JPH09102109A - 記録再生分離型磁気ヘッド - Google Patents
記録再生分離型磁気ヘッドInfo
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- JPH09102109A JPH09102109A JP28257295A JP28257295A JPH09102109A JP H09102109 A JPH09102109 A JP H09102109A JP 28257295 A JP28257295 A JP 28257295A JP 28257295 A JP28257295 A JP 28257295A JP H09102109 A JPH09102109 A JP H09102109A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録再生分離型磁気ヘッドにおいて、記録過
程においてシールド膜に生じた磁化状態の乱れを正しく
初期磁化状態に戻し、再生時にノイズの少ない出力が得
られるようにした。 【解決手段】 記録再生分離型磁気ヘッドにおいて、下
部シールド膜１と上部シールド膜３の横位置に永久磁石
５などのバイアス磁場発生手段を設けて、下部と上部の
シールド膜の磁化方向を制御できるようにした。
程においてシールド膜に生じた磁化状態の乱れを正しく
初期磁化状態に戻し、再生時にノイズの少ない出力が得
られるようにした。 【解決手段】 記録再生分離型磁気ヘッドにおいて、下
部シールド膜１と上部シールド膜３の横位置に永久磁石
５などのバイアス磁場発生手段を設けて、下部と上部の
シールド膜の磁化方向を制御できるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、上部と下部のシー
ルド膜間に磁気抵抗効果素子を設けるとともに、上部シ
ールド膜の上に上部磁極を設けた記録再生分離型磁気ヘ
ッドに関し、特に、シールド膜の磁化状態の乱れを正し
く初期磁化状態に戻し、ノイズの少ない再生出力を得ら
れるようにしたものである。
ルド膜間に磁気抵抗効果素子を設けるとともに、上部シ
ールド膜の上に上部磁極を設けた記録再生分離型磁気ヘ
ッドに関し、特に、シールド膜の磁化状態の乱れを正し
く初期磁化状態に戻し、ノイズの少ない再生出力を得ら
れるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】記録再生分離型磁気ヘッドでは、読み取
り時は磁気記録媒体の磁化状態を磁気抵抗効果素子に生
じる抵抗変化として検出し、書き込み時には、誘導型薄
膜磁気ヘッドを使い磁気記録媒体を磁化して情報を記録
するものである。上記の記録再生分離型磁気ヘッドにお
いて、磁気抵抗効果素子の再生信号の線形性を向上させ
るために、このタイプの磁気ヘッドにはバイアス磁場
（横バイアス）を印加する方法がある。この技術は、再
生用の磁気抵抗効果素子の伝達関数の性質を向上させる
ことが目的であり、磁気シールド膜の磁区制御とは異な
る技術である。
り時は磁気記録媒体の磁化状態を磁気抵抗効果素子に生
じる抵抗変化として検出し、書き込み時には、誘導型薄
膜磁気ヘッドを使い磁気記録媒体を磁化して情報を記録
するものである。上記の記録再生分離型磁気ヘッドにお
いて、磁気抵抗効果素子の再生信号の線形性を向上させ
るために、このタイプの磁気ヘッドにはバイアス磁場
（横バイアス）を印加する方法がある。この技術は、再
生用の磁気抵抗効果素子の伝達関数の性質を向上させる
ことが目的であり、磁気シールド膜の磁区制御とは異な
る技術である。
【０００３】また、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気抵
抗効果素子、或は磁気抵抗効果素子の作動点を与えるバ
イアス導体膜、或は磁気シールド膜に交流電流を通電
し、微小な振幅から少なくとも磁気シールド膜の飽和磁
界以上に磁化させた後に、０振幅に減少する交流磁界を
磁気シールド膜に印加するものが特開昭６２−２７００
１６号公報に記載されている。そして磁気シールド膜
が、磁気抵抗効果素子のバイアス用磁界などによって磁
化されても、交流磁界を磁気シールド膜に印加すること
により、シールド膜効果や分解能の低下を防止できるよ
うにしている。この技術はいわゆる交流消磁を磁気シー
ルドにほどこしたものであり、磁化曲線上のシールド膜
の磁化を０にすることを目的としている。消磁後のシー
ルド膜の状態は多磁区構造となるが、これはシールド膜
