JPS6220896Y2 - - Google Patents
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- JPS6220896Y2 JPS6220896Y2 JP19328581U JP19328581U JPS6220896Y2 JP S6220896 Y2 JPS6220896 Y2 JP S6220896Y2 JP 19328581 U JP19328581 U JP 19328581U JP 19328581 U JP19328581 U JP 19328581U JP S6220896 Y2 JPS6220896 Y2 JP S6220896Y2
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- magnetic
- magnetic field
- hall element
- bias magnetic
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- Expired
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- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 14
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
本考案はホール効果型再生用磁気ヘツドに係
り、複数個構成したリアギヤツプの少なくとも１
個のリアギヤツプに垂直磁化膜よりなるホール素
子を設け、このホール素子に対してバイアス磁界
印加手段を設けると共に、このバイアス磁界印加
手段によるバイアス磁束がフロントギヤツプに流
れ込まないようフロントギヤツプ近傍にバイアス
磁束相殺の磁界印加手段を設けることによつて、
フロントギヤツプにバイアス磁束が流れ込まなく
なり、再生に際して例えばバイアス磁場による記
録磁界が発生せず、再生が極めて良好で高感度な
ものとなるホール効果型再生用磁気ヘツドを提供
することを目的とする。 例えばNi−Fe合金薄膜等の磁気抵抗素子を用
いたデジタル再生用の磁気ヘツドは、巻線型の磁
気ヘツドに比べて従来の薄膜微細加工技術を用い
ることができるので、小型化及び集積化が比較的
容易であるが、感磁面が薄膜面内であるので、磁
気ヘツドとして磁路を構成した場合、磁気抵抗の
大きな面内方向が磁路となり、従つて磁気シール
ドを施さなければならない。しかし、この磁気シ
ールドは、磁気ヘツドの高域周波数再生特性を制
限する欠点を引き起こすのみでなく、製造上も面
倒で因難であり、再現性の良い磁気ヘツドが出来
にくい。 又、InSb等の薄膜半導体ホール素子をリアギ
ヤツプに設けたホール効果型磁気ヘツドは、ホー
ル特性を得るには半導体ホール素子の膜厚が１〜
２μｍ以上必要であるので、フロントギヤツプに
比して大きな寸法のリアギヤツプとなり、このリ
アギヤツプの磁気抵抗は大きく、従つて大きなホ
ール出力を得ることができない欠点がある。 そこで、本考案者は、垂直磁化膜よりなるホー
ル素子を磁極間に設け、この垂直磁化膜にバイア
ス磁場を印加することにより、記録信号磁場のピ
ーク値がホール素子の抗磁場より小さい場合でも
再生が行なえるようにした磁気ヘツドを考え出し
たのであるが、フロントギヤツプ及びリアギヤツ
プの各磁気抵抗の大きさによつてはバイアス磁界
がフロントギヤツプにも漏れることがあり、再生
時に磁気記録媒体の磁化を変化させたり、漏れた
バイアス磁束によつて記録が行なわれたりする恐
がある。 本考案は上記欠点を除去したものであり、以下
その実施例について説明する。 図面は、本考案に係るホール効果型再生用磁気
ヘツドの１実施例の説明図である。 同図中、１，１′はフエライト等を素材として
構成された磁気コアであり、この磁気コア１，
１′によつて１個のフロントギヤツプ２と、複数
個のリアギヤツプ、例えばフロントギヤツプより
ギヤツプ寸法の小さな第１のリアギヤツプ３及び
フロントギヤツプよりギヤツプ寸法の大きな第２
のリアギヤツプ４とが構成されている。 この第１のリアギヤツプ３には、例えば
GdFe，GdCo等を厚さ約0.01〜0.1μｍ蒸着又は
スパツタ法等によつて作つた垂直磁化膜よりなる
ホール素子５が設けられている。 ６は、第１のリアギヤツプ３と第２のリアギヤ
ツプ４との間のコア１と１′間に設けられた導体
であり、この導体６に電流を流すことによつて、
例えば信号磁場Hsに比べて高い周波数で、かつ
バイアス磁場ＨBのピーク値ＨBPとホール素子５
の抗磁場Hcとの差の絶対値、すなわち｜ＨBP−
Hc｜が信号磁場のピーク値ＨSPより小さくなる
ようなバイアス磁場ＨBが矢印方向にホール素子
５に印加されるよう構成されている。 ７は、フロントギヤツプ２と第１のリアギヤツ
プ３との間のコア１と１′間に設けられた導体で
あり、この導体７にバイアス磁界とは振幅が同じ
で逆相となる磁界を生ぜしめる電流を流すことに
より、フロントギヤツプ２には導体６に流される
電流によるバイアス磁界の漏れ磁界が加わらなく
なる。 すなわち、フロントギヤツプ２の磁気抵抗を第
１のリアギヤツプの磁気抵抗より著しく大きくす
ることによつて、導体６に流す電流によるバイア
ス磁束はフロントギヤツプにはほとんど流れ込ま
なくなるが、完全に流れ込まなくすることはでき
ず、どうしても少しの漏れ磁束がフロントギヤツ
プ２に一点鎖線で示すように流れ込み、フロント
ギヤツプ近傍を走行する磁気記録媒体の磁化を変
化させる恐が生じるが、この漏れ磁束を相殺する
二点鎖線で示される磁束が生ずるよう導体７に電
流を流すことによつて、フロントギヤツプ２と第
１のリアギヤツプ３の磁気抵抗比によらずフロン
トギヤツプ２には磁束は流れず、再生は良好に行
なわれる。 尚、上記実施例の如く、第１のリアギヤツプの
磁気抵抗ＲHをフロントギヤツプの磁気抵抗Rgよ
り小さくすることによつて、又、第２のリアギヤ
ツプの磁気抵抗ＲBをフロントギヤツプの磁気抵
抗より大きくすることによつて、磁気ヘツドの感
度向上が図れるのみでなく、ギヤツプの寸法精度
にバラツキがあつてもほとぼんど一定の感度の磁
気ヘツドとなり、高性能の磁気ヘツドを製造歩留
りよく作ることができる。すなわち、記録媒体の
記録磁化による起磁力から磁気ヘツドにφの磁束
が流れ込むとすると、ホール素子５に流れる信号
磁束φHは、
り、複数個構成したリアギヤツプの少なくとも１
個のリアギヤツプに垂直磁化膜よりなるホール素
子を設け、このホール素子に対してバイアス磁界
印加手段を設けると共に、このバイアス磁界印加
手段によるバイアス磁束がフロントギヤツプに流
れ込まないようフロントギヤツプ近傍にバイアス
磁束相殺の磁界印加手段を設けることによつて、
フロントギヤツプにバイアス磁束が流れ込まなく
なり、再生に際して例えばバイアス磁場による記
録磁界が発生せず、再生が極めて良好で高感度な
ものとなるホール効果型再生用磁気ヘツドを提供
することを目的とする。 例えばNi−Fe合金薄膜等の磁気抵抗素子を用
いたデジタル再生用の磁気ヘツドは、巻線型の磁
気ヘツドに比べて従来の薄膜微細加工技術を用い
ることができるので、小型化及び集積化が比較的
容易であるが、感磁面が薄膜面内であるので、磁
気ヘツドとして磁路を構成した場合、磁気抵抗の
大きな面内方向が磁路となり、従つて磁気シール
ドを施さなければならない。しかし、この磁気シ
ールドは、磁気ヘツドの高域周波数再生特性を制
限する欠点を引き起こすのみでなく、製造上も面
倒で因難であり、再現性の良い磁気ヘツドが出来
にくい。 又、InSb等の薄膜半導体ホール素子をリアギ
ヤツプに設けたホール効果型磁気ヘツドは、ホー
ル特性を得るには半導体ホール素子の膜厚が１〜
２μｍ以上必要であるので、フロントギヤツプに
比して大きな寸法のリアギヤツプとなり、このリ
アギヤツプの磁気抵抗は大きく、従つて大きなホ
ール出力を得ることができない欠点がある。 そこで、本考案者は、垂直磁化膜よりなるホー
ル素子を磁極間に設け、この垂直磁化膜にバイア
ス磁場を印加することにより、記録信号磁場のピ
ーク値がホール素子の抗磁場より小さい場合でも
再生が行なえるようにした磁気ヘツドを考え出し
たのであるが、フロントギヤツプ及びリアギヤツ
プの各磁気抵抗の大きさによつてはバイアス磁界
がフロントギヤツプにも漏れることがあり、再生
時に磁気記録媒体の磁化を変化させたり、漏れた
バイアス磁束によつて記録が行なわれたりする恐
がある。 本考案は上記欠点を除去したものであり、以下
その実施例について説明する。 図面は、本考案に係るホール効果型再生用磁気
ヘツドの１実施例の説明図である。 同図中、１，１′はフエライト等を素材として
構成された磁気コアであり、この磁気コア１，
１′によつて１個のフロントギヤツプ２と、複数
個のリアギヤツプ、例えばフロントギヤツプより
ギヤツプ寸法の小さな第１のリアギヤツプ３及び
フロントギヤツプよりギヤツプ寸法の大きな第２
のリアギヤツプ４とが構成されている。 この第１のリアギヤツプ３には、例えば
GdFe，GdCo等を厚さ約0.01〜0.1μｍ蒸着又は
スパツタ法等によつて作つた垂直磁化膜よりなる
ホール素子５が設けられている。 ６は、第１のリアギヤツプ３と第２のリアギヤ
ツプ４との間のコア１と１′間に設けられた導体
であり、この導体６に電流を流すことによつて、
例えば信号磁場Hsに比べて高い周波数で、かつ
バイアス磁場ＨBのピーク値ＨBPとホール素子５
の抗磁場Hcとの差の絶対値、すなわち｜ＨBP−
Hc｜が信号磁場のピーク値ＨSPより小さくなる
ようなバイアス磁場ＨBが矢印方向にホール素子
５に印加されるよう構成されている。 ７は、フロントギヤツプ２と第１のリアギヤツ
プ３との間のコア１と１′間に設けられた導体で
あり、この導体７にバイアス磁界とは振幅が同じ
で逆相となる磁界を生ぜしめる電流を流すことに
より、フロントギヤツプ２には導体６に流される
電流によるバイアス磁界の漏れ磁界が加わらなく
なる。 すなわち、フロントギヤツプ２の磁気抵抗を第
１のリアギヤツプの磁気抵抗より著しく大きくす
ることによつて、導体６に流す電流によるバイア
ス磁束はフロントギヤツプにはほとんど流れ込ま
なくなるが、完全に流れ込まなくすることはでき
ず、どうしても少しの漏れ磁束がフロントギヤツ
プ２に一点鎖線で示すように流れ込み、フロント
ギヤツプ近傍を走行する磁気記録媒体の磁化を変
化させる恐が生じるが、この漏れ磁束を相殺する
二点鎖線で示される磁束が生ずるよう導体７に電
流を流すことによつて、フロントギヤツプ２と第
１のリアギヤツプ３の磁気抵抗比によらずフロン
トギヤツプ２には磁束は流れず、再生は良好に行
なわれる。 尚、上記実施例の如く、第１のリアギヤツプの
磁気抵抗ＲHをフロントギヤツプの磁気抵抗Rgよ
り小さくすることによつて、又、第２のリアギヤ
ツプの磁気抵抗ＲBをフロントギヤツプの磁気抵
抗より大きくすることによつて、磁気ヘツドの感
度向上が図れるのみでなく、ギヤツプの寸法精度
にバラツキがあつてもほとぼんど一定の感度の磁
気ヘツドとなり、高性能の磁気ヘツドを製造歩留
りよく作ることができる。すなわち、記録媒体の
記録磁化による起磁力から磁気ヘツドにφの磁束
が流れ込むとすると、ホール素子５に流れる信号
磁束φHは、
【式】と
なり、ＲＢ／Ｒｇが大きい程φＨ／φは一定の大きな値
とな り、又ＲＨ／Ｒｇが小さい程φＨ／φは大きな値のもの
とな り、ホール素子５に流れ込む信号磁束は大きくな
るので、安定した高感度な再生が行なえる。 又、上記実施例の磁気ヘツドは、磁気コア１′
を基板として、その上に垂直磁化膜よりなるホー
ル素子５、導体６及び７をフオトエツチング等の
パターニング技術によつて簡単に形成でき、又導
体６及び７のパターン巾を調節すれば導体６と７
とを接続するのみでよく、製造も極めて簡単で能
率よく作ることができる。 上述の如く、本考案に係るホール効果型再生用
磁気ヘツドは、フロントギヤツプと複数のリアギ
ヤツプを構成し、この複数のリアギヤツプの少な
くとも一つに垂直磁化膜よりなるホール素子を設
け、さらにこのホール素子にバイアス磁界を印加
する手段を複数のリアギヤツプ間に備えると共
に、このバイアス磁界印加手段によるバイアス磁
束がフロントギヤツプに流れないようフロントギ
ヤツプにかかる漏れバイアス磁束相殺の磁界印加
手段をフロントギヤツプ近傍に備えてなるので、
記録媒体の記録磁化が小さなものでも再生が行な
え、又再生に際してはバイアス磁界がフロントギ
ヤツプにかかり記録媒体に記録されている磁化を
変化させることがないので再生は良好であり、
又、例えばリアギヤツプ間にバイアス磁界印加用
の導体膜を、そしてホール素子の設けられたリア
ギヤツプとフロントギヤツプ間にバイアス磁界相
殺磁界印加用の導体膜を設けるのみですみ、極め
て簡単に低コストで作れる等の特長を有する。
とな り、又ＲＨ／Ｒｇが小さい程φＨ／φは大きな値のもの
とな り、ホール素子５に流れ込む信号磁束は大きくな
るので、安定した高感度な再生が行なえる。 又、上記実施例の磁気ヘツドは、磁気コア１′
を基板として、その上に垂直磁化膜よりなるホー
ル素子５、導体６及び７をフオトエツチング等の
パターニング技術によつて簡単に形成でき、又導
体６及び７のパターン巾を調節すれば導体６と７
とを接続するのみでよく、製造も極めて簡単で能
率よく作ることができる。 上述の如く、本考案に係るホール効果型再生用
磁気ヘツドは、フロントギヤツプと複数のリアギ
ヤツプを構成し、この複数のリアギヤツプの少な
くとも一つに垂直磁化膜よりなるホール素子を設
け、さらにこのホール素子にバイアス磁界を印加
する手段を複数のリアギヤツプ間に備えると共
に、このバイアス磁界印加手段によるバイアス磁
束がフロントギヤツプに流れないようフロントギ
ヤツプにかかる漏れバイアス磁束相殺の磁界印加
手段をフロントギヤツプ近傍に備えてなるので、
記録媒体の記録磁化が小さなものでも再生が行な
え、又再生に際してはバイアス磁界がフロントギ
ヤツプにかかり記録媒体に記録されている磁化を
変化させることがないので再生は良好であり、
又、例えばリアギヤツプ間にバイアス磁界印加用
の導体膜を、そしてホール素子の設けられたリア
ギヤツプとフロントギヤツプ間にバイアス磁界相
殺磁界印加用の導体膜を設けるのみですみ、極め
て簡単に低コストで作れる等の特長を有する。
図面は、本考案に係るホール効果型再生用磁気
ヘツドの１実施例の説明図である。 １，１′……磁気コア、２……フロントギヤツ
プ、３，４……リアギヤツプ、５……ホール素
子、６，７……導体。
ヘツドの１実施例の説明図である。 １，１′……磁気コア、２……フロントギヤツ
プ、３，４……リアギヤツプ、５……ホール素
子、６，７……導体。
Claims (1)
- フロントギヤツプと複数のリアギヤツプを構成
し、この複数のリアギヤツプの少なくとも一つに
垂直磁化膜よりなるホール素子を設け、さらにこ
のホール素子にバイアス磁界を印加する手段を複
数のリアギヤツプ間に備えると共に、このバイア
ス磁界印加手段によるバイアス磁束がフロントギ
ヤツプに流れないようフロントギヤツプにかかる
漏れバイアス磁束相殺の磁界印加手段をフロント
ギヤツプ近傍に備えたことを特徴とするホール効
果型再生用磁気ヘツド。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19328581U JPS58101317U (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | ホ−ル効果型再生用磁気ヘツド |
| US06/448,564 US4577250A (en) | 1981-12-18 | 1982-12-10 | Hall effect magnetic head |
| DE19823246282 DE3246282A1 (de) | 1981-12-18 | 1982-12-14 | Halleffekt-magnetkopf |
| GB08235922A GB2115204B (en) | 1981-12-18 | 1982-12-17 | Hall effect magnetic head |
| FR8221236A FR2518792B1 (fr) | 1981-12-18 | 1982-12-17 | Tete magnetique a effet hall |
| FR868601114A FR2578343B1 (fr) | 1981-12-18 | 1986-01-27 | Tete magnetique a effet hall |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19328581U JPS58101317U (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | ホ−ル効果型再生用磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58101317U JPS58101317U (ja) | 1983-07-09 |
| JPS6220896Y2 true JPS6220896Y2 (ja) | 1987-05-27 |
Family
ID=30106649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19328581U Granted JPS58101317U (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-28 | ホ−ル効果型再生用磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58101317U (ja) |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP19328581U patent/JPS58101317U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58101317U (ja) | 1983-07-09 |
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