JP2642923B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドの改良に関する。
本発明は、センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部
と、この磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバ
イアス手段とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於い
て、磁気抵抗効果感磁部は、磁気抵抗効果感磁層及び磁
気抵抗効果の小さい高透磁率層並びにこれら間に配され
た非磁性層が積層合体されて構成され、磁気抵抗効果感
磁層及び高透磁率層の各磁束量が略等しく成るように、
両者の厚さが選定されて成ることにより、バルクハウゼ
ンノイズが発生し難く成ると共に、再生出力の直線性の
低下が回避されるようにしたものである。
と、この磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバ
イアス手段とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於い
て、磁気抵抗効果感磁部は、磁気抵抗効果感磁層及び磁
気抵抗効果の小さい高透磁率層並びにこれら間に配され
た非磁性層が積層合体されて構成され、磁気抵抗効果感
磁層及び高透磁率層の各磁束量が略等しく成るように、
両者の厚さが選定されて成ることにより、バルクハウゼ
ンノイズが発生し難く成ると共に、再生出力の直線性の
低下が回避されるようにしたものである。
従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、単層の磁気抵抗
効果感磁部を用い、これにセンス電流を流すと共に、バ
イアス手段によってこの磁気抵抗効果感磁部にバイアス
磁界を与え、磁気媒体よりの磁界によって磁気抵抗効果
感磁部の電気抵抗を変化させることにより、磁気媒体に
記録された磁気信号を再生するようにしていた。
効果感磁部を用い、これにセンス電流を流すと共に、バ
イアス手段によってこの磁気抵抗効果感磁部にバイアス
磁界を与え、磁気媒体よりの磁界によって磁気抵抗効果
感磁部の電気抵抗を変化させることにより、磁気媒体に
記録された磁気信号を再生するようにしていた。
従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、単層の磁気抵抗
効果感磁部を用いているため、バルクハウゼンノイズが
発生するという欠点があった。この原因を第６図を参照
して説明する。第６図は単層の磁気抵抗効果感磁部の平
面図であるが、この図に示すように、磁気抵抗効果感磁
部は磁気異方性エネルヒギー等や形状に起因する静磁エ
ネルギーの総和が最小になるような磁区構成をとる。こ
の場合は、磁気抵抗効果感磁部が矩形であるので、第６
図に図示のように、両長辺に接する対称な台形の磁区
（4a）、（4c）と、両短辺に接する対称な二等辺三角形
の磁区（4b）、（4d）が形成される。Ma〜Mdは各磁区
（4a）〜（4d）の磁化の方向を示し、その向きは閉ルー
プを構成するように還流している。MW1〜MW5は各磁区
（4a）〜（4d）間の磁壁である。
効果感磁部を用いているため、バルクハウゼンノイズが
発生するという欠点があった。この原因を第６図を参照
して説明する。第６図は単層の磁気抵抗効果感磁部の平
面図であるが、この図に示すように、磁気抵抗効果感磁
部は磁気異方性エネルヒギー等や形状に起因する静磁エ
ネルギーの総和が最小になるような磁区構成をとる。こ
の場合は、磁気抵抗効果感磁部が矩形であるので、第６
図に図示のように、両長辺に接する対称な台形の磁区
（4a）、（4c）と、両短辺に接する対称な二等辺三角形
の磁区（4b）、（4d）が形成される。Ma〜Mdは各磁区
（4a）〜（4d）の磁化の方向を示し、その向きは閉ルー
プを構成するように還流している。MW1〜MW5は各磁区
（4a）〜（4d）間の磁壁である。
しかして、磁気抵抗効果感磁部がこのような磁区構成
をとるため、この磁気抵抗効果感磁部に外部磁界が与え
られると、かかる磁壁が不連続に移動し、これがバルク
ハウゼンノイズ発生の原因となるものである。
をとるため、この磁気抵抗効果感磁部に外部磁界が与え
られると、かかる磁壁が不連続に移動し、これがバルク
ハウゼンノイズ発生の原因となるものである。
そこで、本出願人は、かかるバルクハウゼンノイズが
発生し難くなるようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
提案した。これを以下に説明する。即ち、第７図に示す
ように、磁気抵抗効果感磁部（４）を、２層の磁気抵抗
