JPH06267034A - 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドInfo
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- JPH06267034A JPH06267034A JP5666293A JP5666293A JPH06267034A JP H06267034 A JPH06267034 A JP H06267034A JP 5666293 A JP5666293 A JP 5666293A JP 5666293 A JP5666293 A JP 5666293A JP H06267034 A JPH06267034 A JP H06267034A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（ＭＲヘ
ッド）に関し、先端がヘッド先端面に露出し、後端が磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）と磁気的に結合するフラッ
クスガイドの信号磁束の伝播方向を磁化容易軸方向と
し、多磁区化を抑制してＭＲ素子への信号磁束の伝播効
率の向上とノイズ混入の防止を目的とする。 【構成】 磁気的に結合したフラックスガイドとＭＲ素
子12との両側に非磁性絶縁膜15を介しシールド磁性膜1
1, 16を配設した構成において、該フラックスガイドは
先端がヘッド先端面に露出する第１のフラックスガイド
21と、該ガイド21に先端が接合され、後端がＭＲ素子12
と磁気結合する第２のフラックスガイド24とから成り、
各ガイドが長さ方向に磁化容易軸を有する第１、２軟磁
性膜22,25 と、該軟磁性膜の磁化困難軸方向に一方向性
の交換結合磁界ＨUAが印加されるように該軟磁性膜上に
積層された第１、２反強磁性膜23, 26とからなる構成と
する。
ッド）に関し、先端がヘッド先端面に露出し、後端が磁
気抵抗効果素子（ＭＲ素子）と磁気的に結合するフラッ
クスガイドの信号磁束の伝播方向を磁化容易軸方向と
し、多磁区化を抑制してＭＲ素子への信号磁束の伝播効
率の向上とノイズ混入の防止を目的とする。 【構成】 磁気的に結合したフラックスガイドとＭＲ素
子12との両側に非磁性絶縁膜15を介しシールド磁性膜1
1, 16を配設した構成において、該フラックスガイドは
先端がヘッド先端面に露出する第１のフラックスガイド
21と、該ガイド21に先端が接合され、後端がＭＲ素子12
と磁気結合する第２のフラックスガイド24とから成り、
各ガイドが長さ方向に磁化容易軸を有する第１、２軟磁
性膜22,25 と、該軟磁性膜の磁化困難軸方向に一方向性
の交換結合磁界ＨUAが印加されるように該軟磁性膜上に
積層された第１、２反強磁性膜23, 26とからなる構成と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、或い
は磁気テープ装置等に用いられる再生専用の磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドに関するものである。
は磁気テープ装置等に用いられる再生専用の磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドに関するものである。
【０００２】近年、磁気ディスク装置等においては、小
型、大容量化に伴って高密度記録化が進められ、その高
密度記録化に対して再生出力の高い磁気ヘッドが要求さ
れている。このため、再生専用の磁気ヘッドとして再生
出力が磁気記録媒体の移動速度に依存せず、しかも大き
な再生出力が得られる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドが提案
されているが、より再生効率の良い、高性能な磁気抵抗
効果型薄膜ヘッドが必要とされている。
型、大容量化に伴って高密度記録化が進められ、その高
密度記録化に対して再生出力の高い磁気ヘッドが要求さ
れている。このため、再生専用の磁気ヘッドとして再生
出力が磁気記録媒体の移動速度に依存せず、しかも大き
な再生出力が得られる磁気抵抗効果型薄膜ヘッドが提案
されているが、より再生効率の良い、高性能な磁気抵抗
効果型薄膜ヘッドが必要とされている。
【０００３】
【従来の技術】従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド（以
下、ＭＲヘッドと称する）は図３(a) の概略斜視図及び
図３(b) の要部側断面図に示すように、先端部が磁気記
録媒体18と対向するヘッドの先端面に露出するNiFe合金
膜等からなるフラックスガイド14と、そのフラックスガ
イド14の後端部の片面側に図示しない絶縁薄膜を介して
一部を重ね合わせて磁気的に結合されたNiFe合金膜等か
らなる磁気抵抗効果素子(以下、ＭＲ素子と称する)12
の両側に、それぞれ Al2O3膜等からなる非磁性絶縁膜15
を介してNiFe等からなる第１シールド磁性膜11と第２シ
ールド磁性膜16が配設されている。
下、ＭＲヘッドと称する）は図３(a) の概略斜視図及び
図３(b) の要部側断面図に示すように、先端部が磁気記
録媒体18と対向するヘッドの先端面に露出するNiFe合金
膜等からなるフラックスガイド14と、そのフラックスガ
イド14の後端部の片面側に図示しない絶縁薄膜を介して
一部を重ね合わせて磁気的に結合されたNiFe合金膜等か
らなる磁気抵抗効果素子(以下、ＭＲ素子と称する)12
の両側に、それぞれ Al2O3膜等からなる非磁性絶縁膜15
を介してNiFe等からなる第１シールド磁性膜11と第２シ
ールド磁性膜16が配設されている。
【０００４】また、前記ＭＲ素子12の長さ方向の両端部
にはAu膜、或いはCu膜等からなる引出し導体13a, 13bが
接続されている。そしてかかるＭＲヘッドを矢印方向に
移動する磁気記録媒体18上に所定間隔をもって浮上さ
せ、前記ＭＲ素子12にその両端の引出し導体13a, 13bを
通してセンス電流Isを供給することにより、その際に発
生する磁界で例えば前記第１シールド磁性膜11が磁化さ
れ、その磁化により該ＭＲ素子12にバイアス磁界が印加
される。
にはAu膜、或いはCu膜等からなる引出し導体13a, 13bが
接続されている。そしてかかるＭＲヘッドを矢印方向に
移動する磁気記録媒体18上に所定間隔をもって浮上さ
せ、前記ＭＲ素子12にその両端の引出し導体13a, 13bを
通してセンス電流Isを供給することにより、その際に発
生する磁界で例えば前記第１シールド磁性膜11が磁化さ
れ、その磁化により該ＭＲ素子12にバイアス磁界が印加
される。
【０００５】このＭＲ素子12の磁化は磁気記録媒体18か
ら前記フラックスガイド14を通って流入する磁束により
変化され、磁気抵抗効果により生じるＭＲ素子12の電気
抵抗値の変化を前記引出し導体13a, 13bから電圧の変化
として取り出し再生信号を検出することにより再生を行
っている。
ら前記フラックスガイド14を通って流入する磁束により
変化され、磁気抵抗効果により生じるＭＲ素子12の電気
抵抗値の変化を前記引出し導体13a, 13bから電圧の変化
として取り出し再生信号を検出することにより再生を行
っている。
【０００６】このようなＭＲヘッドの再生出力は、ヘッ
ド・媒体間の相対速度に依存せず磁気記録媒体18からの
磁束量の変化に直接対応するため、小径な小型磁気ディ
スク等に対する再生ヘッドとして極めて有利であり、ま
た、ＭＲ素子12に流すセンス電流値に比例して再生出力
を増大することができる利点を有している。
ド・媒体間の相対速度に依存せず磁気記録媒体18からの
磁束量の変化に直接対応するため、小径な小型磁気ディ
スク等に対する再生ヘッドとして極めて有利であり、ま
た、ＭＲ素子12に流すセンス電流値に比例して再生出力
を増大することができる利点を有している。
【０００７】また、上記した従来のＭＲヘッドは、セン
ス電流を通電するＭＲ素子12の先端部を磁気記録媒体18
と対向するヘッドの先端面に露出させずに、そのＭＲ素
子12の先端部にフラックスガイド14の後端部を電気的に
絶縁である絶縁薄膜を介して磁気的に結合され、その先
端部を前記ヘッドの先端面に露出させた構成としている
ため、かかるＭＲヘッドのフラックスガイド14が再生時
に磁気記録媒体18に接触しても、該磁気記録媒体18面に
対する電気的な接触ショート等による損傷、或いはノイ
ズの発生を防止している。
ス電流を通電するＭＲ素子12の先端部を磁気記録媒体18
と対向するヘッドの先端面に露出させずに、そのＭＲ素
子12の先端部にフラックスガイド14の後端部を電気的に
絶縁である絶縁薄膜を介して磁気的に結合され、その先
端部を前記ヘッドの先端面に露出させた構成としている
ため、かかるＭＲヘッドのフラックスガイド14が再生時
に磁気記録媒体18に接触しても、該磁気記録媒体18面に
対する電気的な接触ショート等による損傷、或いはノイ
ズの発生を防止している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来のＭＲヘッドにおけるフラックスガイド14としては、
高透磁率なNiFeからなる軟磁性膜により形成されている
が、再生時に線形応答特性を得るために、磁気記録媒体
18からの信号磁束をＭＲ素子12へ伝播する方向を磁化困
難軸の方向 (低透磁率な方向) としているので、その信
号磁束の伝播効率が悪くなるという問題があった。
来のＭＲヘッドにおけるフラックスガイド14としては、
高透磁率なNiFeからなる軟磁性膜により形成されている
が、再生時に線形応答特性を得るために、磁気記録媒体
18からの信号磁束をＭＲ素子12へ伝播する方向を磁化困
難軸の方向 (低透磁率な方向) としているので、その信
号磁束の伝播効率が悪くなるという問題があった。
【０００９】また、前記軟磁性膜は多磁区化され易く、
該フラックスガイド14が多磁区化されると、再生時に該
フラックスガイド14中に流れる磁束がそのフラックスガ
イド14に形成された各磁区の不規則な不連続運動によっ
て乱されて再生する信号磁束にノイズが混入し、再生信
号のＳ／Ｎが低下する問題があった。
該フラックスガイド14が多磁区化されると、再生時に該
フラックスガイド14中に流れる磁束がそのフラックスガ
イド14に形成された各磁区の不規則な不連続運動によっ
て乱されて再生する信号磁束にノイズが混入し、再生信
号のＳ／Ｎが低下する問題があった。
【００１０】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、Ｍ
Ｒ素子の先端に磁気的に結合するフラックスガイドの信
号磁束の伝播方向を高透磁率な磁化容易軸方向とすると
共に、そのフラックスガイドの多磁区化を抑制してＭＲ
素子への信号磁束の伝播効率の向上とノイズの混入を排
除した新規な磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供すること
を目的とするものである。
Ｒ素子の先端に磁気的に結合するフラックスガイドの信
号磁束の伝播方向を高透磁率な磁化容易軸方向とすると
共に、そのフラックスガイドの多磁区化を抑制してＭＲ
素子への信号磁束の伝播効率の向上とノイズの混入を排
除した新規な磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを提供すること
を目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、先端部が磁気記録媒体と対向するヘッド
の先端面に露出するフラックスガイドの後端部に磁気抵
抗効果素子が磁気的に結合され、かつそれらの両側にそ
れぞれ非磁性絶縁膜を介してシールド磁性体を配設した
ヘッド構成において、前記フラックスガイドは、先端部
がヘッドの先端面に露出された第１のフラックスガイド
と、先端部が該第１のフラックスガイドに接合され後端
部が磁気抵抗効果素子と磁気的に結合された第２のフラ
ックスガイドとから構成され、前記各フラックスガイド
が長さ方向に平行な磁化容易軸を有する軟磁性膜と、該
軟磁性膜の磁化困難軸方向に一方向性の交換結合磁界Ｈ
UAが印加されるように該軟磁性膜上に積層された反強磁
性膜とからそれぞれなる構成とする。
達成するため、先端部が磁気記録媒体と対向するヘッド
の先端面に露出するフラックスガイドの後端部に磁気抵
抗効果素子が磁気的に結合され、かつそれらの両側にそ
れぞれ非磁性絶縁膜を介してシールド磁性体を配設した
ヘッド構成において、前記フラックスガイドは、先端部
がヘッドの先端面に露出された第１のフラックスガイド
と、先端部が該第１のフラックスガイドに接合され後端
部が磁気抵抗効果素子と磁気的に結合された第２のフラ
ックスガイドとから構成され、前記各フラックスガイド
が長さ方向に平行な磁化容易軸を有する軟磁性膜と、該
軟磁性膜の磁化困難軸方向に一方向性の交換結合磁界Ｈ
UAが印加されるように該軟磁性膜上に積層された反強磁
性膜とからそれぞれなる構成とする。
【００１２】また、前記第１、第２のフラックスガイド
におけるそれぞれの反強磁性膜によりそれぞれの軟磁性
膜に印加される一方向性の交換結合磁界ＨUAを、当該各
１軟磁性膜の保磁力Hcに対して、Ｈc ≦ＨUA≦２×Ｈc
とした構成とする。
におけるそれぞれの反強磁性膜によりそれぞれの軟磁性
膜に印加される一方向性の交換結合磁界ＨUAを、当該各
１軟磁性膜の保磁力Hcに対して、Ｈc ≦ＨUA≦２×Ｈc
とした構成とする。
【００１３】また、前記第１、第２のフラックスガイド
を構成する反強磁性膜の代わりにフェリ磁性膜を用いた
構成とする。更に、前記第１、第２のフラックスガイド
を構成する反強磁性膜の代わりに高保磁力磁性膜を用い
た構成とする。
を構成する反強磁性膜の代わりにフェリ磁性膜を用いた
構成とする。更に、前記第１、第２のフラックスガイド
を構成する反強磁性膜の代わりに高保磁力磁性膜を用い
た構成とする。
【００１４】
【作用】本発明では、上記した磁気抵抗効果素子（ＭＲ
素子）の先端に磁気的に結合する第１のフラックスガイ
ドと第２のフラックスガイドを構成する各軟磁性膜の磁
化容易軸をそれらフラックスガイドの長さ方向に設定
し、その各軟磁性膜上にそれぞれ反強磁性膜を積層して
その各軟磁性膜の磁化困難軸方向に一方向性の交換結合
磁界ＨUAを印加することによって、各軟磁性膜に形成さ
れる磁区が単磁区化されて従来のような磁区の不規則な
不連続運動が解消され、再生時に磁気記録媒体より各軟
磁性膜に流れる信号磁束が乱されることなく、またノイ
ズの混入もない状態で安定してＭＲ素子へ流入するよう
になる。
素子）の先端に磁気的に結合する第１のフラックスガイ
ドと第２のフラックスガイドを構成する各軟磁性膜の磁
化容易軸をそれらフラックスガイドの長さ方向に設定
し、その各軟磁性膜上にそれぞれ反強磁性膜を積層して
その各軟磁性膜の磁化困難軸方向に一方向性の交換結合
磁界ＨUAを印加することによって、各軟磁性膜に形成さ
れる磁区が単磁区化されて従来のような磁区の不規則な
不連続運動が解消され、再生時に磁気記録媒体より各軟
磁性膜に流れる信号磁束が乱されることなく、またノイ
ズの混入もない状態で安定してＭＲ素子へ流入するよう
になる。
【００１５】また、前記各軟磁性膜の磁化容易軸方向で
の磁界に対する磁化曲線がヒステリシスを持たなくな
り、線形応答特性が得られる。更に、前記各反強磁性膜
により対応する各軟磁性膜にそれぞれ印加される一方向
性の交換結合磁界ＨUAと、その各軟磁性膜の保磁力Ｈc
との間に、Ｈc ≦ＨUA≦２×Ｈc の関係を保つことによ
り、これら各軟磁性膜の透磁率を従来の透磁率と同等以
上に確保することができる。その結果、磁気記録媒体側
からＭＲ素子に伝播すべき信号磁束が前記第１、第２の
フラックスガイドからシールド磁性体側へ漏洩し難くな
り、しかも該ＭＲ素子に信号磁束を効率良く導入するこ
とができる。
の磁界に対する磁化曲線がヒステリシスを持たなくな
り、線形応答特性が得られる。更に、前記各反強磁性膜
により対応する各軟磁性膜にそれぞれ印加される一方向
性の交換結合磁界ＨUAと、その各軟磁性膜の保磁力Ｈc
との間に、Ｈc ≦ＨUA≦２×Ｈc の関係を保つことによ
り、これら各軟磁性膜の透磁率を従来の透磁率と同等以
上に確保することができる。その結果、磁気記録媒体側
からＭＲ素子に伝播すべき信号磁束が前記第１、第２の
フラックスガイドからシールド磁性体側へ漏洩し難くな
り、しかも該ＭＲ素子に信号磁束を効率良く導入するこ
とができる。
【００１６】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドの第１実施例を示す図であり、図(a) は
概念的に示す平面図、(b) は要部側断面図である。
細に説明する。図１(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効
果型薄膜ヘッドの第１実施例を示す図であり、図(a) は
概念的に示す平面図、(b) は要部側断面図である。
【００１７】これら両図に示すように本実施例では、磁
気記録媒体18からの信号磁束を磁気抵抗効果素子（ＭＲ
素子）12に伝播すべきフラックスガイドが第１のフラッ
クスガイド21と第２のフラックスガイド24とからなって
いる。
気記録媒体18からの信号磁束を磁気抵抗効果素子（ＭＲ
素子）12に伝播すべきフラックスガイドが第１のフラッ
クスガイド21と第２のフラックスガイド24とからなって
いる。
【００１８】該第１のフラックスガイド21は、NiFe合金
からなる軟磁性の第１シールド磁性膜11と同じくNiFe合
金からなる軟磁性の第２シールド磁性膜16との間に、 A
l2O3等からなる非磁性絶縁膜15をそれぞれ介在して磁気
記録媒体18と対向するヘッドの先端面、即ち、媒体対向
面27に先端面が露出するように長さ方向に平行な磁化容
易軸を有する 500Åの膜厚のNiFe合金等からなる第１軟
磁性膜22とその第１軟磁性膜22上に該第１軟磁性膜22の
磁化困難軸方向に一方向性の交換結合磁界ＨUAが印加さ
れる 200Åの膜厚のFeMn合金等からなる第１反強磁性膜
23が積層された構成で配設されている。
からなる軟磁性の第１シールド磁性膜11と同じくNiFe合
金からなる軟磁性の第２シールド磁性膜16との間に、 A
l2O3等からなる非磁性絶縁膜15をそれぞれ介在して磁気
記録媒体18と対向するヘッドの先端面、即ち、媒体対向
面27に先端面が露出するように長さ方向に平行な磁化容
易軸を有する 500Åの膜厚のNiFe合金等からなる第１軟
磁性膜22とその第１軟磁性膜22上に該第１軟磁性膜22の
磁化困難軸方向に一方向性の交換結合磁界ＨUAが印加さ
れる 200Åの膜厚のFeMn合金等からなる第１反強磁性膜
23が積層された構成で配設されている。
【００１９】その第１のフラックスガイド21の後端部よ
り所定間隔だけ後退した位置に両端部にAu, Cu、或いは
Al等からなる引出し導体13a, 13bを備えた 600Åの膜厚
の Ni-Fe膜等からなる磁気抵抗効果素子 (ＭＲ素子)12
が配設され、更に前記第１のフラックスガイド21の第１
反強磁性膜23の後端部上からＭＲ素子12の先端部上に、
同様に長さ方向に平行な磁化容易軸を有する 500Åの膜
厚のNiFe合金等からなる第２軟磁性膜25とその第２軟磁
性膜25上に該第２軟磁性膜25の磁化困難軸方向に一方向
性の交換結合磁界ＨUAが印加される 200Åの膜厚のFeMn
合金等からなる第２反強磁性膜26が積層された第２のフ
ラックスガイド24が、前記ＭＲ素子12の先端部上と第２
軟磁性膜25との間にはAl2O3 等の絶縁薄膜 (図示せず)
を介在した状態でそれぞれ 0.5μｍ程度重ね合わせて磁
気的に結合した状態に配設された構成としている。
り所定間隔だけ後退した位置に両端部にAu, Cu、或いは
Al等からなる引出し導体13a, 13bを備えた 600Åの膜厚
の Ni-Fe膜等からなる磁気抵抗効果素子 (ＭＲ素子)12
が配設され、更に前記第１のフラックスガイド21の第１
反強磁性膜23の後端部上からＭＲ素子12の先端部上に、
同様に長さ方向に平行な磁化容易軸を有する 500Åの膜
厚のNiFe合金等からなる第２軟磁性膜25とその第２軟磁
性膜25上に該第２軟磁性膜25の磁化困難軸方向に一方向
性の交換結合磁界ＨUAが印加される 200Åの膜厚のFeMn
合金等からなる第２反強磁性膜26が積層された第２のフ
ラックスガイド24が、前記ＭＲ素子12の先端部上と第２
軟磁性膜25との間にはAl2O3 等の絶縁薄膜 (図示せず)
を介在した状態でそれぞれ 0.5μｍ程度重ね合わせて磁
気的に結合した状態に配設された構成としている。
【００２０】なお、前記第１軟磁性膜22及び第２軟磁性
膜25の長さ方向に平行な磁化容易軸を付与するには、そ
の第１、第２軟磁性膜22, 25の長さ方向となる方向に磁
界を印加した状態で該第１軟磁性膜22及び第２軟磁性膜
25を成膜することによって実現できる。
膜25の長さ方向に平行な磁化容易軸を付与するには、そ
の第１、第２軟磁性膜22, 25の長さ方向となる方向に磁
界を印加した状態で該第１軟磁性膜22及び第２軟磁性膜
25を成膜することによって実現できる。
【００２１】また、前記第１軟磁性膜22及び第２軟磁性
膜25上に積層することによって第１、第２軟磁性膜22,
25の磁化困難軸方向に一方向性の交換結合磁界ＨUAが印
加される前記第１反強磁性膜23及び第２反強磁性膜26を
得るには、該第１軟磁性膜22及び第２軟磁性膜25上に積
層された第１反強磁性膜23及び第２反強磁性膜26に、そ
の第１、第２軟磁性膜22, 25の磁化困難軸方向へ磁界を
印加した状態でこれら積層膜を数百度で熱処理すること
により実現できる。
膜25上に積層することによって第１、第２軟磁性膜22,
25の磁化困難軸方向に一方向性の交換結合磁界ＨUAが印
加される前記第１反強磁性膜23及び第２反強磁性膜26を
得るには、該第１軟磁性膜22及び第２軟磁性膜25上に積
層された第１反強磁性膜23及び第２反強磁性膜26に、そ
の第１、第２軟磁性膜22, 25の磁化困難軸方向へ磁界を
印加した状態でこれら積層膜を数百度で熱処理すること
により実現できる。
【００２２】前記交換結合磁界ＨUAの強度は、第１軟磁
性膜22及び第２軟磁性膜25に形成される多磁区の不規則
な不連続運動が抑止されるように第１反強磁性膜23及び
第２反強磁性膜26の膜厚、或いは膜の組成比を制御する
ことにより可能である。
性膜22及び第２軟磁性膜25に形成される多磁区の不規則
な不連続運動が抑止されるように第１反強磁性膜23及び
第２反強磁性膜26の膜厚、或いは膜の組成比を制御する
ことにより可能である。
【００２３】このような第１実施例のヘッド構成では、
前記ＭＲ素子の先端に磁気的に結合された第１のフラッ
クスガイド21と第２のフラックスガイド24を構成する第
１軟磁性膜22及び第２軟磁性膜25の磁化容易軸を第１、
第２のフラックスガイド21,24の長さ方向に設定し、そ
の磁化困難軸方向にそれぞれ積層された第１反強磁性膜
23及び第２反強磁性膜26によって一方向性の交換結合磁
界ＨUAが印加されるので、該第１軟磁性膜22及び第２軟
磁性膜25に形成される磁区が単磁区化され、従来のよう
な多磁区の不規則な不連続運動が解消される。
前記ＭＲ素子の先端に磁気的に結合された第１のフラッ
クスガイド21と第２のフラックスガイド24を構成する第
１軟磁性膜22及び第２軟磁性膜25の磁化容易軸を第１、
第２のフラックスガイド21,24の長さ方向に設定し、そ
の磁化困難軸方向にそれぞれ積層された第１反強磁性膜
23及び第２反強磁性膜26によって一方向性の交換結合磁
界ＨUAが印加されるので、該第１軟磁性膜22及び第２軟
磁性膜25に形成される磁区が単磁区化され、従来のよう
な多磁区の不規則な不連続運動が解消される。
【００２４】従って、再生時に磁気記録媒体18より前記
第１軟磁性膜22と第２軟磁性膜25に流れる信号磁束は乱
されたり、ノイズが混入することなく安定してＭＲ素子
12に流入される。
第１軟磁性膜22と第２軟磁性膜25に流れる信号磁束は乱
されたり、ノイズが混入することなく安定してＭＲ素子
12に流入される。
【００２５】また、前記第１、第２軟磁性膜22, 25の磁
化容易軸方向での磁界に対する磁化曲線にヒステリシス
がなくなり線形応答特性が得られ、更に前記第１、第２
反強磁性膜23, 26により第１、第２軟磁性膜22, 25に印
加される一方向性の交換結合磁界ＨUAと該１、第２軟磁
性膜22, 25の保磁力Ｈc との間に、Ｈc ≦ＨUA≦２×Ｈ
c の関係を保つことにより、これら第１、第２軟磁性膜
22, 25の透磁率が従来の透磁率以上に確保され、磁気記
録媒体18からの信号磁束を前記第１、第２のフラックス
ガイド21, 24より第１、第２シールド磁性膜11, 16側へ
漏洩させることなくＭＲ素子12に効率良く導入すること
が可能となる。
化容易軸方向での磁界に対する磁化曲線にヒステリシス
がなくなり線形応答特性が得られ、更に前記第１、第２
反強磁性膜23, 26により第１、第２軟磁性膜22, 25に印
加される一方向性の交換結合磁界ＨUAと該１、第２軟磁
性膜22, 25の保磁力Ｈc との間に、Ｈc ≦ＨUA≦２×Ｈ
c の関係を保つことにより、これら第１、第２軟磁性膜
22, 25の透磁率が従来の透磁率以上に確保され、磁気記
録媒体18からの信号磁束を前記第１、第２のフラックス
ガイド21, 24より第１、第２シールド磁性膜11, 16側へ
漏洩させることなくＭＲ素子12に効率良く導入すること
が可能となる。
【００２６】図２(a),(b) は本発明に係る磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドの第２実施例を示す図であり、図(a) は概
念的に示す平面図、図(b) は要部側断面図である。な
お、図１(a),(b) と同等部分には同一符号を付してい
る。
型薄膜ヘッドの第２実施例を示す図であり、図(a) は概
念的に示す平面図、図(b) は要部側断面図である。な
お、図１(a),(b) と同等部分には同一符号を付してい
る。
【００２７】この図で示す実施例が図１(a),(b) で示す
第１実施例と異なる点は、第１のフラックスガイド31及
び第２のフラックスガイド24と第３のフラックスガイド
34とからなっている点にある。
第１実施例と異なる点は、第１のフラックスガイド31及
び第２のフラックスガイド24と第３のフラックスガイド
34とからなっている点にある。
【００２８】即ち、第１のフラックスガイド31は、磁気
記録媒体18と対向するヘッドの先端面、即ち、媒体対向
面27に先端面が露出するように長さ方向に平行な磁化容
易軸を有する 500Åの膜厚のNiFe合金等からなる第１軟
磁性膜32とその第１軟磁性膜32の両面に該第１軟磁性膜
32の磁化困難軸方向に一方向性の交換結合磁界ＨUAが印
加される 200Åの膜厚のFeMn合金等からなる第１反強磁
性膜33a と33b が積層された構成で配設されている。
記録媒体18と対向するヘッドの先端面、即ち、媒体対向
面27に先端面が露出するように長さ方向に平行な磁化容
易軸を有する 500Åの膜厚のNiFe合金等からなる第１軟
磁性膜32とその第１軟磁性膜32の両面に該第１軟磁性膜
32の磁化困難軸方向に一方向性の交換結合磁界ＨUAが印
加される 200Åの膜厚のFeMn合金等からなる第１反強磁
性膜33a と33b が積層された構成で配設されている。
【００２９】その第１のフラックスガイド31の後端部
と、それより所定間隔だけ後退した位置に配設された両
端部にAu, Cu、或いはAl等からなる引出し導体13a, 13b
を備えた 600Åの膜厚の Ni-Fe膜等からなる磁気抵抗効
果素子 (ＭＲ素子)12 の先端部とが、同様に長さ方向に
平行な磁化容易軸を有する 500Åの膜厚のNiFe合金等か
らなる第２軟磁性膜25とその第２軟磁性膜25上に該第２
軟磁性膜25の磁化困難軸方向に一方向性の交換結合磁界
ＨUAが印加される 200Åの膜厚のFeMn合金等からなる第
２反強磁性膜26が積層された第２のフラックスガイド24
と、同じく長さ方向に平行な磁化容易軸を有する 500Å
の膜厚のNiFe合金等からなる第３軟磁性膜35とその第３
軟磁性膜35上に該第３軟磁性膜35の磁化困難軸方向に一
方向性の交換結合磁界ＨUAが印加される 200Åの膜厚の
FeMn合金等からなる第３反強磁性膜36が積層された第３
のフラックスガイド34とにより、両側より挟むように該
ＭＲ素子12の先端部と第２軟磁性膜25及び第３軟磁性層
35との間にはAl2O3 等の絶縁薄膜 (図示せず) を介在し
た状態でそれぞれ 0.5μｍ程度重ね合わせて磁気的に結
合した状態に配設された構成としている。
と、それより所定間隔だけ後退した位置に配設された両
端部にAu, Cu、或いはAl等からなる引出し導体13a, 13b
を備えた 600Åの膜厚の Ni-Fe膜等からなる磁気抵抗効
果素子 (ＭＲ素子)12 の先端部とが、同様に長さ方向に
平行な磁化容易軸を有する 500Åの膜厚のNiFe合金等か
らなる第２軟磁性膜25とその第２軟磁性膜25上に該第２
軟磁性膜25の磁化困難軸方向に一方向性の交換結合磁界
ＨUAが印加される 200Åの膜厚のFeMn合金等からなる第
２反強磁性膜26が積層された第２のフラックスガイド24
と、同じく長さ方向に平行な磁化容易軸を有する 500Å
の膜厚のNiFe合金等からなる第３軟磁性膜35とその第３
軟磁性膜35上に該第３軟磁性膜35の磁化困難軸方向に一
方向性の交換結合磁界ＨUAが印加される 200Åの膜厚の
FeMn合金等からなる第３反強磁性膜36が積層された第３
のフラックスガイド34とにより、両側より挟むように該
ＭＲ素子12の先端部と第２軟磁性膜25及び第３軟磁性層
35との間にはAl2O3 等の絶縁薄膜 (図示せず) を介在し
た状態でそれぞれ 0.5μｍ程度重ね合わせて磁気的に結
合した状態に配設された構成としている。
【００３０】このような第２実施例のヘッド構成によっ
ても前記図１(a),(b) による第１実施例と同様な目的の
達成と効果が得られると共に、更に前記ＭＲ素子12と第
１、第２及び第３のフラックスガイド31、24、34との磁
気的結合構造によりこれらフラックスガイドとＭＲ素子
12との磁気的結合部での磁気的抵抗が著しく低減し、前
記３つのフラックスガイドからの信号磁束が安定にＭＲ
素子12へ流入し易くなり、より再生効率が向上する。
ても前記図１(a),(b) による第１実施例と同様な目的の
達成と効果が得られると共に、更に前記ＭＲ素子12と第
１、第２及び第３のフラックスガイド31、24、34との磁
気的結合構造によりこれらフラックスガイドとＭＲ素子
12との磁気的結合部での磁気的抵抗が著しく低減し、前
記３つのフラックスガイドからの信号磁束が安定にＭＲ
素子12へ流入し易くなり、より再生効率が向上する。
【００３１】なお、以上の実施例において第１、第２及
び第３のフラックスガイドに用いられているFeMn合金等
からなる第１、第２及び第３反強磁性膜の代わりに、Tb
Co等からなるフェリ磁性膜、またはNiFeCo等からなる高
保磁力磁性膜を用いるようにしても本発明の目的は達成
できる。
び第３のフラックスガイドに用いられているFeMn合金等
からなる第１、第２及び第３反強磁性膜の代わりに、Tb
Co等からなるフェリ磁性膜、またはNiFeCo等からなる高
保磁力磁性膜を用いるようにしても本発明の目的は達成
できる。
【００３２】特に、前記フェリ磁性膜、或いは高保磁力
磁性膜を、先端部が媒体対向面に露出する第１のフラッ
クスガイドの腐食性の高いFeMn合金からなる第１反強磁
性膜の代わりに用いることにより、媒体対向面に露出す
る先端部の腐食を防止することができる。
磁性膜を、先端部が媒体対向面に露出する第１のフラッ
クスガイドの腐食性の高いFeMn合金からなる第１反強磁
性膜の代わりに用いることにより、媒体対向面に露出す
る先端部の腐食を防止することができる。
【００３３】また、本発明のフラックスガイドとＭＲ素
子との磁気的な結合構造を、例えば磁気的に結合された
フラックスガイドとＭＲ素子に沿って記録用コイルを備
える磁気抵抗効果型薄膜ヘッドとインダクティブ薄膜ヘ
ッドとの一体構成からなる複合型薄膜ヘッドに適用した
場合にも同様な効果が得られる。
子との磁気的な結合構造を、例えば磁気的に結合された
フラックスガイドとＭＲ素子に沿って記録用コイルを備
える磁気抵抗効果型薄膜ヘッドとインダクティブ薄膜ヘ
ッドとの一体構成からなる複合型薄膜ヘッドに適用した
場合にも同様な効果が得られる。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、磁気記録媒
体からの信号磁束をＭＲ素子へ伝播すべき複数のフラッ
クスガイドの各軟磁性層の磁化容易軸が信号磁束の伝播
方向に向けられ、その各軟磁性層に形成される磁区が単
磁区化されると共に、磁化容易磁区方向での磁界に対す
る磁化曲線にヒステリシスのない線形応答特性が得ら
れ、かつその透磁率が従来の透磁率以上に確保されるた
め、磁気記録媒体からの信号磁束にノイズを重畳させる
ことなく、該信号磁束を前記複数のフラックスガイドよ
りシールド磁性膜側へ漏洩させずに安定にＭＲ素子に導
入することが可能となり、信号磁束の伝播効率が向上
し、大きな再生出力が得られる等、実用上優れた効果を
奏し、高性能な磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを実現するこ
とができる。
に係る磁気抵抗効果型薄膜ヘッドによれば、磁気記録媒
体からの信号磁束をＭＲ素子へ伝播すべき複数のフラッ
クスガイドの各軟磁性層の磁化容易軸が信号磁束の伝播
方向に向けられ、その各軟磁性層に形成される磁区が単
磁区化されると共に、磁化容易磁区方向での磁界に対す
る磁化曲線にヒステリシスのない線形応答特性が得ら
れ、かつその透磁率が従来の透磁率以上に確保されるた
め、磁気記録媒体からの信号磁束にノイズを重畳させる
ことなく、該信号磁束を前記複数のフラックスガイドよ
りシールド磁性膜側へ漏洩させずに安定にＭＲ素子に導
入することが可能となり、信号磁束の伝播効率が向上
し、大きな再生出力が得られる等、実用上優れた効果を
奏し、高性能な磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを実現するこ
とができる。
【図１】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの第１実
施例を概念的に示す平面図とその要部側断面図である。
施例を概念的に示す平面図とその要部側断面図である。
【図２】 本発明の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの第２実
施例を概念的に示す平面図とその要部側断面図である。
施例を概念的に示す平面図とその要部側断面図である。
【図３】 従来の磁気抵抗効果型薄膜ヘッドを説明する
ための概略斜視図とその要部側断面図である。
ための概略斜視図とその要部側断面図である。
１１ 第１シールド磁性膜 １２ ＭＲ素子 １３ａ，１３ｂ 引出し導体 １５ 非磁性絶縁膜 １６ 第２シールド磁性膜 １８ 磁気記録媒体 ２１，３１ 第１のフラックスガイド ２２，３２ 第１軟磁性膜 ２３，３３ａ，３３ｂ 第１反強磁性膜 ２４ 第２のフラックスガイド ２５ 第２軟磁性膜 ２６ 第２反強磁性膜 ２７ 媒体対向面 ３４ 第３のフラックスガイド ３５ 第３軟磁性膜 ３６ 第３反強磁性膜
Claims (4)
- 【請求項１】 先端部が磁気記録媒体(18)と対向するヘ
ッドの先端面に露出するフラックスガイドの後端部に磁
気抵抗効果素子(12)が磁気的に結合され、かつそれらの
両側にそれぞれ非磁性絶縁膜(15)を介してシールド磁性
体(11, 16)を配設したヘッド構成において、 前記フラックスガイドは、先端部がヘッドの先端面に露
出された第１のフラックスガイド(21)と、先端部が該第
１のフラックスガイド(21)に接合され後端部が磁気抵抗
効果素子(12)と磁気的に結合された第２のフラックスガ
イド(24)とから構成され、前記各フラックスガイド(21,
24)が長さ方向に平行な磁化容易軸を有する軟磁性膜(2
2, 25)と、該軟磁性膜の磁化困難軸方向に一方向性の交
換結合磁界ＨUAが印加されるように該軟磁性膜(22, 25)
上に積層された反強磁性膜(23, 26)とからそれぞれなる
ことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項２】 前記第１、第２のフラックスガイド(21,
24)におけるそれぞれの反強磁性膜(23, 26)によりそれ
ぞれの軟磁性膜(22, 25)に印加される一方向性の交換結
合磁界ＨUAを、当該各軟磁性膜(22, 25)の保磁力Hcに対
して、Ｈc ≦ＨUA≦２×Ｈc としたことを特徴とする請
求項１の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項３】 前記第１、第２のフラックスガイド(21,
24)を構成する反強磁性膜(23, 26)の代わりにフェリ磁
性膜を用いたことを特徴とする請求項１、または請求項
２の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項４】 前記第１、第２のフラックスガイド(21,
24)を構成する反強磁性膜(23, 26)の代わりに高保磁力
磁性膜を用いたことを特徴とする請求項１、または請求
項２の磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5666293A JPH06267034A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5666293A JPH06267034A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267034A true JPH06267034A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13033611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5666293A Withdrawn JPH06267034A (ja) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267034A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5867889A (en) * | 1997-04-01 | 1999-02-09 | International Business Machines Corporation | Double self-aligned insulated contiguous junction for flux-guided-MR or yoke-MR head applications |
| US6267824B1 (en) | 1996-11-28 | 2001-07-31 | Nec Corporation | Method for manufacturing a magnetoresistive effect composite having a pole containing Co-M |
| EP1176585A2 (en) * | 2000-07-28 | 2002-01-30 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head, magnetic recording and reproducing apparatus, method for reproducing and recording magnetic recording information |
| US6597546B2 (en) | 2001-04-19 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction sensor with an antiferromagnetic (AFM) coupled flux guide |
| US6930862B2 (en) * | 2002-01-07 | 2005-08-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Shielded extraordinary magnetoresistance head |
| JP2006092612A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Sony Corp | 磁気記録再生システム、磁気抵抗型磁気ヘッド素子、及び磁気記録媒体 |
| US7881021B2 (en) | 2008-01-30 | 2011-02-01 | Tdk Corporation | CPP type magnetoresistive device with biasing arrangement for ferromagnetic layers having respective magnetizations orthogonal to one another, and magnetic disk system using same |
-
1993
- 1993-03-17 JP JP5666293A patent/JPH06267034A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267824B1 (en) | 1996-11-28 | 2001-07-31 | Nec Corporation | Method for manufacturing a magnetoresistive effect composite having a pole containing Co-M |
| US5867889A (en) * | 1997-04-01 | 1999-02-09 | International Business Machines Corporation | Double self-aligned insulated contiguous junction for flux-guided-MR or yoke-MR head applications |
| EP1176585A2 (en) * | 2000-07-28 | 2002-01-30 | Hitachi, Ltd. | Magnetic head, magnetic recording and reproducing apparatus, method for reproducing and recording magnetic recording information |
| EP1176585A3 (en) * | 2000-07-28 | 2007-03-21 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic head, magnetic recording and reproducing apparatus, method for reproducing and recording magnetic recording information |
| KR100786929B1 (ko) * | 2000-07-28 | 2007-12-17 | 가부시끼가이샤 히다찌 글로벌 스토리지 테크놀로지 니뽄 | 자기 헤드 및 자기 기록 재생 장치 |
| US6597546B2 (en) | 2001-04-19 | 2003-07-22 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction sensor with an antiferromagnetic (AFM) coupled flux guide |
| US6930862B2 (en) * | 2002-01-07 | 2005-08-16 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Shielded extraordinary magnetoresistance head |
| JP2006092612A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Sony Corp | 磁気記録再生システム、磁気抵抗型磁気ヘッド素子、及び磁気記録媒体 |
| US7881021B2 (en) | 2008-01-30 | 2011-02-01 | Tdk Corporation | CPP type magnetoresistive device with biasing arrangement for ferromagnetic layers having respective magnetizations orthogonal to one another, and magnetic disk system using same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000530 |