒体４上のトラック５に記
録された記録情報に対応した出力ｅをその両端電圧とし
て示す。この場合、Ｍ旧素子２において飽和磁化Ｍｓの
方向が長手方向（ｘ方向）に平行に配向するよう製造プ
ロセスにおいて工夫がなされる。しかし、この状態では
感度が悪く、しかも、記録情報の周波数の倍周波の応答
であり、実際に使用する場合、不都合を生じる。そのた
め、ＭＲ素子２の中方向（ｙ方向）にバイアス磁界ＨＢ
を印加し、電流ｉとａだけの角度をなすように飽和磁化
Ｍｓの方向をバイアス設定し、高感度でかつ線形性のよ
い信号再生を可能としてきた。このことを第２図を用い
て補足説明する。
第２図にＭ旧素子の比抵抗変化の８１こ対する変化を図
示している。
示している。
比抵抗△ｐは次式で表わされる。△ｐ功＝△ｐ皿ＣＯＳ
２８ この関係より、８：４５０に動作点Ｐを設定することが
、感度の点および線形性の点で重要であることがわかる
。
２８ この関係より、８：４５０に動作点Ｐを設定することが
、感度の点および線形性の点で重要であることがわかる
。
このようにＭＲ素子２にバイアス磁界ＨＢを印加する方
法としては、｛１’外部から磁石片を設定する。‘２Ｍ
Ｒ素子２の近傍に高抗磁石薄膜を配置する、｛３’ＭＲ
素子２の近傍に導体膜を配置し、バイアス電流をこの導
体膜に流すことによりＭＲ素子２にバイアス磁界を印加
する、｛４｝Ｍ旧素子に接触させて導体膜をつくり、検
知電流ｉをＭＲ素子、導体膜に分流させ、導体膜中を流
れる電流による磁界をバイアス磁界として用いるなどの
方法がある。しかしながら、いずれの方法にも一長一短
がある。まずヘッド構成としては、第１図のような薄膜
層が形成されたのち、保持板が接着されるのであるが、
短波長再生に通したヘッドを構成する場合には、基板１
、保持板は磁性体であることが必要となる。このような
ときバイアス印加方法のうち｛１｝の方法では、基板１
と保持板にその磁束を吸収されてしまい、ＭＲ素子２に
所定のバイアス磁界ＨＢを印加するのが困難となる。‘
３１の印加方法では、記録媒体との超後面で、Ｍ旧素子
２と絶縁層を介して導体層が隣りあわせになるため、摺
接によってその分子層が移動して、物理的に接触し、電
気的な短絡現象をおこしやすい。【４｝の方法では、電
気的な短絡には強い（初めから接触しているため）が、
同じＭ旧素子中（トラック中に相当）に対して期待され
る出力値が低下する。これらの方法は、いずれもＭＲ素
子の長手方向に一般的には誘導異方性を有するように製
造される。実際の素子では第３図に示すようにあわせて
形状異方性が作用し、ビッター法等による滋区観察から
は、長手方向に比較的よくそろった滋壁の現われること
が、確認される。一方、これらのようにバイアス磁界の
印加を必要としない構成として、素子の長手方向とほぼ
４５０傾いた方向に異方性を生じさせる製造上の工夫も
種々なされてきたが、第４図に示すように、磁区構造は
必ずしも、４５０方向に均一にそろった状態にはならず
、複雑な磁壁が現われる。特に端部付近では、磁荷が発
生し、反磁界が働くため、飽和磁化Ｍｓの方向がＭＲ素
子の長手方向に傾く。本発明は以上述べたような従来例
の欠点を改善し、簡単な構成でしかも特性のよい薄膜磁
気ヘッドを提供するものである。第５図に本発明の第１
の実施例の要部の構成を示す。
法としては、｛１’外部から磁石片を設定する。‘２Ｍ
Ｒ素子２の近傍に高抗磁石薄膜を配置する、｛３’ＭＲ
素子２の近傍に導体膜を配置し、バイアス電流をこの導
体膜に流すことによりＭＲ素子２にバイアス磁界を印加
する、｛４｝Ｍ旧素子に接触させて導体膜をつくり、検
知電流ｉをＭＲ素子、導体膜に分流させ、導体膜中を流
れる電流による磁界をバイアス磁界として用いるなどの
方法がある。しかしながら、いずれの方法にも一長一短
がある。まずヘッド構成としては、第１図のような薄膜
層が形成されたのち、保持板が接着されるのであるが、
短波長再生に通したヘッドを構成する場合には、基板１
、保持板は磁性体であることが必要となる。このような
ときバイアス印加方法のうち｛１｝の方法では、基板１
と保持板にその磁束を吸収されてしまい、ＭＲ素子２に
所定のバイアス磁界ＨＢを印加するのが困難となる。‘
３１の印加方法では、記録媒体との超後面で、Ｍ旧素子
２と絶縁層を介して導体層が隣りあわせになるため、摺
接によってその分子層が移動して、物理的に接触し、電
気的な短絡現象をおこしやすい。【４｝の方法では、電
気的な短絡には強い（初めから接触しているため）が、
同じＭ旧素子中（トラック中に相当）に対して期待され
る出力値が低下する。これらの方法は、いずれもＭＲ素
子の長手方向に一般的には誘導異方性を有するように製
造される。実際の素子では第３図に示すようにあわせて
形状異方性が作用し、ビッター法等による滋区観察から
は、長手方向に比較的よくそろった滋壁の現われること
が、確認される。一方、これらのようにバイアス磁界の
印加を必要としない構成として、素子の長手方向とほぼ
４５０傾いた方向に異方性を生じさせる製造上の工夫も
種々なされてきたが、第４図に示すように、磁区構造は
必ずしも、４５０方向に均一にそろった状態にはならず
、複雑な磁壁が現われる。特に端部付近では、磁荷が発
生し、反磁界が働くため、飽和磁化Ｍｓの方向がＭＲ素
子の長手方向に傾く。本発明は以上述べたような従来例
の欠点を改善し、簡単な構成でしかも特性のよい薄膜磁
気ヘッドを提供するものである。第５図に本発明の第１
の実施例の要部の構成を示す。
基板１上にＦｅ−Ｎｉ合金等の磁気抵抗効果を有する磁
性薄膜を電子ビーム、スパッタリング等の方法で生成す
る。この際、磁場中で生成して、誘導磁気異方性を磁性
薄膜中に生じさせる。その後ホトリソグラフィ等の技術
を用いて、図に示す如く櫛歯状形状を有する形状に磁性
薄膜をエッチングし、ＭＲ素子２とする。ついで、ＭＲ
素子２に電流を供給するための導体層３を蒸着し、Ｍ旧
素子２の両端で接続するように所定のパターンにエッチ
ングする。以下、図には示していないが、必要であれば
保護層あるいはギャップ長を決める非磁性絶縁層を形成
し、ついで保護板を接着する。ここで基板１、保護板等
はガラス、アルミナ等の非磁性体である場合もあるし、
フェライト、Ｎｉ一Ｆｅ合金、センダスト等の強磁性体
の場合もある。また、これら強磁性体を用いた場合には
、必要に応じて、Ｓｉ０やＳｉ０２等の非磁性絶縁層を
穣層したものを基板１とする場合もある。しかし、この
ような点は本発明と直後かかわりあいがないのでこれ以
上詳しくは触れない。櫛歯状の方向は、ＭＲ素子２に流
れる電流ｉ方向Ｐと０だけ傾いた方向Ｑにする。
性薄膜を電子ビーム、スパッタリング等の方法で生成す
る。この際、磁場中で生成して、誘導磁気異方性を磁性
薄膜中に生じさせる。その後ホトリソグラフィ等の技術
を用いて、図に示す如く櫛歯状形状を有する形状に磁性
薄膜をエッチングし、ＭＲ素子２とする。ついで、ＭＲ
素子２に電流を供給するための導体層３を蒸着し、Ｍ旧
素子２の両端で接続するように所定のパターンにエッチ
ングする。以下、図には示していないが、必要であれば
保護層あるいはギャップ長を決める非磁性絶縁層を形成
し、ついで保護板を接着する。ここで基板１、保護板等
はガラス、アルミナ等の非磁性体である場合もあるし、
フェライト、Ｎｉ一Ｆｅ合金、センダスト等の強磁性体
の場合もある。また、これら強磁性体を用いた場合には
、必要に応じて、Ｓｉ０やＳｉ０２等の非磁性絶縁層を
穣層したものを基板１とする場合もある。しかし、この
ような点は本発明と直後かかわりあいがないのでこれ以
上詳しくは触れない。櫛歯状の方向は、ＭＲ素子２に流
れる電流ｉ方向Ｐと０だけ傾いた方向Ｑにする。
ここでＯＧま鋭角であり、おおよそ４５０が選択され得
る。そのためＭＲ素子２を構成する磁性薄膜を磁場中で
生成する際は、磁場方向がＱ方向であるようにする。こ
れによって磁性薄膜はＱ方向に飽和磁化Ｍｓが配向し、
図のような形状にＭＲ素子２がエッチングされた場合で
も、形状異方性の効果から櫛歯状方向にＭｓが容易に保
持される。電流ｉは櫛歯状の部分には流れないため、Ｍ
旧素子２のＭｓが電流ｉ方向と４５ｏ額く構成を確実に
実現する。ＭＲ素子２の比抵抗変化△ｐと印加磁界日と
の関係は第６図に示すようになり、バイアス磁界なくし
て直線領域での動作が可能となり、極めて構成が簡単で
かつ特性のよいヘッドが実現できる。第５図はＭ旧素子
２が記録媒体摺嬢面４に接していない図を示すが、長波
長の信号再生にはこのような使用も可能である。また、
第５図のような状態から研削、あるいはラッピング等に
よりＭＲ素子２の端部を記録媒体摺嬢面４に露呈させて
用いる場合もあり、その様子を第７図に示す。
る。そのためＭＲ素子２を構成する磁性薄膜を磁場中で
生成する際は、磁場方向がＱ方向であるようにする。こ
れによって磁性薄膜はＱ方向に飽和磁化Ｍｓが配向し、
図のような形状にＭＲ素子２がエッチングされた場合で
も、形状異方性の効果から櫛歯状方向にＭｓが容易に保
持される。電流ｉは櫛歯状の部分には流れないため、Ｍ
旧素子２のＭｓが電流ｉ方向と４５ｏ額く構成を確実に
実現する。ＭＲ素子２の比抵抗変化△ｐと印加磁界日と
の関係は第６図に示すようになり、バイアス磁界なくし
て直線領域での動作が可能となり、極めて構成が簡単で
かつ特性のよいヘッドが実現できる。第５図はＭ旧素子
２が記録媒体摺嬢面４に接していない図を示すが、長波
長の信号再生にはこのような使用も可能である。また、
第５図のような状態から研削、あるいはラッピング等に
よりＭＲ素子２の端部を記録媒体摺嬢面４に露呈させて
用いる場合もあり、その様子を第７図に示す。
この図では、櫛歯状形状がＭ庇素子２の片側だけに現わ
れた構成となる。このようなＭ旧素子２の櫛歯状形状は
、ホトリソグラフィ技術の可能性と密接な関係がある。
第８図にもとづき説明する。櫛歯の中ａ、ピッチｂ、長
さ１、電流ｉが実質的に流れるＭ旧素子２の部分の中ｗ
とする。（ｂ−ａ）についてはできるだけ小さい方が飽
和磁化Ｍｓの配向にとっては有利であるが、０．５〜４
ムの程度が現在の技術では妥当な値である。１／ｗ≧１
とすることにより反磁場による端部でのスピンの乱れを
実質的に無視できるようになる。
れた構成となる。このようなＭ旧素子２の櫛歯状形状は
、ホトリソグラフィ技術の可能性と密接な関係がある。
第８図にもとづき説明する。櫛歯の中ａ、ピッチｂ、長
さ１、電流ｉが実質的に流れるＭ旧素子２の部分の中ｗ
とする。（ｂ−ａ）についてはできるだけ小さい方が飽
和磁化Ｍｓの配向にとっては有利であるが、０．５〜４
ムの程度が現在の技術では妥当な値である。１／ｗ≧１
とすることにより反磁場による端部でのスピンの乱れを
実質的に無視できるようになる。
ａはできるだけ小さくした方が、櫛歯部分で電流ｉの拡
がる範囲を小さくできる。すなわち、この電流の拡がり
を半径ａ′２の拡がりと仮定すると、この領域で電流ｉ
の方向が傾くため、飽和磁化Ｍｓの方向との関係は最適
状態からずれる。この影響を軽減するためには、ａ／小
ミ０．２崖度とすることが適当と考えられるが、実際の
使用時での特性からこの範囲外でも妥当な特性になり得
る可能性があることがわかる。また、本発明の構成は飽
和磁化Ｍｓの向きが影響を与えるが、電流ｉがＭＲ素子
２に流れることによって生じる磁界がＭｓを一つの向き
にそろえることに寄与する。この効果に加えて、Ｍ旧素
子２自身を一つの向きに着磁したり、ＭＲ素子２の長手
方向に磁界を印加する手段によりＭｓの向きを一つ向き
保持したりしてもよい。また、このように飽和磁イひＭ
ｓの方向を櫛歯状方向により確実に保持するため、熱膨
張係数が異方性を有する基板、たとえば単結晶アルミナ
等を用いることは十分可能である。
がる範囲を小さくできる。すなわち、この電流の拡がり
を半径ａ′２の拡がりと仮定すると、この領域で電流ｉ
の方向が傾くため、飽和磁化Ｍｓの方向との関係は最適
状態からずれる。この影響を軽減するためには、ａ／小
ミ０．２崖度とすることが適当と考えられるが、実際の
使用時での特性からこの範囲外でも妥当な特性になり得
る可能性があることがわかる。また、本発明の構成は飽
和磁化Ｍｓの向きが影響を与えるが、電流ｉがＭＲ素子
２に流れることによって生じる磁界がＭｓを一つの向き
にそろえることに寄与する。この効果に加えて、Ｍ旧素
子２自身を一つの向きに着磁したり、ＭＲ素子２の長手
方向に磁界を印加する手段によりＭｓの向きを一つ向き
保持したりしてもよい。また、このように飽和磁イひＭ
ｓの方向を櫛歯状方向により確実に保持するため、熱膨
張係数が異方性を有する基板、たとえば単結晶アルミナ
等を用いることは十分可能である。
すなわち、ＭＲ素子２の磁歪定数入が正（または負）の
場合、単結晶ァルミナのＡ面を基板として用い、その単
結晶ァルミナのＣ軸を第５図のＱ方向と直角方向（また
はＱ方向と平行方向）にして用いることにより、逆磁歪
による譲導異方性をＱ方向に重ねることが可能である。
以上述べたように、本発明によれ‘よ、櫛歯状形状を有
するＭ旧素子を用いているため、飽和磁化Ｍｓの方向を
確実に電流方向に対して懐けることが可能となり、バイ
アス磁界を供給する手段が不必要な、簡単でかつ特性の
よい薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
場合、単結晶ァルミナのＡ面を基板として用い、その単
結晶ァルミナのＣ軸を第５図のＱ方向と直角方向（また
はＱ方向と平行方向）にして用いることにより、逆磁歪
による譲導異方性をＱ方向に重ねることが可能である。
以上述べたように、本発明によれ‘よ、櫛歯状形状を有
するＭ旧素子を用いているため、飽和磁化Ｍｓの方向を
確実に電流方向に対して懐けることが可能となり、バイ
アス磁界を供給する手段が不必要な、簡単でかつ特性の
よい薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は磁気抵抗効果素子を用いた従来の磁気ヘッドを
説明するための斜視図、第２図はその飽和磁イＯＭｓと
電流ｉとのなす角８と比抵抗変化△ｐとの関係を示す図
、第３図および第４図は従来例におけるＭ肝素子におけ
る飽和磁他Ｍｓの状態、および磁壁の状態をそれぞれ示
す図、第５図は本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの一実施
例の要部を示す平面図、第６図はその動作を示す印加磁
界日と比抵抗変化△ｐの関係を示す図、第７図は本発明
の薄膜磁気ヘッドの他の実施例の要部を示す平面図、第
８図は本発明の薄膜磁気へッドーこおける櫛歯状形状の
磁気抵抗効果素子を示す拡大図である。 １…・・・基板、２…・・・磁気抵抗効果素子、３・・
・・・・導体層。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
説明するための斜視図、第２図はその飽和磁イＯＭｓと
電流ｉとのなす角８と比抵抗変化△ｐとの関係を示す図
、第３図および第４図は従来例におけるＭ肝素子におけ
る飽和磁他Ｍｓの状態、および磁壁の状態をそれぞれ示
す図、第５図は本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの一実施
例の要部を示す平面図、第６図はその動作を示す印加磁
界日と比抵抗変化△ｐの関係を示す図、第７図は本発明
の薄膜磁気ヘッドの他の実施例の要部を示す平面図、第
８図は本発明の薄膜磁気へッドーこおける櫛歯状形状の
磁気抵抗効果素子を示す拡大図である。 １…・・・基板、２…・・・磁気抵抗効果素子、３・・
・・・・導体層。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に磁気抵抗効果素子を配置し、この磁気抵抗
効果素子の少なくとも両端部が導体層と接続して前記磁
気抵抗効果素子に電流を供給するよう構成されている薄
膜磁気ヘツドにおいて、前記磁気抵抗効果素子の少なく
とも片側に、前記電流方向と鋭角に傾いた方向に櫛歯形
状が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘツド。 ２ 鋭角がほぼ４５°であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツド。３ 基板が、熱膨
張係数に異方性を有する材料であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3930080A JPS6032885B2 (ja) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3930080A JPS6032885B2 (ja) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56137519A JPS56137519A (en) | 1981-10-27 |
| JPS6032885B2 true JPS6032885B2 (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=12549270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3930080A Expired JPS6032885B2 (ja) | 1980-03-26 | 1980-03-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032885B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323890U (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-17 | ||
| JPS6444783U (ja) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715224A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Magnetic resistance effect type magnetic head |
| JPS61178713A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-11 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気センサ |
| US4649447A (en) * | 1985-08-15 | 1987-03-10 | International Business Machines | Combed MR sensor |
| TW438155U (en) * | 1995-07-27 | 2001-05-28 | Daishinku Corp | Multi-mode piezoelectric filter |
-
1980
- 1980-03-26 JP JP3930080A patent/JPS6032885B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6323890U (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-17 | ||
| JPS6444783U (ja) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56137519A (en) | 1981-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4896235A (en) | Magnetic transducer head utilizing magnetoresistance effect | |
| US5402292A (en) | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films | |
| US5406433A (en) | Dual magnetoresistive head for reproducing very narrow track width short wavelength data | |
| JPH11102508A (ja) | 薄膜磁気変換器 | |
| CA1097803A (en) | Magneto-resistive reading head with suppression of thermal noise | |
| JPS6350768B2 (ja) | ||
| JPS6032885B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH1091920A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| KR100267411B1 (ko) | 자기 저항 헤드 | |
| JPS6227449B2 (ja) | ||
| US5959809A (en) | Magnetoresistive head and method of manufacturing the same and magnetic recording apparatus | |
| JP2000011331A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッド | |
| CA1101120A (en) | Magneto-resistive reading head | |
| JPH05234170A (ja) | 磁気ヘッド | |
| Maruyama et al. | A yoke magnetoresistive head for high track density recording | |
| JP2878738B2 (ja) | 記録再生兼用薄膜磁気ヘッド | |
| JPS61134913A (ja) | 磁気抵抗型薄膜ヘツド | |
| JPS6057520A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2601850B2 (ja) | 磁気的再生装置 | |
| JPS63138515A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH048846B2 (ja) | ||
| JPS60150222A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0440775B2 (ja) | ||
| JPH05266435A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0528437A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘツドを有する複合型磁気ヘツド |