効果感磁層（MR感磁層）（４α）、（４γ）及びその間
に配された非磁性層（４β）を積層合体して構成する。
この場合、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）の総
磁束量は略等しく選定される。非磁性層（４β）の厚さ
は、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）間の交換相
互作用を無視できる程度に減少させ、且つクーロンの法
則に従う相互作用による結合が充分強いとされるような
値に選定される。
発生し難くなるようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
提案した。これを以下に説明する。即ち、第７図に示す
ように、磁気抵抗効果感磁部（４）を、２層の磁気抵抗
効果感磁層（MR感磁層）（４α）、（４γ）及びその間
に配された非磁性層（４β）を積層合体して構成する。
この場合、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）の総
磁束量は略等しく選定される。非磁性層（４β）の厚さ
は、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）間の交換相
互作用を無視できる程度に減少させ、且つクーロンの法
則に従う相互作用による結合が充分強いとされるような
値に選定される。
この磁気抵抗効果感磁部（４）には、そのトラック幅
方向にセンス電流Ｉが流される。そして、磁気抵抗効果
感磁層（４α）、（４γ）は、センス電流Ｉの方向と一
致する方向ｘに夫々磁気異方性が付与せしめられる。か
くして、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）は夫々
単磁区構成をとる。
方向にセンス電流Ｉが流される。そして、磁気抵抗効果
感磁層（４α）、（４γ）は、センス電流Ｉの方向と一
致する方向ｘに夫々磁気異方性が付与せしめられる。か
くして、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）は夫々
単磁区構成をとる。
この場合、センス電流Ｉは、第８図に示す如く、磁気
抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）に夫々I/2ずつ流
れ、これにより磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）
の周りに夫々磁界Ｈα、Ｈγが形成され、これら磁界Ｈ
α、Ｈγが夫々磁気抵抗効果感磁層（４γ）、（４α）
に与えられる。このため、磁気抵抗効果感磁層（４
α）、（４γ）には、第９図に示す如く、センス電流Ｉ
の方向に対し、所定の角度を持って互いに対称な磁化
M1、M2が形成される。このため、磁気抵抗効果感磁部
（４）の抵抗（Ｒ）−磁界（Ｈ）特性は、第10図に示す
曲線S3のように、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４
γ）夫々のピーク部分が軸Ｒに対し対称に位置するよう
なＲ−Ｈ特性曲線S1、S2の合成された、双峰特性を呈す
る。
抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）に夫々I/2ずつ流
れ、これにより磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４γ）
の周りに夫々磁界Ｈα、Ｈγが形成され、これら磁界Ｈ
α、Ｈγが夫々磁気抵抗効果感磁層（４γ）、（４α）
に与えられる。このため、磁気抵抗効果感磁層（４
α）、（４γ）には、第９図に示す如く、センス電流Ｉ
の方向に対し、所定の角度を持って互いに対称な磁化
M1、M2が形成される。このため、磁気抵抗効果感磁部
（４）の抵抗（Ｒ）−磁界（Ｈ）特性は、第10図に示す
曲線S3のように、磁気抵抗効果感磁層（４α）、（４
γ）夫々のピーク部分が軸Ｒに対し対称に位置するよう
なＲ−Ｈ特性曲線S1、S2の合成された、双峰特性を呈す
る。
そこで、この磁気抵抗効果感磁部（４）に、バイアス
電流の流されるバイアス導体によって、再生特性が直線
となるように、第10図に示すような最適なバイアス磁界
Hbを与える。かくすると、曲線S3の再生特性が直線とな
る部分は、曲線S1の再生特性が非直線の部分と曲線S2の
再生特性が直線となる部分の合成されたものとなるの
で、曲線S3の再生特性の直線性は低下することになる。
電流の流されるバイアス導体によって、再生特性が直線
となるように、第10図に示すような最適なバイアス磁界
Hbを与える。かくすると、曲線S3の再生特性が直線とな
る部分は、曲線S1の再生特性が非直線の部分と曲線S2の
再生特性が直線となる部分の合成されたものとなるの
で、曲線S3の再生特性の直線性は低下することになる。
かかる点に鑑み、本発明はバルクハウゼンノイズが発
生し難く、且つ再生特性の直線性の低下し難い磁気抵抗
効果型磁気ヘッドを提案しようとするものである。
生し難く、且つ再生特性の直線性の低下し難い磁気抵抗
効果型磁気ヘッドを提案しようとするものである。
本発明は、センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部
と、その磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバ
イアス手段とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、磁気抵抗効果感磁部は、磁気抵抗効果感磁層及び磁
気抵抗効果が小さく且つ電気抵抗の高い高透磁率層並び
にこれら間に配された略５〜500Åの厚さを有する非磁
性層が積層合体されて構成され、磁気抵抗効果感磁層及
び高透磁率層の各磁束量が略等しく成るように、両者の
厚さが選定されて成る磁気抵抗効果型磁気ヘッドであ
る。
と、その磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバ
イアス手段とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、磁気抵抗効果感磁部は、磁気抵抗効果感磁層及び磁
気抵抗効果が小さく且つ電気抵抗の高い高透磁率層並び
にこれら間に配された略５〜500Åの厚さを有する非磁
性層が積層合体されて構成され、磁気抵抗効果感磁層及
び高透磁率層の各磁束量が略等しく成るように、両者の
厚さが選定されて成る磁気抵抗効果型磁気ヘッドであ
る。
かかる本発明によれば、磁気抵抗効果感磁層及び高透
磁率層の磁気異方性の方向が同じであるため、各磁化の
向きが互いに逆となるので、磁気抵抗効果感磁層は同一
面内に複数磁区構成をとることがなく、このためバルク
ハウゼンノイズが発生し難く、しかも高透磁率層を設け
たので、再生出力の直線性が低下する虞もない。
磁率層の磁気異方性の方向が同じであるため、各磁化の
向きが互いに逆となるので、磁気抵抗効果感磁層は同一
面内に複数磁区構成をとることがなく、このためバルク
ハウゼンノイズが発生し難く、しかも高透磁率層を設け
たので、再生出力の直線性が低下する虞もない。
以下に、第１図を参照して、本発明の一実施例を詳細
に説明する。第１図に於いて、（１）はMn−Znフェライ
ト、Ni−Znフェライト等から成る磁性基板である。
（２）は磁気媒体対接面側に配された。Moパーマロイ、
センダスト、Co−金属系アモルファス合金等から成る一
方の磁性コアである。（３）は他方の磁性コアで、磁性
コア（２）と同じ材料から成り、その一端が磁性コア
（２）の端部に所定間隔を置いて対向し、他端が磁性基
板（１）に磁気的に連結されている。（４）は磁気抵抗
効果感磁部（MR感磁部）で、その両端が磁性コア
（２）、（３）の対向した両端部に近接する如く配され
る。
に説明する。第１図に於いて、（１）はMn−Znフェライ
ト、Ni−Znフェライト等から成る磁性基板である。
（２）は磁気媒体対接面側に配された。Moパーマロイ、
センダスト、Co−金属系アモルファス合金等から成る一
方の磁性コアである。（３）は他方の磁性コアで、磁性
コア（２）と同じ材料から成り、その一端が磁性コア
（２）の端部に所定間隔を置いて対向し、他端が磁性基
板（１）に磁気的に連結されている。（４）は磁気抵抗
効果感磁部（MR感磁部）で、その両端が磁性コア
（２）、（３）の対向した両端部に近接する如く配され
る。
（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁性コア
（３）及び磁性基板（１）間に配される。この場合、バ
イアス導体（５）は磁気抵抗効果感磁部（４）から離れ
ているので、これより発生するジュール熱によって、磁
気抵抗効果感磁部（４）のS/Nが低下する虞は少ない。
（３）及び磁性基板（１）間に配される。この場合、バ
イアス導体（５）は磁気抵抗効果感磁部（４）から離れ
ているので、これより発生するジュール熱によって、磁
気抵抗効果感磁部（４）のS/Nが低下する虞は少ない。
このバイアス導体（５）には紙面に垂直な方向にバイ
アス電流が流され、これによりその周囲にバイアス磁界
が発生する。このバイアス磁界は、磁性コア（２）、
（３）及び磁性基板（１）を介して、トラック幅方向と
略直交する方向に磁気抵抗効果感磁部（４）に与えられ
る。尚、バイアス導体（５）を省略し、磁気抵抗効果感
磁部（４）に流されるセンス電流によって発生する磁界
によって、磁気抵抗効果感磁部（４）にセルフバイアス
