JPH06301937A - 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH06301937A JPH06301937A JP8746893A JP8746893A JPH06301937A JP H06301937 A JPH06301937 A JP H06301937A JP 8746893 A JP8746893 A JP 8746893A JP 8746893 A JP8746893 A JP 8746893A JP H06301937 A JPH06301937 A JP H06301937A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果型ヘッドに関し、再生出力を低
下させずにバルクハウゼンノイズの発生を抑制した磁気
抵抗効果型ヘッドを実現することを目的とする。 【構成】 強磁性磁気抵抗効果素子１０と、該磁気抵抗
効果素子１０に磁気的に結合して該磁気抵抗効果素子１
０の磁化容易軸方向に一方向性の磁界を発生させ、該磁
気抵抗効果素子１０の磁区構造を制御する反強磁性膜１
２と、該磁気抵抗効果素子１０に電気的に結合して再生
電流を供給する引き出し導体層１３とが順次積層されて
構成され、記録媒体からの信号を検知する領域が磁気抵
抗効果素子１０の中央部に画定されて形成された磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子１０の
検知領域に発生する一方向性磁界の強度が、該磁気抵抗
効果素子１０の両端に生ずる一方向性磁界の強度より小
さくなる磁区制御手段を有するように構成する。
下させずにバルクハウゼンノイズの発生を抑制した磁気
抵抗効果型ヘッドを実現することを目的とする。 【構成】 強磁性磁気抵抗効果素子１０と、該磁気抵抗
効果素子１０に磁気的に結合して該磁気抵抗効果素子１
０の磁化容易軸方向に一方向性の磁界を発生させ、該磁
気抵抗効果素子１０の磁区構造を制御する反強磁性膜１
２と、該磁気抵抗効果素子１０に電気的に結合して再生
電流を供給する引き出し導体層１３とが順次積層されて
構成され、記録媒体からの信号を検知する領域が磁気抵
抗効果素子１０の中央部に画定されて形成された磁気抵
抗効果型ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子１０の
検知領域に発生する一方向性磁界の強度が、該磁気抵抗
効果素子１０の両端に生ずる一方向性磁界の強度より小
さくなる磁区制御手段を有するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等に用
いられる磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法に関す
る。近年、コンピュータの外部記憶装置である磁気ディ
スク装置の大容量化に伴い、高性能な磁気ヘッドが要求
されている。この要求を満足させるものとして、記録媒
体の速度に依存せず高出力が得られる磁気抵抗効果素子
型ヘッド（ＭＲヘッド）を再生専用ヘッドとして使用す
るインダクティブ／ＭＲヘッドが注目されている。
いられる磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法に関す
る。近年、コンピュータの外部記憶装置である磁気ディ
スク装置の大容量化に伴い、高性能な磁気ヘッドが要求
されている。この要求を満足させるものとして、記録媒
体の速度に依存せず高出力が得られる磁気抵抗効果素子
型ヘッド（ＭＲヘッド）を再生専用ヘッドとして使用す
るインダクティブ／ＭＲヘッドが注目されている。
【０００２】従来のインダクティブ／ＭＲヘッドは、図
７に示すような構造となっている。同図（ａ）は縦断面
図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における拡大断面図、
（Ｃ）は斜視図である。このインダクティブ／ＭＲヘッ
ドは記録用のインダクティブヘッドと再生用のＭＲヘッ
ドを組み合わせたものであり、図７（ａ）及び（ｂ）に
示すように、インダクティブヘッドはＡｌ2 Ｏ3 ＴｉＣ
からなる基板１の上に絶縁層２を介してメッキＮｉＦか
らなる下部磁性層３が形成され、その上に有機感光樹脂
からなる層間絶縁層４を介してメッキＮｉＦｅからなる
上部磁性層５が形成され、該上部磁性層５と下部磁性層
２との間にメッキＣｕからなるコイル層６が形成され、
さらに上部磁性層５の上にＡｌ2 Ｏ3 よりなる加工保護
膜７が形成されている。以上の構成がインダクティブヘ
ッドの構成であり、コイル層６に電流を流してギャップ
８から磁界を発生させ、対向する直下の記録媒体（図示
なし）に情報を記録するようになっている。
７に示すような構造となっている。同図（ａ）は縦断面
図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線における拡大断面図、
（Ｃ）は斜視図である。このインダクティブ／ＭＲヘッ
ドは記録用のインダクティブヘッドと再生用のＭＲヘッ
ドを組み合わせたものであり、図７（ａ）及び（ｂ）に
示すように、インダクティブヘッドはＡｌ2 Ｏ3 ＴｉＣ
からなる基板１の上に絶縁層２を介してメッキＮｉＦか
らなる下部磁性層３が形成され、その上に有機感光樹脂
からなる層間絶縁層４を介してメッキＮｉＦｅからなる
上部磁性層５が形成され、該上部磁性層５と下部磁性層
２との間にメッキＣｕからなるコイル層６が形成され、
さらに上部磁性層５の上にＡｌ2 Ｏ3 よりなる加工保護
膜７が形成されている。以上の構成がインダクティブヘ
ッドの構成であり、コイル層６に電流を流してギャップ
８から磁界を発生させ、対向する直下の記録媒体（図示
なし）に情報を記録するようになっている。
【０００３】また、ＭＲヘッド９は図７（ａ）の如くイ
ンダクティブヘッドのギャップ８内に設けられており、
その詳細は、図７（ｂ)(ｃ）に示すようにＮｉＦｅ膜か
らなるＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）１０と、その下に
重ねて設けられたシャントバイアス層１１と、ＭＲ素子
１０の上に重ねて設けられた反強磁性膜１２と、その両
端に接続して設けられたＡｕ膜からなる引き出し導体層
１３とから構成されている。
ンダクティブヘッドのギャップ８内に設けられており、
その詳細は、図７（ｂ)(ｃ）に示すようにＮｉＦｅ膜か
らなるＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）１０と、その下に
重ねて設けられたシャントバイアス層１１と、ＭＲ素子
１０の上に重ねて設けられた反強磁性膜１２と、その両
端に接続して設けられたＡｕ膜からなる引き出し導体層
１３とから構成されている。
【０００４】そして、ＭＲ素子１０は長手方向（Ｘ方
向）に磁化容易軸が一致するように矩形にパターン形成
されている。またシャントバイアス導体層１１はＭＲ素
子１０が信号磁界に対して線型動作させるためのバイア
ス磁界を印加するものであり、引き出し導体層１３はＭ
Ｒ素子１０の中央部で長手方向に対して所定幅の間隔で
接合し、ＭＲ素子１０並びにシャントバイアス導体層１
１のそれぞれに電流を供給するものである。
向）に磁化容易軸が一致するように矩形にパターン形成
されている。またシャントバイアス導体層１１はＭＲ素
子１０が信号磁界に対して線型動作させるためのバイア
ス磁界を印加するものであり、引き出し導体層１３はＭ
Ｒ素子１０の中央部で長手方向に対して所定幅の間隔で
接合し、ＭＲ素子１０並びにシャントバイアス導体層１
１のそれぞれに電流を供給するものである。
【０００５】また、反強磁性膜１２はＦｅＭｎ膜であ
り、ＭＲ素子１０に交換結合磁界を磁化方向（Ｘ方向）
に印加してＭＲ素子内に生ずる磁壁の発生を抑え、単磁
区化構造化して再生時のバルクハウゼン雑音の発生を抑
制するものである。このＭＲ素子１０と、シャントバイ
アス導体層１１と、反強磁性膜１２と、引き出し導体層
１３とよりなるＭＲヘッド９は、磁気シールドの役目を
兼務する下部磁性層３と上部磁性層５との間に電気的に
絶縁されて配置される。
り、ＭＲ素子１０に交換結合磁界を磁化方向（Ｘ方向）
に印加してＭＲ素子内に生ずる磁壁の発生を抑え、単磁
区化構造化して再生時のバルクハウゼン雑音の発生を抑
制するものである。このＭＲ素子１０と、シャントバイ
アス導体層１１と、反強磁性膜１２と、引き出し導体層
１３とよりなるＭＲヘッド９は、磁気シールドの役目を
兼務する下部磁性層３と上部磁性層５との間に電気的に
絶縁されて配置される。
【０００６】センス電流は、引き出し導体層１３を通し
てＭＲ素子１０およびシャントバイアス導体層１１に流
れ、引き出し導体層１３で画定されるＭＲ素子１０の長
方形の信号検知領域に流れ、ＭＲヘッド９は対向する直
下の記録媒体（図示せず）からの信号磁界を該検出領域
で抵抗変化として再生するのである。
てＭＲ素子１０およびシャントバイアス導体層１１に流
れ、引き出し導体層１３で画定されるＭＲ素子１０の長
方形の信号検知領域に流れ、ＭＲヘッド９は対向する直
下の記録媒体（図示せず）からの信号磁界を該検出領域
で抵抗変化として再生するのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のインダクテ
ィブ／ＭＲヘッドでは、反強磁性膜１２が、ＭＲ素子１
０の両端に配置され、中央部には配置されていなかっ
た。このため、両端での交換結合磁界によって一方向に
向いた磁化からの漏洩磁界が遠隔的にＭＲ素子中央部に
伝播して、信号検知領域の磁区を制御していた。しか
し、該漏洩磁界が非常に微弱なため、記録毎にＭＲ素子
の磁化は、記録磁界によって乱されて磁区が発生し、再
生時にバルクハウゼンノイズが発生するという問題があ
った。
ィブ／ＭＲヘッドでは、反強磁性膜１２が、ＭＲ素子１
０の両端に配置され、中央部には配置されていなかっ
た。このため、両端での交換結合磁界によって一方向に
向いた磁化からの漏洩磁界が遠隔的にＭＲ素子中央部に
伝播して、信号検知領域の磁区を制御していた。しか
し、該漏洩磁界が非常に微弱なため、記録毎にＭＲ素子
の磁化は、記録磁界によって乱されて磁区が発生し、再
生時にバルクハウゼンノイズが発生するという問題があ
った。
【０００８】また、図８に示すように、ＭＲ素子１０の
全面に反強磁性膜１２を積層し、前記の問題点を回避す
ることも考えられるが、この場合には、ＭＲ素子中央部
に発生した交換結合磁界は大きく、このためＭＲ素子の
透磁率が低下してＭＲヘッドの再生出力が小さくなると
いう問題が生ずる。
全面に反強磁性膜１２を積層し、前記の問題点を回避す
ることも考えられるが、この場合には、ＭＲ素子中央部
に発生した交換結合磁界は大きく、このためＭＲ素子の
透磁率が低下してＭＲヘッドの再生出力が小さくなると
いう問題が生ずる。
【０００９】本発明は、再生時の再生出力を低下させず
にバルクハウゼンノイズの発生を抑制した磁気抵抗効果
型ヘッドを実現しようとする。
にバルクハウゼンノイズの発生を抑制した磁気抵抗効果
型ヘッドを実現しようとする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
ヘッドに於いては、強磁性抵抗効果素子１０と、該磁気
抵抗効果素子１０に磁気的に結合して該磁気抵抗効果素
子１０の磁化容易軸方向に一方向性の磁界を発生させ該
磁気抵抗効果素子１０の磁区構造を制御する反強磁性膜
１２と、該磁気抵抗効果素子１０に電気的に結合して再
生電流を供給する引き出し導体層１３とが順次積層され
て構成され、記録媒体からの信号を検知する領域が磁気
抵抗効果素子１０の中央部に画定されて形成された磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子１０
の検知領域に発生する一方向性磁界の強度が、該磁気抵
抗効果素子１０の両端に生ずる一方向性磁界の強度より
小さくなる磁区構造制御手段を有することを特徴とす
る。
ヘッドに於いては、強磁性抵抗効果素子１０と、該磁気
抵抗効果素子１０に磁気的に結合して該磁気抵抗効果素
子１０の磁化容易軸方向に一方向性の磁界を発生させ該
磁気抵抗効果素子１０の磁区構造を制御する反強磁性膜
１２と、該磁気抵抗効果素子１０に電気的に結合して再
生電流を供給する引き出し導体層１３とが順次積層され
て構成され、記録媒体からの信号を検知する領域が磁気
抵抗効果素子１０の中央部に画定されて形成された磁気
抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子１０
の検知領域に発生する一方向性磁界の強度が、該磁気抵
抗効果素子１０の両端に生ずる一方向性磁界の強度より
小さくなる磁区構造制御手段を有することを特徴とす
る。
【００１１】また、それに加えて、前記磁区構造制御手
段は、前記磁気抵抗効果素子１０の両端部に位置する反
強磁性膜１２がＦｅＭｎ膜であり、検知領域付近ではＦ
ｅＭｎ膜に第三元素を添加した膜であり、前記第三元素
がＣｒ又はＮｂ又はＴａであることを特徴とする。ま
た、前記磁気抵抗効果素子１０の両端部に位置する反強
磁性膜１２が５０：５０のＦｅＭｎ膜であり、検知領域
付近ではＦｅが５０％以下又は以上であるＦｅＭｎ膜で
あることを特徴とする。また、前記磁気抵抗効果素子１
０の検知領域付近での反強磁性膜１２の膜厚が両端部で
の膜厚よりも小さいことを特徴とする。
段は、前記磁気抵抗効果素子１０の両端部に位置する反
強磁性膜１２がＦｅＭｎ膜であり、検知領域付近ではＦ
ｅＭｎ膜に第三元素を添加した膜であり、前記第三元素
がＣｒ又はＮｂ又はＴａであることを特徴とする。ま
た、前記磁気抵抗効果素子１０の両端部に位置する反強
磁性膜１２が５０：５０のＦｅＭｎ膜であり、検知領域
付近ではＦｅが５０％以下又は以上であるＦｅＭｎ膜で
あることを特徴とする。また、前記磁気抵抗効果素子１
０の検知領域付近での反強磁性膜１２の膜厚が両端部で
の膜厚よりも小さいことを特徴とする。
【００１２】また、本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法に於いては、磁気抵抗効果素子１０、ＦｅＭｎ膜
よりなる反強磁性膜１２、及び引き出し導体層１３を形
成後、該引き出し導体層１３をマスクにして前記反強磁
性膜１２にＣｒ又はＮｂ又はＴａのイオンを注入するこ
とを特徴とする。また、磁気抵抗効果素子１０、反強磁
性膜１２、及び引き出し導体層１３を形成後、該引き出
し導体層１３をマスクにして前記反強磁性膜１２をイオ
ンミリングして膜厚を薄くすることを特徴とする。
造方法に於いては、磁気抵抗効果素子１０、ＦｅＭｎ膜
よりなる反強磁性膜１２、及び引き出し導体層１３を形
成後、該引き出し導体層１３をマスクにして前記反強磁
性膜１２にＣｒ又はＮｂ又はＴａのイオンを注入するこ
とを特徴とする。また、磁気抵抗効果素子１０、反強磁
性膜１２、及び引き出し導体層１３を形成後、該引き出
し導体層１３をマスクにして前記反強磁性膜１２をイオ
ンミリングして膜厚を薄くすることを特徴とする。
【００１３】この構成を採ることにより、再生時の再生
出力を低下させずにバルクハウゼンノイズの発生を抑制
した磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。
出力を低下させずにバルクハウゼンノイズの発生を抑制
した磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。
【００１４】
【作用】本発明では、図１の原理説明図に示すように、
反強磁性膜はＭＲ素子１０の全面に積層されるが、ＭＲ
素子１０の両端に積層する反強磁性膜１２ａと中央部に
積層する反強磁性膜１２ｂの２つに分ける。そして両端
の反強磁性膜１２ａには大きな交換結合磁界が得られる
従来の反強磁性膜を用い、中央部の反強磁性膜１２ｂに
対しては、ＭＲ素子１０の磁区制御を行える程大きい
が、素子の透磁率を低下させない程度の交換結合磁界を
発生させることができるように従来と材料あるいは寸法
を違えたものを用いる。
反強磁性膜はＭＲ素子１０の全面に積層されるが、ＭＲ
素子１０の両端に積層する反強磁性膜１２ａと中央部に
積層する反強磁性膜１２ｂの２つに分ける。そして両端
の反強磁性膜１２ａには大きな交換結合磁界が得られる
従来の反強磁性膜を用い、中央部の反強磁性膜１２ｂに
対しては、ＭＲ素子１０の磁区制御を行える程大きい
が、素子の透磁率を低下させない程度の交換結合磁界を
発生させることができるように従来と材料あるいは寸法
を違えたものを用いる。
【００１５】これにより、ＭＲ素子の信号検知領域にお
いては、ＭＲ素子の透磁率を低下させない程度の交換結
合磁界を発生してＭＲ素子の磁区制御を行うことがで
き、再生出力の低下を生ぜずにバルクハウゼンノイズの
発生を抑制することができる。
いては、ＭＲ素子の透磁率を低下させない程度の交換結
合磁界を発生してＭＲ素子の磁区制御を行うことがで
き、再生出力の低下を生ぜずにバルクハウゼンノイズの
発生を抑制することができる。
【００１６】
【実施例】図２は本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第１
の実施例を示す図で、（ａ）はインダクティブヘッドと
組み合わせた状態の断面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ
線における拡大断面図、Ｃは斜視図である。同図（ａ）
において、１はＡｌ2 Ｏ3 ＴｉＣ基板、３はメッキＮｉ
Ｆｅ膜からなる下部磁性層、４は有機感光樹脂からなる
層間絶縁層、６はメッキＣｕ層からなるコイル層、５は
メッキＮｉＦｅ膜からなる上部磁性層、７はＡｌ2 Ｏ3
膜からなる加工保護膜であり、これらは図７で説明した
と同様にインダクティブヘッドを構成している。そして
ＭＲヘッド９は下部磁性層３と上部磁性層５とがつくる
ギャップ８の中に電気的に絶縁して配置されている。
の実施例を示す図で、（ａ）はインダクティブヘッドと
組み合わせた状態の断面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ
線における拡大断面図、Ｃは斜視図である。同図（ａ）
において、１はＡｌ2 Ｏ3 ＴｉＣ基板、３はメッキＮｉ
Ｆｅ膜からなる下部磁性層、４は有機感光樹脂からなる
層間絶縁層、６はメッキＣｕ層からなるコイル層、５は
メッキＮｉＦｅ膜からなる上部磁性層、７はＡｌ2 Ｏ3
膜からなる加工保護膜であり、これらは図７で説明した
と同様にインダクティブヘッドを構成している。そして
ＭＲヘッド９は下部磁性層３と上部磁性層５とがつくる
ギャップ８の中に電気的に絶縁して配置されている。
【００１７】ＭＲヘッド９は同図（ｂ)(ｃ）に示すよう
に、長手方向（Ｘ方向）に磁化容易軸が一致するように
矩形パターンに形成されたメッキＮｉＦｅ膜からなるＭ
Ｒ素子１０と、該ＭＲ素子１０の下面に設けられて該Ｍ
Ｒ素子１０を信号磁界に対して線型動作させるためにバ
イアス磁界を印加するためのシャントバイアス導体層１
１と、ＭＲ素子１０の上面に設けられて、該ＭＲ素子１
０に交換結合磁界を磁化方向（Ｘ方向）に印加する反強
磁性膜１２ａ，１２ｂと、その上に所定幅の間隔で接合
し、ＭＲ素子１０ならびにシャントバイアス導体層１１
に電流を供給するＡｕ膜からなる引き出し導体層１３と
により構成されている。
に、長手方向（Ｘ方向）に磁化容易軸が一致するように
矩形パターンに形成されたメッキＮｉＦｅ膜からなるＭ
Ｒ素子１０と、該ＭＲ素子１０の下面に設けられて該Ｍ
Ｒ素子１０を信号磁界に対して線型動作させるためにバ
イアス磁界を印加するためのシャントバイアス導体層１
１と、ＭＲ素子１０の上面に設けられて、該ＭＲ素子１
０に交換結合磁界を磁化方向（Ｘ方向）に印加する反強
磁性膜１２ａ，１２ｂと、その上に所定幅の間隔で接合
し、ＭＲ素子１０ならびにシャントバイアス導体層１１
に電流を供給するＡｕ膜からなる引き出し導体層１３と
により構成されている。
【００１８】上記ＭＲ素子１０の両端に接合された反強
磁性膜１２ａは、ＦｅとＭｎが５０：５０のＦｅＭｎ膜
であり、ＭＲ素子１０の中央部の信号検知領域に接合さ
れた反強磁性膜１２ｂは、ＦｅＭｎ膜にＣｒ又はＮｂ又
はＴａの元素が添加されたＦｅＭｎＣｒ膜、またはＦｅ
ＭｎＮｂ膜、またはＦｅＭｎＴａ膜である。また、この
反強磁性膜１２ｂはＦｅが５０％以上又は５０％以下の
ＦｅＭｎ膜としても良い。
磁性膜１２ａは、ＦｅとＭｎが５０：５０のＦｅＭｎ膜
であり、ＭＲ素子１０の中央部の信号検知領域に接合さ
れた反強磁性膜１２ｂは、ＦｅＭｎ膜にＣｒ又はＮｂ又
はＴａの元素が添加されたＦｅＭｎＣｒ膜、またはＦｅ
ＭｎＮｂ膜、またはＦｅＭｎＴａ膜である。また、この
反強磁性膜１２ｂはＦｅが５０％以上又は５０％以下の
ＦｅＭｎ膜としても良い。
【００１９】このように構成された本実施例は、信号検
知領域に接合された反強磁性膜１２ｂが、Ｃｒ又はＮｂ
又はＴａ等の元素が添加されたＦｅＭｎ膜であるため、
図３（ａ）にＣｒの例を示すようにこれらの元素を数％
加えただけで交換結合磁界が急激に低下するため、適当
量の添加でＭＲ素子の透磁率を低下させない程度の交換
結合磁界を発生させることができる。また図３（ｂ）に
示すようにＦｅＭｎ膜の組成が５０：５０からずれた
膜、即ちＦｅが５０％以上又は以下になると交換結合磁
界が低下する。従ってＦｅとＭｎの比率を適当に選ぶこ
とによりＭＲ素子の透磁率を低下させない程度の交換結
合磁界を発生させることができる。これにより出力低下
がなく且つバルクハウゼンノイズを抑制したＭＲヘッド
が得られる。
知領域に接合された反強磁性膜１２ｂが、Ｃｒ又はＮｂ
又はＴａ等の元素が添加されたＦｅＭｎ膜であるため、
図３（ａ）にＣｒの例を示すようにこれらの元素を数％
加えただけで交換結合磁界が急激に低下するため、適当
量の添加でＭＲ素子の透磁率を低下させない程度の交換
結合磁界を発生させることができる。また図３（ｂ）に
示すようにＦｅＭｎ膜の組成が５０：５０からずれた
膜、即ちＦｅが５０％以上又は以下になると交換結合磁
界が低下する。従ってＦｅとＭｎの比率を適当に選ぶこ
とによりＭＲ素子の透磁率を低下させない程度の交換結
合磁界を発生させることができる。これにより出力低下
がなく且つバルクハウゼンノイズを抑制したＭＲヘッド
が得られる。
【００２０】図４は本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第
２の実施例を示す図である。本実施例は、ＮｉＦｅ膜か
らなるＭＲ素子１０、シャントバイアス導体層１１、反
強磁性膜１２、引き出し導体層１３とよりなることは前
実施例と同様であり、本実施例の要点は、反強磁性膜１
２の中央部の信号検知領域部分での膜厚を両端より薄く
したことである。このように構成された本実施例は反強
磁性膜１２の信号検知領域で発生する交換結合磁界は、
両端の膜厚の厚い部分より小さくなり、前実施例と同様
な効果が得られる。
２の実施例を示す図である。本実施例は、ＮｉＦｅ膜か
らなるＭＲ素子１０、シャントバイアス導体層１１、反
強磁性膜１２、引き出し導体層１３とよりなることは前
実施例と同様であり、本実施例の要点は、反強磁性膜１
２の中央部の信号検知領域部分での膜厚を両端より薄く
したことである。このように構成された本実施例は反強
磁性膜１２の信号検知領域で発生する交換結合磁界は、
両端の膜厚の厚い部分より小さくなり、前実施例と同様
な効果が得られる。
【００２１】図５は本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法の第１の実施例を説明するための図である。本実
施例は、ＭＲ素子１０に、ＦｅとＭｎが５０：５０のＦ
ｅＭｎ膜よりなる反強磁性膜１２と、引き出し導体層１
３を形成した後、該引き出し導体層１３をマスクにし
て、反強磁性膜１２にＣｒ又はＮｂ又はＴａのイオン１
４をイオン注入するのである。このようにして形成され
た磁気抵抗効果型ヘッドは、図３（ａ）で説明した様
に、イオンが注入された反強磁性膜１２がＭＲ素子の透
磁率を低下させない程度の交換結合磁界を発生すること
が可能となり、再生出力の低下がなく且つバルクハウゼ
ンノイズ抑制したＭＲヘッドが得られる。
造方法の第１の実施例を説明するための図である。本実
施例は、ＭＲ素子１０に、ＦｅとＭｎが５０：５０のＦ
ｅＭｎ膜よりなる反強磁性膜１２と、引き出し導体層１
３を形成した後、該引き出し導体層１３をマスクにし
て、反強磁性膜１２にＣｒ又はＮｂ又はＴａのイオン１
４をイオン注入するのである。このようにして形成され
た磁気抵抗効果型ヘッドは、図３（ａ）で説明した様
に、イオンが注入された反強磁性膜１２がＭＲ素子の透
磁率を低下させない程度の交換結合磁界を発生すること
が可能となり、再生出力の低下がなく且つバルクハウゼ
ンノイズ抑制したＭＲヘッドが得られる。
【００２２】図６は本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製
造方法の第２の実施例を説明するための図である。本実
施例は、ＭＲ素子１０に、ＦｅＭｎ膜よりなる反強磁性
膜１２と、引き出し導体層１３を形成した後、該引き出
し導体層１３をマスクにして反強磁性膜１２をイオンミ
リング１５し、その信号検知領域の膜厚を両端部より薄
くするのである。このようにして形成されたＭＲヘッド
は反強磁性膜１２の膜厚を薄くした部分で発生する交換
結合磁界が膜厚の厚い部分より小さくなるため、前実施
例と同様な効果が得られる。
造方法の第２の実施例を説明するための図である。本実
施例は、ＭＲ素子１０に、ＦｅＭｎ膜よりなる反強磁性
膜１２と、引き出し導体層１３を形成した後、該引き出
し導体層１３をマスクにして反強磁性膜１２をイオンミ
リング１５し、その信号検知領域の膜厚を両端部より薄
くするのである。このようにして形成されたＭＲヘッド
は反強磁性膜１２の膜厚を薄くした部分で発生する交換
結合磁界が膜厚の厚い部分より小さくなるため、前実施
例と同様な効果が得られる。
【００２３】
【発明の効果】本発明に依れば、ＭＲ素子の信号検知領
域において、素子の透磁率を低下させない程度にＭＲ素
子の磁区制御を行うことにより、再生時の再生出力の低
下がなく、且つバルクハウゼンノイズの発生を抑止する
ことが可能となる。
域において、素子の透磁率を低下させない程度にＭＲ素
子の磁区制御を行うことにより、再生時の再生出力の低
下がなく、且つバルクハウゼンノイズの発生を抑止する
ことが可能となる。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第１の実施例
を示す図で、（ａ）はインダクティブヘッドと組み合わ
された状態を示す図、（ｂ）は（ａ）図のｂ─ｂ線にお
ける拡大断面図、（Ｃ）は斜視図である。
を示す図で、（ａ）はインダクティブヘッドと組み合わ
された状態を示す図、（ｂ）は（ａ）図のｂ─ｂ線にお
ける拡大断面図、（Ｃ）は斜視図である。
【図３】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドに用いた反強磁
性膜の特性を説明するための図である。
性膜の特性を説明するための図である。
【図４】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの第２の実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図５】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の第
１の実施例を説明するための図である。
１の実施例を説明するための図である。
【図６】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法の第
２の実施例を説明するための図である。
２の実施例を説明するための図である。
【図７】従来のインダクティブ／ＭＲヘッドを示す図
で、（ａ）は要部断面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線
における拡大断面図、（ｃ）はＭＲヘッドの斜視図であ
る。
で、（ａ）は要部断面図、（ｂ）は（ａ）図のｂ−ｂ線
における拡大断面図、（ｃ）はＭＲヘッドの斜視図であ
る。
【図８】従来のＭＲヘッドの他の例を示す図である。
１…基板 ２…絶縁層 ３…下部磁性層 ４…層間絶縁層 ５…上部磁性層 ６…コイル層 ７…加工保護膜 ８…ギャップ ９…ＭＲヘッド １０…ＭＲ素子 １１…シャントバイアス導体層 １２…反強磁性膜 １３…引き出し導体層
Claims (7)
- 【請求項１】 強磁性磁気抵抗効果素子（１０）と、該
磁気抵抗効果素子（１０）に磁気的に結合して該磁気抵
抗効果素子（１０）の磁化容易軸方向に一方向性の磁界
を発生させ該磁気抵抗効果素子（１０）の磁区構造を制
御する反強磁性膜（１２）と、該磁気抵抗効果素子（１
０）に電気的に結合して再生電流を供給する引き出し導
体層（１３）とが順次積層されて構成され、記録媒体か
らの信号を検知する領域が磁気抵抗効果素子（１０）の
中央部に画定されて形成された磁気抵抗効果型ヘッドに
おいて、 前記磁気抵抗効果素子（１０）の検知領域に発生する一
方向性磁界の強度が、該磁気抵抗効果素子（１０）の両
端に生ずる一方向性磁界の強度より小さくなる磁区構造
制御手段を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項２】 前記磁区構造制御手段は、前記磁気抵抗
効果素子（１０）の両端部に位置する反強磁性膜（１２
ａ）がＦｅＭｎ膜であり、検知領域付近ではＦｅＭｎ膜
に第三元素を添加した膜（１２ｂ）であることを特徴と
する請求項１の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】 前記第三元素が、Ｃｒ又はＮｂ又はＴａ
であることを特徴とする請求項２の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項４】 前記磁区構造制御手段が、前記磁気抵抗
効果素子（１０）の両端部に位置する反強磁性膜（１２
ａ）が５０：５０のＦｅＭｎ膜であり、検知領域付近で
はＦｅが５０％以下又は以上であるＦｅＭｎ膜（１２
ｂ）であることを特徴とする請求項１の磁気抵抗効果型
ヘッド。 - 【請求項５】 前記磁気抵抗効果素子（１０）の検知領
域付近での反強磁性膜（１２）の膜厚が両端部での膜厚
よりも小さいことを特徴とする請求項１の磁気抵抗効果
型ヘッド。 - 【請求項６】 磁気抵抗効果素子（１０）、ＦｅＭｎ膜
よりなる反強磁性膜（１２）、及び引き出し導体層（１
３）を形成後、該引き出し導体層（１３）をマスクにし
て前記反強磁性膜（１２）にＣｒ又はＮｂ又はＴａのイ
オンを注入することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法。 - 【請求項７】 磁気抵抗効果素子（１０）、反強磁性膜
（１２）、及び引き出し導体層（１３）を形成後、該引
き出し導体層（１３）をマスクにして前記反強磁性膜
（１２）をイオンミリングして膜厚を薄くすることを特
徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8746893A JPH06301937A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8746893A JPH06301937A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301937A true JPH06301937A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13915741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8746893A Withdrawn JPH06301937A (ja) | 1993-04-14 | 1993-04-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06301937A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6538860B1 (en) | 1999-08-30 | 2003-03-25 | Alps Elctric Co., Ltd. | Spin-valve type magnetoresistive element capable of preventing barkhausen noise |
-
1993
- 1993-04-14 JP JP8746893A patent/JPH06301937A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6538860B1 (en) | 1999-08-30 | 2003-03-25 | Alps Elctric Co., Ltd. | Spin-valve type magnetoresistive element capable of preventing barkhausen noise |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |