JPH11238210A - 磁気抵抗効果型ヘッド及び同ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及び同ヘッドの製造方法Info
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- JPH11238210A JPH11238210A JP4212298A JP4212298A JPH11238210A JP H11238210 A JPH11238210 A JP H11238210A JP 4212298 A JP4212298 A JP 4212298A JP 4212298 A JP4212298 A JP 4212298A JP H11238210 A JPH11238210 A JP H11238210A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】安定したバイアス磁界の加わったＭＲ素子に生
じる不感帯の影響を除去して、ＭＲ素子の感度低下を防
止する。 【解決手段】ＭＲ素子２２には、その一軸異方性を維持
するためにリード部１９ａ，１９ｂのバイアス磁石膜１
５ａ，１５ｂからバイアス磁界が加えられる。バイアス
磁界はＭＲ素子２２の両端に磁界の変化に対し抵抗が変
化しない不感帯Ｗａ，Ｗｂを発生させ、ＭＲ素子２２の
感度を低下させる。そこで、金（Ａｕ）等からなる高電
導金属膜（電気良導体）３１ａ，３１ｂにより、不感帯
Ｗａ，ＷｂとＭＲ素子２２に検出電流を流すための電気
導電膜１６ａ，１６ｂを被い、検出電流を不感帯中に流
さない構造として素子の感度低下を防止する。
じる不感帯の影響を除去して、ＭＲ素子の感度低下を防
止する。 【解決手段】ＭＲ素子２２には、その一軸異方性を維持
するためにリード部１９ａ，１９ｂのバイアス磁石膜１
５ａ，１５ｂからバイアス磁界が加えられる。バイアス
磁界はＭＲ素子２２の両端に磁界の変化に対し抵抗が変
化しない不感帯Ｗａ，Ｗｂを発生させ、ＭＲ素子２２の
感度を低下させる。そこで、金（Ａｕ）等からなる高電
導金属膜（電気良導体）３１ａ，３１ｂにより、不感帯
Ｗａ，ＷｂとＭＲ素子２２に検出電流を流すための電気
導電膜１６ａ，１６ｂを被い、検出電流を不感帯中に流
さない構造として素子の感度低下を防止する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク記憶
装置（ハードディスク）等に用いられる磁気抵抗効果型
ヘッドに関わり、特に薄膜の磁気抵抗効果素子にバイア
ス磁石膜によってバイアス磁界を与える磁気抵抗効果型
ヘッド及び同ヘッドの製造方法に関する。
装置（ハードディスク）等に用いられる磁気抵抗効果型
ヘッドに関わり、特に薄膜の磁気抵抗効果素子にバイア
ス磁石膜によってバイアス磁界を与える磁気抵抗効果型
ヘッド及び同ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
は、磁気抵抗効果素子に一軸異方性を保たせておく必要
がある。一軸異方性は、図９に示したように磁気抵抗効
果素子９０の両側にバイアス磁石膜（ハードバイアス
膜）９１ａ，９１ｂを配置し、素子９０にバイアス磁界
を与えることで保たれている。
は、磁気抵抗効果素子に一軸異方性を保たせておく必要
がある。一軸異方性は、図９に示したように磁気抵抗効
果素子９０の両側にバイアス磁石膜（ハードバイアス
膜）９１ａ，９１ｂを配置し、素子９０にバイアス磁界
を与えることで保たれている。
【０００３】バイアス磁界を与える構造の一つとしてア
バッティングジャンクション型磁気ヘッドが知られてい
る。その製造方法を図１０を参照しながら説明すると、
先ず図１０（１）に示すように基板１０１上にＣｏＺｒ
Ｍ（Ｎｂ，Ｍｏ等）の軟磁性膜であるＳＡＬ１０２、Ｔ
ｉ等からなるスペーサ１０３、及びＮｉＦｅ等からなる
ＭＲ膜１０４を順次積層してＭＲ素子層１０５を形成す
る。次に、同図（２）に示すようにリフトオフレジスト
１０６を形成する。次いで、同図（３）に示すようにイ
オンミリングによりＭＲ素子１０７を形成する。このと
きＭＲ素子１０７の端面は傾斜し、ＭＲ素子１０７は台
形状となる。続いて同図（４）に示すようにＣｏＣｒＰ
ｔ等のバイアス磁石膜１０８とＷ，Ｔａ，Ｎｂ等の電気
導電膜１０９をスパッタにより積層する。最後にリフト
オフレジストを除去する。
バッティングジャンクション型磁気ヘッドが知られてい
る。その製造方法を図１０を参照しながら説明すると、
先ず図１０（１）に示すように基板１０１上にＣｏＺｒ
Ｍ（Ｎｂ，Ｍｏ等）の軟磁性膜であるＳＡＬ１０２、Ｔ
ｉ等からなるスペーサ１０３、及びＮｉＦｅ等からなる
ＭＲ膜１０４を順次積層してＭＲ素子層１０５を形成す
る。次に、同図（２）に示すようにリフトオフレジスト
１０６を形成する。次いで、同図（３）に示すようにイ
オンミリングによりＭＲ素子１０７を形成する。このと
きＭＲ素子１０７の端面は傾斜し、ＭＲ素子１０７は台
形状となる。続いて同図（４）に示すようにＣｏＣｒＰ
ｔ等のバイアス磁石膜１０８とＷ，Ｔａ，Ｎｂ等の電気
導電膜１０９をスパッタにより積層する。最後にリフト
オフレジストを除去する。
【０００４】この製造方法は比較的単純であるが、バイ
アス磁石膜１０８は基板１０１、ＭＲ素子１０７、リフ
トオフレジスト１０６が作る段差部にもスパッタされ
る。段差部へのスパッタは段差部におけるバイアス磁石
膜の結晶の配向を乱すので、バイアス磁石膜の保持力Ｈ
ｃが低下したり、いわゆる角型比が低下する等によりバ
イアス磁石膜の磁気特性が劣化する。加えて、バイアス
磁石膜１０８の膜厚はＭＲ素子１０７との接触部におい
て次第に低下するので、バイアス磁石膜１０８のバイア
ス効果が低下する。これらの要因により、アバッティン
グジャンクション型の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
は、十分なバイアス磁界がＭＲ素子１０７に与えられ
ず、素子の一軸異方性が安定しない。
アス磁石膜１０８は基板１０１、ＭＲ素子１０７、リフ
トオフレジスト１０６が作る段差部にもスパッタされ
る。段差部へのスパッタは段差部におけるバイアス磁石
膜の結晶の配向を乱すので、バイアス磁石膜の保持力Ｈ
ｃが低下したり、いわゆる角型比が低下する等によりバ
イアス磁石膜の磁気特性が劣化する。加えて、バイアス
磁石膜１０８の膜厚はＭＲ素子１０７との接触部におい
て次第に低下するので、バイアス磁石膜１０８のバイア
ス効果が低下する。これらの要因により、アバッティン
グジャンクション型の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
は、十分なバイアス磁界がＭＲ素子１０７に与えられ
ず、素子の一軸異方性が安定しない。
【０００５】そこで、本出願人は図６〜図８に示した工
程（１）〜（９）を順番に実行するバイアス効果の優れ
た磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を開発した。即ち、 （１）図６（１）に示すように、基板１１上に絶縁膜１
２を成膜し、この絶縁膜１２の上に下シールド（軟磁性
