KR100234172B1 - 박막 자기헤드의 자기 저항소자 - Google Patents

박막 자기헤드의 자기 저항소자 Download PDF

Info

Publication number
KR100234172B1
KR100234172B1 KR1019950001560A KR19950001560A KR100234172B1 KR 100234172 B1 KR100234172 B1 KR 100234172B1 KR 1019950001560 A KR1019950001560 A KR 1019950001560A KR 19950001560 A KR19950001560 A KR 19950001560A KR 100234172 B1 KR100234172 B1 KR 100234172B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
magnetoresistive
magnetoresistive element
magnetic head
magnetic
Prior art date
Application number
KR1019950001560A
Other languages
English (en)
Other versions
KR960030101A (ko
Inventor
김인응
에이.엠.슈크
Original Assignee
이형도
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이형도, 삼성전기주식회사 filed Critical 이형도
Priority to KR1019950001560A priority Critical patent/KR100234172B1/ko
Priority to US08/472,975 priority patent/US5703738A/en
Priority to JP7165488A priority patent/JPH08203039A/ja
Publication of KR960030101A publication Critical patent/KR960030101A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100234172B1 publication Critical patent/KR100234172B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3929Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
    • G11B5/3932Magnetic biasing films
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/398Specially shaped layers
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/398Specially shaped layers
    • G11B5/3987Specially shaped layers with provision for closing the magnetic flux during operation
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/399Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

본 발명은 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자에 관한여 개시한 것으로서, 본 발명에 의한 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자는 자기저항막을 일측이 개구된 타원형의 C자형으로 형성하고, 그 개구부 양끝단에 가로방향의 바이어스를 주기 위한 자기교환막을 구비한 구조를 이루도록 함으로써, 자기교환막의 자계를 이용하여 자기저항막을 가로방향으로 충분히 자화시켜 출력특성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.