磁界を与えるようにしても良い。
アス電流が流され、これによりその周囲にバイアス磁界
が発生する。このバイアス磁界は、磁性コア（２）、
（３）及び磁性基板（１）を介して、トラック幅方向と
略直交する方向に磁気抵抗効果感磁部（４）に与えられ
る。尚、バイアス導体（５）を省略し、磁気抵抗効果感
磁部（４）に流されるセンス電流によって発生する磁界
によって、磁気抵抗効果感磁部（４）にセルフバイアス
磁界を与えるようにしても良い。
（６）は上述の各部材間に充填されたSiO2等の非磁性
絶縁層である。磁性コア（２）、磁性基板（１）及びそ
の間の非磁性絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に対
する対接面とされる。
絶縁層である。磁性コア（２）、磁性基板（１）及びそ
の間の非磁性絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に対
する対接面とされる。
次ぎに、第４図４を参照して、磁気抵抗効果感磁部
（４）の構成を説明する。この磁気抵抗効果感磁部
（４）は、Ni−Co合金、Ni−Fe合金等から成る磁気抵抗
効果感磁層（MR感磁層）（4C）及びFeCoSiB系アモルフ
ァス合金に代表される遷移金属−メタロイド系アモルフ
ァス合金、CoZrNb系アモルファス合金に代表される遷移
金属−金属系アモルファス合金等から成る磁気抵抗効果
が少なく、電気抵抗の大きな高透磁率層（4A）並びにこ
れら間に配された非磁性層（4B）が積層合体されて構成
され、全体の厚さは例えば700Å程度である。磁気抵抗
効果感磁層（4C）及び高透磁率層（4A）の総磁束量は略
等しく選定される。即ち、磁気抵抗効果感磁層（4C）の
飽和磁束密度をBS2、磁気異方性の方向ｘに垂直な面の
断面積をA2、又、高透磁率層（4A）の飽和磁束密度をB
S1、磁気異方性の方向ｘに垂直な面の断面積をA1とした
場合、 BS2A2＝BS1A1 （但し、磁束Φは、Φ＝Ｂ・Ａで与えられる）に成る様
に各々の膜厚t1、t2を選定する。非磁性層（4B）はSi
O2、Al2O3、Ti、Mo等から成る非磁性絶縁層で、その厚
さは、磁気抵抗効果感磁層（4C）及び高透磁率層（4A）
間の交換相互作用を無視できる程度に減少させ、且つク
ーロンの法則に従う相互作用による結合が充分強いとさ
れるような値、即ち略５〜500Åが適当で、例えば20Å
に選定される。この非磁性層（4B）の厚さがこのように
略５〜500Åと極端に薄いと、これに電流が流れ、実質
的に絶縁が困難となることが知られている。
（４）の構成を説明する。この磁気抵抗効果感磁部
（４）は、Ni−Co合金、Ni−Fe合金等から成る磁気抵抗
効果感磁層（MR感磁層）（4C）及びFeCoSiB系アモルフ
ァス合金に代表される遷移金属−メタロイド系アモルフ
ァス合金、CoZrNb系アモルファス合金に代表される遷移
金属−金属系アモルファス合金等から成る磁気抵抗効果
が少なく、電気抵抗の大きな高透磁率層（4A）並びにこ
れら間に配された非磁性層（4B）が積層合体されて構成
され、全体の厚さは例えば700Å程度である。磁気抵抗
効果感磁層（4C）及び高透磁率層（4A）の総磁束量は略
等しく選定される。即ち、磁気抵抗効果感磁層（4C）の
飽和磁束密度をBS2、磁気異方性の方向ｘに垂直な面の
断面積をA2、又、高透磁率層（4A）の飽和磁束密度をB
S1、磁気異方性の方向ｘに垂直な面の断面積をA1とした
場合、 BS2A2＝BS1A1 （但し、磁束Φは、Φ＝Ｂ・Ａで与えられる）に成る様
に各々の膜厚t1、t2を選定する。非磁性層（4B）はSi
O2、Al2O3、Ti、Mo等から成る非磁性絶縁層で、その厚
さは、磁気抵抗効果感磁層（4C）及び高透磁率層（4A）
間の交換相互作用を無視できる程度に減少させ、且つク
ーロンの法則に従う相互作用による結合が充分強いとさ
れるような値、即ち略５〜500Åが適当で、例えば20Å
に選定される。この非磁性層（4B）の厚さがこのように
略５〜500Åと極端に薄いと、これに電流が流れ、実質
的に絶縁が困難となることが知られている。
磁気抵抗効果感磁層（4C）の材料としては、具体的に
は、例えばNi80Fe20（パーマロイ）が用いられ、これは
磁気抵抗効果（Δρ／ρ）（％）が、0.7〜２、飽和磁
化量（emu/cm3）が約850、比抵抗ρ（μΩ・cm）が数十
である。又、高透磁率層（4A）の材料としては、具体的
には例えばFe40Ni40P14B6アモルファス合金が用いら
れ、これは磁気抵抗効果（Δρ／ρ）（％）が６×1
0-4、飽和磁化量（emu/cm3）が694、比抵抗ρ（μΩ・c
m）が154である。
は、例えばNi80Fe20（パーマロイ）が用いられ、これは
磁気抵抗効果（Δρ／ρ）（％）が、0.7〜２、飽和磁
化量（emu/cm3）が約850、比抵抗ρ（μΩ・cm）が数十
である。又、高透磁率層（4A）の材料としては、具体的
には例えばFe40Ni40P14B6アモルファス合金が用いら
れ、これは磁気抵抗効果（Δρ／ρ）（％）が６×1
0-4、飽和磁化量（emu/cm3）が694、比抵抗ρ（μΩ・c
m）が154である。
その他の磁気抵抗効果感磁層（4C）の材料としては、
例えばNi70Co30が可能である。
例えばNi70Co30が可能である。
これの磁気抵抗効果（Δρ／ρ）（％）は、4.0であ
る。
る。
又、高透磁率層（4A）の材料としては、例えば次のよ
うなものが可能である。
うなものが可能である。
この磁気抵抗効果感磁部（４）には、そのトラック幅
方向にセンス電流Ｉが流される。そして、磁気抵抗効果
感磁層（4C）及び高透磁率層（4A）は、磁場中蒸着法、
磁場中スパッタリング法、斜方入射法等により、センス
電流Ｉの方向と一致する方向ｘに夫々磁気異方性が付与
せしめられる。
方向にセンス電流Ｉが流される。そして、磁気抵抗効果
感磁層（4C）及び高透磁率層（4A）は、磁場中蒸着法、
磁場中スパッタリング法、斜方入射法等により、センス
電流Ｉの方向と一致する方向ｘに夫々磁気異方性が付与
せしめられる。
次に、非磁性層（4B）の厚さは略５〜500Åが適当で
あることを、第４図Ｂ、Ｃ及びＤを参照して説明する。
第４図Ｂに示すように、非磁性層（4B）の厚さが５Å程
度より薄いと、高透磁率層（4A）及び磁気抵抗効果感磁
層（4C）間に、交換相互作用による結合が発生し、両層
（4A）、（4C）には、同じ方向の磁界が発生する。これ
によって、両層（4A）、（4C）のそれぞれの両端部が磁
気的に不安定な状態となって、細かい不規則な磁区割れ
DBが発生し、これによってバルクハウゼンノイズが発生
する。
あることを、第４図Ｂ、Ｃ及びＤを参照して説明する。
第４図Ｂに示すように、非磁性層（4B）の厚さが５Å程
度より薄いと、高透磁率層（4A）及び磁気抵抗効果感磁
層（4C）間に、交換相互作用による結合が発生し、両層
（4A）、（4C）には、同じ方向の磁界が発生する。これ
によって、両層（4A）、（4C）のそれぞれの両端部が磁
気的に不安定な状態となって、細かい不規則な磁区割れ
DBが発生し、これによってバルクハウゼンノイズが発生
する。
又、第４図Ｂに示す如く、非磁性層（4B）の厚さが５
Å程度以上厚くなると、高透磁率層（4A）及び磁気抵抗
効果感磁層（4C）間の交換相互作用による結合が解消さ
れるが、非磁性層（4B）の厚さが500Å程度以下では、
両層（4A）、（4C）間の静磁気的結合は解消されない。
このため、第４図Ａに示す如く、高透磁率層（4A）及び
磁気抵抗効果感磁層（4C）は夫々単磁区構成をとり、そ
の磁化M1、M2は磁化異方性の方向ｘと略一致し、その向
きが互いに逆で、その絶対値が等しく成り、両層（4
A）、（4C）を通る閉磁束ループが形成される。かくし
て、第４図Ｂの場合に比べて、磁区割れによるバルクハ
ウゼンノイズの発生は減少する。
Å程度以上厚くなると、高透磁率層（4A）及び磁気抵抗
効果感磁層（4C）間の交換相互作用による結合が解消さ
れるが、非磁性層（4B）の厚さが500Å程度以下では、
両層（4A）、（4C）間の静磁気的結合は解消されない。
このため、第４図Ａに示す如く、高透磁率層（4A）及び
磁気抵抗効果感磁層（4C）は夫々単磁区構成をとり、そ
の磁化M1、M2は磁化異方性の方向ｘと略一致し、その向
きが互いに逆で、その絶対値が等しく成り、両層（4
A）、（4C）を通る閉磁束ループが形成される。かくし
て、第４図Ｂの場合に比べて、磁区割れによるバルクハ
ウゼンノイズの発生は減少する。
更に、第４図Ｄに示すように、非磁性層（4B）の厚さ
が500Å程度より厚いと、高透磁率層（4A）及び磁気抵
抗効果感磁層（4C）間の静磁気的結合も解消されるの
で、両層（4A）、（4C）には互いに独立な磁界が発生
し、両層（4A）、（4C）のそれぞれの全面が磁気的に不
安定な状態となって、両層（4A）、（4C）の全面に細か
い不規則な磁区割れDBが発生し、バルクハウゼンノイズ
は第４図Ｂの場合に比べて多く発生する。
が500Å程度より厚いと、高透磁率層（4A）及び磁気抵
抗効果感磁層（4C）間の静磁気的結合も解消されるの
で、両層（4A）、（4C）には互いに独立な磁界が発生
し、両層（4A）、（4C）のそれぞれの全面が磁気的に不
安定な状態となって、両層（4A）、（4C）の全面に細か
い不規則な磁区割れDBが発生し、バルクハウゼンノイズ
は第４図Ｂの場合に比べて多く発生する。
又、かかる磁気抵抗効果感磁部（４）の高透磁率層
（4A）は磁気抵抗効果（Δρ／ρ）が少ないので、磁気
抵抗効果感磁部（４）のＲ−Ｈ特性は、殆んど磁気抵抗
効果感磁層（4C）のＲ−Ｈ特性のみで決り、再生出力の
直線性の低下はない。
（4A）は磁気抵抗効果（Δρ／ρ）が少ないので、磁気
抵抗効果感磁部（４）のＲ−Ｈ特性は、殆んど磁気抵抗
効果感磁層（4C）のＲ−Ｈ特性のみで決り、再生出力の
直線性の低下はない。
更に、高透磁率層（4A）の電気抵抗が高く選定されて
いるので、センス電流の大部分は磁気抵抗効果感磁層
（4C）を流れ、高透磁率層（4A）にもセンス電流のかな
りの部分が流れる場合に生じる再生出力の感度低下は回
避される。
いるので、センス電流の大部分は磁気抵抗効果感磁層
（4C）を流れ、高透磁率層（4A）にもセンス電流のかな
りの部分が流れる場合に生じる再生出力の感度低下は回
避される。
次ぎに、第５図を参照して、この磁気抵抗効果感磁部
（４）の製法を説明する。先ず、非磁性絶縁層（６）上
に、蒸着、スパッタリング法等により磁気抵抗効果感磁
層（4C）を被着形成する（第５図Ａ）。次ぎに、この磁
気抵抗効果感磁層（4C）上に非磁性絶縁層（4B）を蒸
着、スパッタリング法等により被着形成する。（第５図
Ｂ）。次ぎに、非磁性絶縁層（4B）上に高透磁率層（4
A）を蒸着、スパッタリング法等により被着形成する。
しかる後、これをパターニングして、所定の形にする
（第５図Ｃ）。勿論、各層を被着形式の度にパターニン
グして、積層しても良い。
（４）の製法を説明する。先ず、非磁性絶縁層（６）上
に、蒸着、スパッタリング法等により磁気抵抗効果感磁
層（4C）を被着形成する（第５図Ａ）。次ぎに、この磁
気抵抗効果感磁層（4C）上に非磁性絶縁層（4B）を蒸
着、スパッタリング法等により被着形成する。（第５図
Ｂ）。次ぎに、非磁性絶縁層（4B）上に高透磁率層（4
A）を蒸着、スパッタリング法等により被着形成する。
しかる後、これをパターニングして、所定の形にする
（第５図Ｃ）。勿論、各層を被着形式の度にパターニン
グして、積層しても良い。
次ぎに、第２図を参照して、本発明の他の実施例を説
明する。第２図に於いて、（１）はMn−Znフェライト、
Ni−Znフェライト等から成る磁性基板である。（７）は
Moパーマロイ、センダスト、Co−金属系アモルファス合
金等から成る磁気ヨークで、その一端が磁気媒体対接面
側に位置し、他端が磁性基板（１）に磁気的に連結され
ている。（４）は磁気抵抗効果感磁部（MR感磁部）で、
磁気媒体対接面側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基
板（１）間に配されている。（８）は磁性体で、その一
端が磁気ヨーク（７）に磁気的に連結され、その他端が
磁気抵抗効果感磁部（４）に近接配置される。
明する。第２図に於いて、（１）はMn−Znフェライト、
Ni−Znフェライト等から成る磁性基板である。（７）は
Moパーマロイ、センダスト、Co−金属系アモルファス合
金等から成る磁気ヨークで、その一端が磁気媒体対接面
側に位置し、他端が磁性基板（１）に磁気的に連結され
ている。（４）は磁気抵抗効果感磁部（MR感磁部）で、
磁気媒体対接面側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基
板（１）間に配されている。（８）は磁性体で、その一
端が磁気ヨーク（７）に磁気的に連結され、その他端が
磁気抵抗効果感磁部（４）に近接配置される。
（5A）、（5B）は夫々、磁性体（８）の上下に配され
た、銅等から成る一対のバイアス導体で、紙面に垂直な
方向において、互いに逆向きにバイアス電流がながさ
れ、これによりその周囲に発生したバイアス磁界が、磁
気ヨーク（７）、磁性体（８）及び磁性基板（１）を介
して磁気抵抗効果感磁部（４）に加算的に与えられる。
尚、バイアス導体（5A）、（5B）を省略し、磁気抵抗効
果感磁部（４）の高透磁率層（4A）に流れるセンス電流
によって発生する磁界によって、磁気抵抗効果感磁層
（4C）にセルフバイアス磁界を与えるようにしても良
い。
た、銅等から成る一対のバイアス導体で、紙面に垂直な
方向において、互いに逆向きにバイアス電流がながさ
れ、これによりその周囲に発生したバイアス磁界が、磁
気ヨーク（７）、磁性体（８）及び磁性基板（１）を介
して磁気抵抗効果感磁部（４）に加算的に与えられる。
尚、バイアス導体（5A）、（5B）を省略し、磁気抵抗効
果感磁部（４）の高透磁率層（4A）に流れるセンス電流
によって発生する磁界によって、磁気抵抗効果感磁層
（4C）にセルフバイアス磁界を与えるようにしても良
い。
（６）は上述の各部材間に充填されたSiO2等の非磁性
絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板（１）、磁
気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶縁層
（６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とされ
る。
絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板（１）、磁
気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶縁層
（６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とされ
る。
尚、磁気抵抗効果感磁部（４）は上述の実施例と同様
である。
である。
次ぎに、第３図を参照して、本発明の更に他の実施例
を説明する。第３図に於いて、（１）はMn−Znフェライ
ト、Ni−Znフェライト等から成る磁性基板である。
（７）はMoパーマロイ、センダスト等から成る磁気ヨー
クで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端が磁
性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は磁気
抵抗効果感磁部（MR感磁部）で、磁気媒体対接面側に於
いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配されて
いる。（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁気ヨー
ク（７）及び磁性基板（１）間に於いて磁気抵抗効果感
磁部（４）の後方に配されている。
を説明する。第３図に於いて、（１）はMn−Znフェライ
ト、Ni−Znフェライト等から成る磁性基板である。
（７）はMoパーマロイ、センダスト等から成る磁気ヨー
クで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端が磁
性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は磁気
抵抗効果感磁部（MR感磁部）で、磁気媒体対接面側に於
いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配されて
いる。（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁気ヨー
ク（７）及び磁性基板（１）間に於いて磁気抵抗効果感
磁部（４）の後方に配されている。
尚、バイアス導体（５）を省略し、磁気抵抗効果感磁
部（４）の高透磁率層（4A）に流れるセンス電流によっ
て発生する磁界によって、磁気抵抗効果感磁層（4C）に
セルフバイアス磁界を与えるようにしても良い。
部（４）の高透磁率層（4A）に流れるセンス電流によっ
て発生する磁界によって、磁気抵抗効果感磁層（4C）に
セルフバイアス磁界を与えるようにしても良い。
（６）は上述の各部材間に充填されたSiO2等からなる
非磁性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板
（１）、磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性
絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面と
される。
非磁性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板
（１）、磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性
絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面と
される。
尚、磁気抵抗効果感磁部（４）は上述の実施例と同様
である。
である。
上述せる本発明によれば、バルクハウゼンノイズが発
生し難く、再生出力の直線性の低下のない磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを得ることができる。
生し難く、再生出力の直線性の低下のない磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを得ることができる。
第１図、第２図及び第３図は夫々本発明の各実施例を示
す断面図、第４図は各実施例における磁気抵抗効果感磁
部の斜視図及びその動作説明用断面図、第５図はその磁
気抵抗効果感磁部の製法を示す工程断面図、第６図は従
来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於ける磁気抵抗効果感
磁部の平面図、第７図、第８図及び第９図は夫々他の従
来例の磁気抵抗効果感磁部を示す斜視図、断面図及び平
面図、第10図は他の従来例の抵抗（Ｒ）−磁界（Ｈ）特
性を示す特性曲線図である。 （１）は磁性基板、（２）、（３）は磁性コア、（４）
は磁気抵抗効果感磁部、（4A）は高透磁率層、（4B）は
非磁性層、（4C）は磁気抵抗効果感磁層、（５）、（5
A）、（5B）は夫々バイアス導体、（６）は非磁性絶縁
層、（７）は磁気ヨーク、（８）は磁性体である。
す断面図、第４図は各実施例における磁気抵抗効果感磁
部の斜視図及びその動作説明用断面図、第５図はその磁
気抵抗効果感磁部の製法を示す工程断面図、第６図は従
来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於ける磁気抵抗効果感
磁部の平面図、第７図、第８図及び第９図は夫々他の従
来例の磁気抵抗効果感磁部を示す斜視図、断面図及び平
面図、第10図は他の従来例の抵抗（Ｒ）−磁界（Ｈ）特
性を示す特性曲線図である。 （１）は磁性基板、（２）、（３）は磁性コア、（４）
は磁気抵抗効果感磁部、（4A）は高透磁率層、（4B）は
非磁性層、（4C）は磁気抵抗効果感磁層、（５）、（5
A）、（5B）は夫々バイアス導体、（６）は非磁性絶縁
層、（７）は磁気ヨーク、（８）は磁性体である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 陶山 英夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 今越 茂美 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 寺田 伸大 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−220241（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−4722（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部
と、該磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバイ
アス手段とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおい
て、 上記磁気抵抗効果感磁部は、磁気抵抗効果感磁層及び磁
気抵抗効果が小さく且つ電気抵抗の高い高透磁率層並び
にこれら間に配された略５〜500Åの厚さを有する非磁
性層が積層合体されて構成され、上記磁気抵抗効果感磁
層及び上記高透磁率層の各磁束量が略等しく成るよう
に、両者の厚さが選定されて成ることを特徴とする磁気
抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191727A JP2642923B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191727A JP2642923B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252711A JPS6252711A (ja) | 1987-03-07 |
| JP2642923B2 true JP2642923B2 (ja) | 1997-08-20 |
Family
ID=16279483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60191727A Expired - Lifetime JP2642923B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2642923B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS554722A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-14 | Nec Corp | Magnetoresistance effect head |
| JPS58220241A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Canon Inc | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60191727A patent/JP2642923B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6252711A (ja) | 1987-03-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |