DE3787509T2 - Dünnfilmmagnetkopf. - Google Patents

Dünnfilmmagnetkopf.

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Dünnfilmmagnetkopf, der in einem magnetischen Lese- und Aufzeichnungsgerät, wie etwa einem Magnetplattenlaufwerk, einem Magnetbandlaufwerk, usw., verwendet wird, und insbesondere einen Dünnfilmmagnetkopf unter Verwendung eines Magneto-Widerstands-(MR)-Elements, das durch die Dünnschichtbildungstechnologie hergestellt wird.
  • Der Dünnfilmmagnetkopf, der das Magneto-Widerstands-(MR)- Element verwendet, wird in JP-A-150315/1976 beschrieben. Der herkömmliche Dünnfilmmagnetkopf umfaßt ein Substrat, auf dem ein Bügelpaar aus einem weichmagnetischen Material hoher Permeabilität über einer Isolierschicht durch die Dünnschichtbildungstechnologie gebildet ist. Die einen Enden der Bügel bilden einen Spalt, der einen Magnetfluß erzeugt, der auf ein magnetisches Medium angewendet wird. Die anderen Enden der Bügel sind durch ein weichmagnetisches Material hoher Permeabilität (Rückweg) und das MR-Element magnetisch verbunden. Das MR-Element ist mit Kontakten versehen, um ihnen während eines Lesevorgangs einen Ansteuerungsstrom zuzuführen. Die Bügel sind mit einer Spule versehen, an die ein Aufzeichnungsstrom angelegt ist.
  • Bei dem herkömmlichen Dünnfilmmagnetkopf ist dessen Spurbreite durch die Dicke des Bügels bestimmt. Dementsprechend kann die Spurbreite leicht durch Verminderung der Bügeldicke verringert werden, um hohe Aufzeichnungsdichte zu erhalten. Jedoch ist die Richtung der leichtesten Magnetisierbarkeit des MR-Elements die gleiche wie die Längsrichtung des MR-Elements. Da der Magnetfluß entlang der Längsrichtung des MR-Elements fließt, werden die Blochwände in dem MR-Element erzeugt, so daß in dem Ausgangssignal des MR-Elements Barkhausen-Rauschen hervorgerufen wird, so daß der Rauschabstand des Ausgangssignals verschlechtert wird. Ferner, da die Richtung der leichtesten Magnetisierbarkeit der Bügel und der Rückweg beliebig sind, fließt der Magnetfluß nicht effektiv durch die Bügel und den Rückweg. Folglich ist das Ausgangssignal des MR-Elements nicht ausreichend.
  • US-A-4,388,662 beschreibt einen Dünnfilmmagnetkopf gemäß der Präambel von Patentanspruch I. US-A-4,385,334 beschreibt einen Magnetkopf mit Abschirmteilen, um den Kopf vor dem Magnetfluß der angrenzenden Magnetmuster zu schützen.
  • Demgemäß ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Dünnfilmmagnetkopf mit einer hohen elektromagnetischen Wandlungseffizienz und einem verringerten Rauschpegel des Ausgangssignals bereitzustellen. Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen der Patentansprüche gelöst.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1 ist eine einen Dünnfilmmagnetkopf zeigende perspektivische Ansicht;
  • die Fig. 2 und 3 zeigen den Betrieb der MR-Elemente, die in dem in Fig. 1 gezeigten Dünnfilmmagnetkopf verwendet werden;
  • Fig. 4 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Dünnfilmmagnetkopf schematisch zeigt;
  • die Fig. 5A bis 5C sind eine perspektivische Ansicht und Querschnittsansichten, die einen Dünnfilmmagnetkopf gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen; und
  • Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch einen Dünnfilmmagnetkopf gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Fig. 1 zeigt schematisch einen Dünnfilmmagnetkopf. Der Magnetkopf umfaßt ein Substrat 1, das aus einem nichtmagnetischen Material, wie etwa A1&sub2;O&sub3;-TiC besteht. Eine Isolierschicht 11 aus Siliziumoxid von etwa 10 um Dicke wird durch Sputtern auf dem Substrat I ausgebildet. Ein Bügelpaar 2 ist auf der Isolierschicht 11 ausgebildet. Die Bügel 2 bestehen aus weichmagnetischem Material hoher magnetischer Permeabilität, wie etwa Co&sub9;&sub0;Zr&sub1;&sub0; (Gew.-%), deren Dicke TW 2 um beträgt. Die Bügel 2 werden durch Sputtern der Co-Zr-Legierung im Magnetfeld, das in Fig. 1 in x-Richtung verläuft, und dann durch Ätzen der Co-Zr- Schicht gebildet, um die L-förmige Struktur zu formen. Dementsprechend wird die magnetische Anisotropie (Richtung der leichtesten Magnetisierbarkeit) der Bügel 2 in x-Richtung ausgerichtet. Ein Abstand zwischen den einen Enden 2a der Bügel 2 bestimmt einen magnetischen Spalt, dessen Wert etwa 0.5 um beträgt.
  • Ein U-förmiger Rückweg 3 ist auf der Isolierschicht 11 in gleicher Weise wie die Bügel 2 ausgebildet, so daß beide Enden des Rückwegs 3 den anderen Enden 2b der Bügel 2 sowohl gegenüberstehen als auch von ihnen entfernt sind. Der Rückweg 3 besteht ebenfalls aus Co&sub9;&sub0;Zr&sub1;&sub0;-Legierung und seine Dicke beträgt 2 um. Es sollte bemerkt werden, daß die Co-Zr-Legierung zur Bildung des Rückwegs 3 in einem Magnetfeld gesputtert wird, das in Fig. 1 in y-Richtung verläuft, so daß die magnetische Anisotropie des Rückwegs 3 in y-Richtung ausgerichtet ist.
  • Die Oberschicht der Bügel 2 und des Rückwegs 3 und die Räume zwischen den Bügeln 2 und dem Rückweg 3 sind durch Sputtern mit einer Isolierschicht 12 aus Siliziumoxid bedeckt. Die Oberfläche der Isolierschicht 12 ist eben gemacht. Ein Paar von Magneto-Widerstands-(MR)-Elementen 41 und 42 ist durch Verdampfen auf der Isolierschicht 12 an der Stelle über den anderen Enden 2b der Bügel 2 und den Enden des Rückwegs 3 ausgebildet, so daß die MR-Elemente 41 und 42 mit den Bügeln 2 und dem Rückweg 3 magnetisch verbunden sind. Die MR-Elemente 41 und 42 bestehen aus Ni&sub8;&sub1;Fe&sub1;&sub9;-Legierung (Atom-%) und ihre Dicke beträgt 0.03 um. Ein Paar hartmagnetischer Materialien 43 und 44, die aus Co&sub7;&sub0;Pt&sub3;&sub0;-Legierung (Atom-%) bestehen, ist zur Vormagnetisierung der MR-Elemente 41 und 42 auf den MR-Elementen 41 und 42 ausgebildet. Die hartmagnetischen Materialien 43 und 44 ermöglichen, daß der magnetische Vektor der MR-Elemente 41 und 42 einen Winkel von 450 zur Flußrichtung des an die MR-Elemente 41 und 42 angelegten Vormagnetisierungsstroms bildet. Die Dicke der hartmagnetischen Materialien 43 und 44 beträgt vorzugsweise etwa 0.045 um.
  • Wie schematisch gezeigt ist, sind die MR-Elemente 41 und 42 jeweils mit elektrischen Kontakten TB und TA verbunden, denen ein Vormagnetisierungsstrom zugeführt wird. Ferner sind die MR-Elemente 41 und 42 durch einen Leiter 45, wie etwa Au oder Cu, miteinander elektrisch verbunden, und ein dazwischenliegender Anschluß TC ist mit dem Leiter 45 verbunden.
  • Wie in Fig. 2 gezeigt ist, wird eine positive Spannung an den Kontakt TA und eine negative Spannung an den Kontakt TB angelegt, so daß der konstante Vormagnetisierungsstrom oder der Lesestrom I den MR-Elementen 41 und 42 zugeführt wird. Der dazwischenliegende Anschluß TC ist geerdet. Der magnetische Vektor 41v und 42v in den MR-Elementen 41 und 42 bildet bezüglich der Richtung des Stroms I einen Winkel von 450 , wie mit dem durchgezogenen Pfeil gezeigt ist.
  • Wenn der Magnetfluß von einem magnetischen Aufzeichnungsmedium, wie etwa einer Magnetplatte oder einem Magnetband, an die einen Enden 2a der Bügel 2 angelegt wird, flieht der Magnetfluß durch den rechtsseitigen Bügel 2, den Rückweg 3 und den linksseitigen Bügel 2. Dementsprechend wird dem MR-Element 41 ein Magnetfeld He&sub1; zugeführt, so daß der magnetische Vektor 41v gegen den Uhrzeigersinn um einen Winkel ΔR gedreht wird, wie mit dem gestrichelten Pfeil in Fig. 2 gezeigt ist. Das heißt, der Widerstand des MR-Elements 41 wird um ΔR verkleinert. Andererseits wird dem MR-Element 42 ein Magnetfeld He&sub2; zugeführt, dessen Richtung dem Magnetfeld He&sub1; entgegengesetzt ist. Dementsprechend wird der magnetische Vektor 42v im Uhrzeigersinn um den Winkel ΔR gedreht, wie mit dem gestrichelten Pfeil gezeigt ist, und der Widerstand des MR-Elements 42 wird um ΔR vergrößert.
  • Als Antwort auf die Widerstandsänderung der MR-Elemente 41 und 42 werden die Spannungen VAC und VBC zwischen dem Kontakt TA und dem Anschluß TC und zwischen dem Anschluß TC und dem Kontakt TB jeweils umgekehrt geändert. Ein Differentialverstärker 46 weist die Differenzspannung zwischen den Spannungen VAC und VBC nach und erzeugt ein Ausgangssignal (= Lesesignal) mit einem Wert von 2·ΔR·I, der zweimal so grob wie der durch nur ein MR-Element erhaltene Wert ist. Sogar wenn den MR-Elementen 41 und 42 ein unerwünschter Magnetfluß zugeführt wird, haben die Änderungen der Spannungen VAC und VBC aufgrund des unerwünschten Magnetflusses die gleiche Polarität, und deshalb werden die Änderungen gegeneinander durch den Differentialverstärker 46 aufgehoben. Zusätzlich, sogar wenn sich der Widerstand der MR-Elemente 41 und 42 aufgrund von Wärmeänderung ändert, wird die Änderung der Spannungen VAC und VBC aufgrund der Wärmeänderung ebenfalls gegeneinander aufgehoben. Dementsprechend wird das Rauschen in dem Ausgangssignal außerordentlich verringert.
  • Fig. 3 zeigt ein anderes Beispiel der elektrischen Verbindung in dem Fall, wenn der Vormagnetisierungsstrom I an die MR- Elemente 41 und 42 in zueinander entgegengesetzter Richtung angelegt wird. Der konstante Vormagnetisierungsstrom I flieht jeweils von den Kontakten TA und TB über die MR-Elemente 41 und 42 zu dem Anschluß TC. In diesem Fall ist ein Differentialverstärker 46' direkt mit den Kontakten TA und TB verbunden.
  • Da in Fig. 1 die magnetische Anisotropie der Bügel 2 in x- Richtung und die des Rückweges 3 in y-Richtung ausgerichtet ist, flieht der Magnetfluß durch die Bügel 2 und den Rückweg 3 senkrecht zur magnetischen Anisotropie. Dementsprechend wird die Bewegung des Magnetflusses durch die Drehung des magnetischen Vektors durchgeführt, so daß der Magnetkopf mit relativ hoher Frequenz und hohem elektromagnetischen Wirkungsgrad arbeiten kann. In anderen Worten, das Ausgangssignal des Magnetkopfes wird nicht verschlechtert.
  • Zum Zweck der Veranschaulichung sind in Fig. 4 das Substrat 1, die Isolierschichten 11 und 12 und die hartmagnetischen Materialien 43 und 44 weggelassen.
  • Um den Rückweg 3 herum ist eine Spule 7 vorgesehen, die aus etwa 1 um dickem Cu besteht. Die Spule 7 wird durch Plattierung unter Verwendung eines Photoresist-Musters gebildet. Wie auf dem Fachgebiet gut bekannt ist, umfaßt die Spule 7 relativ zum Rückweg 3 einen unteren Abschnitt und einen oberen Abschnitt. Jede der Enden der Spule 7 sind jeweils mit Anschlüssen TD und TE verbunden, an die Aufzeichnungsstrom angelegt wird. Wenn der Aufzeichnungsstrom angelegt ist, wird der Magnetfluß entlang der Bügel 2 und des Rückwegs 3 erzeugt. Der Magnetfluß wird zur Aufzeichnungsinformation auf ein Aufzeichnungsmedium an den Enden 2a der Bügel 2 verwendet, wie im vorhergehend beschriebenen JP-A-150315/1976 beschrieben ist.
  • Fig. 5A zeigt schematisch eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Der Unterschied zwischen den in Verbindung mit den Fig. 1 und 4 beschriebenen Magnetköpfen einerseits und der ersten Ausführungsform andererseits besteht darin, daß der Rückweg 3 auf der Ebene ausgebildet ist, die von der Ebene, auf der die Bügel 2 ausgebildet sind, verschieden ist. In Fig. 5A sind zum Zweck der Veranschaulichung das Substrat 1, die Isolierschichten 11 und 12 und die hartmagnetischen Materialien 43 und 44 weggelassen.
  • Gemäß Fig. 5B, die eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B in Fig. 5A ist, ist der Bügel 2 auf der Isolierschicht 11 ausgebildet. Der Bügel 2 ist mit der nächsten Isolierschicht 12 bedeckt und dann sind das MR-Element 41 und das hartmagnetische Material 43 so ausgebildet, daß eine Kante des MR-Elements 41 den Bügel 2 überlappt. Das MR-Element 41 und das Material 43 sind mit einer Isolierschicht 13 bedeckt, die aus 0.5 um dickem Siliziumoxid (SiO&sub2;) besteht.
  • Außerdem gemäß Fig. 5C, die eine Querschnittsansicht entlang der Linie C-C in Fig. 5A ist, ist ein unteres Spulenmuster 7 auf der Isolierschicht 13 an der Stelle ausgebildet, an der der Mittelabschnitt des Rückwegs 3 gebildet werden soll. Das untere Spulenmuster 7 besteht aus Cu und wird mit einer Dicke von 2 um durch ein durchgehendes Hall-Plattierungsverfahren gebildet. Eine Isolierschicht 14 aus Siliziumoxid von etwa 0.5 um ist dann auf dem unteren Spulenmuster 7 so dick ausgebildet, daß eine elektrische Verbindung zwischen dem unteren Spulenmuster 7 und dem Rückweg 3 isoliert ist. Als nächstes ist der Rückweg 3 in ähnlicher Weise wie der Kopf gemäß Fig. 1 ausgebildet, so daß dessen Mittelabschnitt auf der Isolierschicht 14 liegt und beide Enden von ihm auf der Isolierschicht 13 liegen. Die beiden Enden des Rückwegs 3 überlappen das MR-Element 41, so daß der Bügel 2, die MR-Elemente 41 und 42 und der Rückweg 3 magnetisch verbunden sind, wie in Fig. 5B gezeigt ist. Die Oberschicht des Rückwegs 3 ist mit einer Isolierschicht 15 bedeckt, die aus 0.5 um dickem Siliziumoxid besteht.
  • Die Isolierschichten 14 und 15, die oberhalb beider Enden des unteren Spulenmusters 7 angeordnet sind, werden durch ein Ätzverfahren entfernt, indem ein gewünschtes Abdeckungsmuster verwendet wird, um einen elektrischen Kontakt zwischen dem unteren und oberen Spulenmuster 7 und 7u zu erhalten. Das obere Spulenmuster 7u, das aus Cu besteht, wird dann in der gleichen Weise wie das untere Spulenmuster 7 auf der Isolierschicht 15 ausgebildet, so daß das untere und obere Spulenmuster 7 und 7u eine fortlaufende Spulenwicklung um den Rückweg 3 herum bilden.
  • Bei der ersten Ausführungsform sind beide Enden des unteren Spulenmusters 7 mit den Isolierschichten 14 und 15 bedeckt, von denen jede eine Dicke von 0.5 um besitzt. Dementsprechend wird das Ätzen zur Offenlegung beider Enden des unteren Spulenmusters 7 benötigt, um lediglich 1 um Dicke der Isolierschichten 14 und 15 zu entfernen. Im Gegensatz dazu wird bei dem Kopf gemäß Fig. 4 das Ätzen benötigt, um etwa 3 um Dicke der Isolierschicht zu entfernen, da der Rückweg 3 in die 2.5 um dicke Isolierschicht 12 und die 0.5 um dicke Isolierschicht eingebettet ist, die zwischen dem unteren Spulenmuster und dem Rückweg 3 vorgesehen ist. Insbesondere werden bei der ersten Ausführungsform zum Ätzen etwa 18 bis 40 Minuten benötigt, während bei dem Kopf gemäß Fig. 4 50 bis 120 Minuten benötigt werden.
  • Fig. 6 zeigt schematisch eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, in der zum Zweck der Veranschaulichung das Substrat 1, die Isolierschichten 11, 13, 14 und 15 und die hartmagnetischen Materialien 42 und 43 weggelassen sind. Der Unterschied zur ersten Ausführungsform besteht darin, daß zusätzlich an den unteren und oberen Abschnitten der Bügel 2 erste und zweite Abschirmschichten 16 und 17 vorgesehen sind. Die erste Abschirmschicht 16 besteht aus 3 um dicker Cu-Al-Legierung und wird durch Sputtern auf der Isolierschicht 11 ausgebildet, bevor die Bügel 2 gebildet werden. Die Schicht aus Co- Zr-Legierung wird direkt auf der ersten Abschirmschicht 16 gebildet und zusammen mit der ersten Abschirmschicht 16 verätzt, um die Bügel 2 zu bilden. Die erste Abschirmschicht 16 und die Bügel 2 sind in die Isolierschicht 12 eingebettet, und dann wird die Oberfläche der Isolierschicht 12 eben gemacht, indem in einer Argongasatmosphäre rückgeätzt wird. Danach wird die zweite Abschirmschicht 17 aus Cu-Al-Legierung durch Sputtern auf etwa 3 um Dicke auf der Isolierschicht 12 gebildet. Die zweite Abschirmschicht 17 wird zu einem Trapez geformt, um die Vorderabschnitte der Bügel 2 abzudecken. In der Folge werden die MR-Elemente 41 und 42, das untere Spulenmuster 7l, der Rückweg 3, das obere Spulenmuster 7u, die dazwischenliegenden Isolierschichten, usw., in der gleichen Weise wie die erste Ausführungsform gebildet.
  • Bei der zweiten Ausführungsform verhindern die aus leitfähigem Material bestehenden ersten und zweiten Abschirmschichten 16 und 17, daß die Bügel 2 dem Magnetfluß von den angrenzenden Spuren im Lesevorgang ausgesetzt werden. Entsprechend verhindern die Abschirmschichten 16 und 17, daß der von den Bügeln 2 erzeugte Magnetfluß von den angrenzenden Spuren im Aufzeichnungsvorgang beeinflußt wird. Demgemäß kann sicherlich eine höhere Spurdichte als bei der vorhergehenden Ausführungsform erhalten werden.
  • Bei der ersten Ausführungsform ist die Spule 7 um den Rückweg 3 herum ausgebildet. Die Spule 7 kann jedoch um die Bügel 2 herum ausgebildet werden. Ferner, obwohl Co-Zr-Legierung für die Bügel 2 und den Rückweg 3 verwendet wird, kann auch anderes weichmagnetisches Material verwendet werden. Zudem kann Aluminiumoxid oder anderes Material für die Isolierschichten verwendet werden.

Claims (5)

1. Dünnfilmmagnetkopf zum Lesen aufgezeichneter Information von einem magnetischen Aufzeichnungsmedium, das sich relativ zu dem Dünnfilmmagnetkopf in eine erste Richtung (x) bewegt, wobei der Dünnfilmmagnetkopf umfaßt:
ein Bügelpaar (2,2), das aus einem magnetisch durchlässigen Film mit einer bestimmten Dicke (TW) besteht, wobei die Dicke der Bügel eine Spurbreite des Dünnfilmmagnetkopfes bestimmt, ein Raum (GL) zwischen ersten Enden des Bügelpaares einen magnetischen Spalt des Dünnfilmmagnetkopfes definiert und die zweiten Enden des Bügelpaares entfernt voneinander angeordnet sind; ein Paar Magneto-Widerstands-Elemente (41,42), die jeweils mit den zweiten Enden des Bügelpaares magnetisch verbunden sind;
erste und zweite Kontakte (TA und TB), die mit dem Paar Magneto-Widerstands-Elemente (42 bzw. 41) elektrisch verbunden sind, um mit Vormagnetisierungsstrom versorgt zu werden; einen Leiter, der mit dem Paar Magneto-Widerstands-Elemente (41,42) elektrisch verbunden ist, und einen dazwischenliegenden Kontakt (TC), der mit dem Leiter verbunden ist, um eine erste Spannung (VAC) zwischen dem ersten Kontakt (TA) und dem dazwischenliegenden Kontakt (TC) und eine zweite Spannung (VBC) zwischen dem zweiten Kontakt (TB) und dem dazwischenliegenden Kontakt (TC) zu erzeugen, wobei ein Unterschied zwischen der ersten und zweiten Spannung (VAC bzw. VBC) nachweisbar ist; eine Einrichtung zum Anlegen einer Spannung über die seriell verbundenen Magneto-Widerstands-Elemente (41, 42); und
einen Rückweg ß), der aus einem magnetisch durchlässigen Film besteht, wobei der Rückweg mit dem Paar Magneto-Widerstands-Elemente magnetisch verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine magnetische Anisotropie des Bügelpaares (2,2) im wesentlichen in die erste Richtung (x) ausgerichtet ist, und eine magnetische Anisotropie des Rückwegs (3) in eine zweite Richtung (y) im wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung (x) und in der Filmebene des Rückwegs (3) ausgerichtet ist, und
daß das Bügelpaar (2,2) auf einem Substrat (1) ausgebildet und mit einer ersten Isolierschicht (12) bedeckt ist, das Paar Magneto-Widerstands-Elemente (41,42) auf der ersten Isolierschicht (12) ausgebildet und mit einer zweiten Isolierschicht (13) bedeckt ist, und der Rückweg (3) auf der zweiten Isolierschicht (13) ausgebildet ist.
2. Dünnfilmmagnetkopf nach Anspruch 1, der ferner eine um den Rückweg (3) herum vorgesehene Spule (7) zur Zufuhr von Aufzeichnungsstrom aufweist, wobei die Spule ein unteres Spulenmuster (7 ) und ein oberes Spulenmuster (7u) umfaßt, das untere Spulenmuster (7 ) auf der zweiten Isolierschicht (13) ausgebildet und mit einer dritten Isolierschicht (14) bedeckt ist, ein Abschnitt des Rückwegs (3), um den herum die Spule (7) vorgesehen ist, auf der dritten Isolierschicht (14) gebildet und von einer vierten Isolierschicht (15) bedeckt ist, und das obere Spulenmuster (7u) auf der vierten Isolierschicht (15) ausgebildet ist, wobei beide Enden des oberen Spulenmusters (7u) mit beiden Enden des unteren Spulenmusters (7 ) an Abschnitten verbunden sind, von denen die dritte und vierte Isolierschicht (14 bzw. 15) entfernt wurden.
3. Dünnfilmmagnetkopf nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Magneto-Widerstands-Elemente (41, 42) auf die Bügel (2,2) gestapelt sind und der Rückweg (3) auf die Magneto-Widerstands-Elemente (41, 42) gestapelt ist.
4. Dünnfilmmagnetkopf nach einem der Ansprüche 1 bis 3, der ferner eine erste und zweite Abschirmschicht (16, 17) aufweist, die auf der oberen und unteren Fläche der Bügel (2,2) vorgesehen sind, wobei die erste und zweite Abschirmschicht aus einem leitfähigen Material bestehen.
5. Dünnfilmmagnetkopf nach einem der Ansprüche 1 bis 4, der ferner zwei Schichten aus hartmagnetischem Material (43) aufweist, die auf einer Fläche des Magneto-Widerstands- Elementpaares (41, 42) vorgesehen sind.
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