Description

박막 자기 헤드의 자기 저항 소자
제1도는 종래 자기 저항 소자의 다층막 구조에 대한 일예를 나타내 보인 개략도.
제2도는 종래 자기 저항 소자의 다층막 구조에 대한 다른예를 나타내 보인 개략도.
제3도는 제2도에 도시된 자기 저항 소자의 평단면도.
제5도는 제4도에 도시된 본 발명에 의한 자기 저항 소자의 Ⅴ방향에서 본 측면도이고, 그리고
제6도는 제4도에 도시된 본 발명에 의한 자기 저항 소자의 Ⅵ-Ⅵ선 단면도이다.
〈 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 〉
11 : 자기 저항막 12 : 스페이서막
13 : 절연막 14, 15 : 연자성 인접막
16 : 스페이서막 17 : 자기 저항막
18 : 자기 교환막 19 : 접합단자
25 : 연자성 인접막 26 : 스페이서막
27 : 자기 저항막 28 : 자기 교환막
29 : 접합단자
본 발명은 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 자기 저항 소자에 세로방향의 바이어스를 주기 위한 자기교환막을 구비하여 내부 환경특성을 개선함으로써 출력특성을 향상시킨 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자에 관한 것이다.
일반적으로, 박막 자기 헤드는 HDD(Hard Disk Drive), VTR 등의 디지털 신호 처리 체계를 갖는 장치에 주로 적용되고 있는데, 이것은 최근에 개발된 DCC(Digital Compact Casette) 플레이어에도 채용되고 있다.
이러한 박막형 자기 헤드는 자기장에 의해 그 저항치가 변화되는 자기 저항 소자(MR ; Magneto Resitive Element)를 이용한 것으로서, 자기 저항 소자는 통상 그 출력특성을 향상시키기 위해서 소자의 가로방향과 세로방향으로 각각 바이어스를 인가해 주어야 하며, 이를 위해 자기 저항 소자는 자기저항막, 스페이서막, 바이어스막 등이 적층된 다층막 구조를 이루게 된다.
제1도는 상기한 바와 같은 다층막 구조를 가지는 자기 저항 소자의 일예를 도시한 것으로서, 자기 저항막(11)에 스페이서막(12)과 절연막(13) 및 연자성 연자성 인접막(14)이 순차적으로 적층된 구조를 이루고 있으나, 이러한 적층구조는 가로방향의 바이어스가 인가되지 못하므로, 재생시 문제가 되는 바크하우젠 노이즈(Barkhausen noise)가 크고, 또한 협트랙의 기록에는 적합하지 못해 고밀도 기록용으로는 사용할 수 없는 단점이 있다.
제2도는 상기한 바와 같은 단점을 보완하기 위하여 소자의 가로방향으로 바이어스를 인가해 주는 자기교환막(exchange layer)을 소자의 양끝단에 설치함으로써 다층막의 구조를 개선한 자기 저항 소자를 나타내 보인 것이다. 제2도에 도시된 자기 저항 소자는 연자성 인접막(15)에 스페이서막(16)과 자기 저항막(17)이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 자기 저항막(17)의 양끝단에는 각각 소자의 가로방향으로 바이어스를 가해 주기 위한 자기 교환막(18)(18)이 적층되고, 상기 자기 교환막(18)(18) 위에 접합단자(19)(19)가 순차적으로 적층된 다층막 구조를 이루고 있다.
이러한 구조를 상기 자기 저항 소자는 연자성 인접막(15)에의한 세로방향의 바이어스와 자기 교환막(18)에 의한 가로방향의 바이어스가 자기 저항막(17)에 적절히 바이어스를 가해줌으로써 높은 출력특성을 가질 수 있도록 한 것이다.
그러나, 상기와 같은 다층막 구조를 가지는 자기 저항 소자에 있어서 상기 자기 교환막(18)은 주로 FeMn합금이나 CoPt합금 등이 사용되고 있고, 이들 합금은 기록매체와 접촉면에 직접 노출되기 때문에 부식의 가능성이 높아서 자기 저항 소자의 내부 환경특성을 저하시키는 단점이 있다.
그리고, 소자 내의 반자계(HDL)는 다음식 (1)과 같이 표시된다.
즉, HDL= -4 ∏ MSh/L -----(1)
여기서, MS는 자기 저항 소자의 포화자속밀도이고, h는 자기 저항 소장의 폭, L은 자기 저항 소자의 길이를 나타낸다.
상기 (1)식에서 h/L 값은 제3도에서 알 수 있는 바와 같이 소자의 구조 특성상 최소한으로 줄여주는데 한계가 있다.
따라서, 자기 저항 소자의 가로방향으로 단자구를 만들어 주기위한 바이어스자계 (HBL)은 다음식 (2)와 같이 된다.
HBL〉 HDL+HC-----(2)
여기서, HC는 자기 저항 소자의 보자력이다.
따라서, 자기 저항 소자의 반자계 값(HDL)이 커짐에 따라 이를 보상해 주기 위한 바이어스자계 값(HBL)도 증가하게 되어 자기헤드의 감도를 저하시키는 단점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 자기 저항 소자의 단점을 감안하여 이를 개선코자 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 자기 저항 소자에 세로방향의 바이어스를 주기 위한 자기 교환막을 구비하여 내부 환경특성을 개선함으로써 출력특성을 향상시킨 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자는, 연자성 인접막에 스페이서막과 자기저항막 그리고, 자기교환막과 접합단자를 순차적으로 적층하여 이루어진 다층막 구조를 형성하고 있고, 상기 자기저항막의 개구부 양끝단에 각각 상기 자기교환막이 적층 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 본 발명에 의한 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자에 있어서, 특히 상기 자기저항막은 그 자화용이축이 소자의 가로방향으로 되도록 한것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자에 대한 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
첨부된 도면 중, 제4도는 본 발명에 의한 자기 저항 소자의 개략적 평면도이고, 제5도는 제4도에 도시된 본 발명에 의한 자기 저항 소자의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도, 그리고 제6도는 제4도에 도시된 본 발명에 의한 자기 저항 소자의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도 이다.
상기 제4도 내지 제6도를 참조하면, 본 발명에 의한 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자는 연자성 인접막(25)에 스페이서막(26)이 적층되고, 이 스페이서막(26)에 일측이 개구된 타원형의 C자형상을 이루는 자기 저항막(27)이 순차적으로 적층되어 있다. 그리고, 상기 C자형상의 자기 저항막(27)은 그 개구부 양끝단의 이격 거리가 매우 근접되어 실질적으로 폐회로에 가까운 상태를 이루도록 되어 있는 한편, 상기 개구부 양끝단에는 소자의 가로방향으로 바이어스를 주기위한 자기 교환막(28)(28)이 각각 적층구비되어 있고, 이 자기교환막(28)(28)에는 접합단자(29)가 적층되어 덮여 있는 상태의 다층막 구조를 이루고 있다.
상기와 같은 구조를 이루는 본 발명에 의한 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자에 있어서, 상기 자기 저항막(27)은 자화용이축이 소자의 가로방향으로 이루어지도록 되어 있다. 그리고 가로방향으로 바이어스자장을 인가하기 위한 자기 교환막(28)(28)을 C자형상의 자기 저항막(27) 개구부 양끝단에 구비함으로써 기록매체와 접촉면에 노출되는 것을 방지할 수 있도록 하였으며, 접합단자(29)가 이들을 완전히 덮어 주는 역할을 하게 된다.
따라서, 상술한 바와 같은 구조는 상기한 (1)식에 있어서의 h/L값을 최소한으로 유지 가능하게 되므로, 반자계 값(HDL)을 줄여 역자구의 생성을 억제할 수 있게 된다.
또한, 반강자성체인 상기 자기 교환막(28)(28)의 자계를 이용하여 상기 자기 저항막(27)을 가로방향으로 충분히 자화시킴으로써 기록매체와 접촉면부분의 소자도 단자구 상태로 되어 바크하우젠 노이즈를 제거할 수 있게 되어 자기 헤드의 출력특성을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자는 자기저항막을 일측이 개구된 타원형의 C자형으로 형성하고, 그 개구부 양끝단에 가로방향의 바이어스를 주기 위한 자기교환막을 구비한 구조를 이루도록 함으로써, 자기교환막의 자계를 이용하여 자기저항막을 가로방향으로 충분히 자화시켜 출력특성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.

Claims (2)

  1. 연자성 인접막에 스페이서막과 자기저항막 그리고, 자기교환막과 접합단자를 순차적으로 적층하여 이루어진 다층막 구조를 형성하고 있고, 상기 자기저항막은 일측이 개구된 타원형의 C자형으로 형성되며, 상기 자기저항막의 개구부 양끝단에 각각 상기 자기교환막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 자기저항막은 자화용이축이 소자의 가로방향이 되도록 한 것을 특징으로 하는 박막 자기 헤드의 자기 저항 소자.
KR1019950001560A 1995-01-27 1995-01-27 박막 자기헤드의 자기 저항소자 KR100234172B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950001560A KR100234172B1 (ko) 1995-01-27 1995-01-27 박막 자기헤드의 자기 저항소자
US08/472,975 US5703738A (en) 1995-01-27 1995-06-07 Magnetic head magneto-resistive element with c-shaped multi-layered structure
JP7165488A JPH08203039A (ja) 1995-01-27 1995-06-30 薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950001560A KR100234172B1 (ko) 1995-01-27 1995-01-27 박막 자기헤드의 자기 저항소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960030101A KR960030101A (ko) 1996-08-17
KR100234172B1 true KR100234172B1 (ko) 1999-12-15

Family

ID=19407395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950001560A KR100234172B1 (ko) 1995-01-27 1995-01-27 박막 자기헤드의 자기 저항소자

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5703738A (ko)
JP (1) JPH08203039A (ko)
KR (1) KR100234172B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5936811A (en) * 1997-06-12 1999-08-10 International Business Machines Corporation Magnetic head with vialess lead layers from MR sensor to pads
KR100276771B1 (ko) 1998-01-16 2001-01-15 윤종용 하드디스크 드라이브의 자기저항 헤드 장치
US6201673B1 (en) 1999-04-02 2001-03-13 Read-Rite Corporation System for biasing a synthetic free layer in a magnetoresistance sensor
JP4462790B2 (ja) * 2001-09-04 2010-05-12 ソニー株式会社 磁気メモリ
US7580228B1 (en) * 2004-05-29 2009-08-25 Lauer Mark A Current perpendicular to plane sensor with non-rectangular sense layer stack

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4771349A (en) * 1986-10-31 1988-09-13 International Business Machine Corporation Magnetoresistive read transducer
US4954920A (en) * 1986-11-28 1990-09-04 Nec Corporation Thin film magnetic head
US4967298A (en) * 1987-02-17 1990-10-30 Mowry Greg S Magnetic head with magnetoresistive sensor, inductive write head, and shield
US4755897A (en) * 1987-04-28 1988-07-05 International Business Machines Corporation Magnetoresistive sensor with improved antiferromagnetic film
JPH0536032A (ja) * 1991-08-01 1993-02-12 Hitachi Ltd 磁気抵抗効果型ヘツド及びその製造方法
US5268806A (en) * 1992-01-21 1993-12-07 International Business Machines Corporation Magnetoresistive transducer having tantalum lead conductors
US5325253A (en) * 1993-02-17 1994-06-28 International Business Machines Corporation Stabilization of magnetoresistive transducer using canted exchange bias

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08203039A (ja) 1996-08-09
KR960030101A (ko) 1996-08-17
US5703738A (en) 1997-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6005753A (en) Magnetic tunnel junction magnetoresistive read head with longitudinal and transverse bias
KR100238912B1 (ko) 자기저항효과헤드
JPH11354860A (ja) スピンバルブ磁気変換素子及び磁気ヘッド
US6094328A (en) Thin-film magnetic head with antiferromagnetic layer and hard magnetic layers arranged to bias a magnetoresistive device
JP2924875B2 (ja) 磁気抵抗効果ヘッド
US5661621A (en) Magnetoresistive head
JPH10289417A (ja) 薄膜磁気ヘッド
JP3052625B2 (ja) 磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド
KR100234172B1 (ko) 박막 자기헤드의 자기 저항소자
US5668523A (en) Magnetoresistive sensor employing an exchange-bias enhancing layer
JPH05135332A (ja) 磁気抵抗効果再生ヘツドおよびそれを用いた磁気記録装置
JPH06267034A (ja) 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
JPH08147631A (ja) 磁気記録再生装置
JPH06203333A (ja) 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
JP2979966B2 (ja) 磁気ヘッド
JP2812280B2 (ja) 磁気抵抗効果素子および外部磁場再生方法
JPH0256713A (ja) 磁気抵抗効果型再生ヘッド
JP2861714B2 (ja) 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気ディスク装置
JP3040892B2 (ja) 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
JPS5987612A (ja) 垂直磁気記録方式
JPS58102321A (ja) 磁気ヘツド
JPH0714710A (ja) 磁気抵抗効果素子
JPS61287025A (ja) 磁気抵抗効果型再生ヘツド
JPH05217128A (ja) 磁気抵抗効果型磁気ヘッド
JPH06119620A (ja) 磁気抵抗効果ヘッド

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee