JPH11102508A - 薄膜磁気変換器 - Google Patents

薄膜磁気変換器

Info

Publication number
JPH11102508A
JPH11102508A JP10137395A JP13739598A JPH11102508A JP H11102508 A JPH11102508 A JP H11102508A JP 10137395 A JP10137395 A JP 10137395A JP 13739598 A JP13739598 A JP 13739598A JP H11102508 A JPH11102508 A JP H11102508A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
thin film
transducer according
sensing element
film magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10137395A
Other languages
English (en)
Inventor
Pradeep K Thayamballi
プラディープ・ケイ・タヤムバリ
Samuel W Yuan
サミュエル・ダブリュ・ユーアン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Read Rite Corp
Original Assignee
Read Rite Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Read Rite Corp filed Critical Read Rite Corp
Publication of JPH11102508A publication Critical patent/JPH11102508A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
    • G11B5/3932—Magnetic biasing films

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多層ＧＭＲ構造において、交互に積層さ
れた磁性層の磁化配向が互いに直角をなすバイアス状態
を作り出す構造を提供する。 【解決手段】 巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）を用いた薄膜磁
気ヘッドは、交互に積層された強磁性材料層１２、１４
と非磁性材料層１３、１５とを有し、これらは、外部磁
場の存在しない状態で前記磁性層間の配向が反平行状態
となるように静磁・交換相互作用により結合されてい
る。強磁性／非磁性材料積層構造に磁気バイアスを印加
して、隣接する磁性層にはさみ形の磁化配置を得る。磁
気バイアス手段２１は、空気ベアリング面から遠い位置
にある積層ＧＭＲ構造のエッジに隣接して配置され、非
磁性非導電性スペーサ２６によりセンサ１０から分離さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、巨大磁気抵抗効果
を用いた薄膜磁気ヘッドに関し、特に永久磁石を用いて
バイアスを与えるようにした構造を有する薄膜磁気ヘッ
ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】本願出願人に譲渡された1996年11月19日
発行のロットメイヤー（Rottmayer）他による米国特許
第５,５７６,９１４号、発明の名称「Compact Read/Wri
te Head Having Biased GMR Element」の明細書には、
バイアスされた巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）変換器が開示さ
れている。この米国特許の要旨は本願発明に関連するも
のであり、本明細書においてこれを参照することができ
る。
【０００３】従来技術によれば、磁気媒体からデータを
高線記録密度で読み取ることができる磁気抵抗（ＭＲ）
センサまたはヘッドと呼ばれる磁気読取り変換器が知ら
れている。ＭＲセンサは、読取り素子が感知する磁束の
強さ及び向きの関数としてＭＲ読取り素子における抵抗
の変化を用いて磁場信号を検出する。これら従来技術の
ＭＲセンサは、読取り素子の抵抗成分が読取り素子を流
れるセンス電流の向きと磁化の向きとの角度のコサイン
の二乗として変化する異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果に
基づいて動作する。
【０００４】多層構造の磁気センサにおける抵抗の変化
が、磁性層間における伝導電子のスピンによる非磁性層
の通過、及びこれに伴う層界面におけるスピンによる電
子の散乱に起因する、より顕著な磁気抵抗効果が知られ
ている。この磁気抵抗効果は一般に「巨大磁気抵抗効
果」（ＧＭＲ）と呼ばれている。このような磁気抵抗セ
ンサは、適当な材料で製造することにより、ＡＭＲ効果
を用いたセンサの場合よりも感度が向上しかつ抵抗変化
が大きくなる。このようなＧＭＲ型センサでは、非磁性
層により分離された一対の強磁性層間の面内抵抗が、両
層間の磁化の角度のコサインとして変化する。このよう
なＧＭＲ構造を用いた変換器の例がディーニ（Dieny）
他による米国特許第５,２０６,５９０号明細書に記載さ
れている。
【０００５】上述した米国特許５,５７６,９１４号によ
れば、小型の読取り／書取りヘッドは磁気バイアスされ
たＧＭＲ素子を有し、これにより読み出し信号のノイズ
が低減され、かつ磁束感知の線形性及び利得が改善され
る。ＧＭＲ素子は、隣接する記録媒体による励起磁場が
無い場合に、ＧＭＲ素子の積層された多層膜の主磁区が
はさみ形の配置を画定するように磁気バイアスされてい
る。励起磁場が隣接する記録媒体から与えられたとき、
これは励起磁場の極性によって、はさみ形の配置を９０
度の交差状態から０度の閉じた状態または１８０度の反
平行な状態に回転させる。従って、その結果得られるコ
サインの変化（及びコサインの関数であるＧＭＲ素子の
抵抗）は、０（コサイン９０度）からプラス１（コサイ
ン０度）またはマイナス１（コサイン１８０度）に変化
する。
【０００６】ウチダ他の米国特許第４,５２４,４０１号
明細書には、ＭＲセンサと同一平面上にかつ空気ベアリ
ング面（ＡＢＳ）から離隔して配置されたバイアス磁石
を用いたＭＲヘッドが示されている。このバイアス磁石
は、ＡＢＳに近いＭＲセンサ領域に（ＭＲストライプの
高さ方向に沿って）比較的強く、かつＡＢＳから離れた
センサ領域ではそれより弱い反磁界を生じさせる。バイ
アス磁石から発生したバイアス磁場は、ＡＢＳから離れ
たＭＲ素子の中央部分を飽和させるだけの強さを有する
が、ＡＢＳに近いＭＲ素子の領域では、磁気記録媒体の
記録トラックからの信号磁場に対する感度を維持してい
る。上記ウチダ他の米国特許は、本発明において提案す
る多層構造ではなく、単層構造を目的としている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】磁気記録のリードバッ
クで多層ＧＭＲセンサを用いるためには、印加磁場に関
して電気的リードバック信号が線形応答を有することが
望ましい。電気信号は、隣接する磁性層間における磁化
方向の角度のコサインに比例するので、磁気ディスクの
ような磁気媒体の磁場励起により線形出力信号が発生す
るようなバイアス状態を作り出す必要がある。
【０００８】バイアスされた磁化の向きが、交互に積層
した各層間における磁化の角度を二分する方向を磁気媒
体からの磁場が向くようになっている場合、前記各層の
抵抗は、外部磁場に関して線形に変化する。本発明によ
れば、交互に積層した各層の磁化が互いに直角をなすバ
イアス状態を作るための構造が提供される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では、反強磁性材
料の層に非磁性材料の層を挟むことにより、前記各層の
磁化がそれらの間の静磁相互作用によりかつ各層間の交
換相互作用により結合され、各層の配向が反平行となる
ようにされている。バイアス用の永久磁石は、ＡＢＳか
ら遠い位置にある多層ＧＭＲ構造のエッジに接触させて
配置される。
【００１０】このバイアスの目的は、上記ウチダ他の米
国特許の構造のようにセンサの中央部分を飽和させるの
ではなく、最大の応答感度を得るために、ＧＭＲ多層膜
の磁化をはさみ形の状態に設定することである。接触接
合（contiguous junction）製造技術をバイアス磁石に
用いて、多層ＧＭＲセンサ素子とバイアス磁石とを近接
させるが、これは小さい読取りギャップで動作する装置
にとって重要である。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に於いて、参照符号１１で示
す基板の上にＧＭＲ感知素子１０の構造を形成すること
ができる。この構造は、強磁性材料層１２、１４の間に
非磁性材料層１３、１５が挟まれた多層膜からなる。強
磁性材料層１２、１４は、ＮｉＦｅまたはＣｏのような
適当な材料で形成することができ、かつ非磁性材料層１
３、１５は銅で形成するのが好ましい。図１には２つの
強磁性材料層と２つの非磁性材料層とが記載されている
だけであるが、このように交互に積層した強磁性材料層
と非磁性材料層との対は適当な数だけ用いれば良いこと
が理解される。
【００１２】次に、このように組み立てられた膜をエッ
チングして矩形に形成する。各層１２〜１５の磁化が、
各層間の静磁相互作用によりかつそれらの間の交換相互
作用により結合されて、隣接する磁性層間の配向を反平
行にしている。図１には、バイアス磁石が存在しない状
態での磁化配置が示されており、ここで好ましい方向
は、逆向きの矢印２０で示されるように、長方形の長手
方向軸に平行である。
【００１３】図２に示すように、磁気バイアス手段をセ
ンサ１０のトラック幅方向に対して直角に形成する。こ
のようなバイアス手段は、図２の矢印２２で示す方向に
沿って初期化した場合に前記多層膜にバイアス状態を付
与する永久磁石２１で形成することができる。この状態
では、交互に積層されてセンサ素子を形成する磁性層１
２、１４の磁化の向きが、直交する矢印２５、２５′で
表されるように、はさみ形の状態で互いに概ね直角を成
す。Ａｌ2Ｏ3のような非磁性導電性材料の薄いスペーサ
層２６により、多層膜センサ素子と永久磁石２１との間
の交換相互作用が遮断される。永久磁石２１とスペーサ
層２６とは、交互に積層された各層１２〜１５に接触接
合により結合されている。このような接触接合（contig
uous junction）としては、例えばクローンビィ（Kroun
bi）他の米国特許第５,０１８,０３７号明細書に教示さ
れるようなものがある。
【００１４】永久磁石２１に代わるものとして、その端
部にフリーポールを形成することが可能でセンサに静磁
場を発生させる、交換結合された反強磁性／強磁性多層
膜構造を置き換えることができる。
【００１５】次に、電流を流すためのリード３１を形成
し、当業者に知られているように、感知した磁場の強さ
及び方向を表すために、図示しないセンス電流供給源か
ら電流をＧＭＲ素子に供給する。リード３１は、センサ
素子のエッジにリードを重ねることにより、または図２
に示すようにセンサ素子の端部に突き合わせて接合部を
形成することにより、前記センサに接続することができ
る。リード３１を形成して、前記多層膜の各層１２〜１
５の端部と接触接合させる。この構造により、各層１２
〜１５を面内電流（ＣＩＰ）が流れることになる。前記
センサは、当業者に知られているように、その両側に、
電気的絶縁体によりセンサ素子から絶縁されてセンサの
分解能を改善する磁気シールドを形成することができ
る。
【００１６】永久磁石２１（一般に導電体である）を流
れるシャント電流の作用を低減させるために、前記構造
は図３Ａ〜図３Ｃに示されるような形状に変更すること
ができる。まず、シート状の膜からなる多層センサ構造
１０′を付着させる。次に、図３Ａに示すように、リー
ド３１をセンサ素子構造１０′の両側に接触接合させて
形成する。これにより、前記リードの下側のセンサ素子
材料が除去され、トラック幅が画定される。次に、図３
Ｂに示されるように、リード３１及びセンサ素子材料１
０′の部分をマスクし、露出した領域をエッチングして
その内側即ち領域４０の全ての金属を除去する。これに
より、センサ素子材料１０の残存部分の上面、及びセン
サ素子１０の両側と接触接合するリード構造３１の部分
の上に平坦な面が残る。
【００１７】次に、図３Ｃに示すように、リード３１及
びセンサ構造１０の表面を、エッチング又は他の適当な
手法により成形して、リード３１に肩部を形成する。こ
の後に、永久磁石２１を、該永久磁石とセンサ素子１０
及びリード３１との接合部が非磁性非導電性材料の薄い
層２６（１００〜４００Å）を介してリード構造３１及
びセンサ素子構造１０と接触接合するように、形成す
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、以上のように構成する
ことにより、多層膜ＧＭＲセンサ構造において、隣接す
る磁性層の磁化が互いに直交するようなバイアス状態が
得られるので、磁気媒体からの外部磁場に対して線形な
出力信号が得られ、より高感度で高性能な読取りヘッド
が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の構造を形成するために交互に積層され
る強磁性材料層及び非磁性材料層を示す分解斜視図であ
る。
【図２】交互に積層された強磁性材料層及び非磁性材料
層と、それらに結合された永久磁石バイアス部材及び導
電リードとからなる構造を部分的に断面視して示す斜視
図である。
【図３】本発明の別の実施例を製造する過程を工程順に
示すＡ図〜Ｃ図からなる平面図である。
【符号の説明】
１０、１０′ センサ １１ 基板 １２ 強磁性材料層 １３ 非磁性材料層 １４ 強磁性材料層 １５ 非磁性材料層 ２１ 永久磁石 ２２ 矢印 ２５、２５′ 矢印 ２６ スペーサ層 ３１ リード ４０ 領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サミュエル・ダブリュ・ユーアン アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 94070，サン・カルロス，オークス・ビュ ー・ドライブ・160

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 磁気配向された領域を有する磁気記録
    媒体の磁束遷移を検出するための薄膜磁気変換器であっ
    て、 前記記録媒体の磁気配向領域を感知するために、互いに
    それらの間の静磁相互作用により結合されて巨大磁気抵
    抗効果を生じる材料の層を交互に積層した多層膜を有す
    る面内電流巨大磁気抵抗感知素子と、 前記磁気抵抗感知素子に磁気バイアス磁場を発生される
    ために該磁気抵抗感知素子の前記多層膜に磁気結合され
    た磁気バイアス手段と、 前記磁気抵抗感知素子と前記磁気バイアス手段との間に
    配置された非磁性・非導電性スペーサ手段とを有するこ
    とを特徴とする薄膜磁気変換器。
  2. 【請求項２】 前記スペーサ手段が、接触接合により
    前記磁気バイアス手段及び前記磁気抵抗感知手段に接続
    されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気
    変換器。
  3. 【請求項３】 前記スペーサ手段がＡｌ2Ｏ3であるこ
    とを特徴とする請求項２に記載の薄膜磁気変換器。
  4. 【請求項４】 前記磁気抵抗感知素子が、磁性材料層
    と非磁性材料層とを交互に積層した多層膜からなること
    を特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気変換器。
  5. 【請求項５】 前記磁性材料がＮｉＦｅまたはＣｏで
    あり、かつ前記非磁性材料がＣｕであることを特徴とす
    る請求項４に記載の薄膜磁気変換器。
  6. 【請求項６】 前記磁気バイアス手段が永久磁石であ
    ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気変換器。
  7. 【請求項７】 前記磁気抵抗感知素子に接続された導
    電手段を有することを特徴とする請求項６に記載の薄膜
    磁気変換器。
  8. 【請求項８】 前記永久磁石が、前記スペーサ手段に
    より前記磁気抵抗感知素子及び前記導電手段から分離さ
    れていることを特徴とする請求項７に記載の薄膜磁気変
    換器。
  9. 【請求項９】 前記磁気バイアス手段が、交換結合さ
    れた強磁性材料層と反強磁性材料層との積層構造からな
    ることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気変換器。
JP10137395A 1997-05-05 1998-05-06 薄膜磁気変換器 Pending JPH11102508A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/851,265 1997-05-05
US08/851,265 US5818685A (en) 1997-05-05 1997-05-05 CIP GMR sensor coupled to biasing magnet with spacer therebetween

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11102508A true JPH11102508A (ja) 1999-04-13

Family

ID=25310374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10137395A Pending JPH11102508A (ja) 1997-05-05 1998-05-06 薄膜磁気変換器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5818685A (ja)
JP (1) JPH11102508A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6714389B1 (en) * 2000-11-01 2004-03-30 Seagate Technology Llc Digital magnetoresistive sensor with bias
WO2004097807A1 (ja) * 2003-04-30 2004-11-11 Fujitsu Limited 磁気記録再生装置
JP2010092579A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Headway Technologies Inc 磁気再生ヘッドおよびその形成方法
JP2010102817A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Tdk Corp 一対のシールド層に結合する一対の強磁性層を有する磁気抵抗効果素子
JP2013080536A (ja) * 2011-10-03 2013-05-02 Toshiba Corp 磁気ヘッド

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5926348A (en) * 1996-08-28 1999-07-20 Yamaha Corporation Magnetoresistive head having a magnetoresistive element with bent portions located at points of high longitudinal bias magnetic field intensity
JP2003529199A (ja) * 1998-11-20 2003-09-30 シーゲート テクノロジー リミテッド ライアビリティ カンパニー 差動ｖｇｍｒセンサ
US6198608B1 (en) 1999-03-18 2001-03-06 Read-Rite Corporation MR sensor with blunt contiguous junction and slow-milling-rate read gap
US6456465B1 (en) 1999-11-09 2002-09-24 Read-Rite Corporation Vertical giant magnetoresistance sensor using a recessed shield
US6649254B1 (en) 2000-02-04 2003-11-18 Seagate Technology Llc Compensated crystalline superlattice ferrimagnets
US6724583B2 (en) 2000-12-19 2004-04-20 Seagate Technology Llc Adjustable permanent magnet bias
US7050274B2 (en) * 2001-03-15 2006-05-23 Seagate Technology Llc Multilayer permanent magnet films
JP3793051B2 (ja) * 2001-07-05 2006-07-05 Ｔｄｋ株式会社 磁気抵抗効果型素子、および、その製造方法、それを用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、及び磁気ディスク装置
US6866751B2 (en) * 2002-03-21 2005-03-15 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of setting self-pinned AP pinned layers with a canted field
US7370404B2 (en) * 2002-03-21 2008-05-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for resetting pinned layer magnetization in a magnetoresistive sensor
US6760966B2 (en) * 2002-04-30 2004-07-13 Headway Technologies, Inc. Process of manufacturing a side reading reduced GMR for high track density
US6930865B2 (en) * 2002-05-14 2005-08-16 Seagate Technology Llc Magnetoresistive read sensor with short permanent magnets
US7133264B2 (en) * 2002-09-13 2006-11-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. High resistance sense current perpendicular-to-plane (CPP) giant magnetoresistive (GMR) head
US7019371B2 (en) * 2004-01-26 2006-03-28 Seagate Technology Llc Current-in-plane magnetic sensor including a trilayer structure
US7324310B2 (en) * 2004-04-30 2008-01-29 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Self-pinned dual CPP sensor exchange pinned at stripe back-end to avoid amplitude flipping
US7352540B1 (en) 2004-12-20 2008-04-01 Storage Technology Corporation Giant magneto-resistive (GMR) transducer having separation structure separating GMR sensor from head-tape interface
US7573684B2 (en) * 2005-04-13 2009-08-11 Seagate Technology Llc Current-in-plane differential magnetic tri-layer sensor
US7436637B2 (en) * 2005-10-05 2008-10-14 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive sensor having an improved pinning structure
NL1036335A1 (nl) * 2007-12-27 2009-06-30 Asml Netherlands Bv Device manufacturing method, lithographic system, lithographic apparatus and design for manufacturing system.
DE102008058538A1 (de) 2008-11-21 2010-05-27 Bernstein Ag GMR-Sensor, Verfahren zum Einrichten eines solchen GMR-Sensors und Einrichtungsvorrichtung
US8659855B2 (en) * 2010-03-19 2014-02-25 Seagate Technology Llc Trilayer reader with current constraint at the ABS
US8675315B2 (en) * 2011-07-29 2014-03-18 Seagate Technology Llc Magnetic sensor with anisotropic liner
US8907666B2 (en) 2011-09-30 2014-12-09 HGST Netherlands B.V. Magnetic bias structure for magnetoresistive sensor having a scissor structure
US8780508B2 (en) 2012-06-29 2014-07-15 Seagate Technology Llc Magnetic element with biased side shield lamination
US8837092B2 (en) 2012-06-29 2014-09-16 Seagate Technology Llc Magnetic element with biasing structure distal the air bearing surface
US8749926B1 (en) * 2012-11-30 2014-06-10 HGST Netherlands B.V. Scissor magnetic read head with wrap-around magnetic shield
US9099122B2 (en) 2013-12-02 2015-08-04 HGST Netherlands B.V. Scissor sensor with back edge bias structure and novel dielectric layer
US9513349B2 (en) * 2014-02-06 2016-12-06 HGST Netherlands B.V. Scissor type magnetic sensor with high magnetic moment bias structure for reduced signal asymmetry
FR3049704B1 (fr) * 2016-03-31 2020-06-05 Ntn-Snr Roulements Capteur de detection d’un champ magnetique periodique

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4623867A (en) * 1984-08-13 1986-11-18 Ampex Corporation Permanent magnet biased narrow track magnetoresistive transducer
US5287238A (en) * 1992-11-06 1994-02-15 International Business Machines Corporation Dual spin valve magnetoresistive sensor
US5576914A (en) * 1994-11-14 1996-11-19 Read-Rite Corporation Compact read/write head having biased GMR element
JP2870437B2 (ja) * 1994-12-29 1999-03-17 ヤマハ株式会社 Ｍｒヘッドおよびその製造方法
US5608593A (en) * 1995-03-09 1997-03-04 Quantum Peripherals Colorado, Inc. Shaped spin valve type magnetoresistive transducer and method for fabricating the same incorporating domain stabilization technique
US5532892A (en) * 1995-06-05 1996-07-02 Quantum Peripherals Colorado, Inc. Soft adjacent layer biased magnetoresistive device incorporating a natural flux closure design utilizing coplanar permanent magnet thin film stabilization

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6714389B1 (en) * 2000-11-01 2004-03-30 Seagate Technology Llc Digital magnetoresistive sensor with bias
WO2004097807A1 (ja) * 2003-04-30 2004-11-11 Fujitsu Limited 磁気記録再生装置
US7417833B2 (en) 2003-04-30 2008-08-26 Fujitsu Limited Magnetic recording and reproducing apparatus having element for correcting misaligned magnetization direction
JP2010092579A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Headway Technologies Inc 磁気再生ヘッドおよびその形成方法
JP2010102817A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Tdk Corp 一対のシールド層に結合する一対の強磁性層を有する磁気抵抗効果素子
JP2013080536A (ja) * 2011-10-03 2013-05-02 Toshiba Corp 磁気ヘッド

Also Published As

Publication number Publication date
US5818685A (en) 1998-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11102508A (ja) 薄膜磁気変換器
US5627704A (en) Thin film giant magnetoresistive CPP transducer with flux guide yoke structure
US4686472A (en) Magnetic sensor having closely spaced and electrically parallel magnetoresistive layers of different widths
JPH07105006B2 (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘツド
JPH10283615A (ja) 磁気抵抗型変換器
JPH09259410A (ja) 磁気抵抗型センサ
JP2002150512A (ja) 磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JPH10256620A (ja) 巨大磁気抵抗効果素子センサ
JP2002025013A (ja) 磁気トンネル接合積層型ヘッド及びその製法
JP2002353535A (ja) 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ
WO2002039512A1 (fr) Element a effet de resistance magnetique, tete magnetique a effet de resistance magnetique, et procede de fabrication de l'element et de la tete magnetique
US7016160B2 (en) Differential CPP reader for perpendicular magnetic recording
WO2002047182A1 (fr) Dispositif a effet magnetoresistif, et tete magnetique a effet magnetoresistif
US6621666B2 (en) Magnetoresistive-effect element having electrode layers oppositely disposed on main surfaces of a magnetoresistive-effect thin film having hard magnetic bias layers with a particular resistivity
US6735059B2 (en) Magnetoresistive effective type element, thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic disk driving device which use said magnetoresistive effective type element which includes at least three shielding films
JP2001014616A (ja) 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法
Rottmayer et al. A new design for an ultra-high density magnetic recording head using a GMR sensor in the CPP mode
US6134091A (en) Spin-valve magneto-resistive head with horizontal type structure
JP2000512763A (ja) ホイートストンブリッジを備える磁界センサ
KR0145034B1 (ko) 자기 트랜스듀서와, 자기 트랜스듀서를 포함하는 매체 드라이브
EP0789250A2 (en) Thin film giant magnetoresistive cip transducer with flux guide yoke structure
US5748413A (en) Magnetoresistive reas transducer with exchange biasing of magnetoresistive sensor and soft adjacent layer
JPH1021513A (ja) 磁気抵抗型変換デバイス
JP2003077107A (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JP2000011331A (ja) 磁気抵抗効果素子及び薄膜磁気ヘッド