JPH0737228A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0737228A JPH0737228A JP5178689A JP17868993A JPH0737228A JP H0737228 A JPH0737228 A JP H0737228A JP 5178689 A JP5178689 A JP 5178689A JP 17868993 A JP17868993 A JP 17868993A JP H0737228 A JPH0737228 A JP H0737228A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
- G11B5/4886—Disposition of heads relative to rotating disc
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本来の信号成分に重畳されて出力されるクロ
ストーク成分を低減させ、再生信号のＳ／Ｎの向上及び
サーボ信号等の信頼性を向上させる 【構成】 下部シールド磁性体２の記録媒体対向面ａに
露出した部分の幅Ｄ１を上部シールド磁性体３の記録媒
体対向面ａに露出した部分の幅Ｄ２と比べて狭くして構
成する。具体的には、下部シールド磁性体２の記録媒体
対向面ａに露出した部分の幅Ｄ１を実効トラック幅以
上、トラックピッチの４倍以下とする。
ストーク成分を低減させ、再生信号のＳ／Ｎの向上及び
サーボ信号等の信頼性を向上させる 【構成】 下部シールド磁性体２の記録媒体対向面ａに
露出した部分の幅Ｄ１を上部シールド磁性体３の記録媒
体対向面ａに露出した部分の幅Ｄ２と比べて狭くして構
成する。具体的には、下部シールド磁性体２の記録媒体
対向面ａに露出した部分の幅Ｄ１を実効トラック幅以
上、トラックピッチの４倍以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体からの記
録磁界によって、抵抗率が変化する磁気抵抗効果膜を用
い、その磁気抵抗効果膜の抵抗変化を再生出力電圧とし
て検出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
録磁界によって、抵抗率が変化する磁気抵抗効果膜を用
い、その磁気抵抗効果膜の抵抗変化を再生出力電圧とし
て検出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置における小型
大容量化が進行する中で、特にノート型パソコンに代表
されるような可搬型コンピュータへの適用が考慮される
用途では、例えば２．５インチハードディスク装置に対
する要求が高まっている。
大容量化が進行する中で、特にノート型パソコンに代表
されるような可搬型コンピュータへの適用が考慮される
用途では、例えば２．５インチハードディスク装置に対
する要求が高まっている。
【０００３】このような小型ハードディスク装置では、
ディスク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出
力が媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、
再生出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
ディスク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出
力が媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、
再生出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。
【０００４】しかし、磁界によって抵抗率が変化する磁
気抵抗効果型素子（以下、単にＭＲ素子と記す）の抵抗
変化を再生出力電圧として検出する磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、その再生出力が媒体速度に依存せず、低媒体
速度でも高再生出力が得られるという特徴を有するた
め、小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する磁
気ヘッドとして注目されている。
気抵抗効果型素子（以下、単にＭＲ素子と記す）の抵抗
変化を再生出力電圧として検出する磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、その再生出力が媒体速度に依存せず、低媒体
速度でも高再生出力が得られるという特徴を有するた
め、小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する磁
気ヘッドとして注目されている。
【０００５】従来では、上記ＭＲヘッドをハードディス
ク装置の磁気ヘッドとして実現させるために、スライダ
材に、薄膜のＭＲ素子を、再生時の磁路となる下部シー
ルドコアと上部シールドコアとでサンドイッチした構造
の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜
ヘッドと記す）を形成するようにしている。
ク装置の磁気ヘッドとして実現させるために、スライダ
材に、薄膜のＭＲ素子を、再生時の磁路となる下部シー
ルドコアと上部シールドコアとでサンドイッチした構造
の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、単にＭＲ薄膜
ヘッドと記す）を形成するようにしている。
【０００６】具体的に、例えば縦型のＭＲ薄膜ヘッドを
例にとると、図６及び図７に示すように、非磁性の基板
１０１上に絶縁層１０２を介して下部シールド磁性体１
０３となる軟磁性膜及び絶縁層１０４を順次積層し、こ
の絶縁層１０４上に、ＭＲ素子１０５を、その長手方向
が磁気記録媒体対向面（ヘッド面ａ）と垂直になるよう
に配置し、かつその一方の端面がヘッド面ａに露出する
かたちに形成し、更に、このＭＲ素子１０５の両端にセ
ンス電流を供給するための前端電極１０６ａ及び後端電
極１０６ｂを形成する。
例にとると、図６及び図７に示すように、非磁性の基板
１０１上に絶縁層１０２を介して下部シールド磁性体１
０３となる軟磁性膜及び絶縁層１０４を順次積層し、こ
の絶縁層１０４上に、ＭＲ素子１０５を、その長手方向
が磁気記録媒体対向面（ヘッド面ａ）と垂直になるよう
に配置し、かつその一方の端面がヘッド面ａに露出する
かたちに形成し、更に、このＭＲ素子１０５の両端にセ
ンス電流を供給するための前端電極１０６ａ及び後端電
極１０６ｂを形成する。
【０００７】その後、上記ＭＲ素子１０５及び前端電極
１０６ａ，後端電極１０６ｂを含む全面に絶縁層１０７
を積層した後、下層のＭＲ素子１０５を長手方向に横切
るようにバイアス導体１０８を形成し、その後、全面に
絶縁層１０９及び上部シールド磁性体１１０となる軟磁
性膜を順次積層することにより、従来におけるＭＲ薄膜
ヘッドが構成される。なお、図示の例では、後端電極１
０６ｂとバイアス導体１０８とが直列接続されたかたち
となっている。
１０６ａ，後端電極１０６ｂを含む全面に絶縁層１０７
を積層した後、下層のＭＲ素子１０５を長手方向に横切
るようにバイアス導体１０８を形成し、その後、全面に
絶縁層１０９及び上部シールド磁性体１１０となる軟磁
性膜を順次積層することにより、従来におけるＭＲ薄膜
ヘッドが構成される。なお、図示の例では、後端電極１
０６ｂとバイアス導体１０８とが直列接続されたかたち
となっている。
【０００８】上記ＭＲ薄膜ヘッドは、ＭＲ素子１０５を
上部シールド磁性体１１０及び下部磁性体１０３で挟む
構造としているため、上部シールド磁性体１１０及び下
部磁性体１０３のないものと比較して、再生出力の記録
密度依存性を向上させることができる。
上部シールド磁性体１１０及び下部磁性体１０３で挟む
構造としているため、上部シールド磁性体１１０及び下
部磁性体１０３のないものと比較して、再生出力の記録
密度依存性を向上させることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の例え
ば縦型ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、図８に示すように、
ＭＲ素子１０５を磁気的にシールドする上部及び下部シ
ールド磁性体１１０及び１０３は、ほぼ平行に対向して
形成され、上部及び下部シールド磁性体１１０及び１０
３のヘッド面ａに露出している部分の幅が、どちらも同
様に１００数十μｍの値となっている。
ば縦型ＭＲ薄膜ヘッドにおいては、図８に示すように、
ＭＲ素子１０５を磁気的にシールドする上部及び下部シ
ールド磁性体１１０及び１０３は、ほぼ平行に対向して
形成され、上部及び下部シールド磁性体１１０及び１０
３のヘッド面ａに露出している部分の幅が、どちらも同
様に１００数十μｍの値となっている。
【００１０】この場合、記録媒体に記録されているトラ
ックのうち、上部及び下部シールド磁性体１１０及び１
０３の幅の中に、記録媒体の再生目的とするトラック以
外に１５本以上のトラックが存在することになる。
ックのうち、上部及び下部シールド磁性体１１０及び１
０３の幅の中に、記録媒体の再生目的とするトラック以
外に１５本以上のトラックが存在することになる。
【００１１】ここで、原理的には、１５本のトラックか
らの信号磁界は、シールド磁性体によってシールドされ
ることになるが、実際には、シールド磁性体の幅内に入
る上記１５本のトラック分の信号磁界がＭＲ素子側に漏
れてしまい、図９に示すように、クロストーク成分Ｓと
して再生信号に現れることになる。
らの信号磁界は、シールド磁性体によってシールドされ
ることになるが、実際には、シールド磁性体の幅内に入
る上記１５本のトラック分の信号磁界がＭＲ素子側に漏
れてしまい、図９に示すように、クロストーク成分Ｓと
して再生信号に現れることになる。
【００１２】このクロストーク成分Ｓの存在によって、
トラックピッチを小さくすることが不可能となることは
もとより、線記録密度の高く出力レベルの低いところで
はこのクロストーク成分がフェーズマージンに影響し、
本来の信号成分のＳ／Ｎを劣化させるという問題があ
る。特にハードディスク装置の場合、再生ヘッド（ＭＲ
薄膜ヘッド）でサーボ信号やトラッキング信号を記録媒
体面から取り出した際、そのサーボ信号等の質を上記ク
ロストーク成分Ｓが重畳することにより劣化させること
になる。
トラックピッチを小さくすることが不可能となることは
もとより、線記録密度の高く出力レベルの低いところで
はこのクロストーク成分がフェーズマージンに影響し、
本来の信号成分のＳ／Ｎを劣化させるという問題があ
る。特にハードディスク装置の場合、再生ヘッド（ＭＲ
薄膜ヘッド）でサーボ信号やトラッキング信号を記録媒
体面から取り出した際、そのサーボ信号等の質を上記ク
ロストーク成分Ｓが重畳することにより劣化させること
になる。
【００１３】ここで、一つの実験例を示す。この実験例
は、図１０に示すように、記録媒体１２０に形成された
記録トラックｔ中、上下シールド磁性体１１０及び１０
３の幅に入る記録トラックｔ（トラックピッチをＰ，実
効トラック幅をＴで示す）の数によって、クロストーク
値がどのように変化するかをみたものであり、この実験
結果を図１１に示す。この実験結果から、記録トラック
数＝４までは、シールド磁性体の幅内に入るトラック数
が１ずつ増加する毎に、クロストーク値の変化幅が大き
く、トラック数＝４を越えると、その変化幅は、徐々に
ではあるが、増加していることがわかる。
は、図１０に示すように、記録媒体１２０に形成された
記録トラックｔ中、上下シールド磁性体１１０及び１０
３の幅に入る記録トラックｔ（トラックピッチをＰ，実
効トラック幅をＴで示す）の数によって、クロストーク
値がどのように変化するかをみたものであり、この実験
結果を図１１に示す。この実験結果から、記録トラック
数＝４までは、シールド磁性体の幅内に入るトラック数
が１ずつ増加する毎に、クロストーク値の変化幅が大き
く、トラック数＝４を越えると、その変化幅は、徐々に
ではあるが、増加していることがわかる。
【００１４】このように、従来のＭＲ薄膜ヘッドにおい
ては、上部及び下部シールド磁性体１１０及び１０３
が、１００数十μｍの幅を有するために、その幅の中に
目的とするトラック以外に１５本以上のトラックが存在
することになり、クロストーク成分が本来の信号成分に
重畳されて出力される。従って、再生信号のＳ／Ｎが劣
化すると共に、サーボ信号等の信頼性も低下するという
問題があった。
ては、上部及び下部シールド磁性体１１０及び１０３
が、１００数十μｍの幅を有するために、その幅の中に
目的とするトラック以外に１５本以上のトラックが存在
することになり、クロストーク成分が本来の信号成分に
重畳されて出力される。従って、再生信号のＳ／Ｎが劣
化すると共に、サーボ信号等の信頼性も低下するという
問題があった。
【００１５】本発明は、上述の課題に鑑みてなされたも
のであり、その目的とするところは、本来の信号成分に
重畳されて出力されるクロストーク成分を低減すること
ができ、再生信号のＳ／Ｎの向上及びサーボ信号等の信
頼性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドを提供することにある。
のであり、その目的とするところは、本来の信号成分に
重畳されて出力されるクロストーク成分を低減すること
ができ、再生信号のＳ／Ｎの向上及びサーボ信号等の信
頼性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気抵抗効果
を有する磁気抵抗効果素子１を記録媒体対向面ａに露出
させ、この磁気抵抗効果素子１を膜厚方向に挟む非磁性
層を介して各々軟磁性体層からなる上部及び下部シール
ド磁性体３及び２で磁気的にシールドされた構成の磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上部シールド磁性
体３あるいは下部シールド磁性体２の一方もしくは両方
における少なくとも記録媒体対向面ａに露出した部分の
幅を実効トラック幅以上、トラックピッチの４倍以下に
して構成する。
を有する磁気抵抗効果素子１を記録媒体対向面ａに露出
させ、この磁気抵抗効果素子１を膜厚方向に挟む非磁性
層を介して各々軟磁性体層からなる上部及び下部シール
ド磁性体３及び２で磁気的にシールドされた構成の磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上部シールド磁性
体３あるいは下部シールド磁性体２の一方もしくは両方
における少なくとも記録媒体対向面ａに露出した部分の
幅を実効トラック幅以上、トラックピッチの４倍以下に
して構成する。
【００１７】この場合、上部シールド磁性体３あるいは
下部シールド磁性体２の一方もしくは両方において、上
記幅で規定される奥行き方向の長さが、磁気抵抗効果素
子１の形成長よりも長くなるように構成してもよい。
下部シールド磁性体２の一方もしくは両方において、上
記幅で規定される奥行き方向の長さが、磁気抵抗効果素
子１の形成長よりも長くなるように構成してもよい。
【００１８】また、上部シールド磁性体３あるいは下部
シールド磁性体２の一方もしくは両方において、上記幅
を実効トラック幅以上、トラックピッチ以下とし、かつ
この幅で規定される奥行き方向の長さを、最大記録波長
の９％以上となるように構成してもよい。
シールド磁性体２の一方もしくは両方において、上記幅
を実効トラック幅以上、トラックピッチ以下とし、かつ
この幅で規定される奥行き方向の長さを、最大記録波長
の９％以上となるように構成してもよい。
【００１９】
【作用】本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに
おいては、上部シールド磁性体３あるいは下部シールド
磁性体２の一方もしくは両方における少なくとも上記記
録媒体対向面ａに露出した部分の幅を実効トラック幅以
上、トラックピッチの４倍以下の構成とすることで、上
記幅内に含まれるトラック、特に再生目的とするトラッ
ク以外のトラック数が低減されることになる。
おいては、上部シールド磁性体３あるいは下部シールド
磁性体２の一方もしくは両方における少なくとも上記記
録媒体対向面ａに露出した部分の幅を実効トラック幅以
上、トラックピッチの４倍以下の構成とすることで、上
記幅内に含まれるトラック、特に再生目的とするトラッ
ク以外のトラック数が低減されることになる。
【００２０】そして、上記幅をトラックピッチの４倍以
下としていることから、上記幅内に含まれるトラック数
は最大で４本となる。この場合、図１１の実験結果が示
すように、上記幅内にあるトラック数が４以下になる
と、クロストーク値は急激に減少する。従って、上述の
構成をとることで、再生目的とするトラック以外のトラ
ックからのクロストーク成分が大幅に低減されることに
なる。
下としていることから、上記幅内に含まれるトラック数
は最大で４本となる。この場合、図１１の実験結果が示
すように、上記幅内にあるトラック数が４以下になる
と、クロストーク値は急激に減少する。従って、上述の
構成をとることで、再生目的とするトラック以外のトラ
ックからのクロストーク成分が大幅に低減されることに
なる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッドの２つの実施例（以下、単に第１実施例に係るＭ
Ｒ薄膜ヘッド及び第２実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドと記
す）を図１〜５を参照しながら説明する。
ヘッドの２つの実施例（以下、単に第１実施例に係るＭ
Ｒ薄膜ヘッド及び第２実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドと記
す）を図１〜５を参照しながら説明する。
【００２２】まず、第１実施例に係るＭＲ薄膜ヘッド
は、図１に示すように、磁気抵抗効果型素子（以下、単
にＭＲ素子と記す）１が、再生時の磁路となる下部シー
ルド磁性体２と上部シールド磁性体３とで挟まれた構造
となっている。
は、図１に示すように、磁気抵抗効果型素子（以下、単
にＭＲ素子と記す）１が、再生時の磁路となる下部シー
ルド磁性体２と上部シールド磁性体３とで挟まれた構造
となっている。
【００２３】具体的には、非磁性基板１１上に、絶縁層
１２を介してセンダスト等の軟磁性膜による下部シール
ド磁性体２が形成され、この下部シールド磁性体２上に
第１の再生ギャップを形成するアルミナ等の絶縁層１３
が積層されている。そして、この絶縁層１３上に例えば
Ｆｅ−Ｎｉ膜によるＭＲ素子１が形成され、更にこのＭ
Ｒ素子１上に絶縁層１４が形成され、この絶縁層１４上
にＦｅ−Ｎｉ等の磁性膜による上部シールド磁性体３が
積層されて第１実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドが構成され
ている。
１２を介してセンダスト等の軟磁性膜による下部シール
ド磁性体２が形成され、この下部シールド磁性体２上に
第１の再生ギャップを形成するアルミナ等の絶縁層１３
が積層されている。そして、この絶縁層１３上に例えば
Ｆｅ−Ｎｉ膜によるＭＲ素子１が形成され、更にこのＭ
Ｒ素子１上に絶縁層１４が形成され、この絶縁層１４上
にＦｅ−Ｎｉ等の磁性膜による上部シールド磁性体３が
積層されて第１実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドが構成され
ている。
【００２４】そして、このＭＲ薄膜ヘッドにおいては、
図２に示すように、ＭＲ素子１を長手方向一端が磁気記
録媒体との対向面、すなわち記録媒体対向面ａに露出さ
せたかたちとなっている。このＭＲ素子１の記録媒体対
向面側端（以下、前端と記す）部分と、その前端部分か
ら所定距離隔てた箇所に、それぞれ軟磁性膜による電極
（前端電極２１ａ及び後端電極２１ｂ）が形成されてい
る。
図２に示すように、ＭＲ素子１を長手方向一端が磁気記
録媒体との対向面、すなわち記録媒体対向面ａに露出さ
せたかたちとなっている。このＭＲ素子１の記録媒体対
向面側端（以下、前端と記す）部分と、その前端部分か
ら所定距離隔てた箇所に、それぞれ軟磁性膜による電極
（前端電極２１ａ及び後端電極２１ｂ）が形成されてい
る。
【００２５】この前端電極２１ａ及び後端電極２１ｂ
は、ＭＲ素子１の長手方向に沿って（すなわち、記録媒
体対向面ａと直交する方向に）センス電流を流す目的で
形成される。本実施例においては、前端電極２１ａを独
立分離したかたちに形成しているため、絶縁層１４を形
成した後、平坦化処理して前端電極２１ａの上面を露出
させ、その後に上部シールド磁性体３とを電気的に接続
するようにしている。従って、この場合、前端電極２１
ａにて第２の再生ギャップが形成される。
は、ＭＲ素子１の長手方向に沿って（すなわち、記録媒
体対向面ａと直交する方向に）センス電流を流す目的で
形成される。本実施例においては、前端電極２１ａを独
立分離したかたちに形成しているため、絶縁層１４を形
成した後、平坦化処理して前端電極２１ａの上面を露出
させ、その後に上部シールド磁性体３とを電気的に接続
するようにしている。従って、この場合、前端電極２１
ａにて第２の再生ギャップが形成される。
【００２６】そして、このＭＲ薄膜ヘッドにおいては、
ＭＲ素子１中、前端電極２１ａの後端と後端電極２１ｂ
の前端の間の領域が磁気抵抗効果を示すことになり、こ
の領域がＭＲ素子１の感知部１ａを構成することにな
る。また、このＭＲ素子１の感知部１ａ上には、このＭ
Ｒ素子１にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体
２２がＭＲ素子１の上方を横切るように形成されてい
る。
ＭＲ素子１中、前端電極２１ａの後端と後端電極２１ｂ
の前端の間の領域が磁気抵抗効果を示すことになり、こ
の領域がＭＲ素子１の感知部１ａを構成することにな
る。また、このＭＲ素子１の感知部１ａ上には、このＭ
Ｒ素子１にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体
２２がＭＲ素子１の上方を横切るように形成されてい
る。
【００２７】そして、この第１実施例に係るＭＲ薄膜ヘ
ッドにおいては、図１に示すように、下部シールド磁性
体２の記録媒体対向面ａに露出した部分の幅（以下、単
にシールド幅と記す）Ｄ１を上部シールド磁性体３のシ
ールド幅Ｄ２と比べて狭くして形成されて構成されてい
る。
ッドにおいては、図１に示すように、下部シールド磁性
体２の記録媒体対向面ａに露出した部分の幅（以下、単
にシールド幅と記す）Ｄ１を上部シールド磁性体３のシ
ールド幅Ｄ２と比べて狭くして形成されて構成されてい
る。
【００２８】ところで、シールド磁性体のシールド幅を
狭くすると、異方性の乱れ等が生じるが、シールド磁性
体として、例えばセンダストのような、等方的な異方性
を持つ軟磁性膜で、磁壁のブロードな軟磁性膜を用いれ
ば、この異方性の乱れ等は防止できる。
狭くすると、異方性の乱れ等が生じるが、シールド磁性
体として、例えばセンダストのような、等方的な異方性
を持つ軟磁性膜で、磁壁のブロードな軟磁性膜を用いれ
ば、この異方性の乱れ等は防止できる。
【００２９】このシールド幅Ｄ１の狭い下部シールド磁
性体２の形成方法としては、例えばＭＲ素子１を形成す
る前に、上記センダストからなる軟磁性膜を、スパッタ
等の方法で非磁性基板１１上に絶縁層１２を介して形成
し、その後、イオンエッチング法にて上記軟磁性体膜を
一部除去することによって、上記シールド幅Ｄ１の狭い
下部シールド磁性体２を形成することができる。
性体２の形成方法としては、例えばＭＲ素子１を形成す
る前に、上記センダストからなる軟磁性膜を、スパッタ
等の方法で非磁性基板１１上に絶縁層１２を介して形成
し、その後、イオンエッチング法にて上記軟磁性体膜を
一部除去することによって、上記シールド幅Ｄ１の狭い
下部シールド磁性体２を形成することができる。
【００３０】そして、この第１実施例では、下部シール
ド磁性体２のシールド幅Ｄ１を、上述の図１０及び１１
で示した実験結果を考慮して、実効トラック幅以上、ト
ラックピッチの４倍以下として形成される。また、この
第１実施例では、下部シールド磁性体２を、上記シール
ド幅Ｄ１で規定される部分の奥行き方向の長さを磁気抵
抗効果素子の形成長よりも長く形成して構成される。
ド磁性体２のシールド幅Ｄ１を、上述の図１０及び１１
で示した実験結果を考慮して、実効トラック幅以上、ト
ラックピッチの４倍以下として形成される。また、この
第１実施例では、下部シールド磁性体２を、上記シール
ド幅Ｄ１で規定される部分の奥行き方向の長さを磁気抵
抗効果素子の形成長よりも長く形成して構成される。
【００３１】ここで、ビットシフトとクロストーク成分
との関係を図３に示す。この図３に示すように、上記ク
ロストーク成分は、約２０ｄＢを越えるとビットシフト
に影響を及ぼすようになる。その結果、媒体に記録され
た情報とＭＲ薄膜ヘッドによる再生情報との間にくい違
いが生じてしまい、正確な再生信号が得られなくなる。
との関係を図３に示す。この図３に示すように、上記ク
ロストーク成分は、約２０ｄＢを越えるとビットシフト
に影響を及ぼすようになる。その結果、媒体に記録され
た情報とＭＲ薄膜ヘッドによる再生情報との間にくい違
いが生じてしまい、正確な再生信号が得られなくなる。
【００３２】従って、ビットシフトの影響を考慮する
と、上記クロストーク成分を約２０ｄＢ以下に抑える必
要がある。図１０で示す実験結果からみると、高周波信
号を再生する場合において、そのクロストーク成分を約
２０ｄＢ以下にするには、下部シールド磁性体２のシー
ルド幅を、実効トラック幅以上トラックピッチの４倍
（このときのクロストーク値を破線で示す）以下とすれ
ばよいことがわかる。更に、低周波信号を再生する場合
において、そのクロストーク成分を約２０ｄＢ以下に抑
えることを考慮すると、下部シールド磁性体２のシール
ド幅を、実効トラック幅以上トラックピッチの３倍（こ
のときのクロストーク値を一点鎖線で示す）以下とする
ことが好ましい。
と、上記クロストーク成分を約２０ｄＢ以下に抑える必
要がある。図１０で示す実験結果からみると、高周波信
号を再生する場合において、そのクロストーク成分を約
２０ｄＢ以下にするには、下部シールド磁性体２のシー
ルド幅を、実効トラック幅以上トラックピッチの４倍
（このときのクロストーク値を破線で示す）以下とすれ
ばよいことがわかる。更に、低周波信号を再生する場合
において、そのクロストーク成分を約２０ｄＢ以下に抑
えることを考慮すると、下部シールド磁性体２のシール
ド幅を、実効トラック幅以上トラックピッチの３倍（こ
のときのクロストーク値を一点鎖線で示す）以下とする
ことが好ましい。
【００３３】このように、上記第１実施例に係るＭＲ薄
膜ヘッドにおいては、上部及び下部シールド磁性体３及
び２の記録媒体対向面ａに露出した部分において、上部
シールド磁性体３のシールド幅Ｄ２を通常のものとし、
下部シールド磁性体２のシールド幅を実効トラック幅以
上、トラックピッチの４倍以下で規定し、更に、このシ
ールド幅Ｄ１で規定される部分の奥行き方向の長さがＭ
Ｒ素子１の形成長よりも長く形成するようにしたので、
上記シールド幅Ｄ１内に含まれるトラック、特に再生目
的とするトラック以外のトラック数が低減されることに
なる。
膜ヘッドにおいては、上部及び下部シールド磁性体３及
び２の記録媒体対向面ａに露出した部分において、上部
シールド磁性体３のシールド幅Ｄ２を通常のものとし、
下部シールド磁性体２のシールド幅を実効トラック幅以
上、トラックピッチの４倍以下で規定し、更に、このシ
ールド幅Ｄ１で規定される部分の奥行き方向の長さがＭ
Ｒ素子１の形成長よりも長く形成するようにしたので、
上記シールド幅Ｄ１内に含まれるトラック、特に再生目
的とするトラック以外のトラック数が低減されることに
なる。
【００３４】そして、上記シールド幅Ｄ１をトラックピ
ッチの４倍以下としていることから、上記シールド幅Ｄ
１内に含まれるトラック数は最大で４本となる。この場
合、図１１の実験結果が示すように、上記シールド幅Ｄ
１内にあるトラック数が４以下になると、クロストーク
値は急激に減少する。従って、上述の構成をとること
で、再生目的とするトラック以外のトラックからのクロ
ストーク成分が大幅に低減されることになる。
ッチの４倍以下としていることから、上記シールド幅Ｄ
１内に含まれるトラック数は最大で４本となる。この場
合、図１１の実験結果が示すように、上記シールド幅Ｄ
１内にあるトラック数が４以下になると、クロストーク
値は急激に減少する。従って、上述の構成をとること
で、再生目的とするトラック以外のトラックからのクロ
ストーク成分が大幅に低減されることになる。
【００３５】従って、上記第１実施例に係るＭＲ薄膜ヘ
ッドにおいては、再生目的とするトラック以外のトラッ
クからのクロストーク成分が大幅に低減されることか
ら、再生信号のＳ／Ｎの向上及びサーボ信号等の信頼性
を向上させることができ、エラーレートの少ない再生信
号及び誤差の少ないサーボ信号を得ることができる。
ッドにおいては、再生目的とするトラック以外のトラッ
クからのクロストーク成分が大幅に低減されることか
ら、再生信号のＳ／Ｎの向上及びサーボ信号等の信頼性
を向上させることができ、エラーレートの少ない再生信
号及び誤差の少ないサーボ信号を得ることができる。
【００３６】更に、上述の下部シールド磁性体２のシー
ルド幅Ｄ１を、実効トラック幅以上、トラックピッチの
４倍以下とすることにより、クロストーク成分が従来と
比較して５ｄＢ以上程度低減され、ビットシフトの影響
も削減することができる。
ルド幅Ｄ１を、実効トラック幅以上、トラックピッチの
４倍以下とすることにより、クロストーク成分が従来と
比較して５ｄＢ以上程度低減され、ビットシフトの影響
も削減することができる。
【００３７】ところで、上記第１実施例においては、上
部シールド磁性体３のシールド幅Ｄ２を従来の値とし、
下部シールド磁性体２のシールド幅Ｄ１を狭く形成して
いるが、これは以下に示す理由によるものである。すな
わち、シールド磁性体の構成材料であるセンダストに磁
気特性を持たせるためには、このセンダストにスパッタ
処理を施した後に、温度５２０℃でアニール処理を施す
必要がある。この場合、シールド幅を狭くする対象のも
のを下部シールド磁性体２とすれば、ＭＲ素子１はまだ
形成されていないため、上述のアニール処理を施しても
構わないことになる。しかし、上部シールド磁性体３の
シールド幅Ｄ２を狭くしてこのシールド磁性体に対して
アニール処理を施すと、同時にＭＲ素子１にもアニール
処理が施されるため、ＭＲ素子１の再生特性が劣化する
可能性がある。
部シールド磁性体３のシールド幅Ｄ２を従来の値とし、
下部シールド磁性体２のシールド幅Ｄ１を狭く形成して
いるが、これは以下に示す理由によるものである。すな
わち、シールド磁性体の構成材料であるセンダストに磁
気特性を持たせるためには、このセンダストにスパッタ
処理を施した後に、温度５２０℃でアニール処理を施す
必要がある。この場合、シールド幅を狭くする対象のも
のを下部シールド磁性体２とすれば、ＭＲ素子１はまだ
形成されていないため、上述のアニール処理を施しても
構わないことになる。しかし、上部シールド磁性体３の
シールド幅Ｄ２を狭くしてこのシールド磁性体に対して
アニール処理を施すと、同時にＭＲ素子１にもアニール
処理が施されるため、ＭＲ素子１の再生特性が劣化する
可能性がある。
【００３８】上記第１実施例では、材料としてセンダス
トを用いて下部シールド磁性体２のシールド幅のみを狭
く形成するので、ＭＲ素子１を形成する前に下部シール
ド磁性体２にアニール処理を施すこととなり、ＭＲ素子
１の特性に全く影響を及ぼすことなく、有効にアニール
処理を行うことができ、特性劣化のないＭＲ薄膜ヘッド
を作製することができる。
トを用いて下部シールド磁性体２のシールド幅のみを狭
く形成するので、ＭＲ素子１を形成する前に下部シール
ド磁性体２にアニール処理を施すこととなり、ＭＲ素子
１の特性に全く影響を及ぼすことなく、有効にアニール
処理を行うことができ、特性劣化のないＭＲ薄膜ヘッド
を作製することができる。
【００３９】次に、本発明に係るＭＲ薄膜ヘッドの第２
実施例を図４及び図５を参照しながら説明する。なお、
図１及び図２と対応するものについては同符号を記す。
実施例を図４及び図５を参照しながら説明する。なお、
図１及び図２と対応するものについては同符号を記す。
【００４０】この第２実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドは、
上記第１実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドとほぼ同じ構成を
有するが、下部シールド磁性体２のシールド幅Ｄ１を実
効トラック幅以上、トラックピッチ以下とした点と、下
部シールド磁性体２の記録媒体対向面ａからの奥行き方
向の長さ、すなわちリセス幅が、以下で示す値ｄで決定
されて構成されている点で異なる。
上記第１実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドとほぼ同じ構成を
有するが、下部シールド磁性体２のシールド幅Ｄ１を実
効トラック幅以上、トラックピッチ以下とした点と、下
部シールド磁性体２の記録媒体対向面ａからの奥行き方
向の長さ、すなわちリセス幅が、以下で示す値ｄで決定
されて構成されている点で異なる。
【００４１】すなわち、上記第１実施例と同様に、ビッ
トシフトの影響を考慮して、クロストークを従来よりも
５ｄＢ以上低減させることが必要なので、リセス幅ｄ
は、スペーシングロスの式より、λm を最大記録波長と
すると、
トシフトの影響を考慮して、クロストークを従来よりも
５ｄＢ以上低減させることが必要なので、リセス幅ｄ
は、スペーシングロスの式より、λm を最大記録波長と
すると、
【００４２】 Ｌｓ＝５４ｄ／λm ≧５（ｄＢ） ・・・（１） 従ってリセス幅ｄは、 ｄ≧０．０９×λm ・・・（２）
【００４３】となり、リセス幅ｄは、最大記録波長の９
％以上とすればよい。
％以上とすればよい。
【００４４】このように、上記第２実施例に係るＭＲ薄
膜ヘッドにおいては、上部及び下部シールド磁性体３及
び２の記録媒体対向面ａに露出した部分において、上部
シールド磁性体３のシールド幅Ｄ２を通常のものとし、
下部シールド磁性体２のシールド幅Ｄ１を実効トラック
幅以上、トラックピッチ以下で形成し、このシールド幅
Ｄ１で規定される奥行き方向の長さ（リセス幅ｄ）が最
大記録波長の９％以上としたので、上記第１実施例と同
様に、再生目的とするトラック以外のトラックからのク
ロストーク成分が大幅に低減されることになる。従っ
て、再生信号のＳ／Ｎの向上及びサーボ信号等の信頼性
を向上させることができ、エラーレートの少ない再生信
号及び誤差の少ないサーボ信号を得ることができる。
膜ヘッドにおいては、上部及び下部シールド磁性体３及
び２の記録媒体対向面ａに露出した部分において、上部
シールド磁性体３のシールド幅Ｄ２を通常のものとし、
下部シールド磁性体２のシールド幅Ｄ１を実効トラック
幅以上、トラックピッチ以下で形成し、このシールド幅
Ｄ１で規定される奥行き方向の長さ（リセス幅ｄ）が最
大記録波長の９％以上としたので、上記第１実施例と同
様に、再生目的とするトラック以外のトラックからのク
ロストーク成分が大幅に低減されることになる。従っ
て、再生信号のＳ／Ｎの向上及びサーボ信号等の信頼性
を向上させることができ、エラーレートの少ない再生信
号及び誤差の少ないサーボ信号を得ることができる。
【００４５】しかも、クロストーク成分が従来と比較し
て５ｄＢ以上程度低減され、ビットシフトの影響も削減
することができる。
て５ｄＢ以上程度低減され、ビットシフトの影響も削減
することができる。
【００４６】また上記第２実施例でも、材料としてセン
ダストを用いて下部シールド磁性体２のシールド幅Ｄ１
のみを、奥行き方向にリセス幅ｄに亘って狭く形成する
ので、ＭＲ素子１を形成する前に下部シールド磁性体２
にアニール処理を施すこととなり、ＭＲ素子１に全く影
響を及ぼすことなく、有効にアニール処理を行うことが
でき、特性劣化のないＭＲ薄膜ヘッドを作製することが
できる。
ダストを用いて下部シールド磁性体２のシールド幅Ｄ１
のみを、奥行き方向にリセス幅ｄに亘って狭く形成する
ので、ＭＲ素子１を形成する前に下部シールド磁性体２
にアニール処理を施すこととなり、ＭＲ素子１に全く影
響を及ぼすことなく、有効にアニール処理を行うことが
でき、特性劣化のないＭＲ薄膜ヘッドを作製することが
できる。
【００４７】なお、本発明に係るＭＲ薄膜ヘッドは、上
記第１及び第２実施例に限定されるものではなく、例え
ば、材料としてセンダスト以外のものを用いて、上部シ
ールド磁性体３のシールド幅を狭くするか、あるいは上
下シールド磁性体３及び２のシールド幅を共に狭くして
もよい。
記第１及び第２実施例に限定されるものではなく、例え
ば、材料としてセンダスト以外のものを用いて、上部シ
ールド磁性体３のシールド幅を狭くするか、あるいは上
下シールド磁性体３及び２のシールド幅を共に狭くして
もよい。
【００４８】
【発明の効果】本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッドによれば、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子
を記録媒体対向面に露出させ、この磁気抵抗効果素子を
膜厚方向に挟む非磁性層を介して各々軟磁性体層からな
る上部及び下部シールド磁性体で磁気的にシールドされ
た構成の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記
記録媒体対向面に露出した部分の上部シールド磁性体あ
るいは下部シールド磁性体の一方もしくは両方における
少なくとも上記記録媒体対向面に露出した部分の幅を実
効トラック幅以上、トラックピッチの４倍以下にしたの
で、本来の信号成分に重畳されて出力されるクロストー
ク成分を低減することができ、再生信号のＳ／Ｎの向上
及びサーボ信号等の信頼性を向上させることができる。
ッドによれば、磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子
を記録媒体対向面に露出させ、この磁気抵抗効果素子を
膜厚方向に挟む非磁性層を介して各々軟磁性体層からな
る上部及び下部シールド磁性体で磁気的にシールドされ
た構成の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、上記
記録媒体対向面に露出した部分の上部シールド磁性体あ
るいは下部シールド磁性体の一方もしくは両方における
少なくとも上記記録媒体対向面に露出した部分の幅を実
効トラック幅以上、トラックピッチの４倍以下にしたの
で、本来の信号成分に重畳されて出力されるクロストー
ク成分を低減することができ、再生信号のＳ／Ｎの向上
及びサーボ信号等の信頼性を向上させることができる。
【００４９】また、本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッドによれば、上記上部シールド磁性体あるいは上
記下部シールド磁性体の一方もしくは両方において、上
記記録媒体対向面に露出した部分の幅を実効トラック幅
以上、トラックピッチ以下とし、かつこの幅で規定され
る奥行き方向の長さを、最大記録波長の９％以上となる
ように構成しても、本来の信号成分に重畳されて出力さ
れるクロストーク成分を低減することができ、再生信号
のＳ／Ｎの向上及びサーボ信号等の信頼性を向上させる
ことができる。
気ヘッドによれば、上記上部シールド磁性体あるいは上
記下部シールド磁性体の一方もしくは両方において、上
記記録媒体対向面に露出した部分の幅を実効トラック幅
以上、トラックピッチ以下とし、かつこの幅で規定され
る奥行き方向の長さを、最大記録波長の９％以上となる
ように構成しても、本来の信号成分に重畳されて出力さ
れるクロストーク成分を低減することができ、再生信号
のＳ／Ｎの向上及びサーボ信号等の信頼性を向上させる
ことができる。
【図１】本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの
第１実施例（以下、第１実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドと
記す）の要部を模式的に示す斜視図である。
第１実施例（以下、第１実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドと
記す）の要部を模式的に示す斜視図である。
【図２】第１実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドの要部を上部
シールド磁性体を取り除いて模式的に示す平面図であ
る。
シールド磁性体を取り除いて模式的に示す平面図であ
る。
【図３】ビットシフトとクロストークとの関係を示す特
性図である。
性図である。
【図４】本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの
第２実施例（以下、第２実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドと
記す）の要部を模式的に示す斜視図である。
第２実施例（以下、第２実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドと
記す）の要部を模式的に示す斜視図である。
【図５】第２実施例に係るＭＲ薄膜ヘッドの要部を模式
的に示す平面図である。
的に示す平面図である。
【図６】従来例に係るＭＲ薄膜ヘッドの要部を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】従来例に係るＭＲ薄膜ヘッドの要部を模式的に
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】従来例に係るＭＲ薄膜ヘッドの要部を模式的に
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図９】従来例に係るＭＲ薄膜ヘッドのオフトラック特
性を示す特性図である。
性を示す特性図である。
【図１０】従来例に係るＭＲ薄膜ヘッドにおいて、記録
媒体から情報を読み取る際に、該ＭＲ薄膜ヘッドのシー
ルド幅内に入るトラックを模式的に示す平面図である。
媒体から情報を読み取る際に、該ＭＲ薄膜ヘッドのシー
ルド幅内に入るトラックを模式的に示す平面図である。
【図１１】シールド幅内に入るトラック数とクロストー
クとの関係を示す特性図である。
クとの関係を示す特性図である。
１・・・ＭＲ素子 ２・・・下部シールド磁性体 ３・・・上部シールド磁性体 １１・・・基板 １２，１３，１４・・・絶縁層 ２１ａ及び２１ｂ・・・前端及び後端電極 ２２・・・バイアス導体
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年５月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子
を記録媒体対向面に露出させ、該磁気抵抗効果素子を膜
厚方向に挟む非磁性層を介して各々軟磁性体層からなる
上部及び下部シールド磁性体で磁気的にシールドされた
構成の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記上部シールド磁性体あるいは上記下部シールド磁性
体の一方もしくは両方における少なくとも上記記録媒体
対向面に露出した部分の幅が実効トラック幅以上、トラ
ックピッチの４倍以下であることを特徴とする磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 上記上部シールド磁性体あるいは上記下
部シールド磁性体の一方もしくは両方において、上記幅
で規定される奥行き方向の長さが、上記磁気抵抗効果素
子の形成長よりも長いことを特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 上記上部シールド磁性体あるいは上記下
部シールド磁性体の一方もしくは両方において、上記幅
を実効トラック幅以上、トラックピッチ以下とし、かつ
この幅で規定される奥行き方向の長さが、最大記録波長
の９％以上であることを特徴とする請求項１記載の磁気
抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5178689A JPH0737228A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| KR1019940016570A KR960015397A (ko) | 1993-07-20 | 1994-07-11 | 자기저항효과형 박막자기헤드 |
| EP94111195A EP0635822A3 (en) | 1993-07-20 | 1994-07-18 | Magnetoresistive thin film magnetic head. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5178689A JPH0737228A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737228A true JPH0737228A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16052832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5178689A Withdrawn JPH0737228A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0635822A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0737228A (ja) |
| KR (1) | KR960015397A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7686687B2 (en) | 1998-09-22 | 2010-03-30 | Igt | Methods and apparatus for providing tickets from gaming devices and/or lottery terminals which are not dependent on a player's success on the underlying game |
| US8419526B1 (en) | 1998-09-22 | 2013-04-16 | Igt | Methods and apparatus for providing tickets from gaming devices and/or lottery terminals |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3975772A (en) * | 1975-06-02 | 1976-08-17 | International Business Machines Corporation | Double shielded magnetorestive sensing element |
| US4663684A (en) * | 1984-01-27 | 1987-05-05 | Hitachi, Ltd. | Magnetic transducer using magnetoresistance effect |
| JP3037335B2 (ja) * | 1986-09-29 | 2000-04-24 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 磁界感応トランスデューサー用シールド |
| JPH01320615A (ja) * | 1988-06-23 | 1989-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JP2728487B2 (ja) * | 1989-02-08 | 1998-03-18 | 株式会社日立製作所 | 録再分離複合型磁気ヘッド |
| JPH0512628A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Sony Corp | 複合型薄膜ヘツド |
-
1993
- 1993-07-20 JP JP5178689A patent/JPH0737228A/ja not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-07-11 KR KR1019940016570A patent/KR960015397A/ko not_active Application Discontinuation
- 1994-07-18 EP EP94111195A patent/EP0635822A3/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7686687B2 (en) | 1998-09-22 | 2010-03-30 | Igt | Methods and apparatus for providing tickets from gaming devices and/or lottery terminals which are not dependent on a player's success on the underlying game |
| US8070590B2 (en) | 1998-09-22 | 2011-12-06 | Igt | Methods and apparatus for providing tickets from gaming devices and/or lottery terminals which are not dependent on a player's success on the underlying game |
| US8328632B2 (en) | 1998-09-22 | 2012-12-11 | Igt | Methods and apparatus for providing tickets from gaming devices and/or lottery terminals which are not dependent on a player's success on the underlying game |
| US8419526B1 (en) | 1998-09-22 | 2013-04-16 | Igt | Methods and apparatus for providing tickets from gaming devices and/or lottery terminals |
| US8678916B2 (en) | 1998-09-22 | 2014-03-25 | Igt | Methods and apparatus for providing tickets from gaming devices and/or lottery terminals |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0635822A2 (en) | 1995-01-25 |
| KR960015397A (ko) | 1996-05-22 |
| EP0635822A3 (en) | 1996-08-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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