JPS58220241A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS58220241A JPS58220241A JP10139582A JP10139582A JPS58220241A JP S58220241 A JPS58220241 A JP S58220241A JP 10139582 A JP10139582 A JP 10139582A JP 10139582 A JP10139582 A JP 10139582A JP S58220241 A JPS58220241 A JP S58220241A
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- Japan
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- thin film
- magnetic
- magnetoresistive
- magnetic field
- soft magnetic
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3935—Flux closure films not being part of the track flux guides
- G11B5/3938—Flux closure films not being part of the track flux guides the flux closure films being used for absorbing or reducing demagnetisating or saturating fields
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドに係り、さらに詳し
くは反磁界を減少させ、短波長の再生能力を著るしく増
大させた磁気抵抗効果型磁気ヘツドに関するものである
。
くは反磁界を減少させ、短波長の再生能力を著るしく増
大させた磁気抵抗効果型磁気ヘツドに関するものである
。
磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッドと言 ゛う
）は磁気抵抗効果、素子（ＭＲ素子）を用いた磁気ヘッ
ドである。ＭＲ素子は抵抗値が磁界の強さに依存して変
化する特性を利用したもので、再生出力が記録媒体走行
速度に依存せず、磁気信号の波長のみによって決まるた
め、低速でも十分な再生出力が得られ、Ｉ Ｃ（Ｉｎｔ
ｅｇｌａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ集積回路）と同様な薄
膜技術で製造することができるた・め、マルチトラック
化が容易であるなど利点を有し、最近では磁気記録再生
装置の再生用ヘッドとして注目を集めている。
）は磁気抵抗効果、素子（ＭＲ素子）を用いた磁気ヘッ
ドである。ＭＲ素子は抵抗値が磁界の強さに依存して変
化する特性を利用したもので、再生出力が記録媒体走行
速度に依存せず、磁気信号の波長のみによって決まるた
め、低速でも十分な再生出力が得られ、Ｉ Ｃ（Ｉｎｔ
ｅｇｌａｔｅｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔ集積回路）と同様な薄
膜技術で製造することができるた・め、マルチトラック
化が容易であるなど利点を有し、最近では磁気記録再生
装置の再生用ヘッドとして注目を集めている。
従来のこの種のＭＲヘッドの構造は第１図に示すような
構成とされていた。
構成とされていた。
第１図において符号Ｉで示すものは基板で、その一端は
磁気記録媒体摺動面２となっている。
磁気記録媒体摺動面２となっている。
基板１の側面には磁気記録媒体摺動面２に臨んでＭＲ素
子３が形成されている。符号４で示すものは導電部で、
ＭＲ素子３と同様に薄膜堆積法などの薄膜技術によって
形成される。
子３が形成されている。符号４で示すものは導電部で、
ＭＲ素子３と同様に薄膜堆積法などの薄膜技術によって
形成される。
（３）
第１図においてＭＲ素子３の幅Ｗをストライプ幅といい
、その厚みはｔであられす。
、その厚みはｔであられす。
ＭＲ素子３は例えば８０％Ｎｉ−Ｆｅ合金や、Ｃ。
−Ｎｉ合金の薄膜として形成され、その厚みｔは約５０
０オングストロームｄ）である。また、電極４の材料と
してはアルミニウムや金等の薄膜が用いられている。通
常はＭＲ素子３の部分は保護板でおおわれているが、第
１図べおいては、これらを省略しである。
０オングストロームｄ）である。また、電極４の材料と
してはアルミニウムや金等の薄膜が用いられている。通
常はＭＲ素子３の部分は保護板でおおわれているが、第
１図べおいては、これらを省略しである。
このような構造のＭＲヘッドにおける信号出力とストラ
イブ幅方向の磁界の関係は第２図に示すような特性をも
つ。第２図において横軸は磁界の強さＨを、縦軸は抵抗
値Ｒまたは信号出力を示している。
イブ幅方向の磁界の関係は第２図に示すような特性をも
つ。第２図において横軸は磁界の強さＨを、縦軸は抵抗
値Ｒまたは信号出力を示している。
第２図に示すように、正負いずれの磁界であっても絶対
値が等しければ、同一の信号出力となる。
値が等しければ、同一の信号出力となる。
この場合の磁界の正負の方向はストライプ幅の方向と一
致している。この信号出力特性を補正するために、第２
図に符号Ｈｂで示すバイアス磁界をＭＲ素子に印加し、
磁界の方向も検出来るように（４） したＭＲヘッドも提案されている。
致している。この信号出力特性を補正するために、第２
図に符号Ｈｂで示すバイアス磁界をＭＲ素子に印加し、
磁界の方向も検出来るように（４） したＭＲヘッドも提案されている。
バイアス磁界を印加する方法は永久磁石をＭＲ素子近傍
に設ける、薄膜永久磁石をＭＲ素子に重ねる、電流路を
ＭＲ素子に重ねて設け、これに通電することによシバイ
アス磁界を発生させるなど各種の方法が提案されている
。
に設ける、薄膜永久磁石をＭＲ素子に重ねる、電流路を
ＭＲ素子に重ねて設け、これに通電することによシバイ
アス磁界を発生させるなど各種の方法が提案されている
。
第２図において符号ａで示す曲線とｂで示す曲線の違い
は、ストライプ幅の差によるもので、曲線ａの方が曲線
すの方よりストライプ幅が大きい当 場合に相等する。ストライプ幅の差が第２図に示すよう
に、感度の差となってあられれることがわかる。
は、ストライプ幅の差によるもので、曲線ａの方が曲線
すの方よりストライプ幅が大きい当 場合に相等する。ストライプ幅の差が第２図に示すよう
に、感度の差となってあられれることがわかる。
この現象は、Ｍｌｌ−素子の磁化の反磁界によるものと
推定されている。すなわち、第３図に示すようにＭＲ素
子３に定電流源５から一定電流を供給し、信号磁界ヲＨ
８とすると、ＭＲ素子３のもつ磁化方向ＭＳは電流ｉの
通電方向とθの角度をなすようになる。このときの抵抗
Ｒの最大抵抗変化量をΔＲ９最小抵抗をＲ８とすると次
の式であられされる。
推定されている。すなわち、第３図に示すようにＭＲ素
子３に定電流源５から一定電流を供給し、信号磁界ヲＨ
８とすると、ＭＲ素子３のもつ磁化方向ＭＳは電流ｉの
通電方向とθの角度をなすようになる。このときの抵抗
Ｒの最大抵抗変化量をΔＲ９最小抵抗をＲ８とすると次
の式であられされる。
Ｒ−Ｒｏ十ΔＲｃｏｓ２θ ・甲・曲・・曲（１）とこ
ろがＭＲ素子３は強磁性体であり１磁化方向ＭＳが信号
磁界Ｈｓと同じ方向を向くことにより、Ｈｓの磁界を減
じるように働く。これを反磁界Ｈｄと呼ぶが、この反磁
界Ｈｄは次の（２）式であられされる。、 Ｈｄ ＝ −４７ｃＭｓ ｓｉｎθｗ（Ｏｅ）・・・・
・・・・・・・・（２）すなわち、Ｈｄの分だけ信号磁
界が減少してＭＲ素子に印加されることになる。
ろがＭＲ素子３は強磁性体であり１磁化方向ＭＳが信号
磁界Ｈｓと同じ方向を向くことにより、Ｈｓの磁界を減
じるように働く。これを反磁界Ｈｄと呼ぶが、この反磁
界Ｈｄは次の（２）式であられされる。、 Ｈｄ ＝ −４７ｃＭｓ ｓｉｎθｗ（Ｏｅ）・・・・
・・・・・・・・（２）すなわち、Ｈｄの分だけ信号磁
界が減少してＭＲ素子に印加されることになる。
また、反磁界Ｈｄの値はストライプ幅Ｗが狭ければ狭い
ほど大きくなり、結果的には感度低下につながってしま
うことを（２）式は示している。
ほど大きくなり、結果的には感度低下につながってしま
うことを（２）式は示している。
このような特性を有するＭＲ素子を磁気ヘッドとして利
用し、短波長を再生する場合には本発明者等の研究によ
ると、再生波長λとストライプ幅の間には、次の（３）
で示す関係が成り立つ時、良好な再生効率が得られるこ
とが明らかとなった。
用し、短波長を再生する場合には本発明者等の研究によ
ると、再生波長λとストライプ幅の間には、次の（３）
で示す関係が成り立つ時、良好な再生効率が得られるこ
とが明らかとなった。
５λ≧Ｗ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・（３）（３）式は短波長再生を行う為には
、ストライプ幅をできるだけ小さくすることが望ましい
ことを示している。例えば、波長λが０．５〜１．０μ
ｍの磁気信号の再生を考えるとこれによって決凍るスト
ライプ幅はその約５倍である２５〜５μｍとなる。
・・・・・・（３）（３）式は短波長再生を行う為には
、ストライプ幅をできるだけ小さくすることが望ましい
ことを示している。例えば、波長λが０．５〜１．０μ
ｍの磁気信号の再生を考えるとこれによって決凍るスト
ライプ幅はその約５倍である２５〜５μｍとなる。
一方、（２）式で示す４７ｅＭＳはほぼ１０，０００ガ
ウスであり、ＭＲ素子３の厚みを００５μｍとし、 θ
＝９０°とすると、Ｈｄ ＝ −１００〜−２０００ｅ
の反磁界が発生することになる。ＭＲ素子３の厚みは０
０５μｍ以下とすると耐蝕性が悪くなり実用に耐えない
。
ウスであり、ＭＲ素子３の厚みを００５μｍとし、 θ
＝９０°とすると、Ｈｄ ＝ −１００〜−２０００ｅ
の反磁界が発生することになる。ＭＲ素子３の厚みは０
０５μｍ以下とすると耐蝕性が悪くなり実用に耐えない
。
一］、 ＯＯ〜−２０００ｅの反磁界が発生すると言う
ことは、この量だけＭＲ素子に加わる信号磁界が実質上
弱くなったことと等価であり、第２図の曲線すに示すよ
うな抵抗変化曲線を利用することになる。従って、第２
図に示す特性曲線の直線領域を使用しようとする場合に
は、第２図に示すようにバイアス磁界面がｈ′に増大す
る結果となる。
ことは、この量だけＭＲ素子に加わる信号磁界が実質上
弱くなったことと等価であり、第２図の曲線すに示すよ
うな抵抗変化曲線を利用することになる。従って、第２
図に示す特性曲線の直線領域を使用しようとする場合に
は、第２図に示すようにバイアス磁界面がｈ′に増大す
る結果となる。
ところが、バイアス磁界面が大きくなると、磁気記録媒
体がバイアス磁界Ｈｂによって消磁されｆｃシ、また電
流路を用いて、バイア夏”磁界を与えようとした場合に
は電流の増大と発熱が問題となってくる。
体がバイアス磁界Ｈｂによって消磁されｆｃシ、また電
流路を用いて、バイア夏”磁界を与えようとした場合に
は電流の増大と発熱が問題となってくる。
（７）
このような構造と特性を有する従来のＭＲヘッドを用い
て短波長の再生を行おうとすると次に述べるようないく
つかの欠点がある。
て短波長の再生を行おうとすると次に述べるようないく
つかの欠点がある。
（１） ストライプ幅の減少と共に、感度低下が著し
くなる。
くなる。
（２） ＭＲ素子部分のバイアス磁界によって磁気記
録媒体の情報が消去されたり、減磁されたりすることが
ある。
録媒体の情報が消去されたり、減磁されたりすることが
ある。
（３）上記（１）（２）の理由により、磁気記録媒体と
しては特殊なものしか使用することが出来なかった。
しては特殊なものしか使用することが出来なかった。
（４）ＭＲ素子部にバイアス磁界を与えるために、電流
路を設ける場合には、電流の増大に伴う、発熱の問題が
生じる。
路を設ける場合には、電流の増大に伴う、発熱の問題が
生じる。
本発明は以上のような従来の欠点を除去するためになさ
れたもので、バイアス磁界を印加しやすいようにし、短
波長の再生効率を著しく向上させた磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを提供することを目的としている。 ”ｌ”ｌ’
ｌ：、：。
れたもので、バイアス磁界を印加しやすいようにし、短
波長の再生効率を著しく向上させた磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを提供することを目的としている。 ”ｌ”ｌ’
ｌ：、：。
本発明においては、上記の目的を達成する為にＭＲ素子
を２層以上設けた積層構造を採用し、反（８） 磁界を減少させる構成を採用した。
を２層以上設けた積層構造を採用し、反（８） 磁界を減少させる構成を採用した。
以下、図面に示す実施例に基いて本発明の詳細な説明す
る。
る。
第４図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例を説明する
もので、図中、第１図と同一部分には、同一符号を付し
、その説明は省略する。
もので、図中、第１図と同一部分には、同一符号を付し
、その説明は省略する。
第４図（ａ）、 （ｂ）において、符号６で示すものは
ＭＲ素子３と同様な軟磁性体薄膜であり、この軟磁性体
薄膜６とＭＲ素子３とは、絶縁層７′ｆ：介して積層さ
れている。
ＭＲ素子３と同様な軟磁性体薄膜であり、この軟磁性体
薄膜６とＭＲ素子３とは、絶縁層７′ｆ：介して積層さ
れている。
なお軟磁性体薄膜６がＭｎ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚ
ｎフェライトのような高抵抗軟磁性体の場合には絶縁層
１は不用となる。
ｎフェライトのような高抵抗軟磁性体の場合には絶縁層
１は不用となる。
第４図中）において、符号８で示す矢印は軟磁性体薄膜
６の磁化の方向を示し、符号９で示す矢印はＭＲ素子３
の磁化の方向を示している。また符号１０で示すものは
軟磁性体薄膜６、ＭＲ素子から漏れ出る磁力線を示して
いる。
６の磁化の方向を示し、符号９で示す矢印はＭＲ素子３
の磁化の方向を示している。また符号１０で示すものは
軟磁性体薄膜６、ＭＲ素子から漏れ出る磁力線を示して
いる。
このような構造のＭＲヘッドを採用すると、軟磁性体薄
膜６と、ＭＲ素子３の磁力線が閉ループを作り、磁気的
相互作用によって軟磁性体薄膜６゜ＭＲ素子３から発生
する反磁界を吸収することができる。このように反磁界
が小さくなった状態においては、信号磁界によるＭＲ素
子３の磁化方向９の変化が、小信号磁界で生じ、感度の
向上を計かることができる。 ゛ 今、ＭＲ素子３の厚みをｉｌｙ飽和磁束密度をＢＩｔ軟
磁性体薄膜６のそれぞれをｔ４．Ｂ、とすると次の（４
）式で示す関係が成立する場合に、反磁界現象に特に効
果をもつことがわかった。
膜６と、ＭＲ素子３の磁力線が閉ループを作り、磁気的
相互作用によって軟磁性体薄膜６゜ＭＲ素子３から発生
する反磁界を吸収することができる。このように反磁界
が小さくなった状態においては、信号磁界によるＭＲ素
子３の磁化方向９の変化が、小信号磁界で生じ、感度の
向上を計かることができる。 ゛ 今、ＭＲ素子３の厚みをｉｌｙ飽和磁束密度をＢＩｔ軟
磁性体薄膜６のそれぞれをｔ４．Ｂ、とすると次の（４
）式で示す関係が成立する場合に、反磁界現象に特に効
果をもつことがわかった。
ｔ８・Ｂ１≦ｔ、・Ｂ４ ・・・・・・・・・・・
・・・・ （４）（４）式において符号が成立するのは
ＭＲ素子に付与されている異方性磁界の方向が、電流方
向と一致しないように成膜され、外部からバイアス磁界
を印加する必要がない場合である。不等号が成立する場
合は、バイアス磁界を印加する場合ヱ、特に永久磁石を
基板のどこかに設け、バイアス磁界を与える場合に効果
がある。このバイアス磁界を与えた場合には第４図中）
に示す磁力線の流れは実験した結果としては、（４）式
の不等号が成ｔしている方が信号磁界に対し高感度を示
し、印加するバイアス磁界も極めてわずかですむことが
わかった。
・・・・ （４）（４）式において符号が成立するのは
ＭＲ素子に付与されている異方性磁界の方向が、電流方
向と一致しないように成膜され、外部からバイアス磁界
を印加する必要がない場合である。不等号が成立する場
合は、バイアス磁界を印加する場合ヱ、特に永久磁石を
基板のどこかに設け、バイアス磁界を与える場合に効果
がある。このバイアス磁界を与えた場合には第４図中）
に示す磁力線の流れは実験した結果としては、（４）式
の不等号が成ｔしている方が信号磁界に対し高感度を示
し、印加するバイアス磁界も極めてわずかですむことが
わかった。
この結果、バイアス磁界によって記録媒体の信号が減磁
されることがなく、短波長の再生が可能となった。
されることがなく、短波長の再生が可能となった。
第５図は本発明の他の実施例を説明するもので、図にお
いて符号１１で示すものは軟磁性体薄膜であるが、バイ
アス磁界を与えるための永久磁石１２の設置位置までこ
の軟磁性体薄膜１１は延びている。
いて符号１１で示すものは軟磁性体薄膜であるが、バイ
アス磁界を与えるための永久磁石１２の設置位置までこ
の軟磁性体薄膜１１は延びている。
このような構造を採用すると印加するバイアス磁界が安
定する効果が得られる。又、軟磁性体薄膜１１が軟磁性
フェライトのような場合には前述した実施例と同様に絶
縁層１は不用となる。
定する効果が得られる。又、軟磁性体薄膜１１が軟磁性
フェライトのような場合には前述した実施例と同様に絶
縁層１は不用となる。
尚、軟磁晶膜１１は基板１上に成膜するものとして例示
したが、基板１そのものが磁性材であっても同様な効果
が得られる。
したが、基板１そのものが磁性材であっても同様な効果
が得られる。
第６図は本発明のもう１つの実施例を説明するもので、
本実施例にあっては軟磁性体薄膜６と恩素子３との間に
それぞれ絶縁層１２．１３を介して（１１） 電流路１４を設けた構造を採用している。
本実施例にあっては軟磁性体薄膜６と恩素子３との間に
それぞれ絶縁層１２．１３を介して（１１） 電流路１４を設けた構造を採用している。
このような構造にあっては電流路１４に通電する電流に
よって、ＭＲ素子３．軟磁性体薄膜６にバイアス磁界を
与えるが、電流路１４をとりまくようにして磁性体を配
置したことにより、バイアス磁界用の電流を減少させ、
バイアス磁界方向を安定させることができる。
よって、ＭＲ素子３．軟磁性体薄膜６にバイアス磁界を
与えるが、電流路１４をとりまくようにして磁性体を配
置したことにより、バイアス磁界用の電流を減少させ、
バイアス磁界方向を安定させることができる。
第７図は本発明の更に他の実施例を説明するもので、本
実施例にあっては軟磁性体薄膜６を絶縁層１を介して３
層積層し、最も外側にＭＲ素子３を形成した積層構造を
採用している。
実施例にあっては軟磁性体薄膜６を絶縁層１を介して３
層積層し、最も外側にＭＲ素子３を形成した積層構造を
採用している。
このような構造を採用すると、第４図に示した実施例同
様の効果がある他にＭＲ素子３の磁化方向軸が安定し、
長波長領域、即ち磁化回転が大きい領域でのバルクハウ
ゼンノイズが減少する。又、周波数特性を安定させるこ
とができる。
様の効果がある他にＭＲ素子３の磁化方向軸が安定し、
長波長領域、即ち磁化回転が大きい領域でのバルクハウ
ゼンノイズが減少する。又、周波数特性を安定させるこ
とができる。
尚、第７図に示す実施例にあっては最上層に罐素子３を
形成した例を示したが、ＭＲ素子３１ｒ：形成する位置
は最下段であっても中間であってもほとんど効果として
は変らないことが実験の結果判（１２） 明している。
形成した例を示したが、ＭＲ素子３１ｒ：形成する位置
は最下段であっても中間であってもほとんど効果として
は変らないことが実験の結果判（１２） 明している。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ＭＲ
素子と軟磁性体薄膜とを積層した構造を採用しているた
め、次のような効果が得られる。
素子と軟磁性体薄膜とを積層した構造を採用しているた
め、次のような効果が得られる。
（１）ストライプ幅を減少させても再生感度が低下せず
、短波長再生が確実に行なえる。
、短波長再生が確実に行なえる。
（２）バイアス磁界を印加しても記録媒体を消磁或いは
減磁させることはなく、特殊な磁気記録媒体を使用する
必要もない。
減磁させることはなく、特殊な磁気記録媒体を使用する
必要もない。
（３）電流によりバイアス磁界を与える場合においても
、磁界発生効率が高く発熱の問題が少ない。
、磁界発生効率が高く発熱の問題が少ない。
（４）反磁界補償用としての軟磁性体薄膜を多層にした
場合にはバルクハウゼンノイズが減少し、ＳＮ比が向上
し、周波数特性を大きく改善することができる。
場合にはバルクハウゼンノイズが減少し、ＳＮ比が向上
し、周波数特性を大きく改善することができる。
第１図は従来のＭＲヘッドの構造を説明する一部拡大斜
視図、第２図はＭＲ素子の抵抗変化と磁界との関係を説
明する線図、第３図はＭＲ素子の出力と反磁界との関係
を示す説明図、第４図（ａ）。 （ｂ）は本発明の一実施例を説明する一部拡大斜視図。 及び一部拡大側面図、第５図〜第７図はそれぞれ本発明
の異なった実施例を説明する一部拡大側面図である。 １・・・基板 ２・・・磁気記録媒体摺動
面３・・・ＭＲ素子 ４・・・導電部６・・・
軟磁性体薄膜 １・・・絶縁層第１図 第４図 （Ｑ） １ １１ ７６ 第６図 第７図 手続補正書（自り 昭和５７年 ９月 １日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和 ５７ 年 特許願 第 １０１３９５ 号２、
発明の名称 磁気抵抗効果型磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （１００） キャノン株式会社４
、代理人 電話 ０３ （２６８）２４８１ （
Ｎ別紙の通り 補正の内容 １）明細書第７頁第６行目から第８行目のｒＭＲ素子３
の厚みは・・・・・・・・・実用に耐えない。」を削除
する。 薄くすることによって反磁界を減少させようとすると０
．０５Ｐｒｓ以下のＭＲ素子は耐蝕性が悪くなり、実用
に耐えないことが判っている。」を加入する。 ３）同第１Ｏ頁第６行目の「・・・ができる。」の次に
［またＭＲ素子の磁束が閉ループをつくるので、磁化が
安定し、バルクハウゼンノイズが減少する。」を加入す
る。 ４）同第１Ｏ頁第９行目のＦ反磁界現象」を１反磁界の
抑制」に訂正する。 ５） 同第１２頁第１５行目の「・・・が減少する。」
を［ｌ・・かさらに減少する。」に訂正する。
視図、第２図はＭＲ素子の抵抗変化と磁界との関係を説
明する線図、第３図はＭＲ素子の出力と反磁界との関係
を示す説明図、第４図（ａ）。 （ｂ）は本発明の一実施例を説明する一部拡大斜視図。 及び一部拡大側面図、第５図〜第７図はそれぞれ本発明
の異なった実施例を説明する一部拡大側面図である。 １・・・基板 ２・・・磁気記録媒体摺動
面３・・・ＭＲ素子 ４・・・導電部６・・・
軟磁性体薄膜 １・・・絶縁層第１図 第４図 （Ｑ） １ １１ ７６ 第６図 第７図 手続補正書（自り 昭和５７年 ９月 １日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和 ５７ 年 特許願 第 １０１３９５ 号２、
発明の名称 磁気抵抗効果型磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （１００） キャノン株式会社４
、代理人 電話 ０３ （２６８）２４８１ （
Ｎ別紙の通り 補正の内容 １）明細書第７頁第６行目から第８行目のｒＭＲ素子３
の厚みは・・・・・・・・・実用に耐えない。」を削除
する。 薄くすることによって反磁界を減少させようとすると０
．０５Ｐｒｓ以下のＭＲ素子は耐蝕性が悪くなり、実用
に耐えないことが判っている。」を加入する。 ３）同第１Ｏ頁第６行目の「・・・ができる。」の次に
［またＭＲ素子の磁束が閉ループをつくるので、磁化が
安定し、バルクハウゼンノイズが減少する。」を加入す
る。 ４）同第１Ｏ頁第９行目のＦ反磁界現象」を１反磁界の
抑制」に訂正する。 ５） 同第１２頁第１５行目の「・・・が減少する。」
を［ｌ・・かさらに減少する。」に訂正する。
Claims (6)
- （１） 基板上に薄膜堆積法によシ磁気抵抗効果素子
を形成した磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記磁
気抵抗効果素子と同一以上の面積を有する軟磁性薄膜を
磁気抵抗効果素子と平行に絶縁層を介して薄膜堆積法に
よシ形成したことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。 - （２）磁気抵抗効果素子の厚みをｔＩ、飽和磁束密度を
８１ｍ軟磁性薄膜の厚みをｊ４を飽和磁束密度をＢ４と
してｔｌ・Ｂ１≦ｔ４・Ｂ４となるように形成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。 - （３）軟磁性薄膜は磁気抵抗効果素子部から基板上に設
けられたバイアス磁界印加用永久磁石の設置位置まで連
続していることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - （４）軟磁性薄膜として高抵抗の高透磁率磁性材を使用
し、磁気抵抗効果素子との間の絶縁層を省略したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項までのいずれ
か１項記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - （５）磁気抵抗効果素子が形成される基板自身を磁性材
から構成し、軟磁性薄膜に代えたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項〜第３項までのいずれか１項記載の磁
気抵抗効果型磁気ヘッド。 - （６）磁気抵抗効果素子と軟磁性薄膜との間に絶縁層を
介してバイアス磁界用電流路を設けたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
。 （力 軟磁性薄膜は絶縁層を介して２層以上形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、第３項
、第４項、又は第６項記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139582A JPS58220241A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139582A JPS58220241A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29234992A Division JPH07114008B2 (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58220241A true JPS58220241A (ja) | 1983-12-21 |
| JPH0375929B2 JPH0375929B2 (ja) | 1991-12-03 |
Family
ID=14299547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10139582A Granted JPS58220241A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58220241A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6252711A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPS62184616A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US4802043A (en) * | 1985-03-25 | 1989-01-31 | Hitachi, Ltd. | Magneto-resistive head for protecting against output spike noises |
| US4814919A (en) * | 1985-03-01 | 1989-03-21 | Hitachi, Ltd. | Soft-film-bias type magnetoresitive device |
| US4903158A (en) * | 1988-07-28 | 1990-02-20 | Eastman Kodak Company | MR head with complementary easy axis permanent magnet |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
-
1982
- 1982-06-15 JP JP10139582A patent/JPS58220241A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4814919A (en) * | 1985-03-01 | 1989-03-21 | Hitachi, Ltd. | Soft-film-bias type magnetoresitive device |
| US4802043A (en) * | 1985-03-25 | 1989-01-31 | Hitachi, Ltd. | Magneto-resistive head for protecting against output spike noises |
| JPS6252711A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| JPS62184616A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| US4903158A (en) * | 1988-07-28 | 1990-02-20 | Eastman Kodak Company | MR head with complementary easy axis permanent magnet |
| US5557491A (en) * | 1994-08-18 | 1996-09-17 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head having biasing conductor integral with the lead layers |
| US5653013A (en) * | 1994-08-18 | 1997-08-05 | International Business Machines Corporation | Two terminal single stripe orthogonal MR head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0375929B2 (ja) | 1991-12-03 |
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