JPH08203039A - 薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗素子に縦方向のバイアスを与えるた
めの反強磁性磁気交換層を具備して内部環境特性を改善
することにより出力特性を向上させることにある。 【構成】 軟磁性薄膜層と、非磁性スペ−サ薄膜層及び
磁気抵抗層２７の３層構造よりなり、前記３層構造の後
方非活性領域にギャップを有するＣ形状の楕円を有し、
前記後方非活性領域で前記磁気抵抗層２７を覆う反強磁
性交換層２８と、検出領域を限定する活性前方領域内で
前記磁気抵抗層に直接連結され、そして前記３層構造の
前記後方非活性領域で前記反強磁性交換層と重なる空間
導体リ−ド２９とを含むことを特徴とする
めの反強磁性磁気交換層を具備して内部環境特性を改善
することにより出力特性を向上させることにある。 【構成】 軟磁性薄膜層と、非磁性スペ−サ薄膜層及び
磁気抵抗層２７の３層構造よりなり、前記３層構造の後
方非活性領域にギャップを有するＣ形状の楕円を有し、
前記後方非活性領域で前記磁気抵抗層２７を覆う反強磁
性交換層２８と、検出領域を限定する活性前方領域内で
前記磁気抵抗層に直接連結され、そして前記３層構造の
前記後方非活性領域で前記反強磁性交換層と重なる空間
導体リ−ド２９とを含むことを特徴とする
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドの磁気抵
抗素子に係り、より詳細には磁気抵抗素子に縦方向のバ
イアスを与えるための磁気交換膜を具備して内部の環境
特性を改善することにより出力特性を向上させた薄膜磁
気ヘッドの磁気抵抗素子に関する。
抗素子に係り、より詳細には磁気抵抗素子に縦方向のバ
イアスを与えるための磁気交換膜を具備して内部の環境
特性を改善することにより出力特性を向上させた薄膜磁
気ヘッドの磁気抵抗素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドはＨＤＤ（Hard Disk Dr
ive)、ＶＴＲなどのディジタル信号処理体系を有する装
置に主に適用されているが、これは最近開発されたＤＣ
Ｃ（Digital Compact Casette)プレイヤにも採用されて
いる。
ive)、ＶＴＲなどのディジタル信号処理体系を有する装
置に主に適用されているが、これは最近開発されたＤＣ
Ｃ（Digital Compact Casette)プレイヤにも採用されて
いる。
【０００３】このような薄膜型磁気ヘッドは磁気場によ
りその抵抗値が変化する磁気抵抗素子（ＭＲ；Magneto
Resistive Element)を利用したものである。前記磁気抵
抗素子は、通常その出力特性を向上させるために素子の
横方向と縦方向にそれぞれバイアスを印加すべきであ
る。このため、磁気抵抗素子は、磁気抵抗膜、非磁性絶
縁又は抵抗膜、バイアス膜などが積層された多層膜構造
をなすようになる。
りその抵抗値が変化する磁気抵抗素子（ＭＲ；Magneto
Resistive Element)を利用したものである。前記磁気抵
抗素子は、通常その出力特性を向上させるために素子の
横方向と縦方向にそれぞれバイアスを印加すべきであ
る。このため、磁気抵抗素子は、磁気抵抗膜、非磁性絶
縁又は抵抗膜、バイアス膜などが積層された多層膜構造
をなすようになる。
【０００４】図４には前記したことのような多層膜構造
を有する磁気抵抗素子の一例を示した。これは磁気抵抗
膜１１に導電膜１２と絶縁膜１３及び軟磁性バイアス膜
１４が順に積層された構造をなしていた。このような多
層膜積層構造は縦方向のバイアスが印加されないので、
再生時に問題となるバルクハウゼンノイズ（ Barkhause
n noise)が発生し、また狭トラックの記録には適しなく
て高密度記録用としては使用できなかった。
を有する磁気抵抗素子の一例を示した。これは磁気抵抗
膜１１に導電膜１２と絶縁膜１３及び軟磁性バイアス膜
１４が順に積層された構造をなしていた。このような多
層膜積層構造は縦方向のバイアスが印加されないので、
再生時に問題となるバルクハウゼンノイズ（ Barkhause
n noise)が発生し、また狭トラックの記録には適しなく
て高密度記録用としては使用できなかった。
【０００５】図５には前記したような短所を補完するた
めに素子面に縦方向にバイアスを印加する反強磁性磁気
交換膜を素子の両端に設けることにより、多層膜の構造
を改善した磁気抵抗素子を示した。図５に示した磁気抵
抗素子は軟磁性バイアス膜１５に非磁性減結合膜（nonm
agnetic decoupling) １６と磁気抵抗膜１７が順に積層
されており、前記磁気抵抗膜１７の両端にはそれぞれ素
子の縦方向にバイアスを加えるための反強磁性磁気交換
膜１８，１８が積層され、前記反強磁性磁気交換膜１
８，１８の上に導体リ−ド１９が順に積層された多層膜
構造をなしている。
めに素子面に縦方向にバイアスを印加する反強磁性磁気
交換膜を素子の両端に設けることにより、多層膜の構造
を改善した磁気抵抗素子を示した。図５に示した磁気抵
抗素子は軟磁性バイアス膜１５に非磁性減結合膜（nonm
agnetic decoupling) １６と磁気抵抗膜１７が順に積層
されており、前記磁気抵抗膜１７の両端にはそれぞれ素
子の縦方向にバイアスを加えるための反強磁性磁気交換
膜１８，１８が積層され、前記反強磁性磁気交換膜１
８，１８の上に導体リ−ド１９が順に積層された多層膜
構造をなしている。
【０００６】このような構造を有する前記磁気抵抗素子
は軟磁性バイアス膜１５による横方向のバイアスと反強
磁性磁気交換膜１８，１８による縦方向のバイアスが磁
気抵抗膜１７に適切にバイアスを加えることにより高い
出力特性を有するようにした。
は軟磁性バイアス膜１５による横方向のバイアスと反強
磁性磁気交換膜１８，１８による縦方向のバイアスが磁
気抵抗膜１７に適切にバイアスを加えることにより高い
出力特性を有するようにした。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような多層膜構造を有する磁気抵抗素子において前記磁
気交換膜１８は主に反強磁性Ｆｅ−Ｍｎ合金が使用され
る。このような合金は記録媒体との接触面に直接露出さ
れるので、腐食の可能性が高く磁気抵抗素子の内部環境
特性を低下させる短所があった。
ような多層膜構造を有する磁気抵抗素子において前記磁
気交換膜１８は主に反強磁性Ｆｅ−Ｍｎ合金が使用され
る。このような合金は記録媒体との接触面に直接露出さ
れるので、腐食の可能性が高く磁気抵抗素子の内部環境
特性を低下させる短所があった。
【０００８】一般に、ストライプ状磁気抵抗素子の反磁
界（ＨDL）は次の式１のように示される。
界（ＨDL）は次の式１のように示される。
【０００９】即ち、 ＨDL＝−４ΠＭS ｈ／Ｌ ．．．（１） ここで、ＭS は磁気抵抗素子の飽和磁束密度であり、ｈ
は磁気抵抗素子の幅、Ｌは磁気抵抗ストライプの長さを
示す。
は磁気抵抗素子の幅、Ｌは磁気抵抗ストライプの長さを
示す。
【００１０】前記式１からｈ／Ｌ値は図６で分るように
ストライプ状磁気抵抗素子の構造特性上最小限に減らす
に限界がある。
ストライプ状磁気抵抗素子の構造特性上最小限に減らす
に限界がある。
【００１１】したがって、磁気抵抗素子の縦方向に単磁
区を作るためのバイアス磁界（ＨBL）は次の式２のよう
になる。
区を作るためのバイアス磁界（ＨBL）は次の式２のよう
になる。
【００１２】 ＨBL＞ＨDL＋ＨC ．．．（２） ここで、ＨC は磁気抵抗素子の補磁力である。
【００１３】したがって、磁気抵抗素子の反磁界値（Ｈ
DL）が大きくなることにより、これを補償するためのバ
イアス磁界値（ＨBL）も増えて磁気ヘッドの感度を低下
させる短所がある。
DL）が大きくなることにより、これを補償するためのバ
イアス磁界値（ＨBL）も増えて磁気ヘッドの感度を低下
させる短所がある。
【００１４】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、その目的は、磁気抵抗素子に縦方
向のバイアスを与えるための反強磁性磁気交換層を具備
して内部環境特性を改善することにより出力特性を向上
させた薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子を提供することで
ある。
なされたものであり、その目的は、磁気抵抗素子に縦方
向のバイアスを与えるための反強磁性磁気交換層を具備
して内部環境特性を改善することにより出力特性を向上
させた薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子を提供することで
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために請求項１記載の第１の発明による薄膜磁気ヘッド
の磁気抵抗素子は、軟磁性薄膜層と、非磁性スペ−サ薄
膜層及び磁気抵抗層の３層構造よりなり、前記３層構造
の後方非活性領域にギャップを有するＣ形状の楕円を有
し、前記後方非活性領域で前記磁気抵抗層を覆う反強磁
性交換層と、検出領域を限定する活性前方領域内で前記
磁気抵抗層に直接連結され、そして前記３層構造の前記
後方非活性領域で前記反強磁性交換層と重なる空間導体
リ−ドとを含むことを要旨とする。
ために請求項１記載の第１の発明による薄膜磁気ヘッド
の磁気抵抗素子は、軟磁性薄膜層と、非磁性スペ−サ薄
膜層及び磁気抵抗層の３層構造よりなり、前記３層構造
の後方非活性領域にギャップを有するＣ形状の楕円を有
し、前記後方非活性領域で前記磁気抵抗層を覆う反強磁
性交換層と、検出領域を限定する活性前方領域内で前記
磁気抵抗層に直接連結され、そして前記３層構造の前記
後方非活性領域で前記反強磁性交換層と重なる空間導体
リ−ドとを含むことを要旨とする。
【００１６】請求項２記載の第２の発明は、前記本発明
による薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子の特徴によれば、
前記反強磁性交換層は前記ギャップにより前記３層構造
の前記後方非活性領域に空間が形成されることを要旨と
する。
による薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子の特徴によれば、
前記反強磁性交換層は前記ギャップにより前記３層構造
の前記後方非活性領域に空間が形成されることを要旨と
する。
【００１７】請求項３記載の第３の発明は、前記反強磁
性交換層は単磁区状態で前記磁気抵抗層の後方非活性領
域を保つための十分なレベルのバイアス交換によっての
み前記後方非活性領域で直接に縦方向のバイアスを生成
するために前記３層構造の前記後方非活性領域でのみ前
記磁気抵抗層と直接接触し、前記後方非活性領域の前記
単磁区状態は前記磁気抵抗層の前方活性領域での単磁区
状態を含むことを要旨とする。
性交換層は単磁区状態で前記磁気抵抗層の後方非活性領
域を保つための十分なレベルのバイアス交換によっての
み前記後方非活性領域で直接に縦方向のバイアスを生成
するために前記３層構造の前記後方非活性領域でのみ前
記磁気抵抗層と直接接触し、前記後方非活性領域の前記
単磁区状態は前記磁気抵抗層の前方活性領域での単磁区
状態を含むことを要旨とする。
【００１８】請求項４記載の第４の発明は、前記磁気抵
抗層の磁化容易軸は前記３層構造のＣ形の楕円形主軸と
平行であることを要旨とする。
抗層の磁化容易軸は前記３層構造のＣ形の楕円形主軸と
平行であることを要旨とする。
【００１９】
【作用】上述の如く構成すれば、第１の発明の薄膜磁気
ヘッドの磁気抵抗素子は、軟磁性薄膜層と非磁性スペ−
サ薄膜層および磁気抵抗層の３層構造よりなり、この構
造よりなった磁気抵抗素子の後方非活性領域に小さいギ
ャップを有するＣ形状の楕円を備える。縦方向のバイア
ス磁界は磁気抵抗素子の後方非活性領域の磁気抵抗膜上
に直接接触するように積層される反強磁性交換層により
提供されることにより、縦方向バイアスの値が低い磁気
抵抗素子の活性領域において安定した単磁区構造を実現
して出力特性を向上させる。
ヘッドの磁気抵抗素子は、軟磁性薄膜層と非磁性スペ−
サ薄膜層および磁気抵抗層の３層構造よりなり、この構
造よりなった磁気抵抗素子の後方非活性領域に小さいギ
ャップを有するＣ形状の楕円を備える。縦方向のバイア
ス磁界は磁気抵抗素子の後方非活性領域の磁気抵抗膜上
に直接接触するように積層される反強磁性交換層により
提供されることにより、縦方向バイアスの値が低い磁気
抵抗素子の活性領域において安定した単磁区構造を実現
して出力特性を向上させる。
【００２０】第２の発明は、前記本発明による薄膜磁気
ヘッドの磁気抵抗素子の特徴によれば、前記反強磁性交
換層は前記ギャップにより前記３層構造の前記後方非活
性領域に空間が形成されるので、反磁界の減少は磁気抵
抗層の単磁区状態を容易に実現するための効果的であ
る。
ヘッドの磁気抵抗素子の特徴によれば、前記反強磁性交
換層は前記ギャップにより前記３層構造の前記後方非活
性領域に空間が形成されるので、反磁界の減少は磁気抵
抗層の単磁区状態を容易に実現するための効果的であ
る。
【００２１】第３の発明は、前記反強磁性交換層は単磁
区状態で前記磁気抵抗層の後方非活性領域を保つための
十分なレベルのバイアス交換によってのみ前記後方非活
性領域で直接に縦方向のバイアスを生成するために前記
３層構造の前記後方非活性領域でのみ前記磁気抵抗層と
直接接触し、前記後方非活性領域の前記単磁区状態は前
記磁気抵抗層の前方活性領域での単磁区状態を含むの
で、バイアス領域は縦に配向され単磁区状態でＭＲ層の
末端非活性領域を保つに十分な水準となり、これにより
ＭＲ層の前方活性領域で単磁区状態を誘導する。
区状態で前記磁気抵抗層の後方非活性領域を保つための
十分なレベルのバイアス交換によってのみ前記後方非活
性領域で直接に縦方向のバイアスを生成するために前記
３層構造の前記後方非活性領域でのみ前記磁気抵抗層と
直接接触し、前記後方非活性領域の前記単磁区状態は前
記磁気抵抗層の前方活性領域での単磁区状態を含むの
で、バイアス領域は縦に配向され単磁区状態でＭＲ層の
末端非活性領域を保つに十分な水準となり、これにより
ＭＲ層の前方活性領域で単磁区状態を誘導する。
【００２２】第４の発明は、前記磁気抵抗層の磁化容易
軸は前記３層構造のＣ形の楕円形主軸と平行であるの
で、ＭＲ層の前方活性領域で横方向のバイアスが効率よ
く作用できる。
軸は前記３層構造のＣ形の楕円形主軸と平行であるの
で、ＭＲ層の前方活性領域で横方向のバイアスが効率よ
く作用できる。
【００２３】
【実施例】以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【００２４】図１は本発明による磁気抵抗素子の概略的
な平面図であり、図２は図１に示された本発明による磁
気抵抗素子をＶ方向で見た正面図、そして図３は図１に
示された本発明による磁気抵抗素子のＶＩ〜ＶＩ線断面
図である。
な平面図であり、図２は図１に示された本発明による磁
気抵抗素子をＶ方向で見た正面図、そして図３は図１に
示された本発明による磁気抵抗素子のＶＩ〜ＶＩ線断面
図である。
【００２５】前記図１ないし図３を参照すれば、本発明
による薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子は軟磁性薄膜層２
５と、非磁性スペ−サ薄膜層２６および磁気抵抗層２７
が順に積層された３層構造よりなる。この３層構造は薄
膜磁気ヘッドのエアベアリング面（ＡＢＳ）に対応され
る後方非活性領域に小さいギャップを有するＣ形状の楕
円で形成されている。前記磁気抵抗層２７の磁化容易軸
は３層構造の楕円形の主軸と平行な方向である。このよ
うに、磁化容易軸を楕円形の主軸と平行な方向に配置す
ることにより図４のようにＭＲ層の前方活性領域で横方
向のバイアスが効率よく作用するようにした。反強磁性
交換層２８は前記磁気抵抗層２７の後方非活性領域での
み直接接触されるように位置する。前記反強磁性交換層
２８は磁気抵抗層２７と界面交換作用を起こし、結局有
効バイアス領域は前記磁気抵抗層２７により影響を受け
る。その結果、バイアス領域は縦に配向され単磁区状態
でＭＲ層の末端非活性領域を保つに十分な水準となり、
これによりＭＲ層の前方活性領域で単磁区状態を誘導す
る。
による薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子は軟磁性薄膜層２
５と、非磁性スペ−サ薄膜層２６および磁気抵抗層２７
が順に積層された３層構造よりなる。この３層構造は薄
膜磁気ヘッドのエアベアリング面（ＡＢＳ）に対応され
る後方非活性領域に小さいギャップを有するＣ形状の楕
円で形成されている。前記磁気抵抗層２７の磁化容易軸
は３層構造の楕円形の主軸と平行な方向である。このよ
うに、磁化容易軸を楕円形の主軸と平行な方向に配置す
ることにより図４のようにＭＲ層の前方活性領域で横方
向のバイアスが効率よく作用するようにした。反強磁性
交換層２８は前記磁気抵抗層２７の後方非活性領域での
み直接接触されるように位置する。前記反強磁性交換層
２８は磁気抵抗層２７と界面交換作用を起こし、結局有
効バイアス領域は前記磁気抵抗層２７により影響を受け
る。その結果、バイアス領域は縦に配向され単磁区状態
でＭＲ層の末端非活性領域を保つに十分な水準となり、
これによりＭＲ層の前方活性領域で単磁区状態を誘導す
る。
【００２６】空間導体リ−ド２９はバイアス電流が磁気
抵抗層２７に供給され、出力信号が感知されるように前
方活性領域の磁気抵抗層２７の上層と後方非活性領域の
反強磁性交換層２８の上層に直接積層される。空間導体
リ−ド２９は線型応答モ−ドで磁気抵抗層２７の領域を
十分に保つための水準の横バイアスを具備した磁気抵抗
層２７の活性判読領域を限定する。
抵抗層２７に供給され、出力信号が感知されるように前
方活性領域の磁気抵抗層２７の上層と後方非活性領域の
反強磁性交換層２８の上層に直接積層される。空間導体
リ−ド２９は線型応答モ−ドで磁気抵抗層２７の領域を
十分に保つための水準の横バイアスを具備した磁気抵抗
層２７の活性判読領域を限定する。
【００２７】このように、前記した小さいギャップを有
する磁気抵抗素子のＣ形状の楕円構造は、“磁気的に閉
鎖された”構造なので、減った縦方向の反磁界ＨDL値を
有する。反磁界の減少は磁気抵抗層の単磁区状態を容易
に実現するための効果的な方法である。ストライプ状磁
気抵抗素子を使用する場合よりさらに小さい縦方向のバ
イアス系値は単磁区状態の磁気抵抗素子の活性領域を保
つために必要であり、このため出力信号からバルクハウ
ゼンノイズを取り除くことができる。これと共に、縦方
向のバイアス磁界値ＨBLは磁気抵抗素子の効果的な磁気
異方性の増加に大きい影響を及ばない。
する磁気抵抗素子のＣ形状の楕円構造は、“磁気的に閉
鎖された”構造なので、減った縦方向の反磁界ＨDL値を
有する。反磁界の減少は磁気抵抗層の単磁区状態を容易
に実現するための効果的な方法である。ストライプ状磁
気抵抗素子を使用する場合よりさらに小さい縦方向のバ
イアス系値は単磁区状態の磁気抵抗素子の活性領域を保
つために必要であり、このため出力信号からバルクハウ
ゼンノイズを取り除くことができる。これと共に、縦方
向のバイアス磁界値ＨBLは磁気抵抗素子の効果的な磁気
異方性の増加に大きい影響を及ばない。
【００２８】これにより、信号の磁束に対するヘッドの
感度は減少する。効果的な縦方向のバイアス磁界は反強
磁性交換層２８と磁気抵抗層２７の相互交換作用により
生成される。
感度は減少する。効果的な縦方向のバイアス磁界は反強
磁性交換層２８と磁気抵抗層２７の相互交換作用により
生成される。
【００２９】
【発明の効果】以上で説明したように、第１の発明によ
る薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子は、軟磁性薄膜層と、
非磁性スペ−サ薄膜層および磁気抵抗層の３層構造より
なり、前記３層構造よりなった磁気抵抗素子の後方非活
性領域に小さいギャップを有するＣ形状の楕円を有す
る。縦方向のバイアス磁界は磁気抵抗素子の後方非活性
領域の磁気抵抗膜の上に直接接触するように積層される
反強磁性交換層により提供される。したがって、縦方向
バイアス値が低い磁気抵抗素子の活性領域において安定
した単磁区構造を実現することにより出力特性を向上さ
せうる。
る薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子は、軟磁性薄膜層と、
非磁性スペ−サ薄膜層および磁気抵抗層の３層構造より
なり、前記３層構造よりなった磁気抵抗素子の後方非活
性領域に小さいギャップを有するＣ形状の楕円を有す
る。縦方向のバイアス磁界は磁気抵抗素子の後方非活性
領域の磁気抵抗膜の上に直接接触するように積層される
反強磁性交換層により提供される。したがって、縦方向
バイアス値が低い磁気抵抗素子の活性領域において安定
した単磁区構造を実現することにより出力特性を向上さ
せうる。
【００３０】第２の発明は、前記本発明による薄膜磁気
ヘッドの磁気抵抗素子の特徴によれば、前記反強磁性交
換層は前記ギャップにより前記３層構造の前記後方非活
性領域に空間が形成されるので、反磁界の減少は磁気抵
抗層の単磁区状態を容易に実現するための効果的であ
る。
ヘッドの磁気抵抗素子の特徴によれば、前記反強磁性交
換層は前記ギャップにより前記３層構造の前記後方非活
性領域に空間が形成されるので、反磁界の減少は磁気抵
抗層の単磁区状態を容易に実現するための効果的であ
る。
【００３１】第３の発明は、前記反強磁性交換層は単磁
区状態で前記磁気抵抗層の後方非活性領域を保つための
十分なレベルのバイアス交換によってのみ前記後方非活
性領域で直接に縦方向のバイアスを生成するために前記
３層構造の前記後方非活性領域でのみ前記磁気抵抗層と
直接接触し、前記後方非活性領域の前記単磁区状態は前
記磁気抵抗層の前方活性領域での単磁区状態を含むの
で、バイアス領域は縦に配向され単磁区状態でＭＲ層の
末端非活性領域を保つに十分な水準となり、これにより
ＭＲ層の前方活性領域で単磁区状態を誘導する。
区状態で前記磁気抵抗層の後方非活性領域を保つための
十分なレベルのバイアス交換によってのみ前記後方非活
性領域で直接に縦方向のバイアスを生成するために前記
３層構造の前記後方非活性領域でのみ前記磁気抵抗層と
直接接触し、前記後方非活性領域の前記単磁区状態は前
記磁気抵抗層の前方活性領域での単磁区状態を含むの
で、バイアス領域は縦に配向され単磁区状態でＭＲ層の
末端非活性領域を保つに十分な水準となり、これにより
ＭＲ層の前方活性領域で単磁区状態を誘導する。
【００３２】第４の発明は、前記磁気抵抗層の磁化容易
軸は前記３層構造のＣ形の楕円形主軸と平行であるの
で、ＭＲ層の前方活性領域で横方向のバイアスが効率よ
く作用する。
軸は前記３層構造のＣ形の楕円形主軸と平行であるの
で、ＭＲ層の前方活性領域で横方向のバイアスが効率よ
く作用する。
【図１】本発明による磁気抵抗素子の概略的平面図であ
る。
る。
【図２】図１に示された本発明による磁気抵抗素子をＶ
方向から見た正面図である。
方向から見た正面図である。
【図３】図２に示された本発明による磁気抵抗素子のＶ
Ｉ〜ＶＩ線の断面図である。
Ｉ〜ＶＩ線の断面図である。
【図４】従来の横方向のバイアスがない磁気抵抗素子の
多層膜構造に対する一例を示す概略図である。
多層膜構造に対する一例を示す概略図である。
【図５】従来の横方向のバイアスがある磁気抵抗素子の
多層膜構造に対する他の例を示す概略図である。
多層膜構造に対する他の例を示す概略図である。
【図６】図５に示された磁気抵抗素子の平断面図であ
る。
る。
２５ 軟磁性薄膜層 ２６ 非磁性スペーサ薄膜層 ２７ 磁気抵抗層 ２８ 反強磁性交換層 ２９ 空間導体リード
Claims (4)
- 【請求項１】 軟磁性薄膜層と、非磁性スペ−サ薄膜層
及び磁気抵抗層の３層構造よりなり、前記３層構造の後
方非活性領域にギャップを有するＣ形状の楕円を有し、 前記後方非活性領域で前記磁気抵抗層を覆う反強磁性交
換層と、 検出領域を限定する活性前方領域内で前記磁気抵抗層に
直接連結され、そして前記３層構造の前記後方非活性領
域で前記反強磁性交換層と重なる空間導体リ−ドとを含
むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子。 - 【請求項２】 前記反強磁性交換層は前記ギャップによ
り前記３層構造の前記後方非活性領域に空間が形成され
たことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの磁
気抵抗素子。 - 【請求項３】 前記反強磁性交換層は単磁区状態で前記
磁気抵抗層の後方非活性領域を保つための十分なレベル
のバイアス交換によってのみ前記後方非活性領域で直接
に縦方向のバイアスを生成するために前記３層構造の前
記後方非活性領域でのみ前記磁気抵抗層に直接接触し、
前記後方非活性領域の前記単磁区状態は前記磁気抵抗層
の前方活性領域で単磁区状態を含むことを特徴とする請
求項２記載の薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子。 - 【請求項４】 前記磁気抵抗層の磁化容易軸は前記３層
構造のＣ形楕円主軸と平行であることを特徴とする請求
項１記載の薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1995P1560 | 1995-01-27 | ||
| KR1019950001560A KR100234172B1 (ko) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 박막 자기헤드의 자기 저항소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203039A true JPH08203039A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=19407395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7165488A Pending JPH08203039A (ja) | 1995-01-27 | 1995-06-30 | 薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5703738A (ja) |
| JP (1) | JPH08203039A (ja) |
| KR (1) | KR100234172B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5936811A (en) * | 1997-06-12 | 1999-08-10 | International Business Machines Corporation | Magnetic head with vialess lead layers from MR sensor to pads |
| KR100276771B1 (ko) | 1998-01-16 | 2001-01-15 | 윤종용 | 하드디스크 드라이브의 자기저항 헤드 장치 |
| US6201673B1 (en) | 1999-04-02 | 2001-03-13 | Read-Rite Corporation | System for biasing a synthetic free layer in a magnetoresistance sensor |
| JP4462790B2 (ja) * | 2001-09-04 | 2010-05-12 | ソニー株式会社 | 磁気メモリ |
| US7580228B1 (en) * | 2004-05-29 | 2009-08-25 | Lauer Mark A | Current perpendicular to plane sensor with non-rectangular sense layer stack |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE3787509T2 (de) * | 1986-11-28 | 1994-01-20 | Nippon Electric Co | Dünnfilmmagnetkopf. |
| US4967298A (en) * | 1987-02-17 | 1990-10-30 | Mowry Greg S | Magnetic head with magnetoresistive sensor, inductive write head, and shield |
| US4755897A (en) * | 1987-04-28 | 1988-07-05 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor with improved antiferromagnetic film |
| JPH0536032A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘツド及びその製造方法 |
| US5268806A (en) * | 1992-01-21 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive transducer having tantalum lead conductors |
| US5325253A (en) * | 1993-02-17 | 1994-06-28 | International Business Machines Corporation | Stabilization of magnetoresistive transducer using canted exchange bias |
-
1995
- 1995-01-27 KR KR1019950001560A patent/KR100234172B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-06-07 US US08/472,975 patent/US5703738A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-30 JP JP7165488A patent/JPH08203039A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5703738A (en) | 1997-12-30 |
| KR960030101A (ko) | 1996-08-17 |
| KR100234172B1 (ko) | 1999-12-15 |
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