JPH10283615A - 磁気抵抗型変換器 - Google Patents
磁気抵抗型変換器Info
- Publication number
- JPH10283615A JPH10283615A JP10108739A JP10873998A JPH10283615A JP H10283615 A JPH10283615 A JP H10283615A JP 10108739 A JP10108739 A JP 10108739A JP 10873998 A JP10873998 A JP 10873998A JP H10283615 A JPH10283615 A JP H10283615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetoresistive transducer
- layers
- ferromagnetic material
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
- G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3951—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes
- G11B5/3954—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged on several parallel planes the active elements transducing on a single track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 アサーティブ即ち表明形信号とコンプリ
メンタリ即ち相補形信号とを供給し得る共通の磁気変換
層を有する磁気変換器。表明形変換器部分６と相補形変
換器部分８とを有し、その間に、各変換器部分に異なる
向きのバイアス磁場を与える反強磁性層１０からなる共
通バイアス部分４が配置される。通常の動作では、各変
換器部分を電流が流れる。或る方向に磁気バイアスされ
た表明形変換器部分には、表明形電気信号として電圧変
化が生じる。別の方向に磁気バイアスされた相補形変換
器部分には、相補形電気信号として電圧変化が生じる。
これら変換器部分は、実際には異方性ＭＲ（ＡＭＲ）セ
ンサとして、又は巨大ＭＲ（ＧＭＲ）センサ、スピンバ
ルブセンサとして動作する。 【効果】 狭データトラック幅及び高記録密度の小型再
生用磁気変換器を安価に実現する。
メンタリ即ち相補形信号とを供給し得る共通の磁気変換
層を有する磁気変換器。表明形変換器部分６と相補形変
換器部分８とを有し、その間に、各変換器部分に異なる
向きのバイアス磁場を与える反強磁性層１０からなる共
通バイアス部分４が配置される。通常の動作では、各変
換器部分を電流が流れる。或る方向に磁気バイアスされ
た表明形変換器部分には、表明形電気信号として電圧変
化が生じる。別の方向に磁気バイアスされた相補形変換
器部分には、相補形電気信号として電圧変化が生じる。
これら変換器部分は、実際には異方性ＭＲ（ＡＭＲ）セ
ンサとして、又は巨大ＭＲ（ＧＭＲ）センサ、スピンバ
ルブセンサとして動作する。 【効果】 狭データトラック幅及び高記録密度の小型再
生用磁気変換器を安価に実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体から感知
した磁束の変化を表明形電気信号及び相補形電気信号に
変換することができる磁気読取り変換器に関する。
した磁束の変化を表明形電気信号及び相補形電気信号に
変換することができる磁気読取り変換器に関する。
【０００２】また、エム・タン（M. Tan）他により1996
年８月14日に出願されかつ本願出願人に譲渡された米国
特許出願第０８／６９６，６５６号：発明の名称「A Me
thodof Forming A Thin Film Magnetic Structure Havi
ng Ferromagnetic and Antiferromagnetic Layers」の
明細書には、膜層の磁化配向が異なる薄膜磁気ヘッドを
製造する方法が開示されており、反強磁性（ＡＦＭ）層
により磁気バイアスが与えられる。この米国特許出願を
本明細書において参照するものとする。
年８月14日に出願されかつ本願出願人に譲渡された米国
特許出願第０８／６９６，６５６号：発明の名称「A Me
thodof Forming A Thin Film Magnetic Structure Havi
ng Ferromagnetic and Antiferromagnetic Layers」の
明細書には、膜層の磁化配向が異なる薄膜磁気ヘッドを
製造する方法が開示されており、反強磁性（ＡＦＭ）層
により磁気バイアスが与えられる。この米国特許出願を
本明細書において参照するものとする。
【０００３】
【従来の技術】データの記録及び読出しを行うために誘
導型磁気ヘッドが一般に用いられている。より小型化、
より大きい記憶容量、より高性能な高記録密度ディスク
ドライブに対する要求が常にあることから、製造者は、
より狭いデータトラック幅でかつより大きい線記録密度
でデータを記録することができる記録素子を作ることを
要求されている。これは、磁気変換器の設計及び製造に
様々な技術的問題を生じさせている。
導型磁気ヘッドが一般に用いられている。より小型化、
より大きい記憶容量、より高性能な高記録密度ディスク
ドライブに対する要求が常にあることから、製造者は、
より狭いデータトラック幅でかつより大きい線記録密度
でデータを記録することができる記録素子を作ることを
要求されている。これは、磁気変換器の設計及び製造に
様々な技術的問題を生じさせている。
【０００４】磁気抵抗型（ＭＲ）ヘッドは、記録媒体上
の情報をより狭いデータトラック幅で読み取ることがで
き、かつより優れた信号対雑音比を実現する。データの
読取り過程において発生する出力信号は、記録媒体の移
動速度に依存しない。一般的なＭＲヘッドは、２つの磁
気シールド層間に挟まれたＭＲセンサを有する。ＭＲセ
ンサと磁気シールド層との間には絶縁層が配置される。
の情報をより狭いデータトラック幅で読み取ることがで
き、かつより優れた信号対雑音比を実現する。データの
読取り過程において発生する出力信号は、記録媒体の移
動速度に依存しない。一般的なＭＲヘッドは、２つの磁
気シールド層間に挟まれたＭＲセンサを有する。ＭＲセ
ンサと磁気シールド層との間には絶縁層が配置される。
【０００５】データ読取りモードでは、前記磁気シール
ドが、記録媒体から発生する磁束を制限する磁束ガイド
として機能し、選択した磁束をＭＲセンサが感知できる
ようにする。磁束の変化は、これに対応してＭＲセンサ
の抵抗を変化させる。次に、ＭＲセンサを流れる直流電
流が、記録媒体に記憶されている情報を表す電圧の変化
を生じさせる。
ドが、記録媒体から発生する磁束を制限する磁束ガイド
として機能し、選択した磁束をＭＲセンサが感知できる
ようにする。磁束の変化は、これに対応してＭＲセンサ
の抵抗を変化させる。次に、ＭＲセンサを流れる直流電
流が、記録媒体に記憶されている情報を表す電圧の変化
を生じさせる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】実際、ＭＲ読取りヘッ
ドの小型化は様々な実施上の問題に直面する。例えば、
磁気ヘッドにおけるＭＲ層は適当にバイアスする必要が
ある。強磁性ＭＲ層は、その自然状態において、磁壁に
より分離された多数の磁区を有する。これらの磁壁は非
常に不安定である。通常の動作時には、磁壁の併合及び
分離が、磁気ヘッドの性能を低下させる一般にバルクハ
ウゼンノイズといわれる好ましくない信号雑音を生じさ
せる。この信号雑音を抑制するために、通常ハード磁気
バイアス層が、磁区を単磁区化するために強磁性層に取
り付けられる。
ドの小型化は様々な実施上の問題に直面する。例えば、
磁気ヘッドにおけるＭＲ層は適当にバイアスする必要が
ある。強磁性ＭＲ層は、その自然状態において、磁壁に
より分離された多数の磁区を有する。これらの磁壁は非
常に不安定である。通常の動作時には、磁壁の併合及び
分離が、磁気ヘッドの性能を低下させる一般にバルクハ
ウゼンノイズといわれる好ましくない信号雑音を生じさ
せる。この信号雑音を抑制するために、通常ハード磁気
バイアス層が、磁区を単磁区化するために強磁性層に取
り付けられる。
【０００７】更に、強磁性層を線形動作領域内に置くた
めに、横バイアスと呼ばれる別のバイアスを強磁性層に
与える必要がある。抵抗率が比較的高くかつＭＲ応答が
最小の材料で形成された軟隣接層を強磁性層から離隔し
てその付近に配置し、横バイアスを与える。
めに、横バイアスと呼ばれる別のバイアスを強磁性層に
与える必要がある。抵抗率が比較的高くかつＭＲ応答が
最小の材料で形成された軟隣接層を強磁性層から離隔し
てその付近に配置し、横バイアスを与える。
【０００８】上述した理由により、狭データトラックの
記録媒体と高線記録密度で相互作用し、かつ好ましくな
い信号雑音なしに記録磁気媒体から読み取られるデータ
信号のみを感知する十分な感度を有する磁気変換器を提
供する必要がある。
記録媒体と高線記録密度で相互作用し、かつ好ましくな
い信号雑音なしに記録磁気媒体から読み取られるデータ
信号のみを感知する十分な感度を有する磁気変換器を提
供する必要がある。
【０００９】本発明の目的は、寸法において小型化さ
れ、かつ狭いデータトラック幅及び高い線記録密度の記
録媒体と相互作用し得る磁気変換器を提供することにあ
る。
れ、かつ狭いデータトラック幅及び高い線記録密度の記
録媒体と相互作用し得る磁気変換器を提供することにあ
る。
【００１０】本発明の別の目的は、信号感知のために高
い感度を有し、かつ好ましくない信号雑音を選択除去す
ることができる磁気読取り変換器を提供することにあ
る。
い感度を有し、かつ好ましくない信号雑音を選択除去す
ることができる磁気読取り変換器を提供することにあ
る。
【００１１】本発明の更に別の目的は、構成が簡単で製
造工程を少なくでき、それにより製造コストを低減し得
る磁気読取り変換器を提供することにある。
造工程を少なくでき、それにより製造コストを低減し得
る磁気読取り変換器を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁気変
換器はアサーティブ（assertive）即ち表明形変換器部
分とコンプリメンタリ（complementary）即ち相補形変
換器部分とを有する。前記両変換器部分の間には、それ
らに異なるバイアス磁場を与える反強磁性層からなるバ
イアス部分が配置される。第１実施例では、前記両変換
器部分が異方性ＭＲ（ＡＭＲ）モードで実現されかつ動
作する。第２実施例では、前記両変換器部分が巨大ＭＲ
（ＧＭＲ）センサ又はスピンバルブセンサとして動作す
る。
換器はアサーティブ（assertive）即ち表明形変換器部
分とコンプリメンタリ（complementary）即ち相補形変
換器部分とを有する。前記両変換器部分の間には、それ
らに異なるバイアス磁場を与える反強磁性層からなるバ
イアス部分が配置される。第１実施例では、前記両変換
器部分が異方性ＭＲ（ＡＭＲ）モードで実現されかつ動
作する。第２実施例では、前記両変換器部分が巨大ＭＲ
（ＧＭＲ）センサ又はスピンバルブセンサとして動作す
る。
【００１３】第１実施例において、前記バイアス部分は
反強磁性層を有する。前記表明形及び相補形変換器部分
はそれぞれ第１及び第２強磁性材料層を有する。前記反
強磁性層は、前記第１及び第２強磁性層の間にかつそれ
らに接して配置される。前記第１及び第２強磁性層に
は、製造時に異なる向きの一軸異方性が付与される。第
１及び第２強磁性層における異なる向きの磁化は、その
間に挟まれた反強磁性層により交換結合の作用で維持さ
れる。
反強磁性層を有する。前記表明形及び相補形変換器部分
はそれぞれ第１及び第２強磁性材料層を有する。前記反
強磁性層は、前記第１及び第２強磁性層の間にかつそれ
らに接して配置される。前記第１及び第２強磁性層に
は、製造時に異なる向きの一軸異方性が付与される。第
１及び第２強磁性層における異なる向きの磁化は、その
間に挟まれた反強磁性層により交換結合の作用で維持さ
れる。
【００１４】前記バイアス層により異なる向きに別個に
バイアスされた第１及び第２強磁性材料層は、変換器が
捉える磁束の変化に応答してその抵抗がそれぞれ別個に
変化する。バイアス電流を印加すると、前記第１及び第
２強磁性層は、それぞれ表明形の電気信号及び相補形の
電気信号として対応する電圧の変化を生じさせる。
バイアスされた第１及び第２強磁性材料層は、変換器が
捉える磁束の変化に応答してその抵抗がそれぞれ別個に
変化する。バイアス電流を印加すると、前記第１及び第
２強磁性層は、それぞれ表明形の電気信号及び相補形の
電気信号として対応する電圧の変化を生じさせる。
【００１５】第２実施例では、前記バイアス部分が反強
磁性層を有する。前記表明形変換器部分は第１及び第３
強磁性材料層を有する。第１強磁性材料層をピン層と称
し、かつ第３強磁性材料層は能動層と称する。第１及び
第３強磁性層は非磁性層を介して互いに離隔される。前
記相補形変換器部分は第２及び第４強磁性材料層を有す
る。第２強磁性材料層をピン層とし、かつ第４強磁性材
料層を能動層とする。第２及び第４強磁性材料層は同様
に別の非磁性層を介して互いに分離される。
磁性層を有する。前記表明形変換器部分は第１及び第３
強磁性材料層を有する。第１強磁性材料層をピン層と称
し、かつ第３強磁性材料層は能動層と称する。第１及び
第３強磁性層は非磁性層を介して互いに離隔される。前
記相補形変換器部分は第２及び第４強磁性材料層を有す
る。第２強磁性材料層をピン層とし、かつ第４強磁性材
料層を能動層とする。第２及び第４強磁性材料層は同様
に別の非磁性層を介して互いに分離される。
【００１６】第１及び第２強磁性材料層と接して配置さ
れる前記反強磁性材料層は、前記第１及び第２ピン層を
異なる向きにバイアスする。しかしながら、一軸異方性
の初期方向がそれぞれ前記第１及び第２ピン層の磁化に
関して異なる向きの角度をなす第３及び第４能動層は、
変換器が捉える磁束の変化に応答してその抵抗が別個に
変化する。バイアス電流を印加すると、前記第３及び第
４強磁性材料層は、それぞれ対応する電圧の変化を表明
形及び相補形電気信号として発生させる。
れる前記反強磁性材料層は、前記第１及び第２ピン層を
異なる向きにバイアスする。しかしながら、一軸異方性
の初期方向がそれぞれ前記第１及び第２ピン層の磁化に
関して異なる向きの角度をなす第３及び第４能動層は、
変換器が捉える磁束の変化に応答してその抵抗が別個に
変化する。バイアス電流を印加すると、前記第３及び第
４強磁性材料層は、それぞれ対応する電圧の変化を表明
形及び相補形電気信号として発生させる。
【００１７】本発明による変換器は、同相分雑音除去
（common mode noise rejection）により雑音の選択除
去を行いつつ表明形信号及び相補形信号を発生させるこ
とができる。表明形信号及び相補形信号は互いに重ね合
わせられ、感知した信号の振幅が基本的に２倍になる。
実際上、本発明の変換器から発生する出力電気信号は、
振幅がほぼ２倍で実質的に雑音がない。
（common mode noise rejection）により雑音の選択除
去を行いつつ表明形信号及び相補形信号を発生させるこ
とができる。表明形信号及び相補形信号は互いに重ね合
わせられ、感知した信号の振幅が基本的に２倍になる。
実際上、本発明の変換器から発生する出力電気信号は、
振幅がほぼ２倍で実質的に雑音がない。
【００１８】更に、唯一の層即ち前記反強磁性層が、前
記表明形センサ及び相補形センサの磁気バイアス層及び
絶縁層の様々な機能を発揮する。この新規な特徴によ
り、簡単な製造工程で全体の厚みを小さくした読取り変
換器を製造することができる。本発明の変換器は、狭デ
ータトラック幅かつ高記録密度で良好に動作する。
記表明形センサ及び相補形センサの磁気バイアス層及び
絶縁層の様々な機能を発揮する。この新規な特徴によ
り、簡単な製造工程で全体の厚みを小さくした読取り変
換器を製造することができる。本発明の変換器は、狭デ
ータトラック幅かつ高記録密度で良好に動作する。
【００１９】上述した及びその他の本発明の特徴及び利
点については、添付図面及び以下の詳細な説明から当業
者には明らかである。尚、添付図面において類似の構成
要素には同様の参照符号を付して説明する。
点については、添付図面及び以下の詳細な説明から当業
者には明らかである。尚、添付図面において類似の構成
要素には同様の参照符号を付して説明する。
【００２０】
【発明の実施の形態】図１は、表明形変換器部分６と相
補形変換器部分８との間に配置されたバイアス部分４か
らなる変換器２を示している。本実施例では、バイアス
部分４が、電気的絶縁性を有しかつ反強磁性材料で形成
されたバイアス層１０を有する。このような反強磁性材
料の例として、ニッケル−コバルト合金の酸化物（Ｎｉ
Ｃｏ−ＯX）がある。これに代えて、酸化鉄（Ｆｅ
2Ｏ3）及びネオジム酸化鉄（ＮｄＦｅＯ3）のような他
の非導電性反強磁性材料を代替物に用いることができ
る。
補形変換器部分８との間に配置されたバイアス部分４か
らなる変換器２を示している。本実施例では、バイアス
部分４が、電気的絶縁性を有しかつ反強磁性材料で形成
されたバイアス層１０を有する。このような反強磁性材
料の例として、ニッケル−コバルト合金の酸化物（Ｎｉ
Ｃｏ−ＯX）がある。これに代えて、酸化鉄（Ｆｅ
2Ｏ3）及びネオジム酸化鉄（ＮｄＦｅＯ3）のような他
の非導電性反強磁性材料を代替物に用いることができ
る。
【００２１】表明形変換器部分６及び相補形変換器部分
８は、それぞれ第１及び第２強磁性層１２、１４を備え
る。両強磁性層１２、１４は、高透磁率及び低保磁力の
軟磁性材料で形成されると好都合である。本実施例で
は、強磁性層１２、１４はパーマロイ即ちニッケル−鉄
合金（ＮｉＦｅ）で形成される。各強磁性層１２、１４
について、一方の端部は接地電位に接続され、かつ他方
の端部は差動増幅器１６の入力に接続されている。
８は、それぞれ第１及び第２強磁性層１２、１４を備え
る。両強磁性層１２、１４は、高透磁率及び低保磁力の
軟磁性材料で形成されると好都合である。本実施例で
は、強磁性層１２、１４はパーマロイ即ちニッケル−鉄
合金（ＮｉＦｅ）で形成される。各強磁性層１２、１４
について、一方の端部は接地電位に接続され、かつ他方
の端部は差動増幅器１６の入力に接続されている。
【００２２】通常の動作時には、変換器２は、空隙２０
により分離された記録媒体１８の上を浮上する。記録媒
体１８は、磁気記録が得られる磁気材料で被覆されたテ
ープ又はディスクを用いることができる。記録媒体１８
は、記録された情報又はデータに対応する磁束のパター
ンで磁化されている。
により分離された記録媒体１８の上を浮上する。記録媒
体１８は、磁気記録が得られる磁気材料で被覆されたテ
ープ又はディスクを用いることができる。記録媒体１８
は、記録された情報又はデータに対応する磁束のパター
ンで磁化されている。
【００２３】データ読取りモードでは、記録媒体１８が
例えば矢印２４の向きに移動する。記録媒体１８上の磁
束遷移は、磁束の変化として変換器２により感知され、
これが次に強磁性層１２、１４の抵抗を動的に変化させ
る。強磁性層１２、１４の抵抗の変化は、記録媒体１８
から読み出される情報に対応している。この抵抗の変化
が電気信号に変換される。
例えば矢印２４の向きに移動する。記録媒体１８上の磁
束遷移は、磁束の変化として変換器２により感知され、
これが次に強磁性層１２、１４の抵抗を動的に変化させ
る。強磁性層１２、１４の抵抗の変化は、記録媒体１８
から読み出される情報に対応している。この抵抗の変化
が電気信号に変換される。
【００２４】図２は、薄膜構造の変換器２を示す断面図
である。変換器２は、好適には非磁性かつ非導電性のセ
ラミック製基板２６上に形成される。基板２６の上に
は、絶縁層２９により分離された第１強磁性層１２が配
置される。バイアス層１０は、第１強磁性層１２と第２
強磁性層１４との間に挟まれる。
である。変換器２は、好適には非磁性かつ非導電性のセ
ラミック製基板２６上に形成される。基板２６の上に
は、絶縁層２９により分離された第１強磁性層１２が配
置される。バイアス層１０は、第１強磁性層１２と第２
強磁性層１４との間に挟まれる。
【００２５】２つの導電リード即ち電気リード３４、３
６が、第１強磁性層１２の各端部と接して配置される。
同様に、導電材料で形成された別の１対の電気リード３
０、３２が、第２強磁性層１４の各端部に接して配置さ
れる。電気リード３２、３６は、それぞれ差動増幅器１
６（図１）の入力７０、６８に電気的に接続される。本
実施例では、電気リード３０、３４が接地電位に短絡さ
れている。
６が、第１強磁性層１２の各端部と接して配置される。
同様に、導電材料で形成された別の１対の電気リード３
０、３２が、第２強磁性層１４の各端部に接して配置さ
れる。電気リード３２、３６は、それぞれ差動増幅器１
６（図１）の入力７０、６８に電気的に接続される。本
実施例では、電気リード３０、３４が接地電位に短絡さ
れている。
【００２６】変換器２の製造方法は、上述した米国特許
出願第０８／６９６，６５６号明細書に開示されてい
る。本実施例では、各層１０、１２、１４はそれぞれ約
２５０Å、５０Å、及び５０Åの膜厚で付着される。
出願第０８／６９６，６５６号明細書に開示されてい
る。本実施例では、各層１０、１２、１４はそれぞれ約
２５０Å、５０Å、及び５０Åの膜厚で付着される。
【００２７】当業者に良く知られているように、外力が
存在しない状態で、反強磁性材料において隣接するイオ
ンの磁気モーメントは、向きが互いに反平行である。し
かしながら、上述した米国特許出願明細書に開示される
ように、交換結合のプロセスを通じて、反強磁性材料層
の表面における磁化の向きは条件付きで維持することが
でき、その結果隣接する強磁性材料の磁化が方向付けさ
れる。
存在しない状態で、反強磁性材料において隣接するイオ
ンの磁気モーメントは、向きが互いに反平行である。し
かしながら、上述した米国特許出願明細書に開示される
ように、交換結合のプロセスを通じて、反強磁性材料層
の表面における磁化の向きは条件付きで維持することが
でき、その結果隣接する強磁性材料の磁化が方向付けさ
れる。
【００２８】通常、強磁性材料片を磁化すると、該材料
の磁区において隣接するイオンの磁気モーメントは単一
方向に整合する。強磁性材料の総体的な磁化は主要磁区
の磁化により決定される。反強磁性材料によって隣接す
るイオンの磁気モーメントが互いに反平行であるので、
反強磁性材料片の総体的な磁化は常に０である。
の磁区において隣接するイオンの磁気モーメントは単一
方向に整合する。強磁性材料の総体的な磁化は主要磁区
の磁化により決定される。反強磁性材料によって隣接す
るイオンの磁気モーメントが互いに反平行であるので、
反強磁性材料片の総体的な磁化は常に０である。
【００２９】しかしながら、一軸異方性を有する強磁性
材料の表面を反強磁性材料の表面と密接に接触させる
と、反強磁性材料における同じ磁気モーメントを有する
イオンの部分が材料の境界に向けて引き寄せられ、それ
により材料界面における表面磁化が維持される。この表
面磁化は、磁気モーメントを特定の形で積み重ねた結果
である。一軸異方性を有する前記強磁性材料を取り除く
と、前記イオンが再配置されかつ表面磁化を失うことに
なる。従って、本明細書中において、反強磁性材料につ
いて説明する際に使用する「磁化」又はこれと同等の文
言は、上述した意味を含むものである。
材料の表面を反強磁性材料の表面と密接に接触させる
と、反強磁性材料における同じ磁気モーメントを有する
イオンの部分が材料の境界に向けて引き寄せられ、それ
により材料界面における表面磁化が維持される。この表
面磁化は、磁気モーメントを特定の形で積み重ねた結果
である。一軸異方性を有する前記強磁性材料を取り除く
と、前記イオンが再配置されかつ表面磁化を失うことに
なる。従って、本明細書中において、反強磁性材料につ
いて説明する際に使用する「磁化」又はこれと同等の文
言は、上述した意味を含むものである。
【００３０】図１及び図２に関連して、変換器２の第１
強磁性層１２は、最初に基板２６の上に初期方向の一軸
異方性５０をもって配置される。反強磁性層１０の第１
面４０と密接する第１強磁性層１２は、交換結合して反
強磁性層１０の第２面４０における磁化を磁化方向３８
に配向する。同様にして、反強磁性層１０の第２面と密
接する第２強磁性層１４は、同様に交換結合のプロセス
により、第２面４４における反強磁性層１０の表面磁化
を磁化方向４２に配向する。表面磁化ベクトル３８、４
２は共存することができ、上述したように層１０を構成
する反強磁性材料の固有の特性により、反強磁性層１０
内において互いに相対的な角度をもって配向される。
強磁性層１２は、最初に基板２６の上に初期方向の一軸
異方性５０をもって配置される。反強磁性層１０の第１
面４０と密接する第１強磁性層１２は、交換結合して反
強磁性層１０の第２面４０における磁化を磁化方向３８
に配向する。同様にして、反強磁性層１０の第２面と密
接する第２強磁性層１４は、同様に交換結合のプロセス
により、第２面４４における反強磁性層１０の表面磁化
を磁化方向４２に配向する。表面磁化ベクトル３８、４
２は共存することができ、上述したように層１０を構成
する反強磁性材料の固有の特性により、反強磁性層１０
内において互いに相対的な角度をもって配向される。
【００３１】表面磁化３８、４２が、それぞれ強磁性層
１２、１４の一軸異方性５０、５２の向きを補強する。
この補強過程は反復性を有する。外部の影響が無い場
合、この構成（コンフィギュレーション）は最低の維持
可能なエネルギー状態である。磁化ベクトル３８、４２
が、第１及び第２強磁性層１２、１４にそれぞれ必要な
磁気バイアスを与える。図１に示すように説明のため
に、表面磁化３８、４２の方向は相互に２θに置かれて
いる。
１２、１４の一軸異方性５０、５２の向きを補強する。
この補強過程は反復性を有する。外部の影響が無い場
合、この構成（コンフィギュレーション）は最低の維持
可能なエネルギー状態である。磁化ベクトル３８、４２
が、第１及び第２強磁性層１２、１４にそれぞれ必要な
磁気バイアスを与える。図１に示すように説明のため
に、表面磁化３８、４２の方向は相互に２θに置かれて
いる。
【００３２】しかしながら、最終的に安定した磁化状態
は、他の磁場により影響を受ける可能性がある。バイア
ス電流供給源５６が第１及び第２強磁性層１２、１４に
それぞれ電流Ｉ１、Ｉ２を流す。縦軸５４の向きに沿っ
て流れる電流Ｉ１、Ｉ２は、それぞれアンペアの法則に
従って磁場５８、６０を発生させる。磁場５８、６０
は、一軸異方性５２、５０の向きを回転させることによ
り、角度θをそれぞれ逆方向に変化させることができ
る。静止動作点として最適角度θを選択する際に、各電
流Ｉ２、Ｉ１により発生する磁場５８、６０を考慮する
必要がある。
は、他の磁場により影響を受ける可能性がある。バイア
ス電流供給源５６が第１及び第２強磁性層１２、１４に
それぞれ電流Ｉ１、Ｉ２を流す。縦軸５４の向きに沿っ
て流れる電流Ｉ１、Ｉ２は、それぞれアンペアの法則に
従って磁場５８、６０を発生させる。磁場５８、６０
は、一軸異方性５２、５０の向きを回転させることによ
り、角度θをそれぞれ逆方向に変化させることができ
る。静止動作点として最適角度θを選択する際に、各電
流Ｉ２、Ｉ１により発生する磁場５８、６０を考慮する
必要がある。
【００３３】前記静止状態におけるθの最適値は、第１
及び第２強磁性層１２、１４双方が線形動作領域内に置
かれる４５゜付近である。図３は、いずれかの強磁性層
１２又は１４の正規化抵抗率を角度θの角度配向の関数
として示している。バイアス電流が適当な場合には、一
軸異方性５０の向きは、それ自身を縦軸５４に関して４
５゜の角度θに配置することにより最適に配向され、強
磁性層１２は、図３に示す磁気抵抗率曲線６２の線形領
域内に十分入る静止動作点Ｑで動作することになる。同
様にして、一軸異方性５２の向きが縦軸方向５４に関し
て−４５゜の角度にある場合、第２強磁性層の動作点
は、図３で示される磁気抵抗率曲線６２の静止点−Ｑに
置かれる。
及び第２強磁性層１２、１４双方が線形動作領域内に置
かれる４５゜付近である。図３は、いずれかの強磁性層
１２又は１４の正規化抵抗率を角度θの角度配向の関数
として示している。バイアス電流が適当な場合には、一
軸異方性５０の向きは、それ自身を縦軸５４に関して４
５゜の角度θに配置することにより最適に配向され、強
磁性層１２は、図３に示す磁気抵抗率曲線６２の線形領
域内に十分入る静止動作点Ｑで動作することになる。同
様にして、一軸異方性５２の向きが縦軸方向５４に関し
て−４５゜の角度にある場合、第２強磁性層の動作点
は、図３で示される磁気抵抗率曲線６２の静止点−Ｑに
置かれる。
【００３４】当業者に良く知られるように、強磁性材料
の抵抗率は、磁化の向きと電流の流れる方向との角度の
コサインの平方として変化する。記録媒体１８が図１に
示す方向２４に移動する場合、ディスク面上に磁化され
た磁束は変換器２を通過し、次に該変換器は磁束の変化
を受ける。表明形変換器部分２に関して、磁束の変化が
図３において符号６４で示されるように正弦曲線である
場合、第１ＭＲ層１２は抵抗率曲線６２に沿って抵抗率
が変化する。基本的に、角度θは曲線６４で表される磁
束の変化によって変化する。
の抵抗率は、磁化の向きと電流の流れる方向との角度の
コサインの平方として変化する。記録媒体１８が図１に
示す方向２４に移動する場合、ディスク面上に磁化され
た磁束は変換器２を通過し、次に該変換器は磁束の変化
を受ける。表明形変換器部分２に関して、磁束の変化が
図３において符号６４で示されるように正弦曲線である
場合、第１ＭＲ層１２は抵抗率曲線６２に沿って抵抗率
が変化する。基本的に、角度θは曲線６４で表される磁
束の変化によって変化する。
【００３５】静止点Ｑは線形領域付近に置かれる。第１
ＭＲ層１２の抵抗は同様に、曲線６６で示されるように
正弦曲線を描いて変化する。上述したように、バイアス
電流Ｉ２は一定で、差動増幅器１６の表明形入力６８へ
の電圧は、図４に曲線７２で示されるように、オームの
法則に一致して正弦曲線をもって変化する。同様の特性
が、相補形変換器部分８についても適用される。即ち、
磁束変化６４′が第２強磁性層１４の抵抗変化６６′を
引き起こし、これが次ぎに相補形入力７０において、図
４に示されるように逆の極性を有する電圧曲線７２′を
生じさせる。
ＭＲ層１２の抵抗は同様に、曲線６６で示されるように
正弦曲線を描いて変化する。上述したように、バイアス
電流Ｉ２は一定で、差動増幅器１６の表明形入力６８へ
の電圧は、図４に曲線７２で示されるように、オームの
法則に一致して正弦曲線をもって変化する。同様の特性
が、相補形変換器部分８についても適用される。即ち、
磁束変化６４′が第２強磁性層１４の抵抗変化６６′を
引き起こし、これが次ぎに相補形入力７０において、図
４に示されるように逆の極性を有する電圧曲線７２′を
生じさせる。
【００３６】図４では、表明形電圧曲線７２と相補形電
圧曲線７２′とを時間領域で一つに重ね合わせる。差動
増幅器１６は図４に示すような差動信号を受信し、表明
形入力６８及び相補形入力７０にそれぞれ送られる電圧
差は実質的に２倍になる。この信号伝送モードは、磁気
変換器について通常関連するポップコーンノイズのよう
な雑音の影響を従来に比してあまり受けない。
圧曲線７２′とを時間領域で一つに重ね合わせる。差動
増幅器１６は図４に示すような差動信号を受信し、表明
形入力６８及び相補形入力７０にそれぞれ送られる電圧
差は実質的に２倍になる。この信号伝送モードは、磁気
変換器について通常関連するポップコーンノイズのよう
な雑音の影響を従来に比してあまり受けない。
【００３７】その理由は、このような雑音が発生する
と、それが表明形変換器部分６及び相補形変換器部分８
双方に同時に影響を及ぼすからである。例えば、図４に
示すように、雑音スパイク７４、７４′はそれぞれ表明
形変換器部分６及び相補形変換器部分８に影響を与え
る。雑音発生時間ｔの間、差動増幅器１６が受ける差動
電圧は、あたかも雑音の事象が存在しないかのように同
じ値のままである。
と、それが表明形変換器部分６及び相補形変換器部分８
双方に同時に影響を及ぼすからである。例えば、図４に
示すように、雑音スパイク７４、７４′はそれぞれ表明
形変換器部分６及び相補形変換器部分８に影響を与え
る。雑音発生時間ｔの間、差動増幅器１６が受ける差動
電圧は、あたかも雑音の事象が存在しないかのように同
じ値のままである。
【００３８】この特徴により、変換器２は弱い信号に対
して高い感度を有するが、好ましくない雑音を選択除去
することができる。このように構成された変換器は、雑
音の多い環境下で弱い磁束を発生する狭データトラック
の記録媒体と相互作用することができる。
して高い感度を有するが、好ましくない雑音を選択除去
することができる。このように構成された変換器は、雑
音の多い環境下で弱い磁束を発生する狭データトラック
の記録媒体と相互作用することができる。
【００３９】更に、変換器２が発生する出力信号は、変
換器２の構成が元々対称的なことにより、比較的対称で
ある。磁気バイアスは、中央バイアス層１０から直接発
生する。二つのＭＲ層１２、１４は互いに直接影響を与
えない。その結果、出力信号は実質的に対称である。
換器２の構成が元々対称的なことにより、比較的対称で
ある。磁気バイアスは、中央バイアス層１０から直接発
生する。二つのＭＲ層１２、１４は互いに直接影響を与
えない。その結果、出力信号は実質的に対称である。
【００４０】図５には、直線７８により表される両変換
器部分６、８の合成出力が示されている。ｙ軸は磁化角
度θのコサインの平方であり、かつｘ軸は記録媒体から
発生する磁束である。曲線７６は、相補形変換器部分８
とは単独で動作する表明形変換器部分の応答である。同
様に曲線７６′は、表明形変換器部分６とは単独で動作
する相補形変換器部分の応答である。合成出力７８が対
称的になることは、他の出力と比較して図５から明らか
である。
器部分６、８の合成出力が示されている。ｙ軸は磁化角
度θのコサインの平方であり、かつｘ軸は記録媒体から
発生する磁束である。曲線７６は、相補形変換器部分８
とは単独で動作する表明形変換器部分の応答である。同
様に曲線７６′は、表明形変換器部分６とは単独で動作
する相補形変換器部分の応答である。合成出力７８が対
称的になることは、他の出力と比較して図５から明らか
である。
【００４１】従来の大部分のＭＲ変換器は、縦磁気バイ
アス及び横磁気バイアスが別個にかつ独立して能動読取
り層に与えられる。縦バイアスは、能動読取り層を単磁
区状態に整合させてバルクハウゼンノイズを除去するの
に用いられ、かつ横バイアスは能動読取り層を能動的線
形領域に配向するために用いられる。対照的に、本発明
の変換器２では、バイアス層１０が表明形読取り層１２
の縦磁気バイアス及び横磁気バイアス双方を与えるだけ
でなく、相補形バイアス層１４に様々なタイプのバイア
スを与える。その結果、変換器２は構造がより簡単にな
り、かつ製造コストが安価になる。
アス及び横磁気バイアスが別個にかつ独立して能動読取
り層に与えられる。縦バイアスは、能動読取り層を単磁
区状態に整合させてバルクハウゼンノイズを除去するの
に用いられ、かつ横バイアスは能動読取り層を能動的線
形領域に配向するために用いられる。対照的に、本発明
の変換器２では、バイアス層１０が表明形読取り層１２
の縦磁気バイアス及び横磁気バイアス双方を与えるだけ
でなく、相補形バイアス層１４に様々なタイプのバイア
スを与える。その結果、変換器２は構造がより簡単にな
り、かつ製造コストが安価になる。
【００４２】上述した変換器は異方性ＭＲ（ＡＭＲ）と
呼ばれている。別のクラスの変換器に、異なる構造及び
動作原理に基づいた巨大ＭＲ（ＧＭＲ）変換器と呼ばれ
るものがあり、その実施例について以下に説明する。
呼ばれている。別のクラスの変換器に、異なる構造及び
動作原理に基づいた巨大ＭＲ（ＧＭＲ）変換器と呼ばれ
るものがあり、その実施例について以下に説明する。
【００４３】図６は、本発明の第２実施例である変換器
１０２を概略的に示しており、２つのスピンバルブ部分
１０６、１０８の間に挟まれた交換ピン止め層部分４を
有する。上述した実施例と同様に、交換ピン止め層部分
４は、電気的絶縁性及び反強磁性を有する材料で形成さ
れたバイアス層１０を有する。バイアス層１０として適
当な材料には、ニッケル−コバルト合金の酸化物（Ｎｉ
Ｃｏ−ＯX）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）又は酸化ニッケル
（ＮｉＯ）が含まれる。
１０２を概略的に示しており、２つのスピンバルブ部分
１０６、１０８の間に挟まれた交換ピン止め層部分４を
有する。上述した実施例と同様に、交換ピン止め層部分
４は、電気的絶縁性及び反強磁性を有する材料で形成さ
れたバイアス層１０を有する。バイアス層１０として適
当な材料には、ニッケル−コバルト合金の酸化物（Ｎｉ
Ｃｏ−ＯX）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）又は酸化ニッケル
（ＮｉＯ）が含まれる。
【００４４】スピンバルブ１０６はピン層１０６Ａ、ス
ペーサ層１０６Ｂ及びフリー層１０６Ｃからなる。スペ
ーサ層１０６Ｂは、ピン層１０６Ａとフリー層１０６Ｃ
との間に配置される。ピン層１０６Ａとフリー層１０６
Ｃとは、高透磁率及び低保磁力を有する軟強磁性材料で
形成することが好ましい。スペーサ層１０６Ｂは、銅
（Ｃｕ）、金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）のような非磁性導
電材料で形成される。
ペーサ層１０６Ｂ及びフリー層１０６Ｃからなる。スペ
ーサ層１０６Ｂは、ピン層１０６Ａとフリー層１０６Ｃ
との間に配置される。ピン層１０６Ａとフリー層１０６
Ｃとは、高透磁率及び低保磁力を有する軟強磁性材料で
形成することが好ましい。スペーサ層１０６Ｂは、銅
（Ｃｕ）、金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）のような非磁性導
電材料で形成される。
【００４５】スペーサ層１０６Ｂ、１０８Ｂの膜厚が変
換器１０２の設計において重要である点に注意すべきで
ある。例えば、表明形変換器部分１０６について、スペ
ーサ層１０６Ｂの膜厚は、ピン層１０６Ａと能動的なフ
リー層１０６Ｃとの間の交換結合を最小にするべく十分
に厚く、かつスピンバルブ効果を増大させるべく十分に
薄くしなければならない。即ち、スペーサ層１０６Ｂの
膜厚は、ピン層１０６Ａから能動フリー層１０６Ｃに通
過する伝導電子の平均自由行程より小さくする必要があ
る。同じ考え方により、相補形変換器部分１０８のスペ
ーサ層１０８Ｂの膜厚について同様の制限が適用され
る。
換器１０２の設計において重要である点に注意すべきで
ある。例えば、表明形変換器部分１０６について、スペ
ーサ層１０６Ｂの膜厚は、ピン層１０６Ａと能動的なフ
リー層１０６Ｃとの間の交換結合を最小にするべく十分
に厚く、かつスピンバルブ効果を増大させるべく十分に
薄くしなければならない。即ち、スペーサ層１０６Ｂの
膜厚は、ピン層１０６Ａから能動フリー層１０６Ｃに通
過する伝導電子の平均自由行程より小さくする必要があ
る。同じ考え方により、相補形変換器部分１０８のスペ
ーサ層１０８Ｂの膜厚について同様の制限が適用され
る。
【００４６】同様にして、相補形変換器部分１０８は、
ピン層１０８Ａと能動層１０８Ｃとの間に配置されたス
ペーサ層１０８Ｂを有する。相補形変換器部分１０８
は、本実施例では、交換結合部分４に関する表明形変換
器部分１０６のミラーイメージである。説明を簡単にす
るために、相補形変換器部分１０８の構造の詳細な説明
は省略する。
ピン層１０８Ａと能動層１０８Ｃとの間に配置されたス
ペーサ層１０８Ｂを有する。相補形変換器部分１０８
は、本実施例では、交換結合部分４に関する表明形変換
器部分１０６のミラーイメージである。説明を簡単にす
るために、相補形変換器部分１０８の構造の詳細な説明
は省略する。
【００４７】変換器１０２の磁気抵抗率は、外部の磁束
変化に対して高い感度を有する。磁気抵抗率は、ピン層
の磁化方向と能動層の磁化方向との角度のコサインの関
数として変化することが分かっている。本実施例では、
変換器１０２は、ＧＭＲ効果に基づいて動作し、又はス
ピンバルブ効果に基づいて動作する。
変化に対して高い感度を有する。磁気抵抗率は、ピン層
の磁化方向と能動層の磁化方向との角度のコサインの関
数として変化することが分かっている。本実施例では、
変換器１０２は、ＧＭＲ効果に基づいて動作し、又はス
ピンバルブ効果に基づいて動作する。
【００４８】図７は、薄膜構造の変換器１０２を示す断
面図である。上述した実施例と同様に、変換器１０２
は、セラミックスのような非磁性非導電性基板２６の上
に形成することが好ましい。基板２６の上には、絶縁層
２９により分離して能動層１０６Ｃ、スペーサ層１０６
Ｂ及びピン層１０６Ａを有する表明形変換器部分１０６
が設けられる。ピン層１０６Ａの上には、交換結合層１
０が配置される。バイアス層の上面には、相補形変換器
部分１０８が形成される。相補形変換器部分１０８は、
能動層１０８Ｃ、スペーサ層１０８Ｂ及びピン層１０８
Ａを有する。
面図である。上述した実施例と同様に、変換器１０２
は、セラミックスのような非磁性非導電性基板２６の上
に形成することが好ましい。基板２６の上には、絶縁層
２９により分離して能動層１０６Ｃ、スペーサ層１０６
Ｂ及びピン層１０６Ａを有する表明形変換器部分１０６
が設けられる。ピン層１０６Ａの上には、交換結合層１
０が配置される。バイアス層の上面には、相補形変換器
部分１０８が形成される。相補形変換器部分１０８は、
能動層１０８Ｃ、スペーサ層１０８Ｂ及びピン層１０８
Ａを有する。
【００４９】２つの導電リード即ち電気リード３０、３
２が、能動層１０８Ｃの各端部に接して配置される。同
様に導電材料で形成された別の１対の電気リード３４、
３６が、別の能動層１０６Ｃの各端部に接して配置され
る。電気リード３２、３６は差動増幅１６（図６）に電
気的に接続されている。電気リード３０、３４は本実施
例では接地されている。
２が、能動層１０８Ｃの各端部に接して配置される。同
様に導電材料で形成された別の１対の電気リード３４、
３６が、別の能動層１０６Ｃの各端部に接して配置され
る。電気リード３２、３６は差動増幅１６（図６）に電
気的に接続されている。電気リード３０、３４は本実施
例では接地されている。
【００５０】変換器１０２の製造方法は、上述した米国
特許出願明細書に開示されている。本実施例において、
各膜層１０８Ｃ、１０８Ｂ、１０８Ａ、１０、１０６
Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃの膜厚は、それぞれ２０〜１０
０Å、１０〜５０Å、１０〜１００Å、５０〜５００
Å、１０〜１００Å、１０〜５０Å、２０〜１００Åで
ある。
特許出願明細書に開示されている。本実施例において、
各膜層１０８Ｃ、１０８Ｂ、１０８Ａ、１０、１０６
Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃの膜厚は、それぞれ２０〜１０
０Å、１０〜５０Å、１０〜１００Å、５０〜５００
Å、１０〜１００Å、１０〜５０Å、２０〜１００Åで
ある。
【００５１】図６は、前記各層間の磁化方向を示してい
る。ピン層１０６Ａ、１０８Ａは、それぞれ初期方向１
１８、１２０の一軸異方性で形成される。しかしなが
ら、ピン層１０６Ａ、１０８Ａは、バイアス層の面１１
４、１１６とそれぞれ密接している。上述したように、
表面磁化１１０、１１２はバイアス層１０の各主面１１
４、１１６においてそれぞれ維持される。
る。ピン層１０６Ａ、１０８Ａは、それぞれ初期方向１
１８、１２０の一軸異方性で形成される。しかしなが
ら、ピン層１０６Ａ、１０８Ａは、バイアス層の面１１
４、１１６とそれぞれ密接している。上述したように、
表面磁化１１０、１１２はバイアス層１０の各主面１１
４、１１６においてそれぞれ維持される。
【００５２】その代わりに、ピン層１０６Ａにおいて、
磁化１１８の向きは交換結合作用によりバイアス層１０
におけるベクトル１１０と平行にピン止めされている。
同様に、ピン１０８Ａでは、磁化１２０の向きがバイア
ス層１０のベクトル１１２と平行にピン止めされてい
る。上述したように、ピン層１０６Ａ、１０８Ａは、摂
動を少なくして外部磁場の変化に耐えるように比較的高
い保磁力を有する強磁性材料で形成される。
磁化１１８の向きは交換結合作用によりバイアス層１０
におけるベクトル１１０と平行にピン止めされている。
同様に、ピン１０８Ａでは、磁化１２０の向きがバイア
ス層１０のベクトル１１２と平行にピン止めされてい
る。上述したように、ピン層１０６Ａ、１０８Ａは、摂
動を少なくして外部磁場の変化に耐えるように比較的高
い保磁力を有する強磁性材料で形成される。
【００５３】以下の説明はピン止め部分１０６に関する
ものである。相補形変換器部分１０８の動作は、小さい
修正があるが実質的に同様である。フリー層１０６Ｃ
は、スペーサ層１０６Ｂを介してピン層１０６Ａから離
隔してかつそれと平行に配置される。フリー層１０６Ｃ
は、最初に一軸異方性の向きが符号１２２Ａで示される
横軸５５に関して垂直な状態で製造される。
ものである。相補形変換器部分１０８の動作は、小さい
修正があるが実質的に同様である。フリー層１０６Ｃ
は、スペーサ層１０６Ｂを介してピン層１０６Ａから離
隔してかつそれと平行に配置される。フリー層１０６Ｃ
は、最初に一軸異方性の向きが符号１２２Ａで示される
横軸５５に関して垂直な状態で製造される。
【００５４】上述したように、スピンバルブ層１０６、
１０８の抵抗率は、それぞれピン層１０６Ａ、１０６Ｂ
とフリー層１０６Ｃ、１０８Ｃとの間の磁化方向の角度
α、−αのコサインとしてそれぞれ変化する。変換器１
０２を記録媒体１８の上方に配置したとき、記録媒体１
０８から発生する磁束の変化が磁化方向１２２、１２４
を回転させ、従って角度αが変化する。図８は、いずれ
かの能動層１０６Ｃ又は１０８Ｃの正規化抵抗率を角度
αの角度配向の関数として示している。
１０８の抵抗率は、それぞれピン層１０６Ａ、１０６Ｂ
とフリー層１０６Ｃ、１０８Ｃとの間の磁化方向の角度
α、−αのコサインとしてそれぞれ変化する。変換器１
０２を記録媒体１８の上方に配置したとき、記録媒体１
０８から発生する磁束の変化が磁化方向１２２、１２４
を回転させ、従って角度αが変化する。図８は、いずれ
かの能動層１０６Ｃ又は１０８Ｃの正規化抵抗率を角度
αの角度配向の関数として示している。
【００５５】磁化方向１２２がそれ自体を横軸５５に関
して９０゜に配置することにより最適に配向されている
場合には、能動層１０６Ｃは、図８に示すように磁気抵
抗率曲線１２６の線形領域内に十分入る静止動作点Ｑに
おいて動作する。同様に、相補形変換器回路部分１０８
において、磁化方向１２４が横軸５５に関して−９０゜
の角度にある場合、能動層１０８Ｃの動作点は図８に示
される磁気抵抗率曲線１２６の静止点−Ｑに置かれる。
して９０゜に配置することにより最適に配向されている
場合には、能動層１０６Ｃは、図８に示すように磁気抵
抗率曲線１２６の線形領域内に十分入る静止動作点Ｑに
おいて動作する。同様に、相補形変換器回路部分１０８
において、磁化方向１２４が横軸５５に関して−９０゜
の角度にある場合、能動層１０８Ｃの動作点は図８に示
される磁気抵抗率曲線１２６の静止点−Ｑに置かれる。
【００５６】記録媒体１８が図６に示す方向に移動する
と、ディスク表面化に磁化されている磁束が変換器１０
２を通過し、次に該変換器は磁束の変化を受ける。磁束
の変化が、図８において符号６４で示される曲線のよう
に正弦曲線であると、これに応答して、スピンバルブ１
０６は、磁気抵抗率曲線１２６に沿って抵抗率が変化す
る。基本的に、角度αは磁気抵抗率曲線１２６で表され
る磁束変化により変化する。静止点Ｑが線形領域付近に
配置されているので、スピンバルブ１０６の抵抗も同様
に、曲線１２８で表されるように正弦曲線をもって変化
する。
と、ディスク表面化に磁化されている磁束が変換器１０
２を通過し、次に該変換器は磁束の変化を受ける。磁束
の変化が、図８において符号６４で示される曲線のよう
に正弦曲線であると、これに応答して、スピンバルブ１
０６は、磁気抵抗率曲線１２６に沿って抵抗率が変化す
る。基本的に、角度αは磁気抵抗率曲線１２６で表され
る磁束変化により変化する。静止点Ｑが線形領域付近に
配置されているので、スピンバルブ１０６の抵抗も同様
に、曲線１２８で表されるように正弦曲線をもって変化
する。
【００５７】上述したように、電流Ｉ１は一定であり、
差動増幅器１６の入力６８への電圧も同様に、オームの
法則に従って、図５の曲線１３２で示すような正弦曲線
をもって変化する。同様の説明が相補形変換器部分につ
いて適用される。即ち、磁束変化６４′がスピンバルブ
１０８における抵抗の変化を引き起こし、該スピンバル
ブが次に、差動増幅器１６の相補形入力７０において、
図９に示すような電圧１３２′を発生させる。
差動増幅器１６の入力６８への電圧も同様に、オームの
法則に従って、図５の曲線１３２で示すような正弦曲線
をもって変化する。同様の説明が相補形変換器部分につ
いて適用される。即ち、磁束変化６４′がスピンバルブ
１０８における抵抗の変化を引き起こし、該スピンバル
ブが次に、差動増幅器１６の相補形入力７０において、
図９に示すような電圧１３２′を発生させる。
【００５８】図９において、電圧曲線１３２、１３２′
を同じ時間領域で一つに重ね合わせる。差動増幅器１６
は、図９に見られるような差動信号を受信し、各入力６
８、７０に送られる電圧差が実質的に２倍になる。上述
したように、この信号伝送モードでは、磁気変換器に関
連して共通するポップコーンノイズのような雑音の影響
が少なくなる。変換器２への雑音スパイクは、スピンバ
ルブ１０６及びスピンバルブ１０８が同等に受ける。
を同じ時間領域で一つに重ね合わせる。差動増幅器１６
は、図９に見られるような差動信号を受信し、各入力６
８、７０に送られる電圧差が実質的に２倍になる。上述
したように、この信号伝送モードでは、磁気変換器に関
連して共通するポップコーンノイズのような雑音の影響
が少なくなる。変換器２への雑音スパイクは、スピンバ
ルブ１０６及びスピンバルブ１０８が同等に受ける。
【００５９】雑音発生時間ｔの間、差動増幅器１６が受
ける差動電圧は、あたかも雑音が存在しないかのように
同じ状態を維持する。従って、変換器１０２は、好まし
くない雑音を選択除去することができると同時に、弱い
信号に対して高い感度を維持する。このように製造され
た変換器１０２は、雑音の存在する環境下で、発生する
磁束が弱い狭データトラックの記録媒体と相互作用する
ことができる。
ける差動電圧は、あたかも雑音が存在しないかのように
同じ状態を維持する。従って、変換器１０２は、好まし
くない雑音を選択除去することができると同時に、弱い
信号に対して高い感度を維持する。このように製造され
た変換器１０２は、雑音の存在する環境下で、発生する
磁束が弱い狭データトラックの記録媒体と相互作用する
ことができる。
【００６０】これらに加えて、変換器１０２から発生す
る信号は、変換器１０２の設計が元々対称的であること
により、比較的対称的である。図１０には、曲線１３６
で表される両スピンバルブ１０６、１０８の合成出力が
示されている。ｙ軸は磁化角度αのコサインであり、か
つｘ軸は記録媒体から発生する磁束である。
る信号は、変換器１０２の設計が元々対称的であること
により、比較的対称的である。図１０には、曲線１３６
で表される両スピンバルブ１０６、１０８の合成出力が
示されている。ｙ軸は磁化角度αのコサインであり、か
つｘ軸は記録媒体から発生する磁束である。
【００６１】本発明が、その技術的範囲内において、上
述した実施例に様々な変形・変更を加えて実施し得るこ
とは明らかである。例えば、図１１には、上述した実施
例のバイアス部分４に置き換えて使用し得る別の実施例
のバイアス部分４′が示されている。バイアス部分４′
は、２つの導電部分層（sublayer）４Ｂ、４Ｃの間に挟
まれた絶縁部分層４Ａを有する複合層である。各部分層
４Ｂ、４Ｃに接して反強磁性部分層４Ｅ、４Ｆがそれぞ
れ配置される。
述した実施例に様々な変形・変更を加えて実施し得るこ
とは明らかである。例えば、図１１には、上述した実施
例のバイアス部分４に置き換えて使用し得る別の実施例
のバイアス部分４′が示されている。バイアス部分４′
は、２つの導電部分層（sublayer）４Ｂ、４Ｃの間に挟
まれた絶縁部分層４Ａを有する複合層である。各部分層
４Ｂ、４Ｃに接して反強磁性部分層４Ｅ、４Ｆがそれぞ
れ配置される。
【００６２】絶縁部分層４Ａは、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）
のような電気的絶縁性非磁性材料で形成することができ
る。導電部分層４Ｂ、４Ｃは、導電性非磁性材料で形成
される。導電部分層４Ｂ、４Ｃとして適当な材料の例と
して、銅、金及び銀がある。反強磁性部分層４Ｅ、４Ｆ
は、マンガン鉄（ＦｅＭｎ）のような反強磁性材料で形
成することができる。
のような電気的絶縁性非磁性材料で形成することができ
る。導電部分層４Ｂ、４Ｃは、導電性非磁性材料で形成
される。導電部分層４Ｂ、４Ｃとして適当な材料の例と
して、銅、金及び銀がある。反強磁性部分層４Ｅ、４Ｆ
は、マンガン鉄（ＦｅＭｎ）のような反強磁性材料で形
成することができる。
【００６３】様々な実施例について適用できるようにす
るために、バイアス部分４′の表面における磁化の向き
は、上述した米国特許出願明細書に記載されているよう
に、製造時にあらゆる方向に配向することができる。こ
れら以外にも、その形態及び細かな部分において様々な
変更が可能である。
るために、バイアス部分４′の表面における磁化の向き
は、上述した米国特許出願明細書に記載されているよう
に、製造時にあらゆる方向に配向することができる。こ
れら以外にも、その形態及び細かな部分において様々な
変更が可能である。
【００６４】
【発明の効果】本発明によれば、狭データトラック幅で
かつ高記録密度で良好に動作する高性能の磁気抵抗型変
換器を製造することができ、かつその製造工程を少なく
して製造コストを低減することができる。
かつ高記録密度で良好に動作する高性能の磁気抵抗型変
換器を製造することができ、かつその製造工程を少なく
して製造コストを低減することができる。
【図１】異方性ＭＲ変換器の各層における磁化ベクトル
の相対的位置を示す分解斜視図である。
の相対的位置を示す分解斜視図である。
【図２】図１に示す異方性ＭＲ変換器の薄膜構造を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図３】図１に示す異方性ＭＲ変換器の各変換器部分の
能動層の正規化抵抗率を示す線図である。
能動層の正規化抵抗率を示す線図である。
【図４】図１に示す異方性ＭＲ変換器から発生する表明
形電気信号及び相補形電気信号を示す波形図である。
形電気信号及び相補形電気信号を示す波形図である。
【図５】図１に示す異方性ＭＲ変換器が捉えた磁束と出
力信号の向きとの実質的な線形関係を示す線図である。
力信号の向きとの実質的な線形関係を示す線図である。
【図６】巨大ＭＲ変換器の各層における磁化ベクトルの
相対的位置を示す分解斜視図である。
相対的位置を示す分解斜視図である。
【図７】図６に示す巨大ＭＲ変換器の薄膜構造を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図８】図６に示す巨大ＭＲ変換器の各変換器部分の能
動層の正規化抵抗率を示す線図である。
動層の正規化抵抗率を示す線図である。
【図９】図６に示す巨大ＭＲ変換器から発生する表明形
電気信号及び相補形電気信号を示す波形図である。
電気信号及び相補形電気信号を示す波形図である。
【図１０】図６に示す巨大ＭＲ変換器が感知した磁束と
出力信号との実質的な線形関係を示す線図である。
出力信号との実質的な線形関係を示す線図である。
【図１１】図１及び図６に示す本発明の変換器のバイア
ス層の別の実施例を示す斜視図である。
ス層の別の実施例を示す斜視図である。
２ 変換器 ４、４′ バイアス部分 ４Ａ 絶縁部分層 ４Ｂ、４Ｃ 導電部分層 ４Ｅ、４Ｆ 反強磁性部分層 ６ 表明形変換器部分 ８ 相補形変換器部分 １０ バイアス層 １２ 第１強磁性層 １４ 第２強磁性層 １６ 差動増幅器 １８ 記録媒体 ２０ 空隙 ２４ 矢印 ２６ 基板 ２９ 絶縁層 ３０、３２、３４、３６ 電気リード ３８ 磁化方向 ４０ 第１面 ４２ 磁化方向 ４４ 第２面 ５０、５２ 一軸異方性 ５４ 縦軸 ５５ 横軸 ５６ バイアス電流供給源 ５８、６０ 磁場 ６２ 磁気抵抗率曲線 ６４、６４′、６６ 曲線 ６８、７０ 入力 ７２ 表明形電圧曲線 ７２′ 相補形電圧曲線 ７４、７４′ 雑音スパイク ７６、７６′、７８ 曲線 １０２ 変換器 １０６ スピンバルブ、表明形変換器部分 １０６Ａ、１０８Ａ ピン層 １０６Ｂ、１０８Ｂスペーサ層 １０６Ｃ、１０８Ｃ フリー層、能動層 １０８ スピンバルブ、相補形変換器部分 １１０、１１２ 表面磁化 １１４、１１６ 主面 １１８、１２０、１２２、１２４ 磁化方向 １２６ 磁気抵抗率曲線 １２８、１３２、１３２′、１３６ 電圧曲線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランシス・エイチ・リュウ アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 94555，フリーモント，オニール・テラ ス・34220 (72)発明者 ミンシェン・タン・ アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 94555，フリーモント，メイバード・サー クル・34447 (72)発明者 ロバート・アール・ロットメイヤー アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 94539，フリーモント，オカソ・カミノ・ 2181 (72)発明者 ジアンギャン・ズー アメリカ合衆国・ミネソタ州・55113，ロ ーズビル，スキルマン・アベニュー・1871 (72)発明者 サミュエル・ダブリュ・ユーアン アメリカ合衆国・カリフォルニア州・ 94070，サン・カルロス，オークビュー・ ドライブ・160
Claims (30)
- 【請求項１】 表明形（assertive）信号と相補形（com
plementary）信号とを供給する磁気抵抗型変換器であっ
て、 第１方向に磁化された第１面と第２方向に磁化された第
２面とを有する共通の反強磁性材料層と、 前記第１面に接するように配置され、前記共通反強磁性
材料層により実質的に前記第１方向に沿って磁気バイア
スされた第１強磁性材料層を有する表明形変換器部分
と、 前記第２面と接するように配置され、前記共通反強磁性
材料層により実質的に前記第２方向に沿って磁気バイア
スされた第２強磁性材料層を有する相補形変換器部分と
からなることを特徴とする磁気抵抗型変換器。 - 【請求項２】 前記共通反強磁性材料層が、異方性磁気
抵抗型ヘッドにおいて使用するために交換バイアスされ
た手段であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵
抗型変換器。 - 【請求項３】 前記共通反強磁性材料層が、スピンバル
ブセンサ又は巨大磁気抵抗型センサにおいて使用するた
めに交換ピン止め手段であることを特徴とする請求項１
に記載の磁気抵抗型変換器。 - 【請求項４】 前記第１及び第２強磁性材料層に接続さ
れた電源を有することを特徴とする請求項１に記載の磁
気抵抗型変換器。 - 【請求項５】 前記第１及び第２強磁性材料層にそれぞ
れ接続された第１及び第２入力を有する増幅器を更に備
えることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗型変換
器。 - 【請求項６】 前記反強磁性材料が電気的絶縁性を有す
ることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗型変換
器。 - 【請求項７】 前記反強磁性材料が、ニッケル及びコバ
ルトを含む合金の酸化物からなることを特徴とする請求
項６に記載の磁気抵抗型変換器。 - 【請求項８】 前記共通反強磁性材料層が、その間に非
磁性部分層（sublayer）を配置し、かつ前記非磁性部分
層とそれぞれ平行に配置された第１及び第２反強磁性材
料部分層と、前記両反強磁性材料部分層と前記非磁性部
分層との間に配置された導電層とからなることを特徴と
する請求項１に記載の磁気抵抗型変換器。 - 【請求項９】 前記第１及び第２反強磁性材料部分層が
鉄及びマンガンからなり、前記非磁性部分層が絶縁酸化
物からなり、かつ前記導電層が銅からなることを特徴と
する請求項８に記載の磁気抵抗型変換器。 - 【請求項１０】 前記第１及び第２方向が実質的に互い
に反平行であることを特徴とする請求項１に記載の磁気
抵抗型変換器。 - 【請求項１１】 第１スペーサ層と、前記第１スペーサ
層により前記第１強磁性材料層から離隔してそれと平行
に配置された第３強磁性材料層と、第２スペーサ層と、
前記第２スペーサ層により前記第２強磁性材料層から離
隔してそれと平行に配置された第４強磁性材料層とから
なることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗型変換
器。 - 【請求項１２】 第１及び第２出力を有する増幅器手段
を備えることを特徴とする請求項１１に記載の磁気抵抗
型変換器。 - 【請求項１３】 前記共通反強磁性材料層が電気的絶縁
性を有することを特徴とする請求項１１に記載の磁気抵
抗型変換器。 - 【請求項１４】 前記共通反強磁性材料層が、ニッケル
及びコバルトを含む合金の酸化物からなることを特徴と
する請求項１３に記載の磁気抵抗型変換器。 - 【請求項１５】 前記反強磁性材料層が、 第１及び第２反強磁性部分層間に配置された非磁性部分
層を有し、かつ前記各反強磁性部分層が前記絶縁性非磁
性部分層と平行に配置されており、 前記各反強磁性材料部分層と前記非磁性部分層との間に
配置された導電層を更に有することを特徴とする請求項
１１に記載の磁気抵抗型変換器。 - 【請求項１６】 前記第１及び第２反強磁性材料部分層
が鉄及びマンガンからなり、前記非磁性部分層が絶縁酸
化物からなり、かつ前記導電層が銅からなることを特徴
とする請求項１５に記載の磁気抵抗型変換器。 - 【請求項１７】 前記第１及び第２方向が実質的に互い
に反平行であることを特徴とする請求項１１に記載の磁
気抵抗型変換器。 - 【請求項１８】 前記スペーサ層が導電性非磁性材料で
形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の磁
気抵抗型変換器。 - 【請求項１９】 記録媒体から感知した磁束の変化を、
表明形電気信号及び相補形電気信号に変換するための薄
膜磁気抵抗型変換器であって、 反強磁性材料で形成され、第１方向に磁化された第１面
と第２方向に磁化された第２面とを有するバイアス層
と、 前記第１面に接して配置され、前記バイアス層により実
質的に前記第１方向に沿って磁気バイアスされた第１強
磁性材料層と、 前記第２面に接して配置され、前記バイアス層により実
質的に前記第２方向に沿って磁気バイアスされた第２強
磁性材料層とからなり、 前記第１強磁性材料層を電流が流れた時、前記第１強磁
性材料層が対応する電圧の変化を表明形電気信号として
発生し、かつ前記第２強磁性材料層を別の電流が流れた
時、前記第２強磁性材料層が対応する別の電圧の変化を
相補形電気信号として発生させるように、前記各強磁性
材料層が、前記バイアス層により異なる方向に別個にバ
イアスされ、かつその抵抗が、前記変換器が捉えた磁束
の変化に応答して別個に変化することを特徴とする磁気
抵抗型変換器。 - 【請求項２０】 前記第１及び第２方向が静止状態で互
いに平行であることを特徴とする請求項１９に記載の磁
気抵抗型変換器。 - 【請求項２１】 前記反強磁性材料のバイアス層がニッ
ケル及びコバルトを含む合金の酸化物からなることを特
徴とする請求項１９に記載の磁気抵抗型変換器。 - 【請求項２２】 前記第１及び第２強磁性材料層がニッ
ケル−鉄合金からなり、かつ前記反強磁性材料のバイア
ス層がニッケル及びコバルトを含む合金の酸化物からな
ることを特徴とする請求項１９に記載の磁気抵抗型変換
器。 - 【請求項２３】 前記反強磁性材料層が、 第１及び第２反強磁性部分層間に配置された絶縁性非磁
性部分層を有し、前記各反強磁性部分層が前記絶縁性非
磁性部分層と平行に配置されており、かつ前記各反強磁
性材料部分層と前記絶縁性非磁性部分層との間に配置さ
れた導電層を更に有することを特徴とする請求項１１に
記載の磁気抵抗型変換器。 - 【請求項２４】 反強磁性材料で形成され、第１方向に
磁化された第１面と第２方向に磁化された第２面とを有
するバイアス層と、 前記第１面と接して配置されかつ前記第１方向に沿って
磁気バイアスされた第１強磁性材料層、及び前記第２面
に接して配置されかつ前記第２方向に沿って磁気バイア
スされた第２強磁性材料層と、 第１及び第２導電性非磁性スペーサ層によりそれぞれ前
記第１及び第２強磁性材料層から離隔してかつそれと平
行に配置され、それぞれに一軸異方性の初期方向が前記
第２方向と平行である第３及び第４強磁性材料層とから
なり、 前記第３及び第４強磁性材料層の各抵抗が、前記変換器
が捉えた磁束の変化に応答して別個に変化することを特
徴とする磁気抵抗型変換器。 - 【請求項２５】 前記第１及び第２方向が実質的に互い
に反平行であることを特徴とする請求項２４に記載の磁
気抵抗型変換器。 - 【請求項２６】 前記反強磁性材料バイアス層が、ニッ
ケル及びコバルトを含む合金の酸化物からなることを特
徴とする請求項２４に記載の磁気抵抗型変換器。 - 【請求項２７】 前記第１、第２、第３及び第４強磁性
材料層がニッケル−鉄合金からなり、前記反強磁性材料
バイアス層がニッケル及びコバルトを含む合金の酸化物
からなることを特徴とする請求項２４に記載の磁気抵抗
型変換器。 - 【請求項２８】 前記第１及び第２導電性非磁性スペー
サ層が金、銅及び銀からなる群から選択した材料で形成
されていることを特徴とする請求項２７に記載の磁気抵
抗型変換器。 - 【請求項２９】 前記反強磁性材料バイアス層が、 第１及び第２反強磁性部分層間に配置された非磁性部分
層を有し、前記各反強磁性部分層が前記非磁性部分層と
平行に配置されており、かつ前記各反強磁性材料部分層
と前記非磁性部分層との間に配置された導電層を更に有
することを特徴とする請求項２６に記載の磁気抵抗型変
換器。 - 【請求項３０】 前記第１及び第２反強磁性材料部分層
が鉄及びマンガンからなり、前記非磁性部分層がアルミ
ナからなり、かつ前記導電層が銅からなることを特徴と
する請求項２９に記載の磁気抵抗型変換器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/833,058 US5859754A (en) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | Magnetoresistive transducer having a common magnetic bias using assertive and complementary signals |
| US08/833,058 | 1997-04-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10283615A true JPH10283615A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=25263307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10108739A Pending JPH10283615A (ja) | 1997-04-03 | 1998-04-03 | 磁気抵抗型変換器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5859754A (ja) |
| JP (1) | JPH10283615A (ja) |
Families Citing this family (160)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11161921A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Nec Corp | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
| US6252796B1 (en) * | 1998-08-14 | 2001-06-26 | U.S. Philips Corporation | Device comprising a first and a second ferromagnetic layer separated by a non-magnetic spacer layer |
| US6278594B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-08-21 | Storage Technology Corporation | Dual element magnetoresistive read head with integral element stabilization |
| US6185079B1 (en) * | 1998-11-09 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Disk drive with thermal asperity reduction circuitry using a magnetic tunnel junction sensor |
| US6556388B1 (en) * | 1998-11-20 | 2003-04-29 | Seagate Technology Llc | Differential VGMR sensor |
| US6452204B1 (en) * | 1998-12-08 | 2002-09-17 | Nec Corporation | Tunneling magnetoresistance transducer and method for manufacturing the same |
| DE19903296A1 (de) | 1999-01-28 | 2000-08-24 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung eines Magnetfeldes |
| US6532823B1 (en) * | 1999-03-18 | 2003-03-18 | Read-Rite Corporation | Insulator layers for magnetoresistive transducers |
| DE69932701T2 (de) * | 1999-03-19 | 2007-09-13 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Pinning-Lage für magnetische Anordnungen |
| US6278589B1 (en) * | 1999-03-30 | 2001-08-21 | International Business Machines Corporation | Dual GMR sensor with a single AFM layer |
| US6366420B1 (en) | 1999-07-13 | 2002-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Method of restoring the orientation of a pinned layer of a magnetoresistive head |
| US6295718B1 (en) * | 1999-08-16 | 2001-10-02 | Headway Technologies, Inc. | Method for fabricating a non-parallel magnetically biased multiple magnetoresistive (MR) layer magnetoresistive (MR) sensor element |
| DE10014780B4 (de) * | 2000-03-27 | 2009-07-30 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | MR-Winkelsensor |
| US20030002231A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Dee Richard Henry | Reduced sensitivity spin valve head for magnetic tape applications |
| US20030002230A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Storage Technology Corporation | Apparatus and method of making a reduced sensitivity spin valve sensor apparatus in which a basic magnetic sensitivity is reduced |
| US20030002232A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Storage Technology Corporation | Apparatus and method of making a reduced sensitivity spin valve sensor apparatus in which a flux carrying capacity is increased |
| US6667861B2 (en) | 2001-07-16 | 2003-12-23 | International Business Machines Corporation | Dual/differential GMR head with a single AFM layer |
| US6594124B2 (en) | 2001-11-06 | 2003-07-15 | Headway Technologies, Inc. | Canted adjacent layer stabilized SV heads |
| US7161771B2 (en) * | 2002-04-02 | 2007-01-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Dual spin valve sensor with a longitudinal bias stack |
| US6822838B2 (en) * | 2002-04-02 | 2004-11-23 | International Business Machines Corporation | Dual magnetic tunnel junction sensor with a longitudinal bias stack |
| US6806523B2 (en) * | 2002-07-15 | 2004-10-19 | Micron Technology, Inc. | Magnetoresistive memory devices |
| JP4182728B2 (ja) * | 2002-11-15 | 2008-11-19 | ソニー株式会社 | 磁気記憶素子の記録方法、磁気記憶装置 |
| US20070010702A1 (en) * | 2003-04-08 | 2007-01-11 | Xingwu Wang | Medical device with low magnetic susceptibility |
| US20050079132A1 (en) * | 2003-04-08 | 2005-04-14 | Xingwu Wang | Medical device with low magnetic susceptibility |
| US7092221B2 (en) * | 2003-12-12 | 2006-08-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Top CPP GMR/TV with back end of stripe pinned by insulating AFM |
| US7161763B2 (en) * | 2004-02-18 | 2007-01-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | GMR sensor with oriented hard bias stabilization |
| US7382585B1 (en) * | 2005-09-30 | 2008-06-03 | Storage Technology Corporation | Magnetic head having AMR reader, writer, and GMR reader |
| JP2007323725A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Toshiba Corp | 垂直通電型磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気ディスク装置 |
| US8689430B1 (en) | 2006-11-29 | 2014-04-08 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a perpendicular magnetic recording (PMR)head |
| US8404128B1 (en) | 2009-02-23 | 2013-03-26 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a perpendicular magnetic recording head |
| US8400731B1 (en) | 2009-04-19 | 2013-03-19 | Western Digital (Fremont), Llc | Write head with variable side shield gaps |
| US8611055B1 (en) | 2009-07-31 | 2013-12-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic etch-stop layer for magnetoresistive read heads |
| US9202480B2 (en) | 2009-10-14 | 2015-12-01 | Western Digital (Fremont), LLC. | Double patterning hard mask for damascene perpendicular magnetic recording (PMR) writer |
| US8441896B2 (en) | 2010-06-25 | 2013-05-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Energy assisted magnetic recording head having laser integrated mounted to slider |
| US8997832B1 (en) | 2010-11-23 | 2015-04-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Method of fabricating micrometer scale components |
| US8441756B1 (en) | 2010-12-16 | 2013-05-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing an antiferromagnetically coupled writer |
| US9123359B1 (en) | 2010-12-22 | 2015-09-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording transducer with sputtered antiferromagnetic coupling trilayer between plated ferromagnetic shields and method of fabrication |
| US8456961B1 (en) | 2011-03-22 | 2013-06-04 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for mounting and aligning a laser in an electrically assisted magnetic recording assembly |
| US8419954B1 (en) | 2011-10-31 | 2013-04-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a side shield for a magnetic recording transducer |
| US8451563B1 (en) | 2011-12-20 | 2013-05-28 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a side shield for a magnetic recording transducer using an air bridge |
| US8760823B1 (en) | 2011-12-20 | 2014-06-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having soft and hard magnetic bias structures |
| US9093639B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-07-28 | Western Digital (Fremont), Llc | Methods for manufacturing a magnetoresistive structure utilizing heating and cooling |
| US9349392B1 (en) | 2012-05-24 | 2016-05-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Methods for improving adhesion on dielectric substrates |
| US8724259B1 (en) | 2012-06-11 | 2014-05-13 | Western Digital (Fremont), Llc | Conformal high moment side shield seed layer for perpendicular magnetic recording writer |
| US8711528B1 (en) | 2012-06-29 | 2014-04-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Tunnel magnetoresistance read head with narrow shield-to-shield spacing |
| US9269382B1 (en) | 2012-06-29 | 2016-02-23 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having improved pinning of the pinned layer at higher recording densities |
| US9213322B1 (en) | 2012-08-16 | 2015-12-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Methods for providing run to run process control using a dynamic tuner |
| US8984740B1 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Process for providing a magnetic recording transducer having a smooth magnetic seed layer |
| US9053719B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-09 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetoresistive sensor for a magnetic storage system read head, and fabrication method thereof |
| US8980109B1 (en) | 2012-12-11 | 2015-03-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a magnetic recording transducer using a combined main pole and side shield CMP for a wraparound shield scheme |
| US8760818B1 (en) | 2013-01-09 | 2014-06-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for providing magnetic storage elements with high magneto-resistance using heusler alloys |
| US9042208B1 (en) | 2013-03-11 | 2015-05-26 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive measuring fly height by applying a bias voltage to an electrically insulated write component of a head |
| US9336814B1 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Inverse tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head |
| US8883017B1 (en) | 2013-03-12 | 2014-11-11 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having seamless interfaces |
| US9013836B1 (en) | 2013-04-02 | 2015-04-21 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing an antiferromagnetically coupled return pole |
| US9111564B1 (en) | 2013-04-02 | 2015-08-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording writer having a main pole with multiple flare angles |
| US9104107B1 (en) | 2013-04-03 | 2015-08-11 | Western Digital (Fremont), Llc | DUV photoresist process |
| US8993217B1 (en) | 2013-04-04 | 2015-03-31 | Western Digital (Fremont), Llc | Double exposure technique for high resolution disk imaging |
| US9070381B1 (en) | 2013-04-12 | 2015-06-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording read transducer having a laminated free layer |
| US9245545B1 (en) | 2013-04-12 | 2016-01-26 | Wester Digital (Fremont), Llc | Short yoke length coils for magnetic heads in disk drives |
| US9064527B1 (en) | 2013-04-12 | 2015-06-23 | Western Digital (Fremont), Llc | High order tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head |
| US9431047B1 (en) | 2013-05-01 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing an improved AFM reader shield |
| US9064528B1 (en) | 2013-05-17 | 2015-06-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Interferometric waveguide usable in shingled heat assisted magnetic recording in the absence of a near-field transducer |
| US9431039B1 (en) | 2013-05-21 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Multiple sensor array usable in two-dimensional magnetic recording |
| US9263067B1 (en) | 2013-05-29 | 2016-02-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Process for making PMR writer with constant side wall angle |
| US9361913B1 (en) | 2013-06-03 | 2016-06-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Recording read heads with a multi-layer AFM layer methods and apparatuses |
| US9406331B1 (en) | 2013-06-17 | 2016-08-02 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for making ultra-narrow read sensor and read transducer device resulting therefrom |
| US9287494B1 (en) | 2013-06-28 | 2016-03-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic tunnel junction (MTJ) with a magnesium oxide tunnel barrier |
| US9318130B1 (en) | 2013-07-02 | 2016-04-19 | Western Digital (Fremont), Llc | Method to fabricate tunneling magnetic recording heads with extended pinned layer |
| US8947985B1 (en) | 2013-07-16 | 2015-02-03 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording transducers having a recessed pole |
| US8923102B1 (en) | 2013-07-16 | 2014-12-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Optical grating coupling for interferometric waveguides in heat assisted magnetic recording heads |
| US9275657B1 (en) | 2013-08-14 | 2016-03-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Process for making PMR writer with non-conformal side gaps |
| US9431032B1 (en) | 2013-08-14 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Electrical connection arrangement for a multiple sensor array usable in two-dimensional magnetic recording |
| US9042051B2 (en) | 2013-08-15 | 2015-05-26 | Western Digital (Fremont), Llc | Gradient write gap for perpendicular magnetic recording writer |
| US9343098B1 (en) | 2013-08-23 | 2016-05-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a heat assisted magnetic recording transducer having protective pads |
| US9343086B1 (en) | 2013-09-11 | 2016-05-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording write transducer having an improved sidewall angle profile |
| US9441938B1 (en) | 2013-10-08 | 2016-09-13 | Western Digital (Fremont), Llc | Test structures for measuring near field transducer disc length |
| US9042058B1 (en) | 2013-10-17 | 2015-05-26 | Western Digital Technologies, Inc. | Shield designed for middle shields in a multiple sensor array |
| US9349394B1 (en) | 2013-10-18 | 2016-05-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer having a gradient side gap |
| US9007719B1 (en) | 2013-10-23 | 2015-04-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for using double mask techniques to achieve very small features |
| US9214172B2 (en) | 2013-10-23 | 2015-12-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Method of manufacturing a magnetic read head |
| US8988812B1 (en) | 2013-11-27 | 2015-03-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Multi-sensor array configuration for a two-dimensional magnetic recording (TDMR) operation |
| US9349391B2 (en) * | 2013-12-04 | 2016-05-24 | HGST Netherlands B.V. | Controlling magnetic layer anisotropy field by oblique angle static deposition |
| US9194692B1 (en) | 2013-12-06 | 2015-11-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for using white light interferometry to measure undercut of a bi-layer structure |
| US9280990B1 (en) | 2013-12-11 | 2016-03-08 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer using multiple etches |
| US9001628B1 (en) | 2013-12-16 | 2015-04-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Assistant waveguides for evaluating main waveguide coupling efficiency and diode laser alignment tolerances for hard disk |
| US9082423B1 (en) | 2013-12-18 | 2015-07-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording write transducer having an improved trailing surface profile |
| US8917581B1 (en) | 2013-12-18 | 2014-12-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Self-anneal process for a near field transducer and chimney in a hard disk drive assembly |
| US9147408B1 (en) | 2013-12-19 | 2015-09-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Heated AFM layer deposition and cooling process for TMR magnetic recording sensor with high pinning field |
| US8971160B1 (en) | 2013-12-19 | 2015-03-03 | Western Digital (Fremont), Llc | Near field transducer with high refractive index pin for heat assisted magnetic recording |
| US8970988B1 (en) | 2013-12-31 | 2015-03-03 | Western Digital (Fremont), Llc | Electric gaps and method for making electric gaps for multiple sensor arrays |
| US9305583B1 (en) | 2014-02-18 | 2016-04-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer using multiple etches of damascene materials |
| US9183854B2 (en) | 2014-02-24 | 2015-11-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Method to make interferometric taper waveguide for HAMR light delivery |
| US9142233B1 (en) | 2014-02-28 | 2015-09-22 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording writer having a recessed pole |
| US9202493B1 (en) | 2014-02-28 | 2015-12-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Method of making an ultra-sharp tip mode converter for a HAMR head |
| US9396743B1 (en) | 2014-02-28 | 2016-07-19 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for controlling soft bias thickness for tunnel magnetoresistance readers |
| US8988825B1 (en) | 2014-02-28 | 2015-03-24 | Western Digital (Fremont, LLC | Method for fabricating a magnetic writer having half-side shields |
| US9001467B1 (en) | 2014-03-05 | 2015-04-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating side shields in a magnetic writer |
| US9153255B1 (en) | 2014-03-05 | 2015-10-06 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer having an asymmetric gap and shields |
| US9135930B1 (en) | 2014-03-06 | 2015-09-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic write pole using vacuum deposition |
| US9934811B1 (en) | 2014-03-07 | 2018-04-03 | Western Digital (Fremont), Llc | Methods for controlling stray fields of magnetic features using magneto-elastic anisotropy |
| US9190085B1 (en) | 2014-03-12 | 2015-11-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Waveguide with reflective grating for localized energy intensity |
| US9111558B1 (en) | 2014-03-14 | 2015-08-18 | Western Digital (Fremont), Llc | System and method of diffractive focusing of light in a waveguide |
| US9135937B1 (en) | 2014-05-09 | 2015-09-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Current modulation on laser diode for energy assisted magnetic recording transducer |
| US8958272B1 (en) | 2014-06-10 | 2015-02-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Interfering near field transducer for energy assisted magnetic recording |
| US8953422B1 (en) | 2014-06-10 | 2015-02-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Near field transducer using dielectric waveguide core with fine ridge feature |
| US9007879B1 (en) | 2014-06-10 | 2015-04-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Interfering near field transducer having a wide metal bar feature for energy assisted magnetic recording |
| US8976635B1 (en) | 2014-06-10 | 2015-03-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Near field transducer driven by a transverse electric waveguide for energy assisted magnetic recording |
| US9508363B1 (en) | 2014-06-17 | 2016-11-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic write pole having a leading edge bevel |
| US9361914B1 (en) | 2014-06-18 | 2016-06-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic sensor with thin capping layer |
| US9053735B1 (en) | 2014-06-20 | 2015-06-09 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer using a full-film metal planarization |
| US9214169B1 (en) | 2014-06-20 | 2015-12-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording read transducer having a laminated free layer |
| US9042052B1 (en) | 2014-06-23 | 2015-05-26 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic writer having a partially shunted coil |
| US9230565B1 (en) | 2014-06-24 | 2016-01-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic shield for magnetic recording head |
| US9190079B1 (en) | 2014-09-22 | 2015-11-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic write pole having engineered radius of curvature and chisel angle profiles |
| US9007725B1 (en) | 2014-10-07 | 2015-04-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Sensor with positive coupling between dual ferromagnetic free layer laminates |
| US9087527B1 (en) | 2014-10-28 | 2015-07-21 | Western Digital (Fremont), Llc | Apparatus and method for middle shield connection in magnetic recording transducers |
| US9786301B1 (en) | 2014-12-02 | 2017-10-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Apparatuses and methods for providing thin shields in a multiple sensor array |
| US9721595B1 (en) | 2014-12-04 | 2017-08-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a storage device |
| US9111550B1 (en) | 2014-12-04 | 2015-08-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Write transducer having a magnetic buffer layer spaced between a side shield and a write pole by non-magnetic layers |
| US9236560B1 (en) | 2014-12-08 | 2016-01-12 | Western Digital (Fremont), Llc | Spin transfer torque tunneling magnetoresistive device having a laminated free layer with perpendicular magnetic anisotropy |
| US9286919B1 (en) | 2014-12-17 | 2016-03-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic writer having a dual side gap |
| US9881638B1 (en) | 2014-12-17 | 2018-01-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a near-field transducer (NFT) for a heat assisted magnetic recording (HAMR) device |
| US9214165B1 (en) | 2014-12-18 | 2015-12-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields |
| US9741366B1 (en) | 2014-12-18 | 2017-08-22 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields |
| US9343087B1 (en) | 2014-12-21 | 2016-05-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer having half shields |
| US10074387B1 (en) | 2014-12-21 | 2018-09-11 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having symmetric antiferromagnetically coupled shields |
| US9437251B1 (en) | 2014-12-22 | 2016-09-06 | Western Digital (Fremont), Llc | Apparatus and method having TDMR reader to reader shunts |
| US9449625B1 (en) | 2014-12-24 | 2016-09-20 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording head having a plurality of diffusion barrier layers |
| US9123374B1 (en) | 2015-02-12 | 2015-09-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording writer having an integrated polarization rotation plate |
| US9312064B1 (en) | 2015-03-02 | 2016-04-12 | Western Digital (Fremont), Llc | Method to fabricate a magnetic head including ion milling of read gap using dual layer hard mask |
| US9443541B1 (en) | 2015-03-24 | 2016-09-13 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields and return pole |
| US9431031B1 (en) | 2015-03-24 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | System and method for magnetic transducers having multiple sensors and AFC shields |
| US9449621B1 (en) | 2015-03-26 | 2016-09-20 | Western Digital (Fremont), Llc | Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure having a high aspect ratio |
| US9384763B1 (en) | 2015-03-26 | 2016-07-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure including a soft bias layer |
| US9245562B1 (en) | 2015-03-30 | 2016-01-26 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording writer with a composite main pole |
| US9263071B1 (en) | 2015-03-31 | 2016-02-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Flat NFT for heat assisted magnetic recording |
| US9147404B1 (en) | 2015-03-31 | 2015-09-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having a dual free layer |
| US9508372B1 (en) | 2015-06-03 | 2016-11-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Shingle magnetic writer having a low sidewall angle pole |
| US9508365B1 (en) | 2015-06-24 | 2016-11-29 | Western Digital (Fremont), LLC. | Magnetic reader having a crystal decoupling structure |
| US9530443B1 (en) | 2015-06-25 | 2016-12-27 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic recording device having a high aspect ratio structure |
| US9842615B1 (en) | 2015-06-26 | 2017-12-12 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic reader having a nonmagnetic insertion layer for the pinning layer |
| US9646639B2 (en) | 2015-06-26 | 2017-05-09 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording writer having integrated polarization rotation waveguides |
| US9431038B1 (en) | 2015-06-29 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic write pole having an improved sidewall angle profile |
| US9472216B1 (en) | 2015-09-23 | 2016-10-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Differential dual free layer magnetic reader |
| US9666214B1 (en) | 2015-09-23 | 2017-05-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Free layer magnetic reader that may have a reduced shield-to-shield spacing |
| US9424866B1 (en) | 2015-09-24 | 2016-08-23 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording write apparatus having a dielectric gap |
| US9384765B1 (en) | 2015-09-24 | 2016-07-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a HAMR writer having improved optical efficiency |
| US9595273B1 (en) | 2015-09-30 | 2017-03-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Shingle magnetic writer having nonconformal shields |
| US9484051B1 (en) | 2015-11-09 | 2016-11-01 | The Provost, Fellows, Foundation Scholars and the other members of Board, of the College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin | Method and system for reducing undesirable reflections in a HAMR write apparatus |
| US9953670B1 (en) | 2015-11-10 | 2018-04-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a HAMR writer including a multi-mode interference device |
| US10037770B1 (en) | 2015-11-12 | 2018-07-31 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a magnetic recording write apparatus having a seamless pole |
| US9812155B1 (en) | 2015-11-23 | 2017-11-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for fabricating high junction angle read sensors |
| US9564150B1 (en) | 2015-11-24 | 2017-02-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic read apparatus having an improved read sensor isolation circuit |
| US9754611B1 (en) | 2015-11-30 | 2017-09-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording write apparatus having a stepped conformal trailing shield |
| US9799351B1 (en) | 2015-11-30 | 2017-10-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Short yoke length writer having assist coils |
| US9740805B1 (en) | 2015-12-01 | 2017-08-22 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for detecting hotspots for photolithographically-defined devices |
| US9858951B1 (en) | 2015-12-01 | 2018-01-02 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a multilayer AFM layer in a read sensor |
| US9767831B1 (en) | 2015-12-01 | 2017-09-19 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic writer having convex trailing surface pole and conformal write gap |
| CN107037381A (zh) * | 2015-12-29 | 2017-08-11 | 爱盛科技股份有限公司 | 磁场感测装置及其感测方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5408377A (en) * | 1993-10-15 | 1995-04-18 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with improved ferromagnetic sensing layer and magnetic recording system using the sensor |
| JPH09274710A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Fujitsu Ltd | スピンバルブ磁気抵抗効果ヘッドとその製造方法及び磁気記録装置 |
| US5612098A (en) * | 1996-08-14 | 1997-03-18 | Read-Rite Corporation | Method of forming a thin film magnetic structure having ferromagnetic and antiferromagnetic layers |
-
1997
- 1997-04-03 US US08/833,058 patent/US5859754A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-04-03 JP JP10108739A patent/JPH10283615A/ja active Pending
- 1998-10-19 US US09/651,053 patent/US6392850B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6392850B1 (en) | 2002-05-21 |
| US5859754A (en) | 1999-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10283615A (ja) | 磁気抵抗型変換器 | |
| US7116530B2 (en) | Thin differential spin valve sensor having both pinned and self pinned structures for reduced difficulty in AFM layer polarity setting | |
| US6473275B1 (en) | Dual hybrid magnetic tunnel junction/giant magnetoresistive sensor | |
| US6185077B1 (en) | Spin valve sensor with antiferromagnetic and magnetostatically coupled pinning structure | |
| US5452163A (en) | Multilayer magnetoresistive sensor | |
| US6947264B2 (en) | Self-pinned in-stack bias structure for magnetoresistive read heads | |
| US6667861B2 (en) | Dual/differential GMR head with a single AFM layer | |
| KR100267438B1 (ko) | 자기 저항 스핀 밸브 판독 센서 및 그를 포함한 자기 헤드 및자기 디스크 드라이브 | |
| KR100265983B1 (ko) | 박막자기헤드 | |
| JPH06203340A (ja) | 磁気抵抗センサ | |
| KR20000016943A (ko) | 자기터널접합센서용저모멘트/고보자력고정층 | |
| JPH09259410A (ja) | 磁気抵抗型センサ | |
| JPH11316918A (ja) | 磁気抵抗センサ、磁気ディスクシステム、及び読出し／書込みヘッドアセンブリ | |
| JPH08235535A (ja) | ヨーク型スピン・バルブｍｒ読取りヘッド | |
| JP2004538591A (ja) | ナノ酸化物交換結合自由層を有するｇｍｒ磁気変換器 | |
| JP2908280B2 (ja) | 磁気抵抗ヘッド | |
| JP3604617B2 (ja) | 磁気検出素子 | |
| US7038889B2 (en) | Method and apparatus for enhanced dual spin valve giant magnetoresistance effects having second spin valve self-pinned composite layer | |
| JP2001014616A (ja) | 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法 | |
| JP3362818B2 (ja) | スピンバルブ磁気抵抗効果型トランスジューサ及び磁気記録装置 | |
| EP1505610B1 (en) | Magnetoresistive element, magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus | |
| US7180714B2 (en) | Apparatus for providing a ballistic magnetoresistive sensor in a current perpendicular-to-plane mode | |
| JPH11154309A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP2001229515A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びこれを用いた磁気再生装置 | |
| US7057861B2 (en) | Electromagnetic transducer laminate with different widths for the semi-hard magnetic layer and the first ferromagnetic layer |