JPH0440775B2 - - Google Patents
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- JPH0440775B2 JPH0440775B2 JP57214927A JP21492782A JPH0440775B2 JP H0440775 B2 JPH0440775 B2 JP H0440775B2 JP 57214927 A JP57214927 A JP 57214927A JP 21492782 A JP21492782 A JP 21492782A JP H0440775 B2 JPH0440775 B2 JP H0440775B2
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- JP
- Japan
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- terminal
- current
- terminals
- magnetoresistive element
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Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- 238000001093 holography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録再生装置に関する。
従来例の構成とその問題点
従来からの磁気記録再生装置の磁気抵抗効果素
子の構造の要部を第１図に示す。図に示すように
基板上に被着形成され、磁化が一定の方向にバイ
アスされた強磁性薄膜からなる磁気抵抗効果素子
（以下MR素子という）２を磁気記録媒体１と垂
直（Ｙ方向）に当接または近接させ、MR素子２
の長手方向（Ｚ方向）の両端に電極３，４を配置
し、電極３，４間に定電流ｉを流し、磁気記録媒
体１のＹ方向の信号磁界によりＸ方向の抵抗値変
化を電極３，４間電圧変化により検出する。
子の構造の要部を第１図に示す。図に示すように
基板上に被着形成され、磁化が一定の方向にバイ
アスされた強磁性薄膜からなる磁気抵抗効果素子
（以下MR素子という）２を磁気記録媒体１と垂
直（Ｙ方向）に当接または近接させ、MR素子２
の長手方向（Ｚ方向）の両端に電極３，４を配置
し、電極３，４間に定電流ｉを流し、磁気記録媒
体１のＹ方向の信号磁界によりＸ方向の抵抗値変
化を電極３，４間電圧変化により検出する。
このようなMR素子を用いた磁気記録再生装置
において、外来雑音による影響を軽減するため
に、第２図に示すようにシヤントバイアス法を採
用した磁気記録再生装置が提案されている。この
方法にもとづくMR素子は共通アース端子２１を
含む三端子２１，２２，２３を持ち、MR素子２
４がTi薄膜などからなる抵抗素子２５によつて
短絡されており、抵抗素子２５に流す電流によつ
てMR素子２４にバイアス磁界が印加されるもの
である。そして、MR素子２４には共通アース端
子２１に流れ込むように他の二端子２２，２３か
ら定電流ｉが加えられており、さらに、第２図に
示すように逆方向のバイアス磁界HBも印加され
ている。
において、外来雑音による影響を軽減するため
に、第２図に示すようにシヤントバイアス法を採
用した磁気記録再生装置が提案されている。この
方法にもとづくMR素子は共通アース端子２１を
含む三端子２１，２２，２３を持ち、MR素子２
４がTi薄膜などからなる抵抗素子２５によつて
短絡されており、抵抗素子２５に流す電流によつ
てMR素子２４にバイアス磁界が印加されるもの
である。そして、MR素子２４には共通アース端
子２１に流れ込むように他の二端子２２，２３か
ら定電流ｉが加えられており、さらに、第２図に
示すように逆方向のバイアス磁界HBも印加され
ている。
このような状態に保たれたMR素子２４に信号
磁界が印加されると、信号磁界は共通アース端子
２１を間にはさんだMR素子２４の二つの部分で
は電流の方向が逆であるため、信号磁界はこの二
つの部分で逆相として感磁される。二つの電極２
２，２３に出力される電圧の差信号を取ると、シ
ヤントバイアス法では一般に出力はアンダバイア
スであるが、一方の出力がアンダバイアスで再生
出力に歪があつても、他の出力と相互に歪成分を
打ち消し補うので、再生出力に含まれる歪が少な
くなり、また外来雑音も打ち消される。ところ
が、このような利点がある反面、MR素子の均一
性や記録信号の均一性、機器間での互換性で問題
となるアジマスの一致が、他の構造のヘツドに比
べてきびしく要求され、実用的でない。
磁界が印加されると、信号磁界は共通アース端子
２１を間にはさんだMR素子２４の二つの部分で
は電流の方向が逆であるため、信号磁界はこの二
つの部分で逆相として感磁される。二つの電極２
２，２３に出力される電圧の差信号を取ると、シ
ヤントバイアス法では一般に出力はアンダバイア
スであるが、一方の出力がアンダバイアスで再生
出力に歪があつても、他の出力と相互に歪成分を
打ち消し補うので、再生出力に含まれる歪が少な
くなり、また外来雑音も打ち消される。ところ
が、このような利点がある反面、MR素子の均一
性や記録信号の均一性、機器間での互換性で問題
となるアジマスの一致が、他の構造のヘツドに比
べてきびしく要求され、実用的でない。
発明の目的
本発明は、このような従来の問題を解決した雑
音の少ない磁気記録再生装置を提供することを目
的とする。
音の少ない磁気記録再生装置を提供することを目
的とする。
発明の構成
上記の目的を達成するため本発明の磁気記録再
生装置は、一定方向にラツプ条痕を有する基板上
に被着形成され磁化が一定の方向にバイアスされ
た強磁性薄膜からなる磁気抵抗効果素子の両端に
定電流源を接続し、前記定電流源をコンデンサを
介して差動増幅器に接続し、前記磁気抵抗効果素
子に中点端子を設け、その中点端子をコンデンサ
を介して接地した構成とする。
生装置は、一定方向にラツプ条痕を有する基板上
に被着形成され磁化が一定の方向にバイアスされ
た強磁性薄膜からなる磁気抵抗効果素子の両端に
定電流源を接続し、前記定電流源をコンデンサを
介して差動増幅器に接続し、前記磁気抵抗効果素
子に中点端子を設け、その中点端子をコンデンサ
を介して接地した構成とする。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面を用い
て説明する。
て説明する。
第３図に本発明の一実施例の構成を示す。MR
素子３１は、その磁化が一定方向にバイアスされ
ており、また電流供給と再生出力取り出しのため
に三つの端子３２，３３，３４を有する。このう
ちの中間端子３２がコンデンサ３５を介して交流
的に接地されている。MR素子が多数ある場合に
は、中間端子を共通端子として取り出し、コンデ
ンサを介して交流的に接地すれば配線のための端
子数を少なくすることができる。端子３３，３４
にそれぞれ定電流源３６，３７を接続し、これら
から一定のMR電流ｉを供給し、その端子３３，
３４から再生出力を電圧として得る。ここで、端
子３３側のMR素子部３１１には端子３３より端
子３２側へ流れるMR電流ｉを、また端子３４側
のMR素子部３１２には端子３２より端子３４へ
流れるMR電流ｌをそれぞれ定電流源３６，３７
より供給する。MR素子部３１１，３１２にそれ
ぞれ供給するMR電流ｉを同じ値に設定すること
が望ましい。
素子３１は、その磁化が一定方向にバイアスされ
ており、また電流供給と再生出力取り出しのため
に三つの端子３２，３３，３４を有する。このう
ちの中間端子３２がコンデンサ３５を介して交流
的に接地されている。MR素子が多数ある場合に
は、中間端子を共通端子として取り出し、コンデ
ンサを介して交流的に接地すれば配線のための端
子数を少なくすることができる。端子３３，３４
にそれぞれ定電流源３６，３７を接続し、これら
から一定のMR電流ｉを供給し、その端子３３，
３４から再生出力を電圧として得る。ここで、端
子３３側のMR素子部３１１には端子３３より端
子３２側へ流れるMR電流ｉを、また端子３４側
のMR素子部３１２には端子３２より端子３４へ
流れるMR電流ｌをそれぞれ定電流源３６，３７
より供給する。MR素子部３１１，３１２にそれ
ぞれ供給するMR電流ｉを同じ値に設定すること
が望ましい。
磁気記録媒体に書き込まれた単一トラツクから
の信号磁界は中点端子によつて二つに分かれた
MR素子部３１１，３１２によつて再生され、
MR素子３１の各部分の抵抗値が変化する。端子
３３側、同３４側の抵抗変化が同一方向で、MR
素子部３１１，３１２におけるMR電流ｉが信号
取り出し端子３３，３４から見ると互いに逆方向
であるので、端子３３，３４に現われる再生電圧
は互いに逆相となる。この端子３３，３４に現わ
れた出力をコンデンサ４０および４１を介して差
動増幅器３８の＋側、−側入力にそれぞれ印加し
て差動増幅すれば、MR素子３１により再生出力
が端子３９に得られる。以上の例では、バイアス
磁界は外部磁石や電流によるものである。
の信号磁界は中点端子によつて二つに分かれた
MR素子部３１１，３１２によつて再生され、
MR素子３１の各部分の抵抗値が変化する。端子
３３側、同３４側の抵抗変化が同一方向で、MR
素子部３１１，３１２におけるMR電流ｉが信号
取り出し端子３３，３４から見ると互いに逆方向
であるので、端子３３，３４に現われる再生電圧
は互いに逆相となる。この端子３３，３４に現わ
れた出力をコンデンサ４０および４１を介して差
動増幅器３８の＋側、−側入力にそれぞれ印加し
て差動増幅すれば、MR素子３１により再生出力
が端子３９に得られる。以上の例では、バイアス
磁界は外部磁石や電流によるものである。
ところで、記録電流のフイードスルー等の外来
雑音は、MR素子やその配線部分に、接地側へ流
れるように混入する。すなわち、外来雑音はMR
素子部３１１やその配線への混入と、MR素子部
３１２やその配線への混入とは同相となる。それ
ゆえ、これを差動増幅すれば相殺されて、増幅器
の出力には外来雑音は現われない。これはMR素
子３１が中点端子３２に関して対称であり、MR
電流が中点端子３２に流れ込まない条件において
成り立つ。この条件から外れた状態、すなわち電
源の非対称性やMR素子の非対称性がある状態で
中点端子を直流的に接地した場合には、中点端子
にMR電流が流れ込み、中点端子に関して外来雑
音が対称でなくなつて、外来雑音の完全な消去が
困難となる。第３図で示したように、中点端子３
２の電圧が定電流源３６，３７の非対称性やMR
素子３１の非対称性によつて直流的に変動して
も、コンデンサ３５を介して中点端子３２を接地
しておくと、交流的には接地されるので、交流成
分である外来雑音は中点端子３２を通して接地さ
れることになる。また、MR素子３１の抵抗は定
電流源３６，３７の内部抵抗よりもきわめて小さ
いため、、MR素子３１の非対称性は雑音にとつ
て大きな問題とならない。
雑音は、MR素子やその配線部分に、接地側へ流
れるように混入する。すなわち、外来雑音はMR
素子部３１１やその配線への混入と、MR素子部
３１２やその配線への混入とは同相となる。それ
ゆえ、これを差動増幅すれば相殺されて、増幅器
の出力には外来雑音は現われない。これはMR素
子３１が中点端子３２に関して対称であり、MR
電流が中点端子３２に流れ込まない条件において
成り立つ。この条件から外れた状態、すなわち電
源の非対称性やMR素子の非対称性がある状態で
中点端子を直流的に接地した場合には、中点端子
にMR電流が流れ込み、中点端子に関して外来雑
音が対称でなくなつて、外来雑音の完全な消去が
困難となる。第３図で示したように、中点端子３
２の電圧が定電流源３６，３７の非対称性やMR
素子３１の非対称性によつて直流的に変動して
も、コンデンサ３５を介して中点端子３２を接地
しておくと、交流的には接地されるので、交流成
分である外来雑音は中点端子３２を通して接地さ
れることになる。また、MR素子３１の抵抗は定
電流源３６，３７の内部抵抗よりもきわめて小さ
いため、、MR素子３１の非対称性は雑音にとつ
て大きな問題とならない。
再生信号成分は中点端子３２に対してMR電流
ｉの向きが逆であり、出力は端子３３と端子３４
とに逆相で現われるので、これを差動増幅すれば
相殺されずに、再生信号が差動増幅器３８の出力
端子３９に得られる。この再生信号は外来雑音に
よる影響が実質的に除去されたものとなる。
ｉの向きが逆であり、出力は端子３３と端子３４
とに逆相で現われるので、これを差動増幅すれば
相殺されずに、再生信号が差動増幅器３８の出力
端子３９に得られる。この再生信号は外来雑音に
よる影響が実質的に除去されたものとなる。
そして、MR素子３１の磁化が一定方向にバイ
アスされているため、第２図の従来例のように近
接導体に電流を流してバイアスする方法だけでな
く、永久磁石などを付加してバイアスしなくても
よく、バイアス印加法の制約がきわめて少ないと
いう利点がある。
アスされているため、第２図の従来例のように近
接導体に電流を流してバイアスする方法だけでな
く、永久磁石などを付加してバイアスしなくても
よく、バイアス印加法の制約がきわめて少ないと
いう利点がある。
ところで、近接導体に電流を流してMR素子の
磁化にバイアスを与える方法では、MR素子と近
接導体に電流を流していることから、熱雑音が発
生しやすく、SN比が低いという問題が生じる。
また、永久磁石など外部磁石を使用してバイアス
する方法では、磁気記録媒体に記録されていた信
号がバイアス磁界で消去されるおそれがある。
磁化にバイアスを与える方法では、MR素子と近
接導体に電流を流していることから、熱雑音が発
生しやすく、SN比が低いという問題が生じる。
また、永久磁石など外部磁石を使用してバイアス
する方法では、磁気記録媒体に記録されていた信
号がバイアス磁界で消去されるおそれがある。
このような問題は第４図に示すようにMR素子
の磁化を誘導磁気異方性によつて最適方向にバイ
アスすることによつて解決される。
の磁化を誘導磁気異方性によつて最適方向にバイ
アスすることによつて解決される。
この誘導磁気異方性は、次のようにして付与さ
れる。MR素子が蒸着される基板４１の表面をラ
ツピングテープなどで一方向に研摩すると、基板
４１の表面はラツプ条痕４２にならつて一定方向
にだけ異方的に荒れる。ラツプ条痕４２同士の間
隔は不規則であるが、このラツプ条痕４２に沿つ
て磁区が発生する。磁区は細分化されるとともに
配向性が良好となり、大きな誘導磁気異方性が得
られる。
れる。MR素子が蒸着される基板４１の表面をラ
ツピングテープなどで一方向に研摩すると、基板
４１の表面はラツプ条痕４２にならつて一定方向
にだけ異方的に荒れる。ラツプ条痕４２同士の間
隔は不規則であるが、このラツプ条痕４２に沿つ
て磁区が発生する。磁区は細分化されるとともに
配向性が良好となり、大きな誘導磁気異方性が得
られる。
ラツプにより付けられた条痕は深さやピツチが
不規則であり、再現性が得にくいが、レーザホロ
グラフイーによつて得たレジストのグレーテイン
グを用いて、基板をスパツタエツチやイオンミリ
ング等の方法によつて加工すると、均一性および
再現性の良い溝形状が得られ、この基板上に蒸着
されたMR素子の誘導磁気異方性は均一性、再現
性ともに良好で大きな異方性磁界を得ることがで
きる。
不規則であり、再現性が得にくいが、レーザホロ
グラフイーによつて得たレジストのグレーテイン
グを用いて、基板をスパツタエツチやイオンミリ
ング等の方法によつて加工すると、均一性および
再現性の良い溝形状が得られ、この基板上に蒸着
されたMR素子の誘導磁気異方性は均一性、再現
性ともに良好で大きな異方性磁界を得ることがで
きる。
以上のようにして付与された誘導磁気異方性に
よつて、MR素子には外的な手段でもつてバイア
ス磁界を印加する必要性がなくなり、媒体の消磁
のない、またバイアス電流による発熱等でMR素
子に発生する熱雑音のないMR素子が得られる。
よつて、MR素子には外的な手段でもつてバイア
ス磁界を印加する必要性がなくなり、媒体の消磁
のない、またバイアス電流による発熱等でMR素
子に発生する熱雑音のないMR素子が得られる。
発明の効果
以上のように、本発明にかかる磁気記録再生装
置では、磁気抵抗効果素子の磁化が一定方向にバ
イアスされているため、バイアス手段の制約が少
なく、素子の均一性や記録信号の均一性、互換性
についての制約も少ない。そして、磁気抵抗効果
素子に三端子を設け、両側の端子から電流を供給
して再生出力電圧を取り出すとともに、中点端子
を交流的に接地しているため、外来雑音による影
響を効果的に排除することができる。
置では、磁気抵抗効果素子の磁化が一定方向にバ
イアスされているため、バイアス手段の制約が少
なく、素子の均一性や記録信号の均一性、互換性
についての制約も少ない。そして、磁気抵抗効果
素子に三端子を設け、両側の端子から電流を供給
して再生出力電圧を取り出すとともに、中点端子
を交流的に接地しているため、外来雑音による影
響を効果的に排除することができる。
第１図は磁気抵抗効果素子の原理的な構造を示
す斜視図、第２図はその従来例の要部の構造を示
す斜視図、第３図は本発明にかかる磁気記録再生
装置の一実施例の構成を示す図、第４図は基板の
平面図である。 ３１……磁気抵抗効果素子、３２，３３，３４
……端子、３５，４０，４１……コンデンサ、３
６，３７……定電流源、３８……差動増幅器、４
１……基板、４２……ラツプ条痕。
す斜視図、第２図はその従来例の要部の構造を示
す斜視図、第３図は本発明にかかる磁気記録再生
装置の一実施例の構成を示す図、第４図は基板の
平面図である。 ３１……磁気抵抗効果素子、３２，３３，３４
……端子、３５，４０，４１……コンデンサ、３
６，３７……定電流源、３８……差動増幅器、４
１……基板、４２……ラツプ条痕。
Claims (1)
- １ 一定方向にラツプ条痕を有する基板上に被着
形成され磁化が一定の方向にバイアスされた強磁
性薄膜からなる磁気抵抗効果素子の両端に定電流
源を接続し、前記定電流源をコンデンサを介して
差動増幅器に接続し、前記磁気抵抗効果素子に中
点端子を設け、その中点端子をコンデンサを介し
て接地したことを特徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21492782A JPS59104720A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21492782A JPS59104720A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104720A JPS59104720A (ja) | 1984-06-16 |
| JPH0440775B2 true JPH0440775B2 (ja) | 1992-07-06 |
Family
ID=16663875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21492782A Granted JPS59104720A (ja) | 1982-12-07 | 1982-12-07 | 磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104720A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2994522B2 (ja) * | 1993-02-22 | 1999-12-27 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗素子用プリアンプ |
| US5953173A (en) * | 1996-09-17 | 1999-09-14 | International Business Machines Corporation | High CMRR and sensor-disk short-circuit protection device for dual element magnetoresistive heads |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750318A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-24 | Fujitsu Ltd | Multielement magnetic head |
-
1982
- 1982-12-07 JP JP21492782A patent/JPS59104720A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5750318A (en) * | 1980-09-11 | 1982-03-24 | Fujitsu Ltd | Multielement magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59104720A (ja) | 1984-06-16 |
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