膜）１３を堆積した後、再生下ギャップ１４をなす絶縁
膜をスパッタ等で堆積させて素子の基板を形成する。こ
の素子の基板上に、バイアス磁石膜１５と電気導電膜１
６をスパッタ等により積層する。
程（１）〜（９）を順番に実行するバイアス効果の優れ
た磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法を開発した。即ち、 （１）図６（１）に示すように、基板１１上に絶縁膜１
２を成膜し、この絶縁膜１２の上に下シールド（軟磁性
膜）１３を堆積した後、再生下ギャップ１４をなす絶縁
膜をスパッタ等で堆積させて素子の基板を形成する。こ
の素子の基板上に、バイアス磁石膜１５と電気導電膜１
６をスパッタ等により積層する。
【０００６】（２）図６（２）に示すように、電気導電
膜１６の上面に一対のレジスト１７ａ，１７ｂを形成す
る。尚、一対のレジスト１７ａ，１７ｂ間の空間を溝部
１８と称する。 （３）図６（３）に示すように、一対のレジスト１７
ａ，１７ｂの対向面（溝部１８との境界面、即ちレジス
ト膜が除去された部分（溝部）に面する一対のレジスト
膜の端面）上部の角部を溶融（レジストフロー）により
なだらかな形状にする。これにより、レジスト１７ａ，
１７ｂの対向面は電気導電膜１６の上面に対して傾斜す
る。従って、レジスト１７ａ，１７ｂの端部の膜厚は溝
部１８の中央に向うにつれて次第に薄くなるように形成
される。
膜１６の上面に一対のレジスト１７ａ，１７ｂを形成す
る。尚、一対のレジスト１７ａ，１７ｂ間の空間を溝部
１８と称する。 （３）図６（３）に示すように、一対のレジスト１７
ａ，１７ｂの対向面（溝部１８との境界面、即ちレジス
ト膜が除去された部分（溝部）に面する一対のレジスト
膜の端面）上部の角部を溶融（レジストフロー）により
なだらかな形状にする。これにより、レジスト１７ａ，
１７ｂの対向面は電気導電膜１６の上面に対して傾斜す
る。従って、レジスト１７ａ，１７ｂの端部の膜厚は溝
部１８の中央に向うにつれて次第に薄くなるように形成
される。
【０００７】（４）図７（４）に示すように、全面（上
面）にイオンミリングを行う。 （５）図７（５）に示すように、イオンミリングにより
一対のリード部１９ａ，１９ｂが形成される。尚、イオ
ンミリング工程では、レジスト１７ａ，１７ｂ、電気導
電膜１６及びバイアス磁石膜１５を一括してエッチング
するため、溝部１８が逆台形形状となる。 （６）図７（６）に示すように、ＣｏＺｒＮｂからなる
ＳＡＬ、Ｔｉ等からなるスペーサ、及びＮｉＦｅからな
るＭＲ膜を全面に対して積層してＭＲ素子層２０を形成
する。
面）にイオンミリングを行う。 （５）図７（５）に示すように、イオンミリングにより
一対のリード部１９ａ，１９ｂが形成される。尚、イオ
ンミリング工程では、レジスト１７ａ，１７ｂ、電気導
電膜１６及びバイアス磁石膜１５を一括してエッチング
するため、溝部１８が逆台形形状となる。 （６）図７（６）に示すように、ＣｏＺｒＮｂからなる
ＳＡＬ、Ｔｉ等からなるスペーサ、及びＮｉＦｅからな
るＭＲ膜を全面に対して積層してＭＲ素子層２０を形成
する。
【０００８】（７）図８（７）に示すように、ＭＲ素子
層２０上にレジスト２１を塗布する。このとき、レジス
ト２１の形状を、形成すべきＭＲ素子のパターンに合致
させておく。即ち、形成すべきＭＲ素子の直上位置にの
みレジスト２１を塗布する。この結果、レジスト２１は
溝部１８内であって略正方形状をなし、対向する一組の
辺の端部が溝部１８の傾斜面途中に位置するように塗布
される。 （８）図８（８）に示すように、イオンミリングにより
ＭＲ素子層２０の不要部分を除去して、ＭＲ素子２２を
矩形の平面形状にカットする。これにより、ＭＲ素子２
２の左右両端部はリード部１９ａ，１９ｂの傾斜面（溝
部１８の傾斜面）の途中でカットされる。 （９）図８（９）に示すように、アルミナ等からなる絶
縁膜を堆積させて再生上ギャップ２３を形成する。この
後は、下地メッキ層、上シールド兼下コア（いずれもパ
ーマロイ等の軟磁性膜）等を成膜する。
層２０上にレジスト２１を塗布する。このとき、レジス
ト２１の形状を、形成すべきＭＲ素子のパターンに合致
させておく。即ち、形成すべきＭＲ素子の直上位置にの
みレジスト２１を塗布する。この結果、レジスト２１は
溝部１８内であって略正方形状をなし、対向する一組の
辺の端部が溝部１８の傾斜面途中に位置するように塗布
される。 （８）図８（８）に示すように、イオンミリングにより
ＭＲ素子層２０の不要部分を除去して、ＭＲ素子２２を
矩形の平面形状にカットする。これにより、ＭＲ素子２
２の左右両端部はリード部１９ａ，１９ｂの傾斜面（溝
部１８の傾斜面）の途中でカットされる。 （９）図８（９）に示すように、アルミナ等からなる絶
縁膜を堆積させて再生上ギャップ２３を形成する。この
後は、下地メッキ層、上シールド兼下コア（いずれもパ
ーマロイ等の軟磁性膜）等を成膜する。
【０００９】この製造方法によれば、バイアス磁石膜１
５は平面上（再生下ギャップ１４上）に成膜されるの
で、その磁気特性は安定する。また、バイアス磁石膜１
５の磁気特性は、その後のミリング工程等を経ても変化
しない。従って、リード部１９ａ，１９ｂの傾斜面に位
置するバイアス磁石膜１５の磁気特性が安定し、強い磁
界をＭＲ素子２２に加えることが可能となる。これによ
り、ＭＲ素子２２の一軸異方性が安定して保たれる。
５は平面上（再生下ギャップ１４上）に成膜されるの
で、その磁気特性は安定する。また、バイアス磁石膜１
５の磁気特性は、その後のミリング工程等を経ても変化
しない。従って、リード部１９ａ，１９ｂの傾斜面に位
置するバイアス磁石膜１５の磁気特性が安定し、強い磁
界をＭＲ素子２２に加えることが可能となる。これによ
り、ＭＲ素子２２の一軸異方性が安定して保たれる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１１
に示したようにバイアス磁石膜（長手バイアス磁石層）
１５ａ，１５ｂによって強い磁界がＭＲ素子２２に加わ
ると、ＭＲ素子２２のバイアス磁石膜１５ａ，１５ｂの
近傍（ＭＲ素子２２の図示左右方向両端部）に、外部磁
界が変化しても磁気抵抗の変化しない不感帯Ｗａ，Ｗｂ
が発生する。不感帯幅は１０分の数マイクロメートル
（０．数μｍ）である。このため、図１１（Ａ）に示す
ように、光学的（見かけ上の）トラック幅Ｗ0が数μｍ
の場合には不感帯幅は相対的に小さく、不感帯はさほど
問題とはならない（実効トラック幅ＷE／光学的トラッ
ク幅Ｗ0≒１）。
に示したようにバイアス磁石膜（長手バイアス磁石層）
１５ａ，１５ｂによって強い磁界がＭＲ素子２２に加わ
ると、ＭＲ素子２２のバイアス磁石膜１５ａ，１５ｂの
近傍（ＭＲ素子２２の図示左右方向両端部）に、外部磁
界が変化しても磁気抵抗の変化しない不感帯Ｗａ，Ｗｂ
が発生する。不感帯幅は１０分の数マイクロメートル
（０．数μｍ）である。このため、図１１（Ａ）に示す
ように、光学的（見かけ上の）トラック幅Ｗ0が数μｍ
の場合には不感帯幅は相対的に小さく、不感帯はさほど
問題とはならない（実効トラック幅ＷE／光学的トラッ
ク幅Ｗ0≒１）。
【００１１】ところが、同図（Ｂ）に示すように光学的
トラック幅Ｗ0が１〜２μｍと狭くなると、不感帯幅は
光学的トラック幅の２０〜６０％にも達する（０．８＞
実効トラック幅ＷE／光学的トラック幅Ｗ0＞０．４）。
抵抗値の観点から見ると不感帯Ｗａ，ＷｂはＭＲ素子に
直列接続された抵抗であるので、ＭＲ素子の出力感度を
低下させる。即ち、ＭＲ素子の磁気抵抗効果による磁気
抵抗変化分を△Ｒ、素子の固定抵抗分をＲ０、不感帯の
抵抗分をＲｆとすれば、出力変化は最大で△Ｒ／（Ｒ０
＋△Ｒ＋Ｒｆ）と表すことができるから、Ｒｆが大きい
程（不感帯幅が大きい程）ＭＲ素子の出力感度が低下す
ることになる。
トラック幅Ｗ0が１〜２μｍと狭くなると、不感帯幅は
光学的トラック幅の２０〜６０％にも達する（０．８＞
実効トラック幅ＷE／光学的トラック幅Ｗ0＞０．４）。
抵抗値の観点から見ると不感帯Ｗａ，ＷｂはＭＲ素子に
直列接続された抵抗であるので、ＭＲ素子の出力感度を
低下させる。即ち、ＭＲ素子の磁気抵抗効果による磁気
抵抗変化分を△Ｒ、素子の固定抵抗分をＲ０、不感帯の
抵抗分をＲｆとすれば、出力変化は最大で△Ｒ／（Ｒ０
＋△Ｒ＋Ｒｆ）と表すことができるから、Ｒｆが大きい
程（不感帯幅が大きい程）ＭＲ素子の出力感度が低下す
ることになる。
【００１２】本発明は、上記した問題点に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、磁気抵抗効果素子の一軸
異方性を安定して保つために強磁界を加えた場合であっ
ても、磁気抵抗効果素子の出力感度が良好である磁気抵
抗効果型ヘッド及びその製造方法を提供することにあ
る。
たものであって、その目的は、磁気抵抗効果素子の一軸
異方性を安定して保つために強磁界を加えた場合であっ
ても、磁気抵抗効果素子の出力感度が良好である磁気抵
抗効果型ヘッド及びその製造方法を提供することにあ
る。
【００１３】
【発明の概要】本発明は、バイアス磁界により生ずる磁
気抵抗効果素子の不感帯が磁気抵抗効果素子のバイアス
磁石膜近傍の端部に生じることに着目し、素子の不感帯
と素子に検出電流を流入／流出するリード部の電気導電
膜とを電気良導体で被うことにより、不感帯には実質的
に検出電流を流さないようにすることで上記目的を達成
する。
気抵抗効果素子の不感帯が磁気抵抗効果素子のバイアス
磁石膜近傍の端部に生じることに着目し、素子の不感帯
と素子に検出電流を流入／流出するリード部の電気導電
膜とを電気良導体で被うことにより、不感帯には実質的
に検出電流を流さないようにすることで上記目的を達成
する。
【００１４】即ち、本発明の第１の特徴は、薄膜の磁気
抵抗効果素子と、素子にバイアス磁界を加えるバイアス
磁石膜及び素子に検出電流を流すための電気導電膜が積
層してなる一対のリード部とを備え、一対のリード部間
に素子を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、素子
のリード部側の端部から所定距離内に位置する素子の薄
膜面とリード部の電気導電膜とを電気良導体で被い、検
出電流が電気良導体を介して素子に流れるように構成し
たことにある。
抵抗効果素子と、素子にバイアス磁界を加えるバイアス
磁石膜及び素子に検出電流を流すための電気導電膜が積
層してなる一対のリード部とを備え、一対のリード部間
に素子を配置した磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、素子
のリード部側の端部から所定距離内に位置する素子の薄
膜面とリード部の電気導電膜とを電気良導体で被い、検
出電流が電気良導体を介して素子に流れるように構成し
たことにある。
【００１５】この第１の特徴によれば、素子のリード部
側の端部から所定距離内に位置する素子の薄膜面とリー
ド部の電気導電膜とを電気良導体で被う。従って、素子
の抵抗変化を検出するための検出電流は、少なくとも電
気良導体で被われた部分については素子内を流れない。
一方、不感帯は素子のリード部側の端部から素子の中央
に向って所定の幅をもって生じる。従って、不感帯が電
気良導体によって実質的に除去されたことになる。以上
により、素子の検出感度の低下が抑制される。
側の端部から所定距離内に位置する素子の薄膜面とリー
ド部の電気導電膜とを電気良導体で被う。従って、素子
の抵抗変化を検出するための検出電流は、少なくとも電
気良導体で被われた部分については素子内を流れない。
一方、不感帯は素子のリード部側の端部から素子の中央
に向って所定の幅をもって生じる。従って、不感帯が電
気良導体によって実質的に除去されたことになる。以上
により、素子の検出感度の低下が抑制される。
【００１６】本発明の第２の特徴は、基板上にバイアス
磁石膜と電気導電膜を積層してリード層を形成した後に
リード層を分割して一対のリード部を形成し、一対のリ
ード部間に薄膜の磁気抵抗効果素子を形成してリード部
間を素子により繋いでなる磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、素子の前記リード部側の端部から所定距離内に位置
する素子の薄膜面とリード部の電気導電膜とを電気良導
体で被うことにより、素子の抵抗変化を検出するための
検出電流が電気良導体を介して素子に流れるように構成
したことにある。
磁石膜と電気導電膜を積層してリード層を形成した後に
リード層を分割して一対のリード部を形成し、一対のリ
ード部間に薄膜の磁気抵抗効果素子を形成してリード部
間を素子により繋いでなる磁気抵抗効果型ヘッドにおい
て、素子の前記リード部側の端部から所定距離内に位置
する素子の薄膜面とリード部の電気導電膜とを電気良導
体で被うことにより、素子の抵抗変化を検出するための
検出電流が電気良導体を介して素子に流れるように構成
したことにある。
【００１７】第２の特徴を有する磁気ヘッドにおいて
は、バイアス磁石膜が基板平面上に形成されるので、ア
バッティングジャンクション型のようにバイアス磁石膜
の磁気特性劣化がない。従って、素子に安定したバイア
ス磁界が加えられ、素子の一軸異方性が安定して保たれ
る。このことは素子に不感帯を発生させることとなる
が、第１の特徴と同様に素子のリード部側の端部から所
定距離内に位置する素子の薄膜面とリード部の電気導電
膜とを電気良導体で被うので、電気良導体で被われた不
感帯を検出電流が流れることがなく、素子の検出感度の
低下が抑制される。
は、バイアス磁石膜が基板平面上に形成されるので、ア
バッティングジャンクション型のようにバイアス磁石膜
の磁気特性劣化がない。従って、素子に安定したバイア
ス磁界が加えられ、素子の一軸異方性が安定して保たれ
る。このことは素子に不感帯を発生させることとなる
が、第１の特徴と同様に素子のリード部側の端部から所
定距離内に位置する素子の薄膜面とリード部の電気導電
膜とを電気良導体で被うので、電気良導体で被われた不
感帯を検出電流が流れることがなく、素子の検出感度の
低下が抑制される。
【００１８】本発明の第３の特徴は、第１の特徴又は第
２の特徴を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、電気
良導体で被われる素子部（所定距離）が、不感帯の大き
さに応じて決定されていることを特徴としている。これ
により、素子の不感帯部分には検出電流が流れることが
なくなるので、素子の検出感度がより良好となる。
２の特徴を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、電気
良導体で被われる素子部（所定距離）が、不感帯の大き
さに応じて決定されていることを特徴としている。これ
により、素子の不感帯部分には検出電流が流れることが
なくなるので、素子の検出感度がより良好となる。
【００１９】本発明の第４の特徴は、上記目的を達成す
る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に係る。即ち、基板
平面上にバイアス磁石膜及び電気導電膜を連続して成膜
することにより多層膜を形成する工程と、多層膜をイオ
ンミリング加工により分割して一対のリード部を形成す
る工程と、薄膜の磁気抵抗効果素子を一対のリード部間
を繋ぐように形成する工程と、素子の前記リード部側の
端部から所定距離内に位置する素子の薄膜面とリード部
の電気導電膜とを電気良導体で被う工程とからなる磁気
抵抗効果型ヘッドの製造方法である。
る磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法に係る。即ち、基板
平面上にバイアス磁石膜及び電気導電膜を連続して成膜
することにより多層膜を形成する工程と、多層膜をイオ
ンミリング加工により分割して一対のリード部を形成す
る工程と、薄膜の磁気抵抗効果素子を一対のリード部間
を繋ぐように形成する工程と、素子の前記リード部側の
端部から所定距離内に位置する素子の薄膜面とリード部
の電気導電膜とを電気良導体で被う工程とからなる磁気
抵抗効果型ヘッドの製造方法である。
【００２０】この製造方法によれば、バイアス磁石膜が
基板平面上に形成されるので、バイアス磁石膜の磁気特
性が劣化しない。従って、素子に安定したバイアス磁界
が加えられ、素子の一軸異方性が安定して保たれた磁気
抵抗効果型ヘッドが得られる。一方、磁気特性の良好な
バイアス磁石膜が素子に不感帯を発生させることとなる
が、素子のリード部側の端部から所定距離内に位置する
素子の薄膜面とリード部の電気導電膜とを電気良導体で
被う工程を含むので、第１の特徴と同様の理由により検
出感度が良好な磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。
基板平面上に形成されるので、バイアス磁石膜の磁気特
性が劣化しない。従って、素子に安定したバイアス磁界
が加えられ、素子の一軸異方性が安定して保たれた磁気
抵抗効果型ヘッドが得られる。一方、磁気特性の良好な
バイアス磁石膜が素子に不感帯を発生させることとなる
が、素子のリード部側の端部から所定距離内に位置する
素子の薄膜面とリード部の電気導電膜とを電気良導体で
被う工程を含むので、第１の特徴と同様の理由により検
出感度が良好な磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。
【００２１】本発明の第５の特徴は、第４の特徴におけ
る一対のリード部を形成する工程が、多層膜上にレジス
ト膜を塗布する工程と、レジスト膜の所定部分を除去し
て一対のレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜が除
去された部分に面する一対のレジスト膜の端面が多層膜
の表面に対して傾斜するようにレジスト膜を溶融する工
程と、多層膜とレジスト膜とを一括してイオンミリング
加工する工程とからなる点にある。本発明の第４の特徴
をより具体的に実施するものである。
る一対のリード部を形成する工程が、多層膜上にレジス
ト膜を塗布する工程と、レジスト膜の所定部分を除去し
て一対のレジスト膜を形成する工程と、レジスト膜が除
去された部分に面する一対のレジスト膜の端面が多層膜
の表面に対して傾斜するようにレジスト膜を溶融する工
程と、多層膜とレジスト膜とを一括してイオンミリング
加工する工程とからなる点にある。本発明の第４の特徴
をより具体的に実施するものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１に分解斜視図として示された
本発明の実施形態に係るＭＲ素子２２は３つの層からな
っている。即ち、ＭＲ素子２２は、ＣｏＺｒＭ（Ｎｂ，
Ｍｏ等）の軟磁性膜（ＳＡＬ）２４上に、Ｔｉ等からな
る薄膜のスペーサ２５及びＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜２
６が重ね合わされて構成される。尚、図１において手前
側に磁気記録媒体が配置される。磁気抵抗効果型ヘッド
（再生ヘッド）は、磁気記録媒体の移動に伴う磁界の変
化をＭＲ素子２２の抵抗変化による電圧降下として検出
する。
本発明の実施形態に係るＭＲ素子２２は３つの層からな
っている。即ち、ＭＲ素子２２は、ＣｏＺｒＭ（Ｎｂ，
Ｍｏ等）の軟磁性膜（ＳＡＬ）２４上に、Ｔｉ等からな
る薄膜のスペーサ２５及びＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜２
６が重ね合わされて構成される。尚、図１において手前
側に磁気記録媒体が配置される。磁気抵抗効果型ヘッド
（再生ヘッド）は、磁気記録媒体の移動に伴う磁界の変
化をＭＲ素子２２の抵抗変化による電圧降下として検出
する。
【００２３】ＭＲ素子２２は、磁石膜である一対の長手
バイアス磁石層１５ａ，１５ｂ上に電気導電膜であるリ
ード層１６ａ，１６ｂをそれぞれ積層した一対のリード
部１９ａ，１９ｂを繋ぐように配置される。即ち、ＭＲ
素子２２は、ＭＲ素子２２の各層が重なり合った平面
（重合面）方向の両端において一対のリード部１９ａ，
１９ｂにより挟まれるよう構成される。リード部１９
ａ，１９ｂのＭＲ素子２２に接する端面は、ＭＲ素子２
２の各層の重合面（薄膜面）に対し傾斜した傾斜面１９
ａ１，１９ｂ１を形成している。ＭＲ素子２２の各層２
４〜２６は、その両端部近傍において傾斜面１９ａ１，
１９ｂ１に沿う形状（折曲げられた形状）となってい
て、傾斜面１９ａ１，１９ｂ１の途中で切断されてい
る。
バイアス磁石層１５ａ，１５ｂ上に電気導電膜であるリ
ード層１６ａ，１６ｂをそれぞれ積層した一対のリード
部１９ａ，１９ｂを繋ぐように配置される。即ち、ＭＲ
素子２２は、ＭＲ素子２２の各層が重なり合った平面
（重合面）方向の両端において一対のリード部１９ａ，
１９ｂにより挟まれるよう構成される。リード部１９
ａ，１９ｂのＭＲ素子２２に接する端面は、ＭＲ素子２
２の各層の重合面（薄膜面）に対し傾斜した傾斜面１９
ａ１，１９ｂ１を形成している。ＭＲ素子２２の各層２
４〜２６は、その両端部近傍において傾斜面１９ａ１，
１９ｂ１に沿う形状（折曲げられた形状）となってい
て、傾斜面１９ａ１，１９ｂ１の途中で切断されてい
る。
【００２４】ＭＲ素子２２を含む磁気抵抗効果型ヘッド
の正面図が図２に、図２におけるＩ―Ｉ断面（縦断面側
面）が図３に示されている。ＭＲ素子２２及びリード部
１９ａ，１９ｂは、アルチック等からなる基板１１、ア
ルミナ等からなる非磁性絶縁膜１２、パーマロイ等の軟
磁性膜である下シールド１３、及びアルミナ等の絶縁膜
である再生下ギャップ１４が順次積層されてなる素子の
基板上に形成される。
の正面図が図２に、図２におけるＩ―Ｉ断面（縦断面側
面）が図３に示されている。ＭＲ素子２２及びリード部
１９ａ，１９ｂは、アルチック等からなる基板１１、ア
ルミナ等からなる非磁性絶縁膜１２、パーマロイ等の軟
磁性膜である下シールド１３、及びアルミナ等の絶縁膜
である再生下ギャップ１４が順次積層されてなる素子の
基板上に形成される。
【００２５】図４（Ａ）に詳細に示されるように、リー
ド部１９ａ，１９ｂの近傍に位置するＭＲ素子２２の両
端部には、外部磁界の変化が加わっても抵抗値が変化し
ない部分、即ち不感帯Ｗａ，Ｗｂが生じる。不感帯Ｗ
ａ，Ｗｂはバイアス磁石膜１５ａ，１５ｂからのバイア
ス磁界により発生するものであり、ＭＲ素子２２の端か
ら所定距離Ｌ１，Ｌ２までの領域に発生する。そこで本
実施形態においては、図４（Ｂ）にも示すようにＭＲ素
子２２の両端部から所定距離Ｌ１，Ｌ２内のＭＲ素子膜
２６面（薄膜面）とＭＲ素子２２の各端部が接するリー
ド部１９ａ，１９ｂの電気導電膜１６ａ，１６ｂとを、
金（Ａｕ）等からなる電気良導体（高電導金属膜）３１
ａ，３１ｂで被う。これにより、電気導電膜１６ａ，１
６ｂと電気良導体３１ａ，３１ｂはそれぞれ電気的に接
続される。
ド部１９ａ，１９ｂの近傍に位置するＭＲ素子２２の両
端部には、外部磁界の変化が加わっても抵抗値が変化し
ない部分、即ち不感帯Ｗａ，Ｗｂが生じる。不感帯Ｗ
ａ，Ｗｂはバイアス磁石膜１５ａ，１５ｂからのバイア
ス磁界により発生するものであり、ＭＲ素子２２の端か
ら所定距離Ｌ１，Ｌ２までの領域に発生する。そこで本
実施形態においては、図４（Ｂ）にも示すようにＭＲ素
子２２の両端部から所定距離Ｌ１，Ｌ２内のＭＲ素子膜
２６面（薄膜面）とＭＲ素子２２の各端部が接するリー
ド部１９ａ，１９ｂの電気導電膜１６ａ，１６ｂとを、
金（Ａｕ）等からなる電気良導体（高電導金属膜）３１
ａ，３１ｂで被う。これにより、電気導電膜１６ａ，１
６ｂと電気良導体３１ａ，３１ｂはそれぞれ電気的に接
続される。
【００２６】再び、図２及び図３を参照すると、ＭＲ素
子２２の電気良導体３１ａ，３１ｂで被われない部分と
電気良導体３１ａ，３１ｂの上面には再生上ギャップ２
３をなすアルミナ層が成膜される。再生上ギャップ２３
の上には、上シールド兼下コア２７、高飽和磁束密度層
２８、絶縁層からなる書込みギャップ２９、上コア３０
が順に形成される。尚、下シールド１３から上シールド
兼下コア２７までが再生用ヘッド２０を形成し、上シー
ルド兼下コア２７から上コア３０までが記録用ヘッドを
形成する。また、図３に示されるように、これら各層の
端面は記録媒体と対向する記録媒体対向面３２の一部を
なしている。
子２２の電気良導体３１ａ，３１ｂで被われない部分と
電気良導体３１ａ，３１ｂの上面には再生上ギャップ２
３をなすアルミナ層が成膜される。再生上ギャップ２３
の上には、上シールド兼下コア２７、高飽和磁束密度層
２８、絶縁層からなる書込みギャップ２９、上コア３０
が順に形成される。尚、下シールド１３から上シールド
兼下コア２７までが再生用ヘッド２０を形成し、上シー
ルド兼下コア２７から上コア３０までが記録用ヘッドを
形成する。また、図３に示されるように、これら各層の
端面は記録媒体と対向する記録媒体対向面３２の一部を
なしている。
【００２７】次に、この磁気抵抗効果型ヘッド（再生用
ヘッド）の製造工程について説明する。製造工程は図６
から図８に示された（１）から（９）までの工程を順次
実行する工程と、（８）及び（９）の工程の間に実施さ
れる電気良導体３１ａ，３１ｂを形成するための図５に
示された（８―１）から（８―３）の工程を順次行う工
程からなる。先ず、（１）から（８）までの工程を説明
する。
ヘッド）の製造工程について説明する。製造工程は図６
から図８に示された（１）から（９）までの工程を順次
実行する工程と、（８）及び（９）の工程の間に実施さ
れる電気良導体３１ａ，３１ｂを形成するための図５に
示された（８―１）から（８―３）の工程を順次行う工
程からなる。先ず、（１）から（８）までの工程を説明
する。
【００２８】（１）図６（１）に示すように、後にスラ
イダとなる基板（アルチック（Ａｌ2Ｏ3―ＴｉＣ）等）
１１上に絶縁膜（アルミナＡｌ2Ｏ3等）１２を成膜し、
この絶縁膜１２の上に下シールド（パーマロイ等の軟磁
性膜）１３を堆積した後、再生下ギャップ１４をなす絶
縁膜（アルミナ等）をスパッタ等で堆積させて素子の平
面基板を形成する。この平面基板上に、ＣｏＣｒＰｔ等
のバイアス磁石膜１５とＷ，Ｔａ，Ｎｂ等の電気導電膜
１６をスパッタ、蒸着あるいは電気メッキにより積層す
る。
イダとなる基板（アルチック（Ａｌ2Ｏ3―ＴｉＣ）等）
１１上に絶縁膜（アルミナＡｌ2Ｏ3等）１２を成膜し、
この絶縁膜１２の上に下シールド（パーマロイ等の軟磁
性膜）１３を堆積した後、再生下ギャップ１４をなす絶
縁膜（アルミナ等）をスパッタ等で堆積させて素子の平
面基板を形成する。この平面基板上に、ＣｏＣｒＰｔ等
のバイアス磁石膜１５とＷ，Ｔａ，Ｎｂ等の電気導電膜
１６をスパッタ、蒸着あるいは電気メッキにより積層す
る。
【００２９】（２）図６（２）に示すように、電気導電
膜１６の上面にレジストを塗布する。レジストは、後に
ＭＲ素子が形成される部分の上方に位置する部分が除去
（レジストカット）され、一対のレジスト１７ａ，１７
ｂを形成する。尚、一対のレジスト１７ａ，１７ｂ間の
空間を溝部１８と称する。 （３）図６（３）に示すように、一対のレジスト１７
ａ，１７ｂの対向面（溝部１８との境界面）上部の角部
を溶融（レジストフロー）によりなだらかな形状とす
る。これにより、レジスト１７ａ，１７ｂの対向面は電
気導電膜１６の上面に対して傾斜する。即ち、レジスト
１７ａ，１７ｂの端部の膜厚は溝部１８の中央に向うに
つれて次第に薄くなるように形成される。
膜１６の上面にレジストを塗布する。レジストは、後に
ＭＲ素子が形成される部分の上方に位置する部分が除去
（レジストカット）され、一対のレジスト１７ａ，１７
ｂを形成する。尚、一対のレジスト１７ａ，１７ｂ間の
空間を溝部１８と称する。 （３）図６（３）に示すように、一対のレジスト１７
ａ，１７ｂの対向面（溝部１８との境界面）上部の角部
を溶融（レジストフロー）によりなだらかな形状とす
る。これにより、レジスト１７ａ，１７ｂの対向面は電
気導電膜１６の上面に対して傾斜する。即ち、レジスト
１７ａ，１７ｂの端部の膜厚は溝部１８の中央に向うに
つれて次第に薄くなるように形成される。
【００３０】（４）図７（４）に示すように、全面（上
面）にイオンミリングを行う。具体的には、プラズマ化
したアルゴンイオンを照射する。 （５）図７（５）に示すように、イオンミリングにより
一対のリード部１９ａ，１９ｂが形成される。尚、イオ
ンミリング工程では、レジスト１７ａ，１７ｂ、電気導
電膜１６及びバイアス磁石膜１５を一括してエッチング
するため、溝部１８が逆台形形状となる。 （６）図７（６）に示すように、ＣｏＺｒＭ（Ｎｂ，Ｍ
ｏ）等の軟磁性膜であるＳＡＬ、Ｔｉ等からなるスペー
サ、及びＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜を全面に対して積層
してＭＲ素子層２０を形成する。
面）にイオンミリングを行う。具体的には、プラズマ化
したアルゴンイオンを照射する。 （５）図７（５）に示すように、イオンミリングにより
一対のリード部１９ａ，１９ｂが形成される。尚、イオ
ンミリング工程では、レジスト１７ａ，１７ｂ、電気導
電膜１６及びバイアス磁石膜１５を一括してエッチング
するため、溝部１８が逆台形形状となる。 （６）図７（６）に示すように、ＣｏＺｒＭ（Ｎｂ，Ｍ
ｏ）等の軟磁性膜であるＳＡＬ、Ｔｉ等からなるスペー
サ、及びＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜を全面に対して積層
してＭＲ素子層２０を形成する。
【００３１】（７）図８（７）に示すように、ＭＲ素子
層２０上にレジスト２１を塗布する。このとき、レジス
ト２１の形状を、形成すべきＭＲ素子のパターンに合致
させておく。即ち、形成すべきＭＲ素子の直上位置にの
みレジスト２１を塗布する。この結果、レジスト２１は
溝部１８内であって略正方形状をなし、対向する一組の
辺の端部が溝部１８の傾斜面途中に位置するように塗布
される。 （８）図８（８）に示すように、イオンミリングにより
ＭＲ素子層２０の不要部分を除去して、ＭＲ素子２２
（ＭＲ ｅｌｅｍｅｎｔ）を矩形の平面形状にカットす
る。これにより、ＭＲ素子２２はその左右両端部がリー
ド部１９ａ，１９ｂの傾斜面の途中でカットされた状態
に形成される。この状態が図５の（８）に示されてい
て、この後は図５に示された（８―１）の工程に進む。
層２０上にレジスト２１を塗布する。このとき、レジス
ト２１の形状を、形成すべきＭＲ素子のパターンに合致
させておく。即ち、形成すべきＭＲ素子の直上位置にの
みレジスト２１を塗布する。この結果、レジスト２１は
溝部１８内であって略正方形状をなし、対向する一組の
辺の端部が溝部１８の傾斜面途中に位置するように塗布
される。 （８）図８（８）に示すように、イオンミリングにより
ＭＲ素子層２０の不要部分を除去して、ＭＲ素子２２
（ＭＲ ｅｌｅｍｅｎｔ）を矩形の平面形状にカットす
る。これにより、ＭＲ素子２２はその左右両端部がリー
ド部１９ａ，１９ｂの傾斜面の途中でカットされた状態
に形成される。この状態が図５の（８）に示されてい
て、この後は図５に示された（８―１）の工程に進む。
【００３２】（８―１）図５の（８―１）に示されるよ
うに、リフトオフレジスト４０を形成する。リフトオフ
レジスト４０は断面が凸形状のレジストである。また、
リフトオフレジスト４０は、その凸部４０ａの頂面がＭ
Ｒ素子２２上に位置し、同頂部の中心線が対向するリー
ド部１９ａ，１９ｂの端部の中心線と一致するように形
成する。リフトオフレジスト４０は、ＭＲ素子２２の両
端部から所定距離Ｌ１，Ｌ２内の薄膜面とリード部１９
ａ，１９ｂの電気導電膜１６ａ，１６ｂとを、次の工程
において薄膜の電気良導体３１ａ，３１ｂで被うために
適切な大きさとされる。 （８―２）図５の（８―２）に示されるように、全面に
対してＡｕ等の高電導金属をスパッタして電気良導体３
１ａ，３１ｂの薄膜を形成する。 （８―３）図５の（８―３）に示されるように、リフト
オフレジストを除去する。この状態は、先に説明した図
４（Ｂ）の状態である。この後、図８の工程（９）を実
施する。
うに、リフトオフレジスト４０を形成する。リフトオフ
レジスト４０は断面が凸形状のレジストである。また、
リフトオフレジスト４０は、その凸部４０ａの頂面がＭ
Ｒ素子２２上に位置し、同頂部の中心線が対向するリー
ド部１９ａ，１９ｂの端部の中心線と一致するように形
成する。リフトオフレジスト４０は、ＭＲ素子２２の両
端部から所定距離Ｌ１，Ｌ２内の薄膜面とリード部１９
ａ，１９ｂの電気導電膜１６ａ，１６ｂとを、次の工程
において薄膜の電気良導体３１ａ，３１ｂで被うために
適切な大きさとされる。 （８―２）図５の（８―２）に示されるように、全面に
対してＡｕ等の高電導金属をスパッタして電気良導体３
１ａ，３１ｂの薄膜を形成する。 （８―３）図５の（８―３）に示されるように、リフト
オフレジストを除去する。この状態は、先に説明した図
４（Ｂ）の状態である。この後、図８の工程（９）を実
施する。
【００３３】（９）図８（９）に示すように、アルミナ
等からなる絶縁膜を堆積させて再生上ギャップ２３を形
成する。この後は、下地メッキ層、上シールド兼下コア
（いずれもパーマロイ等の軟磁性膜）等を成膜し、更に
記録用ヘッドを製作する。
等からなる絶縁膜を堆積させて再生上ギャップ２３を形
成する。この後は、下地メッキ層、上シールド兼下コア
（いずれもパーマロイ等の軟磁性膜）等を成膜し、更に
記録用ヘッドを製作する。
【００３４】以上説明した本発明の磁気抵抗効果型ヘッ
ドの製造方法の一実施形態によれば、バイアス磁石膜１
５は平面上（再生下ギャップ１４上）に成膜されるの
で、その磁気特性は安定する。また、バイアス磁石膜１
５の磁気特性は、その後のミリング工程等を経ても変化
しない。従って、リード部１９ａ，１９ｂ（溝部１８）
の傾斜面に位置するバイアス磁石膜１５の磁気特性が安
定し、強い磁界をＭＲ素子２２に加えることが可能とな
る。これにより、ＭＲ素子２２の一軸異方性が安定して
保たれる。
ドの製造方法の一実施形態によれば、バイアス磁石膜１
５は平面上（再生下ギャップ１４上）に成膜されるの
で、その磁気特性は安定する。また、バイアス磁石膜１
５の磁気特性は、その後のミリング工程等を経ても変化
しない。従って、リード部１９ａ，１９ｂ（溝部１８）
の傾斜面に位置するバイアス磁石膜１５の磁気特性が安
定し、強い磁界をＭＲ素子２２に加えることが可能とな
る。これにより、ＭＲ素子２２の一軸異方性が安定して
保たれる。
【００３５】強い磁界によって生じるＭＲ素子の不感帯
は素子の検出感度を低下させるが、本実施形態はこれを
電気良導体３１ａ，３１ｂにより補償する。具体的に
は、磁気記録媒体がもたらす磁界変化によるＭＲ素子２
２の抵抗変化分は、ＭＲ素子２２に検査電流を流したと
きの電圧降下分として検出される。本実施形態の磁気抵
抗効果型ヘッドにおいては、この検出電流はリード部１
９ａ，１９ｂの電気導電膜１６ａ，１６ｂと電気良導体
３１ａ，３１ｂ介して素子２２に流入出し、不感帯Ｗ
ａ，Ｗｂ中を流れることがない。従って、光学的トラッ
ク幅Ｗ0に対する実効トラック幅ＷEを「１」に極めて近
い値とすることができる（既説した図１１参照）。これ
は、磁気抵抗変化分を△Ｒ、素子の固定抵抗分をＲ０、
不感帯の抵抗分をＲｆとしたときの最大出力変化分＝△
Ｒ／（Ｒ０＋△Ｒ＋Ｒｆ）において、Ｒｆを「０」近傍
の値にすることができるからである。
は素子の検出感度を低下させるが、本実施形態はこれを
電気良導体３１ａ，３１ｂにより補償する。具体的に
は、磁気記録媒体がもたらす磁界変化によるＭＲ素子２
２の抵抗変化分は、ＭＲ素子２２に検査電流を流したと
きの電圧降下分として検出される。本実施形態の磁気抵
抗効果型ヘッドにおいては、この検出電流はリード部１
９ａ，１９ｂの電気導電膜１６ａ，１６ｂと電気良導体
３１ａ，３１ｂ介して素子２２に流入出し、不感帯Ｗ
ａ，Ｗｂ中を流れることがない。従って、光学的トラッ
ク幅Ｗ0に対する実効トラック幅ＷEを「１」に極めて近
い値とすることができる（既説した図１１参照）。これ
は、磁気抵抗変化分を△Ｒ、素子の固定抵抗分をＲ０、
不感帯の抵抗分をＲｆとしたときの最大出力変化分＝△
Ｒ／（Ｒ０＋△Ｒ＋Ｒｆ）において、Ｒｆを「０」近傍
の値にすることができるからである。
【００３６】図１２は、本実施形態に係る磁気抵抗効果
型ヘッド、及び本発明を用いていない磁気抵抗効果型ヘ
ッドの実効トラック幅に対する感度変化（△Ｒ／Ｒ）を
示している。尚、ＲはＭＲ素子の有する変化しない抵抗
分（Ｒ０＋Ｒｆ）、△Ｒは磁気抵抗変化である。尚、本
図はＲを一定とするようにＭＲ素子の大きさ、厚さを変
更した結果を示す。同図中、実線Ａが本実施形態、破線
Ｂが本発明を用いていない磁気抵抗効果型ヘッドの感度
変化を示す。同図から明らかなように、本発明を用いな
い磁気抵抗効果型ヘッドにおいてはトラック幅の減少に
伴い見かけ上の感度（△Ｒ／Ｒ）が大きく低下する。こ
れに対し、本実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドはト
ラック幅が狭くなっても感度の低下が殆ど見られない。
型ヘッド、及び本発明を用いていない磁気抵抗効果型ヘ
ッドの実効トラック幅に対する感度変化（△Ｒ／Ｒ）を
示している。尚、ＲはＭＲ素子の有する変化しない抵抗
分（Ｒ０＋Ｒｆ）、△Ｒは磁気抵抗変化である。尚、本
図はＲを一定とするようにＭＲ素子の大きさ、厚さを変
更した結果を示す。同図中、実線Ａが本実施形態、破線
Ｂが本発明を用いていない磁気抵抗効果型ヘッドの感度
変化を示す。同図から明らかなように、本発明を用いな
い磁気抵抗効果型ヘッドにおいてはトラック幅の減少に
伴い見かけ上の感度（△Ｒ／Ｒ）が大きく低下する。こ
れに対し、本実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッドはト
ラック幅が狭くなっても感度の低下が殆ど見られない。
【００３７】磁気抵抗効果型ヘッドの不感帯は、バイア
ス磁石膜１５の保持力Ｈｃを１０３，４５０（Ａ／
ｍ）、磁束密度Ｍｓを１（Ｔ）、バイアス磁石膜の膜厚
を１００（ｎｍ）、リード部の傾斜面角度を２０°とし
たときに、約０．３（μｍ）の幅だけ生じる。不感帯は
ＭＲ素子の両側で生じるため、不感帯の幅は素子全体で
０．６（μｍ）となる。今、光学トラック幅Ｗ0が２
（μｍ）であるとすると、実効トラック幅ＷEは１．４
（μｍ）である。ここで、ＭＲ素子の膜厚を２０（ｎ
ｍ）、素子の奥行き長さを１．５（μｍ）としたとき、
ＭＲ素子の抵抗は２７（Ω）となった。この２７（Ω）
分は、素子の感応部の呈する固定抵抗（Ｒ０＋Ｒｆ）と
みなすことができる。これに対し、本実施形態の磁気抵
抗効果型ヘッド、即ち不感帯を電気良導体で被ったＭＲ
素子においては、ＭＲ素子の抵抗は２０（Ω）となっ
た。従って、ＭＲ素子の感度は１．３５倍（＝２７／２
０）になる。即ち、本実施形態はＭＲ素子の感度を大幅
に向上することが可能である。
ス磁石膜１５の保持力Ｈｃを１０３，４５０（Ａ／
ｍ）、磁束密度Ｍｓを１（Ｔ）、バイアス磁石膜の膜厚
を１００（ｎｍ）、リード部の傾斜面角度を２０°とし
たときに、約０．３（μｍ）の幅だけ生じる。不感帯は
ＭＲ素子の両側で生じるため、不感帯の幅は素子全体で
０．６（μｍ）となる。今、光学トラック幅Ｗ0が２
（μｍ）であるとすると、実効トラック幅ＷEは１．４
（μｍ）である。ここで、ＭＲ素子の膜厚を２０（ｎ
ｍ）、素子の奥行き長さを１．５（μｍ）としたとき、
ＭＲ素子の抵抗は２７（Ω）となった。この２７（Ω）
分は、素子の感応部の呈する固定抵抗（Ｒ０＋Ｒｆ）と
みなすことができる。これに対し、本実施形態の磁気抵
抗効果型ヘッド、即ち不感帯を電気良導体で被ったＭＲ
素子においては、ＭＲ素子の抵抗は２０（Ω）となっ
た。従って、ＭＲ素子の感度は１．３５倍（＝２７／２
０）になる。即ち、本実施形態はＭＲ素子の感度を大幅
に向上することが可能である。
【００３８】以上、本発明の実施形態について説明して
きたが、種々の変形が可能である。例えば、本発明はＭ
Ｒ素子に限らずＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果素子）にも適
用可能である。この場合、磁気抵抗効果型ヘッドの構造
自体は本実施形態と同一であり、ＭＲ素子２２をＧＭＲ
素子に置換すればよい。ＧＭＲにあっても、図１におけ
る素子１は基本的には３つの層からなる。即ち、素子２
２は外部磁界に応じて磁化の向きが変化する自由層２４
と、所定の固定した向きに磁化されている固着層２６
と、その間に挟まれたスペーサ層２５とが重ね合わされ
て構成される。ＧＭＲ素子は、自由層２４の磁化の向き
に応じてスペーサ層２５が呈する電気抵抗の大きさが変
化し、抵抗の大きさは、ＧＭＲ素子にセンス電流（検出
電流）ＩＳを流すことにより、その間の電圧降下で検出
される。センス電流ＩＳは、リード部１９ａ，１９ｂの
電気伝導膜１６ａ，１６ｂから電気良導体３１ａ，３１
ｂを流れ、電気良導体３１ａ，３１ｂの各先端部におい
てＧＭＲ素子の厚さ方向に固着層２６を横断して、良導
電体のスペーサ層２５の中を流れる。
きたが、種々の変形が可能である。例えば、本発明はＭ
Ｒ素子に限らずＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果素子）にも適
用可能である。この場合、磁気抵抗効果型ヘッドの構造
自体は本実施形態と同一であり、ＭＲ素子２２をＧＭＲ
素子に置換すればよい。ＧＭＲにあっても、図１におけ
る素子１は基本的には３つの層からなる。即ち、素子２
２は外部磁界に応じて磁化の向きが変化する自由層２４
と、所定の固定した向きに磁化されている固着層２６
と、その間に挟まれたスペーサ層２５とが重ね合わされ
て構成される。ＧＭＲ素子は、自由層２４の磁化の向き
に応じてスペーサ層２５が呈する電気抵抗の大きさが変
化し、抵抗の大きさは、ＧＭＲ素子にセンス電流（検出
電流）ＩＳを流すことにより、その間の電圧降下で検出
される。センス電流ＩＳは、リード部１９ａ，１９ｂの
電気伝導膜１６ａ，１６ｂから電気良導体３１ａ，３１
ｂを流れ、電気良導体３１ａ，３１ｂの各先端部におい
てＧＭＲ素子の厚さ方向に固着層２６を横断して、良導
電体のスペーサ層２５の中を流れる。
【００３９】また、本実施形態で示した製造方法以外の
製造方法であっても、その製造方法により製造された素
子の感度がバイアス磁界に基づいて発生する不感帯によ
って低下する場合には、本発明を適用することができ
る。尚、上記図４（Ａ）の説明においては、不感帯が生
じる領域を所定距離Ｌ１，Ｌ２で定義したが、同図に示
すようにＭＲ素子膜２２のリード部１９ａ，１９ｂの傾
斜面１９ａ１，１９ｂ１の立上がり部分から距離ｍ１，
ｍ２と定義することもできる。
製造方法であっても、その製造方法により製造された素
子の感度がバイアス磁界に基づいて発生する不感帯によ
って低下する場合には、本発明を適用することができ
る。尚、上記図４（Ａ）の説明においては、不感帯が生
じる領域を所定距離Ｌ１，Ｌ２で定義したが、同図に示
すようにＭＲ素子膜２２のリード部１９ａ，１９ｂの傾
斜面１９ａ１，１９ｂ１の立上がり部分から距離ｍ１，
ｍ２と定義することもできる。
【図１】 本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッ
ド（ＭＲ素子部）の斜視図である。
ド（ＭＲ素子部）の斜視図である。
【図２】 図１に示した磁気抵抗効果型ヘッド（再生用
ヘッド）の記録媒体対向面から見た正面図である。
ヘッド）の記録媒体対向面から見た正面図である。
【図３】 図２に示した磁気抵抗効果型ヘッドのＩ―Ｉ
断面図（縦断面側面図）である。
断面図（縦断面側面図）である。
【図４】 図２に示した磁気抵抗効果型ヘッド素子部の
拡大斜視図である。
拡大斜視図である。
【図５】 本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッ
ド（再生ヘッド）の製造工程を示す図である。
ド（再生ヘッド）の製造工程を示す図である。
【図６】 本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッ
ド（再生ヘッド）の製造工程を示す図である。
ド（再生ヘッド）の製造工程を示す図である。
【図７】 本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッ
ド（再生ヘッド）の製造工程を示す図である。
ド（再生ヘッド）の製造工程を示す図である。
【図８】 本発明の実施形態に係る磁気抵抗効果型ヘッ
ド（再生ヘッド）の製造工程を示す図である。
ド（再生ヘッド）の製造工程を示す図である。
【図９】 ＭＲ素子とバイアス磁石膜の配置を示す斜視
図である。
図である。
【図１０】 従来のアバッティングジャンクション型磁
気ヘッドの製造工程を示す図である。
気ヘッドの製造工程を示す図である。
【図１１】 ＭＲ素子に生ずる不感帯を説明するための
ＭＲ素子の斜視図である。
ＭＲ素子の斜視図である。
【図１２】 本発明の実施形態に係るＭＲ素子の感度変
化を示す図である。
化を示す図である。
１５ａ，１５ｂ…バイアス磁石膜（長手バイアス磁石
層）、１６ａ，１６ｂ…電気導電膜、１９ａ，１９ｂ…
リード部、２２…ＭＲ素子、３１ａ，３１ｂ…高電導金
属膜（電気良導体）、Ｗａ，Ｗｂ…不感帯
層）、１６ａ，１６ｂ…電気導電膜、１９ａ，１９ｂ…
リード部、２２…ＭＲ素子、３１ａ，３１ｂ…高電導金
属膜（電気良導体）、Ｗａ，Ｗｂ…不感帯
Claims (5)
- 【請求項１】薄膜の磁気抵抗効果素子と、 前記素子にバイアス磁界を加えるバイアス磁石膜及び前
記素子に検出電流を流すための電気導電膜が積層してな
る一対のリード部とを備え、 前記一対のリード部間に前記素子を配置した磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、 前記素子の前記リード部側の端部から所定距離内に位置
する前記素子の薄膜面と前記リード部の電気導電膜とを
電気良導体で被い、 前記検出電流が前記電気良導体を介して前記素子に流れ
るように構成したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項２】基板平面上にバイアス磁石膜と電気導電膜
を積層してリード層を形成した後に、同リード層を分割
して一対のリード部を形成し、同一対のリード部間に薄
膜の磁気抵抗効果素子を形成して前記リード部間を同素
子により繋いでなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 前記素子の前記リード部側の端部から所定距離内に位置
する前記素子の薄膜面と前記リード部の電気導電膜とを
電気良導体で被うことにより、前記素子の抵抗変化を検
出するための検出電流が前記電気良導体を介して前記素
子に流れるように構成した磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、 前記所定距離が、前記バイアス磁石膜により前記素子の
端部に発生する磁気抵抗効果を呈さない不感帯の大きさ
に応じて決定されていることを特徴とする磁気抵抗効果
型ヘッド。 - 【請求項４】基板上にバイアス磁石膜及び電気導電膜を
連続して成膜することにより多層膜を形成する工程と、 前記多層膜をイオンミリング加工により分割して一対の
リード部を形成する工程と、 薄膜の磁気抵抗効果素子を前記一対のリード部間を繋ぐ
ように形成する工程と、 前記素子の前記リード部側の端部から所定距離内に位置
する前記素子の薄膜面と前記リード部の電気導電膜とを
電気良導体で被う工程とからなる磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法。 - 【請求項５】前記一対のリード部を形成する工程が、 前記多層膜上にレジスト膜を塗布する工程と、 前記レジスト膜の所定部分を除去して一対のレジスト膜
を形成する工程と、 前記レジスト膜が除去された部分に面する前記一対のレ
ジスト膜の端面が前記多層膜の表面に対して傾斜するよ
うに前記レジスト膜を溶融する工程と、 前記多層膜と前記レジスト膜とを一括してイオンミリン
グ加工する工程とからなる請求項４に記載の磁気抵抗効
果型ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212298A JPH11238210A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び同ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4212298A JPH11238210A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び同ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238210A true JPH11238210A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12627156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4212298A Withdrawn JPH11238210A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | 磁気抵抗効果型ヘッド及び同ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11238210A (ja) |
-
1998
- 1998-02-24 JP JP4212298A patent/JPH11238210A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |