JPS6018812A - 多素子磁気ヘツド - Google Patents
多素子磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6018812A JPS6018812A JP12606783A JP12606783A JPS6018812A JP S6018812 A JPS6018812 A JP S6018812A JP 12606783 A JP12606783 A JP 12606783A JP 12606783 A JP12606783 A JP 12606783A JP S6018812 A JPS6018812 A JP S6018812A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- head
- shield
- reproduction
- magnetoresistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、マルチトンツク用電流バイアス方式磁気抵抗
効果型再生ヘッドの構造に関するものである。
効果型再生ヘッドの構造に関するものである。
磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいては、応答の線型性を
得るために、電流Ｉの方向と磁化Ｍの方向を約４５°に
傾むける必要がある。従来から知られている代表的な磁
化Ｍを傾ける方式（バイアス方式）として、電流バイア
ス方式がある。
得るために、電流Ｉの方向と磁化Ｍの方向を約４５°に
傾むける必要がある。従来から知られている代表的な磁
化Ｍを傾ける方式（バイアス方式）として、電流バイア
ス方式がある。
電流バイアス方式は更にシールドをパイ導体として用い
る方式と、バイアス導体を新たに設ける方式とに分類さ
れる。
る方式と、バイアス導体を新たに設ける方式とに分類さ
れる。
以下、第１図〜第３図を用いてシールドをバイアス導体
として用いる電流バイアス方式について詳細に説明する
。
として用いる電流バイアス方式について詳細に説明する
。
第１図及び第２図は従来の電流バイアス方式を用いたマ
ルチトラック用磁気抵抗効果型再生ヘッドの構成概略を
示すものであり、第１図はテープ摺動面から見た正面図
、第２図は側断面図で、同図において、左側がテープ摺
動面にあたる。また第３図は磁気抵抗効果素子の磁界に
対する抵抗変化を示したもので、横軸に磁界、縦軸に抵
抗値を目盛ったものである。尚図中１はＮｉ−Ｚｎ７エ
ライト等の磁性基板、２はＳ１０．等の下部ギャップ、
３は磁気抵抗効果素子、４はＳｉｎ、等の上部ギャップ
、５はパーマロイ等の磁性薄膜から成るシールドである
。磁気抵抗効果素子としては、膜厚が約５００Ａ程度の
パーマロイ膜が用いられ、一般的にはその磁化容易軸が
テープ摺動面に平行になるように形成されている。
ルチトラック用磁気抵抗効果型再生ヘッドの構成概略を
示すものであり、第１図はテープ摺動面から見た正面図
、第２図は側断面図で、同図において、左側がテープ摺
動面にあたる。また第３図は磁気抵抗効果素子の磁界に
対する抵抗変化を示したもので、横軸に磁界、縦軸に抵
抗値を目盛ったものである。尚図中１はＮｉ−Ｚｎ７エ
ライト等の磁性基板、２はＳ１０．等の下部ギャップ、
３は磁気抵抗効果素子、４はＳｉｎ、等の上部ギャップ
、５はパーマロイ等の磁性薄膜から成るシールドである
。磁気抵抗効果素子としては、膜厚が約５００Ａ程度の
パーマロイ膜が用いられ、一般的にはその磁化容易軸が
テープ摺動面に平行になるように形成されている。
また信号検出用の電流、ｉ（ＭＲ）、も第１図中に示し
たようにテープ摺動面に対して平行に流されている。従
って無バイアス状態においテハ、磁化Ｍと、電流、ｉ（
ＭＲ）、とは平行になっている０ ′ すなわち前述した状態の動作点は第３図中Ａ点に相当し
、この状態でテープからの信号磁界を再生した場合、第
６図から容易に判るようにその再生信号強度は小さく、
かつ再生信号の周波数はテープに記録された信号周波数
の２信となり、忠実にテープ信号を再生することはでき
ない。従って一般的に用いられている磁気抵抗効果型再
生ヘッドにおいては、最も高い出力が得られかつひずみ
も少ない動作点 （第３図中Ｂ、Ｂ’）に、バイアスす
る必要がある。
たようにテープ摺動面に対して平行に流されている。従
って無バイアス状態においテハ、磁化Ｍと、電流、ｉ（
ＭＲ）、とは平行になっている０ ′ すなわち前述した状態の動作点は第３図中Ａ点に相当し
、この状態でテープからの信号磁界を再生した場合、第
６図から容易に判るようにその再生信号強度は小さく、
かつ再生信号の周波数はテープに記録された信号周波数
の２信となり、忠実にテープ信号を再生することはでき
ない。従って一般的に用いられている磁気抵抗効果型再
生ヘッドにおいては、最も高い出力が得られかつひずみ
も少ない動作点 （第３図中Ｂ、Ｂ’）に、バイアスす
る必要がある。
電流バイアス方式は、磁気抵抗効果素子以外、の一体に
電流を流し、１（Ｂｉａｓ）、その電流が発生する磁界
により磁気抵抗効果素子の磁化の方向を変化させ、最適
動作点（第３図中Ｂ、Ｂ’）にバイアスしようとするも
のである。このために必要な磁界は磁気抵抗効果素子の
異方性磁界をＨｂとすると約±０．７）ｈとなる。更に
具体的に電流バイアス方式について第２図を用いて説明
する。第２図に示したような方向に電流、１（Ｂｉａｓ
）を流した場合、１（Ｂｉａｓ）が発生する磁界により
、磁気抵抗効果素子６の磁化Ｍはテープ摺動面の方向に
向き、最適動作点ＢＢ’にバイアスすることができる。
電流を流し、１（Ｂｉａｓ）、その電流が発生する磁界
により磁気抵抗効果素子の磁化の方向を変化させ、最適
動作点（第３図中Ｂ、Ｂ’）にバイアスしようとするも
のである。このために必要な磁界は磁気抵抗効果素子の
異方性磁界をＨｂとすると約±０．７）ｈとなる。更に
具体的に電流バイアス方式について第２図を用いて説明
する。第２図に示したような方向に電流、１（Ｂｉａｓ
）を流した場合、１（Ｂｉａｓ）が発生する磁界により
、磁気抵抗効果素子６の磁化Ｍはテープ摺動面の方向に
向き、最適動作点ＢＢ’にバイアスすることができる。
しかし図１に示したように、シールド５が各トラック間
（各再生ヘッド間）で共通になるように形成されている
場合（磁気的に接続されている状態で形成されている場
合）以下に述べる問題点がある。
（各再生ヘッド間）で共通になるように形成されている
場合（磁気的に接続されている状態で形成されている場
合）以下に述べる問題点がある。
すなわち、動作点Ｂ 、 Ｂ’で前述した磁気抵抗効果
再生ヘッドを動作せしめた場合、バルクハウゼンノイズ
に類似したノイズ（以後擬バルクハウゼンノイズと記す
。）が発生するためＳ／Ｎ比が低下しかつヘッド安定性
もすこぶる劣化する。
再生ヘッドを動作せしめた場合、バルクハウゼンノイズ
に類似したノイズ（以後擬バルクハウゼンノイズと記す
。）が発生するためＳ／Ｎ比が低下しかつヘッド安定性
もすこぶる劣化する。
このノイズは動作点をＢ 、 Ｂ’からＣ２σに移行さ
せることにより減少し、それと同時にヘッド安定性も向
上する。従って従来の電流バイアス方式磁気抵抗効果型
再生ヘッドは、動作点をＣ１σにおいて動作させていた
。動作点をＣ２σにバイアスした場合は、最適動作点Ｂ
、 Ｂ’にバイアスした場合に比べ再生感度が劣化す
ることは第３図より明らかであシ、新めて説明するまで
もない。
せることにより減少し、それと同時にヘッド安定性も向
上する。従って従来の電流バイアス方式磁気抵抗効果型
再生ヘッドは、動作点をＣ１σにおいて動作させていた
。動作点をＣ２σにバイアスした場合は、最適動作点Ｂ
、 Ｂ’にバイアスした場合に比べ再生感度が劣化す
ることは第３図より明らかであシ、新めて説明するまで
もない。
以上、従来の電流バイアス方式を用いたマルチトラック
用磁気抵抗効果型再生ヘッドには前述せる問題点があっ
た。
用磁気抵抗効果型再生ヘッドには前述せる問題点があっ
た。
本発明の目的は、従来技術のもつ欠点を解決し、再生感
度、ヘッド安定性共良好でかっＳ／Ｎ比の高い電流バイ
アス方式マルチトラック用磁気抵抗効果型再生ヘッドの
構造を提供するととにある。
度、ヘッド安定性共良好でかっＳ／Ｎ比の高い電流バイ
アス方式マルチトラック用磁気抵抗効果型再生ヘッドの
構造を提供するととにある。
本発明の概要について、第４図を用いて説明。
する。第４図は電流バイアス方式マルチトラッ。
り用磁気抵抗効果型再生ヘッドの摺動面近傍の正面図で
ある。図中６は非磁性もしくは磁性基板、７は金属磁性
薄膜から成るシールド、８の゛点線弁は磁気抵抗効果素
子が形成されている部分、９はテープ摺動面である。
ある。図中６は非磁性もしくは磁性基板、７は金属磁性
薄膜から成るシールド、８の゛点線弁は磁気抵抗効果素
子が形成されている部分、９はテープ摺動面である。
我々の電流バイアス方式マルチトラック用磁Ｉ゛気抵抗
効果型再生ヘッドに関する一連の系統的゛研究の結果、
従来のヘッドにみられた擬バルク・ハウゼンノイズの発
生原因はシールド７の形状・にあることが明らかとなっ
た。すなわちシール・ド形状が第４図に示したように直
方形状の場合、。
効果型再生ヘッドに関する一連の系統的゛研究の結果、
従来のヘッドにみられた擬バルク・ハウゼンノイズの発
生原因はシールド７の形状・にあることが明らかとなっ
た。すなわちシール・ド形状が第４図に示したように直
方形状の場合、。
が、最も擬バルクハウゼンノイズが発生し易い。
ことがわかった。
また、シールド形状を第５図ア第７図に示し。
たよりに、磁気抵抗効果型素子が形成されている部分の
みを広巾にし、各トラック間の接続部、。
みを広巾にし、各トラック間の接続部、。
を狭巾にすることによシ、擬パルクツ・ウゼンノイ゛ズ
が従来形状に比べ約１０ｄＢ減衰することが明ら。
が従来形状に比べ約１０ｄＢ減衰することが明ら。
かとなった。つまり第５図から第７図に示した。
ように、各トラック間のシールドを電気的には゛接続し
た状態にし、かつ磁気的に分離した状態５にすることに
より、従来の問題点を解決できる゛ことがわかった。
た状態にし、かつ磁気的に分離した状態５にすることに
より、従来の問題点を解決できる゛ことがわかった。
以下、本発明について実施例を用いて更に詳゛細に説明
する。 １・・ （実施例１） 本発明の第１の実施例について第８図を用い・て説明す
る。第８図は本発明により成るマルチ・トラック相電流
バイアス方式磁気抵抗効果型再・化ヘッドのテープ摺動
面からみた概略図で、図１、）中１０は、Ｎｉ −Ｚｎ
７ ｚライト、１１はＳｉα薄膜（膜。
する。 １・・ （実施例１） 本発明の第１の実施例について第８図を用い・て説明す
る。第８図は本発明により成るマルチ・トラック相電流
バイアス方式磁気抵抗効果型再・化ヘッドのテープ摺動
面からみた概略図で、図１、）中１０は、Ｎｉ −Ｚｎ
７ ｚライト、１１はＳｉα薄膜（膜。
厚：０．３μｔｎ）から成る下部ギャップ、１２は８１
％ Ｎｉ 。
％ Ｎｉ 。
パーマロイ薄膜から成る磁気抵抗効果素子（膜。
厚；５ｏｏＡ）、１３はＳｉα薄膜（膜厚；０．５ｐｍ
）から。
）から。
成る上部ギャップ、１４は８１％Ｎｉパーマロイから、
。
。
成るシールドである。なおフェライト基板１０は″メカ
ノケミカル研摩された多結晶フェライトで゛ある。また
５ｓＯｔ薄膜１１．１３は通常のＲＦ’スパッタ゛リン
グ法、磁気抵抗効果素子１２用のパーマロイ。
ノケミカル研摩された多結晶フェライトで゛ある。また
５ｓＯｔ薄膜１１．１３は通常のＲＦ’スパッタ゛リン
グ法、磁気抵抗効果素子１２用のパーマロイ。
薄膜は真空蒸着法、（基板温度：３５０℃）、シール゛
ド１４用パーマロイ薄膜はＤＣ対向スパッタリング法を
用いて行なった。シールド１４の形状−は第５図に示し
たもの相似型とし、通常のフォトエッ′チング法を用い
てバターニングした。なお、シ。
ド１４用パーマロイ薄膜はＤＣ対向スパッタリング法を
用いて行なった。シールド１４の形状−は第５図に示し
たもの相似型とし、通常のフォトエッ′チング法を用い
てバターニングした。なお、シ。
−ルドの広巾の部分のパターン巾は約１００μｍ １”
’狭い部分の巾は約１０μｍである。
’狭い部分の巾は約１０μｍである。
以上の方法で作成した素子を最適バイアス点（第３図中
Ｂ 、 Ｂ’ ）で動作せしめたところ、従来・のもの
に比べ擬バルクハウゼンノイズＩｔｉ約−２ｏｄＢ・程
度減少し、かつ再生感度は３ｄＢ向上した。ま１、たヘ
ッド安定性もすこぶる向上した。
Ｂ 、 Ｂ’ ）で動作せしめたところ、従来・のもの
に比べ擬バルクハウゼンノイズＩｔｉ約−２ｏｄＢ・程
度減少し、かつ再生感度は３ｄＢ向上した。ま１、たヘ
ッド安定性もすこぶる向上した。
（実施例２）
シールド形状を、第６図の相似型とし実施例。
１と同様の検討を行なった結果、実施例１と同６等の結
果が得られた。
果が得られた。
・ ７ ・
（実施例３）
シールド形状を、第７図の相似型とし、実施例１と同様
の検討を行なった結果、実施例１と同等の結果が得られ
た。
の検討を行なった結果、実施例１と同等の結果が得られ
た。
以上、前述したように本発明により男性感度が高く、か
つＳ／Ｎ比の良好な安定したマルチトラック用電流バイ
アス方式磁気抵抗効果型再生ヘッドの提供が可能となっ
た。この意味で、本発明の同再生ヘッドの開発に対する
寄与は極めて大きい。
つＳ／Ｎ比の良好な安定したマルチトラック用電流バイ
アス方式磁気抵抗効果型再生ヘッドの提供が可能となっ
た。この意味で、本発明の同再生ヘッドの開発に対する
寄与は極めて大きい。
第１図は従来の電流バイアス方式磁気抵抗効果型再生ヘ
ッドのテープ摺動面からみた構成概略図、第２図は同ヘ
ッドの側断面図、第３図は磁気抵抗効果素子の磁気抵抗
変化を示す線図、第４図は本発明の実施例の要点を説明
するための概略図、第５〜７図は各シールド形状を表わ
す模式図、第８図は他の実施例を示する概略図である。 ・ ８ ・ １・・・高透磁率基板、 ２・・・下部ギャップ、３・
・・磁気抵抗効果素子、４・・・上部ギャップ、５・・
・シールド、 ６・・基板、 ７・・・シールド、 ８・・磁気抵抗効果素子、９・・
・テープ摺動面、１０・・・Ｎｉ−Ｚｎフェライト、１
１・・・５ｉＯ＝膜から成る下部ギャップ、１２・・・
パーマロイ膜から成る磁気抵抗効果素子、１３・・・５
ｉＯ＝膜から成る上部ギャップ、１４・・・パーマロイ
膜から成るシールド。 茅 ／ ｍ 、９ 茅 ２ｚ ＄３ 図 導抗） （虚薯） 第 ５ Ｋ 第 乙 ｍゴ 茅 ７ 万 第 ３ ｚ 膵 ／２
ッドのテープ摺動面からみた構成概略図、第２図は同ヘ
ッドの側断面図、第３図は磁気抵抗効果素子の磁気抵抗
変化を示す線図、第４図は本発明の実施例の要点を説明
するための概略図、第５〜７図は各シールド形状を表わ
す模式図、第８図は他の実施例を示する概略図である。 ・ ８ ・ １・・・高透磁率基板、 ２・・・下部ギャップ、３・
・・磁気抵抗効果素子、４・・・上部ギャップ、５・・
・シールド、 ６・・基板、 ７・・・シールド、 ８・・磁気抵抗効果素子、９・・
・テープ摺動面、１０・・・Ｎｉ−Ｚｎフェライト、１
１・・・５ｉＯ＝膜から成る下部ギャップ、１２・・・
パーマロイ膜から成る磁気抵抗効果素子、１３・・・５
ｉＯ＝膜から成る上部ギャップ、１４・・・パーマロイ
膜から成るシールド。 茅 ／ ｍ 、９ 茅 ２ｚ ＄３ 図 導抗） （虚薯） 第 ５ Ｋ 第 乙 ｍゴ 茅 ７ 万 第 ３ ｚ 膵 ／２
Claims (1)
- １、 高透磁率を有する第１の磁性層、第１の非磁性絶
縁層、磁気抵抗効果を有する第２の磁性層、第２の非磁
性絶縁層、高透磁率を有する第６の磁性層を順次積層し
て成る磁気抵抗効果型再生ヘッドを同一磁性もしくは非
磁性基板上に複数個具備した多素子磁気ヘッドにおいて
、各磁気抵抗効果型再生ヘッドの第１もしくは第３の磁
性層の少くとも一方が互いに磁気的及び電気的に接続さ
れておシ、かつテープ摺動面に対して垂直方向の巾が一
様でないことを特徴とする多素子磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12606783A JPS6018812A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 多素子磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12606783A JPS6018812A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 多素子磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018812A true JPS6018812A (ja) | 1985-01-30 |
Family
ID=14925796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12606783A Pending JPS6018812A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 多素子磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018812A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0534791A2 (en) * | 1991-09-27 | 1993-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head |
| US5311385A (en) * | 1991-12-18 | 1994-05-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP12606783A patent/JPS6018812A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0534791A2 (en) * | 1991-09-27 | 1993-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head |
| US5402292A (en) * | 1991-09-27 | 1995-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetoresistance effect type thin film magnetic head using high coercion films |
| US5311385A (en) * | 1991-12-18 | 1994-05-10 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer |
| US5312644A (en) * | 1991-12-18 | 1994-05-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making a magnetoresistive head with integrated bias and magnetic shield layer |
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