JPS5987617A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS5987617A JPS5987617A JP19868682A JP19868682A JPS5987617A JP S5987617 A JPS5987617 A JP S5987617A JP 19868682 A JP19868682 A JP 19868682A JP 19868682 A JP19868682 A JP 19868682A JP S5987617 A JPS5987617 A JP S5987617A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- rugged
- electrodes
- film
- striped
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気テープなどの磁気記録媒体上の信号磁化の
再生に用いられる薄膜磁気ヘッドに関する。
再生に用いられる薄膜磁気ヘッドに関する。
従来例の構成とその問題点
強磁性薄膜の磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッドは再生出
力が記録媒体の速度に依存しないことや出力が比較的大
きいことといつた特徴をもっているため、ＰＯＭ信号な
どを再生するために用いられている。しかし、その抵抗
と外部磁界との関係は直線的でないので、なるべく直線
性のよい点に動作点を設定する必要がある。
力が記録媒体の速度に依存しないことや出力が比較的大
きいことといつた特徴をもっているため、ＰＯＭ信号な
どを再生するために用いられている。しかし、その抵抗
と外部磁界との関係は直線的でないので、なるべく直線
性のよい点に動作点を設定する必要がある。
従来、バイアス磁界を加える方法としては強磁性薄膜に
近接して硬磁性膜を設置する方法や、強磁性膜に近接し
た１導電膜に電流を流す方法が考えられたが、前者はバ
イアス用硬磁性膜によるテープの消磁の問題が１、後者
は短波長再生のため、の狭ギヤツプ構造の場合ギャップ
中に十分なバイアス磁界を発生させる電流を流せるだけ
の導電膜厚を確保できないので、良好な低歪特性が得ら
れなかった。
近接して硬磁性膜を設置する方法や、強磁性膜に近接し
た１導電膜に電流を流す方法が考えられたが、前者はバ
イアス用硬磁性膜によるテープの消磁の問題が１、後者
は短波長再生のため、の狭ギヤツプ構造の場合ギャップ
中に十分なバイアス磁界を発生させる電流を流せるだけ
の導電膜厚を確保できないので、良好な低歪特性が得ら
れなかった。
そこでこの型のヘッドでは、第１図に示すように、強磁
性薄膜１および非磁性導電膜２に流す電流を矢印ｉのよ
うに電極３−ａ、３−Ｃよシミ極ｓ−ｂへ流れるように
し、また強磁性薄膜１の中央の電極ａ−ｂ部分の両側で
矢印Ｍに示すように磁化の向きを変え、プッシュプル動
作で２次歪を打ち消している。なお、４は磁気記録媒体
である。
性薄膜１および非磁性導電膜２に流す電流を矢印ｉのよ
うに電極３−ａ、３−Ｃよシミ極ｓ−ｂへ流れるように
し、また強磁性薄膜１の中央の電極ａ−ｂ部分の両側で
矢印Ｍに示すように磁化の向きを変え、プッシュプル動
作で２次歪を打ち消している。なお、４は磁気記録媒体
である。
しかしながら、この方法では磁気記録媒体上の信号磁化
に対して磁気ヘッドのアジマスがずれると、上述のよう
な、二つの部分での再生出方中の２次歪成分に位相差を
生じて、完全に打消せなくなるので、良好な低歪特性の
動作をさせるためには磁気ヘッド位置精度に対する要求
が非常に厳しくなシ、実用的でない。
に対して磁気ヘッドのアジマスがずれると、上述のよう
な、二つの部分での再生出方中の２次歪成分に位相差を
生じて、完全に打消せなくなるので、良好な低歪特性の
動作をさせるためには磁気ヘッド位置精度に対する要求
が非常に厳しくなシ、実用的でない。
発明の目的
本発明は再生信号中の２次歪成分を大幅に減少し、アジ
マスずれに対しても許容度の大きい薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。 −発明の構成 本発明は強磁性薄膜への磁気異方性付与手段として強磁
性薄膜の少なくとも一面に形成した縞状の凹凸を用い、
凹凸の方向を場所にょシ変えて、再生信号中の２次歪を
打消すことができるようにしたものである０２２次歪打
消すプッシュプル構成にするためには、信号磁界に対し
て一方の部分では再生信号が増大し、他方の部分では再
生信号が減少するようにしなければならず、従来このよ
うな働きを強磁性薄膜に近接した導電膜に逆方向の電流
を流すことによシ実現していたのであるが、本発明では
上述のように構成することによって、ギャップ長を制限
し、出力を低下させる導電膜を不要とし、かつそれと同
じ動作を可能にしたものである。
マスずれに対しても許容度の大きい薄膜磁気ヘッドを提
供することを目的とする。 −発明の構成 本発明は強磁性薄膜への磁気異方性付与手段として強磁
性薄膜の少なくとも一面に形成した縞状の凹凸を用い、
凹凸の方向を場所にょシ変えて、再生信号中の２次歪を
打消すことができるようにしたものである０２２次歪打
消すプッシュプル構成にするためには、信号磁界に対し
て一方の部分では再生信号が増大し、他方の部分では再
生信号が減少するようにしなければならず、従来このよ
うな働きを強磁性薄膜に近接した導電膜に逆方向の電流
を流すことによシ実現していたのであるが、本発明では
上述のように構成することによって、ギャップ長を制限
し、出力を低下させる導電膜を不要とし、かつそれと同
じ動作を可能にしたものである。
実施例の説明
第２図に本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの断面構造
を示す。この磁気ヘッドにおいては、フェライトなどの
強磁性材料よシなる基板５の上に５Ｌ０２などの非磁性
絶縁層６を介して、Ｎｉ −Ｆｅなどの強磁性薄膜８が
形成され、ＡｕやＣｕなどの非磁性導電材料よシなる電
極７が強磁性薄膜８に接続されている。さらにその上に
前記絶縁層６と同じ材料よシなる非磁性絶縁層６を介し
て、Ｎｉ−ＦｅやＦｅ−ムβ−５１などよシなるシール
ド層１ｏが形成されている。基板５の表面には第３図に
示すように、強磁性薄膜８に接続された電極７−ａ、７
−ｂ、７−Ｑのうち中央の電極７−ｂの位置を境にして
対称に、たとえばピッチ０．３μｍ、深さ２０ＯＡの凹
凸が形成されている。これは縞状に形成されたレジスト
パターンをマスクロイオンミリングすることによ膜形成
される。この縞状の凹凸のため、その上に形成された強
磁性薄膜８は凹凸の方向に強い異方性を持ち、膜中の磁
化は凹凸にほぼそった方向を向く。そこで、第４図に示
すように外部から強磁性薄膜８中の電流の向きとほぼ平
行に強い磁界Ｈを加えると、磁化Ｍは図に示した方向を
向く。そして、電流ｉと直角な方向すなわち磁界■と直
角な方向に外部信号磁界Ｈｓｔｇ が印加されると、電
極７−ａ、了−す間と電極７−ｂ、７−ｃ間に再生信号
が得られる。電極７−ａ、７−ｂ間の電圧が増大すると
き、電極７−ｂ、７−ｃ間には逆に減少する電圧が現わ
れるので、両再生信号を差動で取出せば、それらに含ま
れている２−次高調波歪が互いに打消され、大幅に減少
する。
を示す。この磁気ヘッドにおいては、フェライトなどの
強磁性材料よシなる基板５の上に５Ｌ０２などの非磁性
絶縁層６を介して、Ｎｉ −Ｆｅなどの強磁性薄膜８が
形成され、ＡｕやＣｕなどの非磁性導電材料よシなる電
極７が強磁性薄膜８に接続されている。さらにその上に
前記絶縁層６と同じ材料よシなる非磁性絶縁層６を介し
て、Ｎｉ−ＦｅやＦｅ−ムβ−５１などよシなるシール
ド層１ｏが形成されている。基板５の表面には第３図に
示すように、強磁性薄膜８に接続された電極７−ａ、７
−ｂ、７−Ｑのうち中央の電極７−ｂの位置を境にして
対称に、たとえばピッチ０．３μｍ、深さ２０ＯＡの凹
凸が形成されている。これは縞状に形成されたレジスト
パターンをマスクロイオンミリングすることによ膜形成
される。この縞状の凹凸のため、その上に形成された強
磁性薄膜８は凹凸の方向に強い異方性を持ち、膜中の磁
化は凹凸にほぼそった方向を向く。そこで、第４図に示
すように外部から強磁性薄膜８中の電流の向きとほぼ平
行に強い磁界Ｈを加えると、磁化Ｍは図に示した方向を
向く。そして、電流ｉと直角な方向すなわち磁界■と直
角な方向に外部信号磁界Ｈｓｔｇ が印加されると、電
極７−ａ、了−す間と電極７−ｂ、７−ｃ間に再生信号
が得られる。電極７−ａ、７−ｂ間の電圧が増大すると
き、電極７−ｂ、７−ｃ間には逆に減少する電圧が現わ
れるので、両再生信号を差動で取出せば、それらに含ま
れている２−次高調波歪が互いに打消され、大幅に減少
する。
本発明のヘッドでは従来の導電膜を流れる電流でバイア
スする場合と異なシ、強磁性薄膜表面の縞状の凹凸の方
向を適当に決めることにょシ、これらの凹凸方向の異な
る領域それぞれの素子の２次歪レベルを最小にするよう
にできる。したがって、差動で出力を取シ出した場合の
２次歪レベルも低くなシ、アジマスずれによって生じる
２次歪の増加も小さくなる。
スする場合と異なシ、強磁性薄膜表面の縞状の凹凸の方
向を適当に決めることにょシ、これらの凹凸方向の異な
る領域それぞれの素子の２次歪レベルを最小にするよう
にできる。したがって、差動で出力を取シ出した場合の
２次歪レベルも低くなシ、アジマスずれによって生じる
２次歪の増加も小さくなる。
発明の効果
本発明によれば、従来の磁気抵抗効果ヘッドより２次歪
レベルが大幅に低くなるとともに、アジマスずれに対し
ても許容度の大きいヘッドを実現することができる。
レベルが大幅に低くなるとともに、アジマスずれに対し
ても許容度の大きいヘッドを実現することができる。
第１図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの動作を説明
するだめの図、第２図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘ
ッドの断面図、第３図はその要部の正面図、第４図はそ
の動作を説明するだめの図である。 ５・・・・・・基板、６・・・・・・非磁性絶縁層、７
，７ａ。 ７ｂ 、７ｃ・・・・・・電極、８・・・・・・強磁性
薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第 ４１！！ ↑Ｈｈ７ １０５
するだめの図、第２図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘ
ッドの断面図、第３図はその要部の正面図、第４図はそ
の動作を説明するだめの図である。 ５・・・・・・基板、６・・・・・・非磁性絶縁層、７
，７ａ。 ７ｂ 、７ｃ・・・・・・電極、８・・・・・・強磁性
薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 第 ４１！！ ↑Ｈｈ７ １０５
Claims (1)
- 強磁性薄膜の磁気抵抗効果を利用した薄膜磁気ヘッドで
あって、強磁性薄膜の少なくとも一方の面が縞状の凹凸
をなし、かつ前記一方の面において前記凹凸の方向が互
いに異なる領域を複数布するとともに、これら領域の境
界に関して前記凹凸の方向が対称であることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド０
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19868682A JPS5987617A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 薄膜磁気ヘツド |
| US06/629,546 US4663683A (en) | 1982-11-11 | 1983-11-10 | Magnetoresistive thin film head |
| PCT/JP1983/000401 WO1984002028A1 (en) | 1982-11-11 | 1983-11-10 | Thin-film magnetic head |
| DE19833390321 DE3390321T1 (de) | 1982-11-11 | 1983-11-10 | Dünnfilm-Magnetkopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19868682A JPS5987617A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987617A true JPS5987617A (ja) | 1984-05-21 |
Family
ID=16395355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19868682A Pending JPS5987617A (ja) | 1982-11-11 | 1982-11-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5987617A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258322A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-15 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
| US5680091A (en) * | 1994-09-09 | 1997-10-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive device and method of preparing the same |
| US5736921A (en) * | 1994-03-23 | 1998-04-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
| US5738929A (en) * | 1993-10-20 | 1998-04-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistance effect element |
-
1982
- 1982-11-11 JP JP19868682A patent/JPS5987617A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258322A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-15 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘツド |
| US5738929A (en) * | 1993-10-20 | 1998-04-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistance effect element |
| US5736921A (en) * | 1994-03-23 | 1998-04-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
| US5680091A (en) * | 1994-09-09 | 1997-10-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive device and method of preparing the same |
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