JPS58108026A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS58108026A JPS58108026A JP56203569A JP20356981A JPS58108026A JP S58108026 A JPS58108026 A JP S58108026A JP 56203569 A JP56203569 A JP 56203569A JP 20356981 A JP20356981 A JP 20356981A JP S58108026 A JPS58108026 A JP S58108026A
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- G—PHYSICS
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- G11B5/398—Specially shaped layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係や、磁気抵抗素
子にバイアス磁場を与える手段を設けた磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの磁極間を接続する磁気抵抗素子を例えば略
Ｖ形状のような左右対称形に構成し、この左右部の磁気
抵抗素子の差信号を検出する構成とすることによって、
ノイズの少ない、特に熱ノイズによる悪影響を防止でき
る磁気抵抗効果型破′気ヘッドを提供することを目的と
する。
子にバイアス磁場を与える手段を設けた磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの磁極間を接続する磁気抵抗素子を例えば略
Ｖ形状のような左右対称形に構成し、この左右部の磁気
抵抗素子の差信号を検出する構成とすることによって、
ノイズの少ない、特に熱ノイズによる悪影響を防止でき
る磁気抵抗効果型破′気ヘッドを提供することを目的と
する。
従来、磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、例えば第１図に示
す如り１．非磁性基板１上に磁極となる磁性膜２が設け
られ、記録媒体摺接面側の磁性膜２上に非磁性絶縁層３
が設けられ、この非磁性絶縁層３と非磁性基板１上にま
たがって磁極となる磁性膜４が設けられ、磁性膜２と４
とが磁気抵抗素子、５によって接続された構成となって
いる。崗、６は磁気抵抗素子５に適当なバイアス磁場を
与える為のバイアス磁場用導電膜であり、７．８は信号
検出用導電膜、９．１０はその端子である。
す如り１．非磁性基板１上に磁極となる磁性膜２が設け
られ、記録媒体摺接面側の磁性膜２上に非磁性絶縁層３
が設けられ、この非磁性絶縁層３と非磁性基板１上にま
たがって磁極となる磁性膜４が設けられ、磁性膜２と４
とが磁気抵抗素子、５によって接続された構成となって
いる。崗、６は磁気抵抗素子５に適当なバイアス磁場を
与える為のバイアス磁場用導電膜であり、７．８は信号
検出用導電膜、９．１０はその端子である。
これは、磁気抵抗素子が磁気テープ等の記録媒体に直接
摺接する構成となっていると、記録媒体との摩擦熱によ
って磁気抵抗素子の温度が不規則に変化し、これによっ
て磁気抵抗素子の抵抗値が変化し、これが信号に重畳さ
れ、いわゆる熱雑音となるのを防止しようとしているの
であるが、すなわち記録媒体との摺接摩擦熱による悪影
響を防止しようとして、記録媒体接触面から磁気抵抗素
子を遠ざけるようにしたのであるが、これでも基板や磁
極を通して摩擦熱が伝わり、又バイアス磁場用導電膜か
ら生じる熱が伝わり、熱雑音の発生を充分には除去でき
ていない。
摺接する構成となっていると、記録媒体との摩擦熱によ
って磁気抵抗素子の温度が不規則に変化し、これによっ
て磁気抵抗素子の抵抗値が変化し、これが信号に重畳さ
れ、いわゆる熱雑音となるのを防止しようとしているの
であるが、すなわち記録媒体との摺接摩擦熱による悪影
響を防止しようとして、記録媒体接触面から磁気抵抗素
子を遠ざけるようにしたのであるが、これでも基板や磁
極を通して摩擦熱が伝わり、又バイアス磁場用導電膜か
ら生じる熱が伝わり、熱雑音の発生を充分には除去でき
ていない。
本発明は上誼欠点を除去したものであり、以下その実施
例について説明する。
例について説明する。
８２図は本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの１実
施例の説明図、第３図は第２図におけるＸ−Ｘ線部の断
面説明図である。
施例の説明図、第３図は第２図におけるＸ−Ｘ線部の断
面説明図である。
同図中、２０は非磁性の基板であり、この基板２０上に
例えば角度が約９０°の左右対称な略Ｖ形状に構成され
た磁気抵抗素子２１が設けられており、この磁気抵抗素
子２１の中央部から引き出される信号検出用の導電膜２
２が設けられている。尚、２３ハ導電膜２２の端子であ
る。
例えば角度が約９０°の左右対称な略Ｖ形状に構成され
た磁気抵抗素子２１が設けられており、この磁気抵抗素
子２１の中央部から引き出される信号検出用の導電膜２
２が設けられている。尚、２３ハ導電膜２２の端子であ
る。
との略Ｖ形状の磁気抵抗素子２１の左端部上に後端部側
が重なるように接続された略［形状の磁極となる磁性膜
２４が基板２０上に設けられており、又、磁気抵抗素子
２１の右端部上に後端部側が重なるように接続され、か
つ先端部側が磁性膜２４の先端部と非磁性の絶縁層を介
して重なるように略コ形状の磁極となる磁性膜２５が設
けられている。
が重なるように接続された略［形状の磁極となる磁性膜
２４が基板２０上に設けられており、又、磁気抵抗素子
２１の右端部上に後端部側が重なるように接続され、か
つ先端部側が磁性膜２４の先端部と非磁性の絶縁層を介
して重なるように略コ形状の磁極となる磁性膜２５が設
けられている。
２６は磁性膜２４の後部上に設けられた導電膜、２７は
磁性膜２５の後部上に設けられた導電膜であり、２８
、２９はこれら導電膜の端子、３０はこれらの端子２８
、２９に接続された差動増幅器である。
磁性膜２５の後部上に設けられた導電膜であり、２８
、２９はこれら導電膜の端子、３０はこれらの端子２８
、２９に接続された差動増幅器である。
３１は、非磁性の絶縁膜３２を介して磁気抵抗素子２１
上に設けられたバイアス磁場発生用の導電膜であり、磁
気抵抗素子２１中の磁束が導電膜３１によるバイアス磁
場に対して約４５°の角度をなして流れ込め、そして約
１３５°の角度をなして流れ出るよう、又は約１３５°
の角度をなして流れ込み、そして約４５°の角度をなし
て流れ出るよう導電膜３１は設けられている。
上に設けられたバイアス磁場発生用の導電膜であり、磁
気抵抗素子２１中の磁束が導電膜３１によるバイアス磁
場に対して約４５°の角度をなして流れ込め、そして約
１３５°の角度をなして流れ出るよう、又は約１３５°
の角度をなして流れ込み、そして約４５°の角度をなし
て流れ出るよう導電膜３１は設けられている。
上記のように構成された磁気抵抗効果型薄板磁気ヘッド
は、磁気抵抗素子２１中を矢印Ｂ方向に信号検出用電流
が流れ、又バイアス磁場によって磁気抵抗素子２１には
矢印入方向の磁化が生じており、これに対して記録媒体
の記録磁化から誘導されてきた磁束が矢印Ｃ方向に磁気
抵抗素子２１中に流れてくると、磁気抵抗素子２１の磁
化は矢印入方向より矢印Ａ′方向に変わる。そして、磁
気抵抗素子は、磁化と電流のなす角度θに対してその抵
抗値は第４図に示すようにｃｏｓ”θに比例して変化す
るので、磁気抵抗素子２１の右側の磁気抵抗素子部２１
′では記録磁化からの磁束が加わることによって第４図
中Ｐ点よりＰ′点に移動、すなわち抵抗値が上昇するよ
うに変化し、又磁気抵抗素子２１の左側の磁気抵抗素子
部２１“では記録磁化からの磁束が加わることによって
第４図中Ｑ点よりＱ′点に移動、すなわち抵抗値が下降
するように変化する。
は、磁気抵抗素子２１中を矢印Ｂ方向に信号検出用電流
が流れ、又バイアス磁場によって磁気抵抗素子２１には
矢印入方向の磁化が生じており、これに対して記録媒体
の記録磁化から誘導されてきた磁束が矢印Ｃ方向に磁気
抵抗素子２１中に流れてくると、磁気抵抗素子２１の磁
化は矢印入方向より矢印Ａ′方向に変わる。そして、磁
気抵抗素子は、磁化と電流のなす角度θに対してその抵
抗値は第４図に示すようにｃｏｓ”θに比例して変化す
るので、磁気抵抗素子２１の右側の磁気抵抗素子部２１
′では記録磁化からの磁束が加わることによって第４図
中Ｐ点よりＰ′点に移動、すなわち抵抗値が上昇するよ
うに変化し、又磁気抵抗素子２１の左側の磁気抵抗素子
部２１“では記録磁化からの磁束が加わることによって
第４図中Ｑ点よりＱ′点に移動、すなわち抵抗値が下降
するように変化する。
従って、磁気抵抗素子２１０両端で、すなわち端子２８
，２９の信号を差動増幅器３０に導き差信号を求めれば
、差動増幅器３０の出力端子と端子２３との間で信号出
力を得ることができる。そして例えば記録媒体との摺接
による摩擦熱あるいはバイアス磁場発生用の導電膜の発
熱による磁気抵抗素子２１の温度変化は、磁気抵抗素子
部２１′と２１′とにおいて同じであるので、磁気抵抗
素子２１０両端での差信号を求めると、磁気抵抗素子２
１の温度変化によるノイズはゼロとなり、熱雑音の発生
をなくすことができる。又、特に、上記実施例の如く、
磁気抵抗素子中を流れる検出用電流と被検出磁束の流れ
込む方向が同じで、かつこの方向がバイアス磁場に対し
て約４５８−又は約１３５°の角度であり、そして検出
用電流と被検出磁束が磁気抵抗素子の中央部で約９０°
向きを変え、バイアス磁場に対して約１３５°又は４５
°の角度で流れ出ていくようにしておくと、磁化と電流
のなす角度変化に対する磁気抵抗素子の抵抗値変化を最
も大きくできるので、差信号を求めても大きなものとな
り、再生Ｓハの良好なものとなる。
，２９の信号を差動増幅器３０に導き差信号を求めれば
、差動増幅器３０の出力端子と端子２３との間で信号出
力を得ることができる。そして例えば記録媒体との摺接
による摩擦熱あるいはバイアス磁場発生用の導電膜の発
熱による磁気抵抗素子２１の温度変化は、磁気抵抗素子
部２１′と２１′とにおいて同じであるので、磁気抵抗
素子２１０両端での差信号を求めると、磁気抵抗素子２
１の温度変化によるノイズはゼロとなり、熱雑音の発生
をなくすことができる。又、特に、上記実施例の如く、
磁気抵抗素子中を流れる検出用電流と被検出磁束の流れ
込む方向が同じで、かつこの方向がバイアス磁場に対し
て約４５８−又は約１３５°の角度であり、そして検出
用電流と被検出磁束が磁気抵抗素子の中央部で約９０°
向きを変え、バイアス磁場に対して約１３５°又は４５
°の角度で流れ出ていくようにしておくと、磁化と電流
のなす角度変化に対する磁気抵抗素子の抵抗値変化を最
も大きくできるので、差信号を求めても大きなものとな
り、再生Ｓハの良好なものとなる。
第５図は、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの他
の実施例の要部説明図である。
の実施例の要部説明図である。
同図中、４１．４２は、前記実施例における磁性膜２４
．２５と同様に構成された磁極となる磁性膜、４３゜４
４は、前記実施例における略Ｖ形状の磁気抵抗素子２１
と同様に構成された略Ｖ形状の磁気抵抗素子であり、こ
れらの磁気抵抗素子４３．４４によってブリッジ状に構
成されたものである。そして、端子４５ 、４６の間に
検゛出用電流を流し、端子４７．４８から出力を得るよ
うにしたのであり、第２図の構成のものの倍の信号出力
を得ることができる。尚、本実施例においても、バイア
ス磁場発生の導電膜が前記実施例と同様に設けられてい
る。
．２５と同様に構成された磁極となる磁性膜、４３゜４
４は、前記実施例における略Ｖ形状の磁気抵抗素子２１
と同様に構成された略Ｖ形状の磁気抵抗素子であり、こ
れらの磁気抵抗素子４３．４４によってブリッジ状に構
成されたものである。そして、端子４５ 、４６の間に
検゛出用電流を流し、端子４７．４８から出力を得るよ
うにしたのであり、第２図の構成のものの倍の信号出力
を得ることができる。尚、本実施例においても、バイア
ス磁場発生の導電膜が前記実施例と同様に設けられてい
る。
又、上記の実施例においては、バイアス磁場を与える手
段は導体に電流を流して磁場を発生する方法であるが、
これは硬磁性膜を用いる方法等地の手段であってもよい
。又、上記実施例では基板上に１個の磁気ヘッドを設け
た場合の例であるが、これは複数個並べた場合でも同じ
である。
段は導体に電流を流して磁場を発生する方法であるが、
これは硬磁性膜を用いる方法等地の手段であってもよい
。又、上記実施例では基板上に１個の磁気ヘッドを設け
た場合の例であるが、これは複数個並べた場合でも同じ
である。
上述の如く、本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは
、記録媒体からの磁場を導く磁極と、この磁場を検出す
る磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子にバイアス磁場を
与える手段とを備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、磁気抵抗素子を一直線状でない対称形に構成し、こ
の磁気抵抗素子の対称中央部に信号検出電極を設けたの
で、磁気ヘッドと記録媒体との摺接による摩擦熱等の温
度変化によって磁気抵抗素子の抵抗値に変化が生じても
検出信号には熱雑音は重畳されてなく除去されており、
再生信号のＳハは良好である等の特長を有する。
、記録媒体からの磁場を導く磁極と、この磁場を検出す
る磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子にバイアス磁場を
与える手段とを備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、磁気抵抗素子を一直線状でない対称形に構成し、こ
の磁気抵抗素子の対称中央部に信号検出電極を設けたの
で、磁気ヘッドと記録媒体との摺接による摩擦熱等の温
度変化によって磁気抵抗素子の抵抗値に変化が生じても
検出信号には熱雑音は重畳されてなく除去されており、
再生信号のＳハは良好である等の特長を有する。
第１図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの説明図、第
２図及び第３図は本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの１実施例の説明図、第４図は磁気抵抗素子の磁化と
電流のなす角度と、抵抗変化との関係を示す説明図、第
５図は本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの他の実
施例の要部説明図である。 ２１．４３，４４・・・磁気抵抗素子、２２．２６，２
７．３１・・・導電膜、２４，２５，４１．４２・・・
磁性膜、３０・・・差動増幅器。
２図及び第３図は本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの１実施例の説明図、第４図は磁気抵抗素子の磁化と
電流のなす角度と、抵抗変化との関係を示す説明図、第
５図は本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドの他の実
施例の要部説明図である。 ２１．４３，４４・・・磁気抵抗素子、２２．２６，２
７．３１・・・導電膜、２４，２５，４１．４２・・・
磁性膜、３０・・・差動増幅器。
Claims (1)
- 記録媒体からの磁場を導く磁極と、この磁場を検出する
磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子にバイアス磁場を与
える手段とを備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて
、磁気抵抗素子を一直線状でない対称形に構成し、この
磁気抵抗素子の対称中央部に信号検出電極を設けたこと
を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203569A JPS58108026A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203569A JPS58108026A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108026A true JPS58108026A (ja) | 1983-06-28 |
| JPS639285B2 JPS639285B2 (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=16476293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56203569A Granted JPS58108026A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108026A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4802043A (en) * | 1985-03-25 | 1989-01-31 | Hitachi, Ltd. | Magneto-resistive head for protecting against output spike noises |
| US4814919A (en) * | 1985-03-01 | 1989-03-21 | Hitachi, Ltd. | Soft-film-bias type magnetoresitive device |
| CN107966669A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-04-27 | 大连理工大学 | 适用于高温工作环境的半导体三维霍尔传感器及其制作方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08805U (ja) * | 1993-06-07 | 1996-05-21 | 武盛 豊永 | 円管清掃機 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223924A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic flux response type magnetic head |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP56203569A patent/JPS58108026A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223924A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic flux response type magnetic head |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4814919A (en) * | 1985-03-01 | 1989-03-21 | Hitachi, Ltd. | Soft-film-bias type magnetoresitive device |
| US4802043A (en) * | 1985-03-25 | 1989-01-31 | Hitachi, Ltd. | Magneto-resistive head for protecting against output spike noises |
| CN107966669A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-04-27 | 大连理工大学 | 适用于高温工作环境的半导体三维霍尔传感器及其制作方法 |
| CN107966669B (zh) * | 2017-12-19 | 2019-11-08 | 大连理工大学 | 适用于高温工作环境的半导体三维霍尔传感器及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639285B2 (ja) | 1988-02-26 |
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