の形状による反磁場の効果等によって不安定化しやす
く、シールド膜に磁場を印加しつづけて磁区制御を行う
ことと比較すると効果が不十分である。
抗効果素子、或は磁気抵抗効果素子の作動点を与えるバ
イアス導体膜、或は磁気シールド膜に交流電流を通電
し、微小な振幅から少なくとも磁気シールド膜の飽和磁
界以上に磁化させた後に、０振幅に減少する交流磁界を
磁気シールド膜に印加するものが特開昭６２−２７００
１６号公報に記載されている。そして磁気シールド膜
が、磁気抵抗効果素子のバイアス用磁界などによって磁
化されても、交流磁界を磁気シールド膜に印加すること
により、シールド膜効果や分解能の低下を防止できるよ
うにしている。この技術はいわゆる交流消磁を磁気シー
ルドにほどこしたものであり、磁化曲線上のシールド膜
の磁化を０にすることを目的としている。消磁後のシー
ルド膜の状態は多磁区構造となるが、これはシールド膜
の形状による反磁場の効果等によって不安定化しやす
く、シールド膜に磁場を印加しつづけて磁区制御を行う
ことと比較すると効果が不十分である。
【０００４】さらに、磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおけ
る磁気抵抗効果素子の両端の接続端子近傍に、前記の素
子幅と直交する方向にそれぞれ切り込みを設けるととも
に、前記素子の中間部にセンター端子を設けた構成と
し、前記素子中を流れる電流の方向を素子幅方向から４
５°傾けて前記素子幅と直交する方向に流れる電流成分
により前記素子に近接配置したシールド膜磁性体を磁化
し、その磁界により前記素子を安定に単磁区化するよう
にしたものが特開昭６３−７１９１５号公報に記載され
ている。そして前記構成により、トラック密度の高い磁
気記録媒体に対して良好な再生特性が得られるようにし
ている。
る磁気抵抗効果素子の両端の接続端子近傍に、前記の素
子幅と直交する方向にそれぞれ切り込みを設けるととも
に、前記素子の中間部にセンター端子を設けた構成と
し、前記素子中を流れる電流の方向を素子幅方向から４
５°傾けて前記素子幅と直交する方向に流れる電流成分
により前記素子に近接配置したシールド膜磁性体を磁化
し、その磁界により前記素子を安定に単磁区化するよう
にしたものが特開昭６３−７１９１５号公報に記載され
ている。そして前記構成により、トラック密度の高い磁
気記録媒体に対して良好な再生特性が得られるようにし
ている。
【０００５】また、特開平２−１５４３１０号公報に
は、磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果
素子の差動化する各チャンネルの磁気抵抗効果膜の上部
あるいは下部のいずれかに、絶縁層を介して保磁力の互
いに異なる永久磁石膜を設け、各永久磁石膜を互いに逆
方向に着磁して各チャンネルの磁気抵抗効果膜に対して
逆方向のバイアス磁界が加わるようにし、大きな出力が
得られるようにしたものを記載している。しかし、この
場合も磁気シールド膜の磁区制御とは異なる技術であ
る。
は、磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果
素子の差動化する各チャンネルの磁気抵抗効果膜の上部
あるいは下部のいずれかに、絶縁層を介して保磁力の互
いに異なる永久磁石膜を設け、各永久磁石膜を互いに逆
方向に着磁して各チャンネルの磁気抵抗効果膜に対して
逆方向のバイアス磁界が加わるようにし、大きな出力が
得られるようにしたものを記載している。しかし、この
場合も磁気シールド膜の磁区制御とは異なる技術であ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のなかに
記録再生分離型磁気ヘッドの再生信号の線形性を向上さ
せる目的でバイアス磁場を印加するもの、シールド膜効
果や分解能の低下を防止するため交流磁界を磁気シール
ド膜に印加するもの、良好な再生特性を得るため電流に
よりシールド膜磁性体を磁化するもの、大きな出力を得
るため磁気抵抗効果素子に逆方向のバイアス磁界を加え
るものがあるが、それらは磁気シールド膜の磁区を制御
して、再生出力の変動を低減するものとは目的と作用が
異なる。すなわち、記録再生分離型磁気ヘッドでは、磁
気信号を磁気記録媒体に記録するときは、記録用の一対
の磁極を強く磁化する。これに対して、再生を行うとき
は磁極の磁化を初期状態に戻し、再生用の磁気抵抗効果
素子に通電し、磁気抵抗効果素子の磁化状態の違いによ
る抵抗変化を検出するようにしている。このため、記録
過程において磁極（シールド膜兼用）に加えられた磁場
の影響が、磁気抵抗効果素子を遮蔽するためのシールド
に磁化状態の乱れとして現われる。そして再生時に、上
記の磁化の乱れが静磁結合により磁気抵抗効果素子の横
バイアス状態を誘乱して、再生出力の変動を引き起すと
いう問題がある。
記録再生分離型磁気ヘッドの再生信号の線形性を向上さ
せる目的でバイアス磁場を印加するもの、シールド膜効
果や分解能の低下を防止するため交流磁界を磁気シール
ド膜に印加するもの、良好な再生特性を得るため電流に
よりシールド膜磁性体を磁化するもの、大きな出力を得
るため磁気抵抗効果素子に逆方向のバイアス磁界を加え
るものがあるが、それらは磁気シールド膜の磁区を制御
して、再生出力の変動を低減するものとは目的と作用が
異なる。すなわち、記録再生分離型磁気ヘッドでは、磁
気信号を磁気記録媒体に記録するときは、記録用の一対
の磁極を強く磁化する。これに対して、再生を行うとき
は磁極の磁化を初期状態に戻し、再生用の磁気抵抗効果
素子に通電し、磁気抵抗効果素子の磁化状態の違いによ
る抵抗変化を検出するようにしている。このため、記録
過程において磁極（シールド膜兼用）に加えられた磁場
の影響が、磁気抵抗効果素子を遮蔽するためのシールド
に磁化状態の乱れとして現われる。そして再生時に、上
記の磁化の乱れが静磁結合により磁気抵抗効果素子の横
バイアス状態を誘乱して、再生出力の変動を引き起すと
いう問題がある。
【０００７】そこで本発明は、記録再生分離型磁気ヘッ
ドにおいて、シールド膜の横位置にバイアス磁場発生手
段を設けてシールド膜の磁化方向を制御することによ
り、記録過程においてシールド膜に生じた磁化状態の乱
れを正しく初期磁化状態に戻し、再生時にノイズの少な
い出力が得られるようにすることを目的とする。
ドにおいて、シールド膜の横位置にバイアス磁場発生手
段を設けてシールド膜の磁化方向を制御することによ
り、記録過程においてシールド膜に生じた磁化状態の乱
れを正しく初期磁化状態に戻し、再生時にノイズの少な
い出力が得られるようにすることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成した本発
明は、下部シールド膜と上部シールド膜との間に絶縁層
を介して磁気抵抗効果型素子を設けるとともに、上部シ
ールド膜の上に記録ギャップを介して上部磁極を設けた
記録再生分離型磁気ヘッドにおいて、下部シールド膜と
上部シールド膜の横位置にバイアス磁場発生手段を設け
て、下部と上部のシールド膜の磁化方向を制御できるよ
うにしたことを特徴とする。このような磁気ヘッドで
は、記録過程において下部と上部のシールド膜に加えら
れた磁場の影響が磁気抵抗効果素子を遮蔽するためシー
ルドの磁化状態を乱れさせるが、前記のバイアス磁場発
生手段により両シールド膜の磁化状態は初期状態に戻さ
れるので、横バイアス状態が変化することはなく、再生
時にノイズの少ない再生出力を得ることができる。
明は、下部シールド膜と上部シールド膜との間に絶縁層
を介して磁気抵抗効果型素子を設けるとともに、上部シ
ールド膜の上に記録ギャップを介して上部磁極を設けた
記録再生分離型磁気ヘッドにおいて、下部シールド膜と
上部シールド膜の横位置にバイアス磁場発生手段を設け
て、下部と上部のシールド膜の磁化方向を制御できるよ
うにしたことを特徴とする。このような磁気ヘッドで
は、記録過程において下部と上部のシールド膜に加えら
れた磁場の影響が磁気抵抗効果素子を遮蔽するためシー
ルドの磁化状態を乱れさせるが、前記のバイアス磁場発
生手段により両シールド膜の磁化状態は初期状態に戻さ
れるので、横バイアス状態が変化することはなく、再生
時にノイズの少ない再生出力を得ることができる。
【０００９】上記のバイアス磁場発生手段としては、永
久磁石で或は硬磁性薄膜などで構成したもの、あるいは
電流による磁場発生手段で構成したものがある。また上
記の記録再生分離型磁気ヘッドにおいて、バイアス磁場
発生手段は、下部と上部のシールド膜の横方向の中心位
置での磁場が５Ｏｅ以上となるように設定することによ
り、シールド膜の磁化方向を十分に制御することができ
る。さらにバイアス磁場発生手段の横方向に垂直な方向
の長さは、下部と上部の磁気シールド膜の横方向に垂直
方向の長さの少なくとも５０％の長さを有するように形
成することにより、再生時のノイズをより低減できる。
久磁石で或は硬磁性薄膜などで構成したもの、あるいは
電流による磁場発生手段で構成したものがある。また上
記の記録再生分離型磁気ヘッドにおいて、バイアス磁場
発生手段は、下部と上部のシールド膜の横方向の中心位
置での磁場が５Ｏｅ以上となるように設定することによ
り、シールド膜の磁化方向を十分に制御することができ
る。さらにバイアス磁場発生手段の横方向に垂直な方向
の長さは、下部と上部の磁気シールド膜の横方向に垂直
方向の長さの少なくとも５０％の長さを有するように形
成することにより、再生時のノイズをより低減できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の記録再生分離型磁気ヘッ
ドの第１実施例を図１により説明する。磁気ヘッドは、
下部シールド膜１の上に絶縁層を介して磁気抵抗効果型
素子２が設けられ、その上に絶縁層を介して下部磁極３
を兼用する上部シールド膜３が設けられ、さらに上部シ
ールド膜３の上に絶縁層からなる記録ギャップを介して
上部磁極４が設けられている。また磁気抵抗効果素子２
の両側に電極が設けられているが、その図示は省略し
た。そして前記磁気ヘッドが磁気記録媒体に微小間隔で
対向して、磁気抵抗効果素子２により再生作用（読み取
り）をし、下部磁極３と上部磁極４との間で記録作用
（書き込み）をするようになっている。
ドの第１実施例を図１により説明する。磁気ヘッドは、
下部シールド膜１の上に絶縁層を介して磁気抵抗効果型
素子２が設けられ、その上に絶縁層を介して下部磁極３
を兼用する上部シールド膜３が設けられ、さらに上部シ
ールド膜３の上に絶縁層からなる記録ギャップを介して
上部磁極４が設けられている。また磁気抵抗効果素子２
の両側に電極が設けられているが、その図示は省略し
た。そして前記磁気ヘッドが磁気記録媒体に微小間隔で
対向して、磁気抵抗効果素子２により再生作用（読み取
り）をし、下部磁極３と上部磁極４との間で記録作用
（書き込み）をするようになっている。
【００１１】また、下部シールド膜１と上部シールド膜
３との横位置にバイアス磁場発生手段Ｂが設けられ、図
１の実施例のバイアス磁場発生手段Ｂは永久磁石５によ
り構成されている。すなわち、下部シールド膜１と上部
シールド膜３の両横位置にそれぞれ永久磁石５が配置さ
れ、それら２つの永久磁石５は磁化方向が横方向であっ
て、しかも着磁状態が同一にされている。２つの永久磁
石５による２つのシールド膜１、３の横方向の中心位置
（図２のＭ点）での磁場は、５Ｏｅ以上となるように２
つの永久磁石５を設定することにより、２つのシールド
膜のほぼ全体の磁化方向を所定の方向に向くようにする
ことができ、それにより再生時のノイズを低下させるこ
とができる。なお、印加磁場の影響を調べるため、２つ
のシールド膜間の中心位置Ｍでの磁場とノイズの関係を
測定したところ、図４に示す結果を得ることができた。
この結果から、中心磁場が５Ｏｅ以上のときにノイズが
約１．２以下となり、望ましいことがわかる。
３との横位置にバイアス磁場発生手段Ｂが設けられ、図
１の実施例のバイアス磁場発生手段Ｂは永久磁石５によ
り構成されている。すなわち、下部シールド膜１と上部
シールド膜３の両横位置にそれぞれ永久磁石５が配置さ
れ、それら２つの永久磁石５は磁化方向が横方向であっ
て、しかも着磁状態が同一にされている。２つの永久磁
石５による２つのシールド膜１、３の横方向の中心位置
（図２のＭ点）での磁場は、５Ｏｅ以上となるように２
つの永久磁石５を設定することにより、２つのシールド
膜のほぼ全体の磁化方向を所定の方向に向くようにする
ことができ、それにより再生時のノイズを低下させるこ
とができる。なお、印加磁場の影響を調べるため、２つ
のシールド膜間の中心位置Ｍでの磁場とノイズの関係を
測定したところ、図４に示す結果を得ることができた。
この結果から、中心磁場が５Ｏｅ以上のときにノイズが
約１．２以下となり、望ましいことがわかる。
【００１２】さらに、図３に示す永久磁石５の横方向に
垂直方向の長さｌは、下部および上部のシールド膜１、
３の長さＬの５０％以上にして、シールド膜１、３のほ
ぼ全体を磁区制御できるようにするのが望ましい。バイ
アス磁場の印加領域の影響を調べるため、永久磁石５の
長さｌとシールド膜の長Ｌさとの比ｌ／Ｌと、再生時の
ノイズとの関係を測定したところ図５に示す結果を得る
ことができた。この結果から、ｌ／Ｌが０．５以下であ
れば、ノイズが約１．２以下となり望ましいことがわか
る。上記のように構成された磁気ヘッドでは、記録過程
において下部と上部のシールド膜に加えられた磁場の影
響が磁気抵抗効果素子を遮蔽するためシールド膜の磁化
状態を乱れさせるが、前記のバイアス磁場発生手段によ
り両シールド膜の磁化状態は初期状態に戻されるので、
横バイアス状態が変化することはなく、再生時にノイズ
の少ない再生出力を得ることができる。
垂直方向の長さｌは、下部および上部のシールド膜１、
３の長さＬの５０％以上にして、シールド膜１、３のほ
ぼ全体を磁区制御できるようにするのが望ましい。バイ
アス磁場の印加領域の影響を調べるため、永久磁石５の
長さｌとシールド膜の長Ｌさとの比ｌ／Ｌと、再生時の
ノイズとの関係を測定したところ図５に示す結果を得る
ことができた。この結果から、ｌ／Ｌが０．５以下であ
れば、ノイズが約１．２以下となり望ましいことがわか
る。上記のように構成された磁気ヘッドでは、記録過程
において下部と上部のシールド膜に加えられた磁場の影
響が磁気抵抗効果素子を遮蔽するためシールド膜の磁化
状態を乱れさせるが、前記のバイアス磁場発生手段によ
り両シールド膜の磁化状態は初期状態に戻されるので、
横バイアス状態が変化することはなく、再生時にノイズ
の少ない再生出力を得ることができる。
【００１３】次に、記録再生分離型磁気ヘッドの第２実
施例を図２により説明する。この磁気ヘッドは、図１の
磁気ヘッドと同様の構成であり、磁気抵抗効果素子２の
両側に電極８が設けられて、それらを介して磁気抵抗効
果型素子２に通電されるようになっている。第２実施例
では、バイアス磁場発生手段Ｂのみを変更して、前記の
永久磁石５の代わりに電流を流してシールド膜１、３の
両横に磁場を形成できるようになっている。そのため、
下部シールド膜１と上部シールド膜３の両横にそれぞれ
バイアス導体６を各シールド膜１、３と平行に配置し、
それらバイアス導体６を電源に接続して図２の矢印方向
に電流を流すことによりその周囲に磁場を形成できるよ
うにした。なおシールド膜１の両側に生じる各磁場の磁
化方向は同一方向となるようにされている。また電流磁
場は、電流の切り替えによって記録再生の過程に合わせ
てシールド膜１、３の磁区制御が可能である。例えば再
生時にのみ磁区制御用バイアス電流を印加するとする
と、記録時には記録磁場のみがシールド膜を磁化し、良
好な記録特性を得ることができる。
施例を図２により説明する。この磁気ヘッドは、図１の
磁気ヘッドと同様の構成であり、磁気抵抗効果素子２の
両側に電極８が設けられて、それらを介して磁気抵抗効
果型素子２に通電されるようになっている。第２実施例
では、バイアス磁場発生手段Ｂのみを変更して、前記の
永久磁石５の代わりに電流を流してシールド膜１、３の
両横に磁場を形成できるようになっている。そのため、
下部シールド膜１と上部シールド膜３の両横にそれぞれ
バイアス導体６を各シールド膜１、３と平行に配置し、
それらバイアス導体６を電源に接続して図２の矢印方向
に電流を流すことによりその周囲に磁場を形成できるよ
うにした。なおシールド膜１の両側に生じる各磁場の磁
化方向は同一方向となるようにされている。また電流磁
場は、電流の切り替えによって記録再生の過程に合わせ
てシールド膜１、３の磁区制御が可能である。例えば再
生時にのみ磁区制御用バイアス電流を印加するとする
と、記録時には記録磁場のみがシールド膜を磁化し、良
好な記録特性を得ることができる。
【００１４】上記の２つのバイアス導体６により生じる
磁場は前記実施例と同様に、シールド膜１の横方向の中
心位置での磁場が、５Ｏｅ以上となるように２つバイア
ス導体と電流強さを設定することにより、２つのシール
ド膜のほぼ全体の磁化方向を所定の方向に向けることが
でき、それにより再生時のノイズを低減できる。さら
に、図２に示すバイアス導体６の横方向に垂直な方向の
長さｌは、前記実施例と同様にシールド膜の横方向に垂
直方向の長さＬの５０％以上にして、シールド膜のほぼ
全体の磁区制御をできるようにするのが望ましい。
磁場は前記実施例と同様に、シールド膜１の横方向の中
心位置での磁場が、５Ｏｅ以上となるように２つバイア
ス導体と電流強さを設定することにより、２つのシール
ド膜のほぼ全体の磁化方向を所定の方向に向けることが
でき、それにより再生時のノイズを低減できる。さら
に、図２に示すバイアス導体６の横方向に垂直な方向の
長さｌは、前記実施例と同様にシールド膜の横方向に垂
直方向の長さＬの５０％以上にして、シールド膜のほぼ
全体の磁区制御をできるようにするのが望ましい。
【００１５】
【発明の効果】本発明の記録再生分離型磁気ヘッドは、
磁気抵抗効果素子の上下に設けるシールド膜の両横位置
に、バイアス磁場発生手段を設けているので、記録過程
において下部と上部のシールド膜に加えられた磁場の影
響でシールド膜の磁化状態が乱されても、前記のバイア
ス磁場発生手段により両シールド膜の磁化状態は初期状
態に戻され、再生時に横バイアス状態が変化することは
なく、再生時にノイズの少ない再生出力を得ることがで
きる。
磁気抵抗効果素子の上下に設けるシールド膜の両横位置
に、バイアス磁場発生手段を設けているので、記録過程
において下部と上部のシールド膜に加えられた磁場の影
響でシールド膜の磁化状態が乱されても、前記のバイア
ス磁場発生手段により両シールド膜の磁化状態は初期状
態に戻され、再生時に横バイアス状態が変化することは
なく、再生時にノイズの少ない再生出力を得ることがで
きる。
【図１】本発明の記録再生分離型磁気ヘッドの第１実施
例を示す部分説明図である。
例を示す部分説明図である。
【図２】本発明の記録再生分離型磁気ヘッドの第２実施
例を示す部分平面図である。
例を示す部分平面図である。
【図３】本発明の記録再生分離型磁気ヘッドのバイアス
磁場発生手段とシールドとの寸法関係を示す説明図であ
る。
磁場発生手段とシールドとの寸法関係を示す説明図であ
る。
【図４】バイアス磁場発生手段による中心磁場と、再生
時のノイズとの関係を示す測定結果である。
時のノイズとの関係を示す測定結果である。
【図５】永久磁石とシールド膜の長さの比（ｌ／Ｌ）
と、再生時のノイズとの関係を示す測定結果である。
と、再生時のノイズとの関係を示す測定結果である。
１ 下部シールド膜 ２ 磁気抵抗効果素子 ３ 上部シールド膜（下部磁極） ５ 永久磁石 ６ バイアス導体
Claims (5)
- 【請求項１】 下部シールド膜と上部シールド膜との間
に絶縁層を介して磁気抵抗効果型素子を設けるととも
に、上部シールド膜の上に記録ギャップを介して上部磁
極を設けた記録再生分離型磁気ヘッドにおいて、下部シ
ールド膜と上部シールド膜の横位置にバイアス磁場発生
手段を設けて、少なくとも下部または上部のシールド膜
の磁化方向を制御できるようにしたことを特徴とする記
録再生分離型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１の記録再生分離型磁気ヘッドに
おいて、バイアス磁場発生手段が永久磁石または硬磁性
薄膜で構成されている記録再生分離型磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１の記録再生分離型磁気ヘッドに
おいて、バイアス磁場発生手段が電流による磁場発生手
段で構成されている記録再生分離型磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３の記録再生分離型磁
気ヘッドにおいて、バイアス磁場発生手段は、下部と上
部のシールド膜の横方向の中心位置での磁場が５Ｏｅ以
上となるように設定されている記録再生分離型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１つの記録再
生分離型磁気ヘッドにおいて、バイアス磁場発生手段の
横方向に垂直な方向の長さが、下部と上部の磁気シール
ド膜の横方向に垂直方向の長さの少なくとも５０％の長
さを有するように形成されている記録再生分離型磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28257295A JPH09102109A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 記録再生分離型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28257295A JPH09102109A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 記録再生分離型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102109A true JPH09102109A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17654238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28257295A Pending JPH09102109A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | 記録再生分離型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102109A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091116A3 (en) * | 2000-05-25 | 2002-05-10 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| US7474509B2 (en) | 2004-07-28 | 2009-01-06 | Tdk Corporation | Magnetic recording apparatus with head arm holding part |
| US9146260B2 (en) | 2010-06-09 | 2015-09-29 | Alps Green Devices Co., Ltd. | Magnetic balance type current sensor |
| US20150279416A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | HGST Netherlands B.V. | Magnetization Control For Magnetic Shield In Magnetic Recording Head |
| CN106531197A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-03-22 | 广东浪潮大数据研究有限公司 | 一种定位设备、硬盘驱动器及充磁方法 |
-
1995
- 1995-10-04 JP JP28257295A patent/JPH09102109A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001091116A3 (en) * | 2000-05-25 | 2002-05-10 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| GB2379323A (en) * | 2000-05-25 | 2003-03-05 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| US6597545B2 (en) | 2000-05-25 | 2003-07-22 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| GB2379323B (en) * | 2000-05-25 | 2003-12-24 | Seagate Technology Llc | Shield design for magnetoresistive sensor |
| US7474509B2 (en) | 2004-07-28 | 2009-01-06 | Tdk Corporation | Magnetic recording apparatus with head arm holding part |
| US9146260B2 (en) | 2010-06-09 | 2015-09-29 | Alps Green Devices Co., Ltd. | Magnetic balance type current sensor |
| US20150279416A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | HGST Netherlands B.V. | Magnetization Control For Magnetic Shield In Magnetic Recording Head |
| US9263086B2 (en) * | 2014-03-27 | 2016-02-16 | HGST Netherlands B.V. | Magnetization control for magnetic shield in magnetic recording head |
| CN106531197A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-03-22 | 广东浪潮大数据研究有限公司 | 一种定位设备、硬盘驱动器及充磁方法 |
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