JPS6252711A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS6252711A JPS6252711A JP19172785A JP19172785A JPS6252711A JP S6252711 A JPS6252711 A JP S6252711A JP 19172785 A JP19172785 A JP 19172785A JP 19172785 A JP19172785 A JP 19172785A JP S6252711 A JPS6252711 A JP S6252711A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G—PHYSICS
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- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドの改良に関する。
本発明は、センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部と
、この磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバイ
アス手段とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて
、磁気抵抗効果感磁部は、磁気抵抗効果感磁層及び磁気
抵抗効果の小さい高透磁率層並びにこれら間に配された
非磁性層が積層合体されて構成され、磁気抵抗効果感磁
層及び高透磁率層の各磁化量が略等しく成るように、両
者の厚さが選定されて成ることにより、バルクハウゼン
ノイズが発生し難く成ると共に、再生出力の直線性の低
下が回避されるようにしたものである。
、この磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバイ
アス手段とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて
、磁気抵抗効果感磁部は、磁気抵抗効果感磁層及び磁気
抵抗効果の小さい高透磁率層並びにこれら間に配された
非磁性層が積層合体されて構成され、磁気抵抗効果感磁
層及び高透磁率層の各磁化量が略等しく成るように、両
者の厚さが選定されて成ることにより、バルクハウゼン
ノイズが発生し難く成ると共に、再生出力の直線性の低
下が回避されるようにしたものである。
従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、単層の磁気抵抗効
果感磁部を用い、これにセンス電流を流すと共に、バイ
アス手段によってこの磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁
界を与え、磁気媒体よりの磁界によって磁気抵抗効果感
磁部の電気抵抗を変化させることにより、磁気媒体に記
録された磁気信号を再生するようにしていた。
果感磁部を用い、これにセンス電流を流すと共に、バイ
アス手段によってこの磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁
界を与え、磁気媒体よりの磁界によって磁気抵抗効果感
磁部の電気抵抗を変化させることにより、磁気媒体に記
録された磁気信号を再生するようにしていた。
従来の磁気抵抗効果型磁気へ・ノドは、単層の磁気抵抗
効果感磁部を用いているため、ノ〈ルクノ＼ウゼンノイ
ズが発生するという欠点があった。この原因を第６図を
参照して説明する。第６図は単層の磁気抵抗効果感磁部
の平面図であるが、この図に示すように、磁気抵抗効果
感磁部は磁気異方性等や形状に起因する静磁エネルギー
の総和が最小になるような磁区構成をとる。この場合は
、磁気抵抗効果感磁部が矩形であるので、第６図に図示
のように、両長辺に接する対称な台形の磁区（４ａ）、
（４Ｃ）と、両短辺に接する対称な二等辺三角形の磁区
（４ｂ）、（４ｄ）が形成される。Ｍ ａ ％ Ｍ ｄ
は各磁区（４ａ） 〜（４ｄ）の磁化の方向を示し、そ
の向きは閉ループを構成するように環流している。ＭＷ
１〜Ｍ Ｗ ｓは各磁区（４ａ）〜（４ｄ）間の磁壁
である。
効果感磁部を用いているため、ノ〈ルクノ＼ウゼンノイ
ズが発生するという欠点があった。この原因を第６図を
参照して説明する。第６図は単層の磁気抵抗効果感磁部
の平面図であるが、この図に示すように、磁気抵抗効果
感磁部は磁気異方性等や形状に起因する静磁エネルギー
の総和が最小になるような磁区構成をとる。この場合は
、磁気抵抗効果感磁部が矩形であるので、第６図に図示
のように、両長辺に接する対称な台形の磁区（４ａ）、
（４Ｃ）と、両短辺に接する対称な二等辺三角形の磁区
（４ｂ）、（４ｄ）が形成される。Ｍ ａ ％ Ｍ ｄ
は各磁区（４ａ） 〜（４ｄ）の磁化の方向を示し、そ
の向きは閉ループを構成するように環流している。ＭＷ
１〜Ｍ Ｗ ｓは各磁区（４ａ）〜（４ｄ）間の磁壁
である。
しかして、磁気抵抗効果感磁部がこのような磁区構成を
とるため、この磁気抵抗効果感磁部に外部磁界が与えら
れると、かかる磁壁が不連続に移動し、これがバルクハ
ウゼンノイズ発生の原因となるものである。
とるため、この磁気抵抗効果感磁部に外部磁界が与えら
れると、かかる磁壁が不連続に移動し、これがバルクハ
ウゼンノイズ発生の原因となるものである。
そこで、本出願人は、かかるバルクハウゼンノイズが発
生し難くなるようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
案した。これを以下に説明する。
生し難くなるようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
案した。これを以下に説明する。
即ち、第７図に示すように、磁気抵抗効果感磁部（４）
を、２層の磁気抵抗効果感磁層（ＭＲ感磁層）（４α）
、（４γ）及びその間に配された非磁性層（４β）を積
層合体して構成する。この場合、磁気抵抗効果感磁ｒｒ
Ｉ（４α）、（４丁）の飽和磁化量は略等しく選定され
る。非磁性層（４β）の厚さは、磁気抵抗効果感磁層（
４α）、（４γ）間の交換相互作用を無視できる程度に
減少させ、且つクーロユ／の法則に従う相互作用による
結合が充分強いとされるような値に選定される。
を、２層の磁気抵抗効果感磁層（ＭＲ感磁層）（４α）
、（４γ）及びその間に配された非磁性層（４β）を積
層合体して構成する。この場合、磁気抵抗効果感磁ｒｒ
Ｉ（４α）、（４丁）の飽和磁化量は略等しく選定され
る。非磁性層（４β）の厚さは、磁気抵抗効果感磁層（
４α）、（４γ）間の交換相互作用を無視できる程度に
減少させ、且つクーロユ／の法則に従う相互作用による
結合が充分強いとされるような値に選定される。
この磁気抵抗効果感磁部（４）には、そのトラック幅方
向にセンス電流Ｉが流される。そして、磁気抵抗効果感
磁層（４α）、（４γ）は、センス電流Ｉの方向と一致
する方向Ｘに夫々磁気異方性が付与せしめられる。かく
して、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）は夫々単
磁区構成をとる。
向にセンス電流Ｉが流される。そして、磁気抵抗効果感
磁層（４α）、（４γ）は、センス電流Ｉの方向と一致
する方向Ｘに夫々磁気異方性が付与せしめられる。かく
して、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）は夫々単
磁区構成をとる。
この場合、センス電流Ｉは、第８図に示す如く、磁気抵
抗効果感磁層（４α）、（４γ）に夫ｋＩ／２ずつ流れ
、これにより磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）の
周りに夫々磁界Ｈα、Ｈｒが形成され、これら磁界Ｈα
、Ｈｒが夫々磁気抵抗効果感磁層（４γ）、（４γ）に
与えられる。
抗効果感磁層（４α）、（４γ）に夫ｋＩ／２ずつ流れ
、これにより磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）の
周りに夫々磁界Ｈα、Ｈｒが形成され、これら磁界Ｈα
、Ｈｒが夫々磁気抵抗効果感磁層（４γ）、（４γ）に
与えられる。
このため、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）には
、第９図に示す如く、センス電流■の方向に対し、所定
の角度を持って互いに対称な磁化Ｍ１、Ｍ２が形成され
る。このため、磁気抵抗効果感磁部（４）の抵抗（Ｒ）
−磁界（Ｈ）特性は、第１０図に示す曲線Ｓ３のように
、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）夫々のピーク
部分が軸Ｒに対し対称に位置するようなＲ−Ｈ特性曲線
Ｓ＋ 、Ｓ２の合成された、双峰特性を呈する。
、第９図に示す如く、センス電流■の方向に対し、所定
の角度を持って互いに対称な磁化Ｍ１、Ｍ２が形成され
る。このため、磁気抵抗効果感磁部（４）の抵抗（Ｒ）
−磁界（Ｈ）特性は、第１０図に示す曲線Ｓ３のように
、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）夫々のピーク
部分が軸Ｒに対し対称に位置するようなＲ−Ｈ特性曲線
Ｓ＋ 、Ｓ２の合成された、双峰特性を呈する。
そこで、この磁気抵抗効果感磁部（４）に、バイアス電
流の流されるバイアス導体によって、再生特性が直線と
なるように、第１０図に示すような最適なバイアス磁界
Ｈｂを与える。かくすると、曲線Ｓ３の再生特性が直線
となる部分は、曲線Ｓ１の再生特性が非直線の部分と曲
線Ｓ２の再生特性が直線となる部分の合成されたものと
なるので、曲線Ｓ３の再生特性の直線性は低下すること
になる。
流の流されるバイアス導体によって、再生特性が直線と
なるように、第１０図に示すような最適なバイアス磁界
Ｈｂを与える。かくすると、曲線Ｓ３の再生特性が直線
となる部分は、曲線Ｓ１の再生特性が非直線の部分と曲
線Ｓ２の再生特性が直線となる部分の合成されたものと
なるので、曲線Ｓ３の再生特性の直線性は低下すること
になる。
かかる点に鑑み、本発明はバルクハウゼンノイズが発生
し難く、且つ再生特性の直線性の低下し難い磁気抵抗効
果型磁気ヘッドを提案しようとするものである。
し難く、且つ再生特性の直線性の低下し難い磁気抵抗効
果型磁気ヘッドを提案しようとするものである。
本発明は、センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部（
４）と、磁気抵抗効果感磁部（４）にバイアス磁界を与
えるバイアス手段（バイアス導体）（５）とを有する磁
気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて、磁気抵抗効果感磁部
（４）は、磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ）及び磁気抵抗効
果の小さい高這磁率層（４Ａ）並びにこれら間に配され
た非磁性層（４Ｂ）が積層合体されて構成され、磁気抵
抗効果感磁層（４Ｃ）及び高透磁率層（４Ａ）の各磁化
量が略等しく成るように、両者の厚さが選定されて成る
ものである。
４）と、磁気抵抗効果感磁部（４）にバイアス磁界を与
えるバイアス手段（バイアス導体）（５）とを有する磁
気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて、磁気抵抗効果感磁部
（４）は、磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ）及び磁気抵抗効
果の小さい高這磁率層（４Ａ）並びにこれら間に配され
た非磁性層（４Ｂ）が積層合体されて構成され、磁気抵
抗効果感磁層（４Ｃ）及び高透磁率層（４Ａ）の各磁化
量が略等しく成るように、両者の厚さが選定されて成る
ものである。
かかる本発明によれば、磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ）及
び高透磁率層（４Ａ）の磁化の方向が間じと成り、その
向きが互いに逆と成るので、磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ
）は同一面内に複数磁区構成をとることがなく、このた
めバルクハウゼンノイズが発生し難く、しかも高透磁率
層（４Ａ）を設けたので、再生出力の直線性が低下する
虞もない。
び高透磁率層（４Ａ）の磁化の方向が間じと成り、その
向きが互いに逆と成るので、磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ
）は同一面内に複数磁区構成をとることがなく、このた
めバルクハウゼンノイズが発生し難く、しかも高透磁率
層（４Ａ）を設けたので、再生出力の直線性が低下する
虞もない。
以下に、第１図を参照して、本発明の一実施例を詳細に
説明する。第１図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（２）は磁気媒体対接面側に配された、ＭＯパーマロ
イ、センダスト等から成る一方の磁性コアである。（３
）は他方の磁性コアで、磁性コア（２）と同じ材料から
成り、その一端が磁性コア（２）の端部に所定間隔を置
いて対向し、他端が磁性基板（１）に磁気的に連結され
ている。（４）は磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で
、その両端が磁性コア（２）、（３）の対向した両端部
に近接する如く配される。
説明する。第１図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（２）は磁気媒体対接面側に配された、ＭＯパーマロ
イ、センダスト等から成る一方の磁性コアである。（３
）は他方の磁性コアで、磁性コア（２）と同じ材料から
成り、その一端が磁性コア（２）の端部に所定間隔を置
いて対向し、他端が磁性基板（１）に磁気的に連結され
ている。（４）は磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で
、その両端が磁性コア（２）、（３）の対向した両端部
に近接する如く配される。
（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁性コア（３）
及び磁性基板（１）間に配される。この場合、バイアス
導体（５）は磁気抵抗効果感磁部（４）から離れている
ので、これより発生するジュール熱によって、磁気抵抗
効果感磁部（４）のＳ／Ｎが低下する虞は少ない。
及び磁性基板（１）間に配される。この場合、バイアス
導体（５）は磁気抵抗効果感磁部（４）から離れている
ので、これより発生するジュール熱によって、磁気抵抗
効果感磁部（４）のＳ／Ｎが低下する虞は少ない。
このバイアス導体（５）には紙面に垂直な方向にバイア
ス電流が流され、これによりその周囲にバイアス磁界が
発生する。このバイアス磁界は、磁性コア（２）、（３
）及び磁性基板（１）を介して、トラック幅方向と略直
交する方向に磁気抵抗効果感磁部（４）に与えられる。
ス電流が流され、これによりその周囲にバイアス磁界が
発生する。このバイアス磁界は、磁性コア（２）、（３
）及び磁性基板（１）を介して、トラック幅方向と略直
交する方向に磁気抵抗効果感磁部（４）に与えられる。
尚、バイアス導体（５）を省略し、磁気抵抗効果感磁部
（４）に流されるセンス電流によって発生する磁界によ
って、磁気抵抗効果感磁部（４）にセルフバイアス磁界
を与えるようにしても良い。
（４）に流されるセンス電流によって発生する磁界によ
って、磁気抵抗効果感磁部（４）にセルフバイアス磁界
を与えるようにしても良い。
（６）は上述の各部材間に充填された５ｉ０２等の非磁
性絶縁層である。磁性コア（２）、磁性基板（１）及び
その間の非磁性絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に
対する対接面とされる。
性絶縁層である。磁性コア（２）、磁性基板（１）及び
その間の非磁性絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に
対する対接面とされる。
次ぎに、第４図を参照して、磁気抵抗効果感磁部（４）
の構成を説明する。この磁気抵抗効果感磁部（４）は、
Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎ１−Ｆａ金合金から成る磁気抵抗効
果感磁層（ＭＲ感磁Ｎ）（４Ｃ）及びＦｅＣｏ５１Ｂ系
アモル７ｙス合金、ＣｏＺｒＮｂ系アモルファス合金等
から成る磁気抵抗効果が少なく、電気抵抗の大きな高透
磁率層（４Ａ）並びにこれら間に配された非磁性層（４
Ｂ）が積層合体されて構成され、全体の厚さは例えば７
００人程度である。磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ）及び高
透磁率層（４Ａ）の飽和磁化量は略等しく選定される。
の構成を説明する。この磁気抵抗効果感磁部（４）は、
Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎ１−Ｆａ金合金から成る磁気抵抗効
果感磁層（ＭＲ感磁Ｎ）（４Ｃ）及びＦｅＣｏ５１Ｂ系
アモル７ｙス合金、ＣｏＺｒＮｂ系アモルファス合金等
から成る磁気抵抗効果が少なく、電気抵抗の大きな高透
磁率層（４Ａ）並びにこれら間に配された非磁性層（４
Ｂ）が積層合体されて構成され、全体の厚さは例えば７
００人程度である。磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ）及び高
透磁率層（４Ａ）の飽和磁化量は略等しく選定される。
非磁性層（４Ｂ）はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔｉ、Ｍｏ
等から成る非磁性絶縁層で、その厚さは、磁気抵抗効果
感磁層（４Ｃ）及び高透磁率層（４Ａ）間の交換相互作
用を無視できる程度に減少させ、且つクーロンの法則に
従う相互作用による結合が充分強いとされるような値、
即ち略５〜５００人が適当で、例えば２０人に選定され
る。
等から成る非磁性絶縁層で、その厚さは、磁気抵抗効果
感磁層（４Ｃ）及び高透磁率層（４Ａ）間の交換相互作
用を無視できる程度に減少させ、且つクーロンの法則に
従う相互作用による結合が充分強いとされるような値、
即ち略５〜５００人が適当で、例えば２０人に選定され
る。
磁気抵抗効果感磁ＦＪ（４Ｃ）の材料としては、具体的
には、例えばＮ１５ｏＦｅ２ｏ（パーマロイ）が用いら
れ、これは磁気抵抗効果（Δρ／ρ）（％）が、０．７
〜２、飽和磁化量（ｅａ＋ｕ ／ｃａｌ）が６９、比抵
抗ρ（μΩ・ａｍ）が数十である。又、高透磁率層（４
Ａ）の材料としては、具体的には例えばＦｅ４ｏＮｉ４
ｏＰ１＋Ｂｓが用いられ、これは磁気抵抗効果（Δρ／
ρ）（％）が６Ｘ１０”、飽和磁化！ （ｅｍｕ ／ｃ
１１１）が６９４、比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）が１５４で
ある。
には、例えばＮ１５ｏＦｅ２ｏ（パーマロイ）が用いら
れ、これは磁気抵抗効果（Δρ／ρ）（％）が、０．７
〜２、飽和磁化量（ｅａ＋ｕ ／ｃａｌ）が６９、比抵
抗ρ（μΩ・ａｍ）が数十である。又、高透磁率層（４
Ａ）の材料としては、具体的には例えばＦｅ４ｏＮｉ４
ｏＰ１＋Ｂｓが用いられ、これは磁気抵抗効果（Δρ／
ρ）（％）が６Ｘ１０”、飽和磁化！ （ｅｍｕ ／ｃ
１１１）が６９４、比抵抗ρ（μΩ・ｃｍ）が１５４で
ある。
その他の磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ）の材料としては、
例えばＮ ｊ Ｔｏ Ｃｏ ３ｏが可能である。
例えばＮ ｊ Ｔｏ Ｃｏ ３ｏが可能である。
これの磁気抵抗効果（Δρ／ρ）（％）は、４．０であ
る。
る。
又、高透磁率層（４Ａ）の材料としては、例えば次のよ
うなものが可能である。
うなものが可能である。
この磁気抵抗効果感磁部（４）には、そのトラック幅方
向にセンス電流Ｉが流される。そして、磁気抵抗効果感
磁層（４Ｃ）及び高透磁率層（４Ａ）は、磁場中蒸着法
、磁場中スパッタリング法、斜方入射法等により、セン
ス電流Ｉの方向と一致する方向Ｘに夫々磁気異方性が付
与せしめられる。かくして、磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ
）、及び高透磁率層（４Ａ）は夫々単磁区構成をとり、
その磁化Ｍ２、Ｍｌは磁化異方性の方向Ｘと略一致し、
その向きが互いに逆で、その絶対値が等しく成り、磁気
抵抗効果感磁層（４Ｃ）及び高透磁率層（４Ａ）を夫々
通る閉磁束ループが形成される。か（してバルクハウゼ
ンノイズの発生が減少せしめられる。
向にセンス電流Ｉが流される。そして、磁気抵抗効果感
磁層（４Ｃ）及び高透磁率層（４Ａ）は、磁場中蒸着法
、磁場中スパッタリング法、斜方入射法等により、セン
ス電流Ｉの方向と一致する方向Ｘに夫々磁気異方性が付
与せしめられる。かくして、磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ
）、及び高透磁率層（４Ａ）は夫々単磁区構成をとり、
その磁化Ｍ２、Ｍｌは磁化異方性の方向Ｘと略一致し、
その向きが互いに逆で、その絶対値が等しく成り、磁気
抵抗効果感磁層（４Ｃ）及び高透磁率層（４Ａ）を夫々
通る閉磁束ループが形成される。か（してバルクハウゼ
ンノイズの発生が減少せしめられる。
又、かかる磁気抵抗効果感磁部（４）の高透磁率層（４
Ａ）は磁気抵抗効果（Δρ／ρ）が少ないので、磁気抵
抗効果感磁部（４）のＲ−Ｈ特性は、殆んど磁気抵抗効
果感磁層（４Ｃ）のＲ−Ｈ特性のみで決り、再生出力の
直線性の低下はない。
Ａ）は磁気抵抗効果（Δρ／ρ）が少ないので、磁気抵
抗効果感磁部（４）のＲ−Ｈ特性は、殆んど磁気抵抗効
果感磁層（４Ｃ）のＲ−Ｈ特性のみで決り、再生出力の
直線性の低下はない。
更に、高透磁率層（４Ａ）の電気抵抗が高く選定されて
いるので、センス電流の大部分は磁気抵抗効果感磁層（
４Ｃ）を流れ、高透磁率層（４Ａ）にもセンス電流のか
なりの部分が流れる場合に生じる再生出力の感度低下は
回避される。
いるので、センス電流の大部分は磁気抵抗効果感磁層（
４Ｃ）を流れ、高透磁率層（４Ａ）にもセンス電流のか
なりの部分が流れる場合に生じる再生出力の感度低下は
回避される。
次ぎに、第５図を参照して、この磁気抵抗効果感磁部（
４）の製法を説明する。先ず、非磁性絶縁層（６）上に
、蒸着、スパッタリング法等により磁気抵抗効果感磁層
（４Ｃ）を被着形成する（第５図Ａ）。次ぎに、この磁
気抵抗効果感磁層（４Ｃ）上に非磁性絶縁層（４Ｂ）を
蒸着、スパッタリング法等により被着形成する。（第５
図Ｂ）次ぎに、非磁性絶縁層（４Ｂ）上に高透磁率層（
４Ａ）を蒸着、スパッタリング法等により被着形成する
。しかる後、これをパターニングして、所定の形にする
（第５図Ｃ）。
４）の製法を説明する。先ず、非磁性絶縁層（６）上に
、蒸着、スパッタリング法等により磁気抵抗効果感磁層
（４Ｃ）を被着形成する（第５図Ａ）。次ぎに、この磁
気抵抗効果感磁層（４Ｃ）上に非磁性絶縁層（４Ｂ）を
蒸着、スパッタリング法等により被着形成する。（第５
図Ｂ）次ぎに、非磁性絶縁層（４Ｂ）上に高透磁率層（
４Ａ）を蒸着、スパッタリング法等により被着形成する
。しかる後、これをパターニングして、所定の形にする
（第５図Ｃ）。
次ぎに、第２図を参照して、本発明の他の実施例を説明
する。第２図に於いて、（１）はＭｎ −Ｚｎフェライ
ト、Ｎ １−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭＯパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（８）は磁性体で、その一端が磁気ヨーク
（７）に磁気的に連結され、その他端が磁気抵抗効果感
磁部（４）に近接配置される。
する。第２図に於いて、（１）はＭｎ −Ｚｎフェライ
ト、Ｎ １−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭＯパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（８）は磁性体で、その一端が磁気ヨーク
（７）に磁気的に連結され、その他端が磁気抵抗効果感
磁部（４）に近接配置される。
（５Ａ）、（５Ｂ）は夫々、磁性体（８）の上下に配さ
れた、銅等から成る一対のバイアス導体で、紙面に垂直
な方向において、互いに逆向きにバイアス電流がながさ
れ、これによりその周囲に発生したバイアス磁界が、磁
気ヨーク（７）、磁性体（８）及び磁性基板（１）を介
して磁気抵抗効果感磁部（４）に加算的に与えられる。
れた、銅等から成る一対のバイアス導体で、紙面に垂直
な方向において、互いに逆向きにバイアス電流がながさ
れ、これによりその周囲に発生したバイアス磁界が、磁
気ヨーク（７）、磁性体（８）及び磁性基板（１）を介
して磁気抵抗効果感磁部（４）に加算的に与えられる。
この場合、バイアス導体（５Ａ）、（５Ｂ）に流される
バイアス電流によって、磁気ヨーク（７）及び磁性基板
（１）に流れる磁束は略相殺され、これにより磁気ヨー
ク（７）及び磁性基板（１）に流れる磁束によって発生
するバルクハウゼンノイズは減少せしめられる。
バイアス電流によって、磁気ヨーク（７）及び磁性基板
（１）に流れる磁束は略相殺され、これにより磁気ヨー
ク（７）及び磁性基板（１）に流れる磁束によって発生
するバルクハウゼンノイズは減少せしめられる。
（６）は上述の各部材間に充瞑された５ｉ０２等の非磁
性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板（１）、
磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶縁層（
６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とされる。
性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板（１）、
磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶縁層（
６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とされる。
尚、磁気抵抗効果感磁部（４）は上述の実施例と同様で
ある。
ある。
次ぎに、第３図を参照して、本発明の更に他の実施例を
説明する。第３図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭｏパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁
気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に於いて磁気抵抗
効果感磁部（４）の後方に配されている。
説明する。第３図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭｏパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁
気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に於いて磁気抵抗
効果感磁部（４）の後方に配されている。
（６）は上述の各部材間に充填された５ｔ０２等からな
る非磁性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板（
１）、磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶
縁層（６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とさ
れる。
る非磁性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板（
１）、磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶
縁層（６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とさ
れる。
尚、磁気抵抗効果感磁部（４）は上述の実施例と同様で
ある。
ある。
上述せる本発明によれば、バルクハウゼンノイズが発生
し難く、再生出力の直線性の低下のない磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを得ることができる。
し難く、再生出力の直線性の低下のない磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを得ることができる。
第１図、第２図及び第３図は夫々本発明の各実施例を示
す断面図、第４図は各実施例における磁気抵抗効果感磁
部を示す斜視図、第５図はその磁気抵抗効果感磁部の製
法を示す工程断面図、第６図は従来の磁気抵抗効果型磁
気ヘッドに於ける磁気抵抗効果感磁部の平面図、第７図
、第８図及び第９図は夫々他の従来例の磁気抵抗効果感
磁部を示す斜視図、断面図及び平面図、第１０図は他の
従来例の抵抗（Ｒ）−磁界（Ｈ）特性を示す特性曲線図
である。 （１）は磁性基板、（２）、（，３）は磁性コア、（４
）は磁気抵抗効果感磁部、（４Ａ）は高透磁率層、（４
Ｂ）は非磁性層、（４Ｃ）は磁気抵抗効果感磁層、（５
）、（５Ａ）、（５Ｂ）は夫々バイアス導体、（６）は
非磁性絶縁層、（７）は磁気ヨーク、（８）は磁性体で
ある。 同 松隈秀盛 第２図 禮の＊力怪４ｖｌｌの断面図 第３図 〃Ｌ＆４シリ シ； 才じける ＭＲタ覧石社ン沓ｐσ
１１’ｉ［ｇ第６図 ィ也の台尤亭今りのＭＲ外ε（奄μの４１杉１ｇ第７図 Ａｔ！の４Ｌ泉停止のＳＲ銭成、辞か断面図第８図
す断面図、第４図は各実施例における磁気抵抗効果感磁
部を示す斜視図、第５図はその磁気抵抗効果感磁部の製
法を示す工程断面図、第６図は従来の磁気抵抗効果型磁
気ヘッドに於ける磁気抵抗効果感磁部の平面図、第７図
、第８図及び第９図は夫々他の従来例の磁気抵抗効果感
磁部を示す斜視図、断面図及び平面図、第１０図は他の
従来例の抵抗（Ｒ）−磁界（Ｈ）特性を示す特性曲線図
である。 （１）は磁性基板、（２）、（，３）は磁性コア、（４
）は磁気抵抗効果感磁部、（４Ａ）は高透磁率層、（４
Ｂ）は非磁性層、（４Ｃ）は磁気抵抗効果感磁層、（５
）、（５Ａ）、（５Ｂ）は夫々バイアス導体、（６）は
非磁性絶縁層、（７）は磁気ヨーク、（８）は磁性体で
ある。 同 松隈秀盛 第２図 禮の＊力怪４ｖｌｌの断面図 第３図 〃Ｌ＆４シリ シ； 才じける ＭＲタ覧石社ン沓ｐσ
１１’ｉ［ｇ第６図 ィ也の台尤亭今りのＭＲ外ε（奄μの４１杉１ｇ第７図 Ａｔ！の４Ｌ泉停止のＳＲ銭成、辞か断面図第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部と、該磁気抵
抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバイアス手段とを
有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて、 上記磁気抵抗効果感磁部は、磁気抵抗効果感磁層及び磁
気抵抗効果の小さい高透磁率層並びにこれら間に配され
た非磁性層が積層合体されて構成され、上記磁気抵抗効
果感磁層及び上記高透磁率層の各磁化量が略等しく成る
ように、両者の厚さが選定されて成ることを特徴とする
磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191727A JP2642923B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191727A JP2642923B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252711A true JPS6252711A (ja) | 1987-03-07 |
| JP2642923B2 JP2642923B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=16279483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60191727A Expired - Lifetime JP2642923B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2642923B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554722A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-14 | Nec Corp | Magnetoresistance effect head |
| JPS58220241A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Canon Inc | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60191727A patent/JP2642923B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554722A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-14 | Nec Corp | Magnetoresistance effect head |
| JPS58220241A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Canon Inc | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2642923B2 (ja) | 1997-08-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |