JPH04341907A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH04341907A JPH04341907A JP14133791A JP14133791A JPH04341907A JP H04341907 A JPH04341907 A JP H04341907A JP 14133791 A JP14133791 A JP 14133791A JP 14133791 A JP14133791 A JP 14133791A JP H04341907 A JPH04341907 A JP H04341907A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置に使
用する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するもので
ある。
用する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】昨今の高密度記録のため磁気ヘッドのト
ラックの狭幅化に伴い、トラック幅など構造上の高い寸
法精度が必要になってきている。そこで、薄膜技術が高
い寸法精度を達成することができることから、薄膜技術
を利用した磁気ヘッドの製造技術が開発されるようにな
り、従来よりも高い寸法精度が得られると共に、コイル
巻き付け工程などが省けるなどの製造工程の簡略化も可
能となってきた。
ラックの狭幅化に伴い、トラック幅など構造上の高い寸
法精度が必要になってきている。そこで、薄膜技術が高
い寸法精度を達成することができることから、薄膜技術
を利用した磁気ヘッドの製造技術が開発されるようにな
り、従来よりも高い寸法精度が得られると共に、コイル
巻き付け工程などが省けるなどの製造工程の簡略化も可
能となってきた。
【０００３】図４は、かかる薄膜技術を利用して製造し
た薄膜磁気ヘッド２０の一例を示す要部断面斜視図であ
って、１は非磁性絶縁基板、２は下部磁性体層、３は上
部磁性体層、４はギャップ層、５はコイル層、６は絶縁
層、７は保護層、８はテープ摺動面、９はバックコンタ
クト部、１０はフロントギャップ部である。
た薄膜磁気ヘッド２０の一例を示す要部断面斜視図であ
って、１は非磁性絶縁基板、２は下部磁性体層、３は上
部磁性体層、４はギャップ層、５はコイル層、６は絶縁
層、７は保護層、８はテープ摺動面、９はバックコンタ
クト部、１０はフロントギャップ部である。
【０００４】同図において、非磁性絶縁基板１はガラス
あるいはセラミックスなどの耐磨耗性の材料からなり、
その上にパーマロイなどの材料からなる下部磁性体層２
が、さらに、ＳｉＯ２ 、Ａｌ２ Ｏ３ などの材料か
らなり、ヘッドギャップを構成するギャップ層４が形成
されている。ギャップ層４上にはコイル層５が形成され
て絶縁層６で被覆し、ギャップ層４の一部をエッチング
した後、上部磁性体層３を形成する。この結果、下部磁
性体層２と上部磁性体層３とはギャップ層４のエッチン
グされた部分で接合されてバックコンタクト部９を形成
し、下部磁性体層２と上部磁性体層３とは磁気ループが
形成される。さらに、上部磁性体層３を覆うように保護
膜７で被覆されている。
あるいはセラミックスなどの耐磨耗性の材料からなり、
その上にパーマロイなどの材料からなる下部磁性体層２
が、さらに、ＳｉＯ２ 、Ａｌ２ Ｏ３ などの材料か
らなり、ヘッドギャップを構成するギャップ層４が形成
されている。ギャップ層４上にはコイル層５が形成され
て絶縁層６で被覆し、ギャップ層４の一部をエッチング
した後、上部磁性体層３を形成する。この結果、下部磁
性体層２と上部磁性体層３とはギャップ層４のエッチン
グされた部分で接合されてバックコンタクト部９を形成
し、下部磁性体層２と上部磁性体層３とは磁気ループが
形成される。さらに、上部磁性体層３を覆うように保護
膜７で被覆されている。
【０００５】図５は従来の薄膜磁気ヘッド２０の製造工
程を示す要部断面工程図である。
程を示す要部断面工程図である。
【０００６】以下、同図を用いて製造工程を説明する。
工程１、ガラス或いはセラミックスなどの耐磨耗性の材
料からなる非磁性絶縁基板１上にアモルファスなどの材
料からなる下部磁性体層２を形成する。 工程２、下部磁性体層２上にＳｉＯ２ 、Ａｌ２ Ｏ３
などの材料からなり、ヘッドギャップを構成するギャ
ップ層４を形成する。さらに、このギャップ層４上には
絶縁層６を形成する。 工程３、絶縁層６上の所定の位置にコイル層５を形成す
る。このコイル層５を覆うように絶縁層６を再度形成す
る。 工程４、絶縁層６上に上部磁性体層３を形成する。この
結果、下部磁性体層２と上部磁性体層３とで磁気ループ
を形成することができる。 工程５、さらに、上部磁性体層３を覆うように保護層７
を形成する。
料からなる非磁性絶縁基板１上にアモルファスなどの材
料からなる下部磁性体層２を形成する。 工程２、下部磁性体層２上にＳｉＯ２ 、Ａｌ２ Ｏ３
などの材料からなり、ヘッドギャップを構成するギャ
ップ層４を形成する。さらに、このギャップ層４上には
絶縁層６を形成する。 工程３、絶縁層６上の所定の位置にコイル層５を形成す
る。このコイル層５を覆うように絶縁層６を再度形成す
る。 工程４、絶縁層６上に上部磁性体層３を形成する。この
結果、下部磁性体層２と上部磁性体層３とで磁気ループ
を形成することができる。 工程５、さらに、上部磁性体層３を覆うように保護層７
を形成する。
【０００７】上述した薄膜磁気ヘッド２０を構成する各
層の形成には、薄膜技術やフオトエッチングなどの手法
でもつて行われる。
層の形成には、薄膜技術やフオトエッチングなどの手法
でもつて行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図６は磁性体層におけ
る磁束と電流の説明図である。
る磁束と電流の説明図である。
【０００９】一般に薄い磁性体層を磁束が通る場合、同
図に示すように磁束Ｃが磁性体層の法線方向に入射する
と、この磁束Ｃを打ち消す方向に電流ｉが半径ｒをもっ
て流れる（過電流）。この結果、磁束Ｃは磁性体層を通
り難くなる。尚、この半径ｒは磁性体層の比抵抗により
変化する値であり、比抵抗が小さくなると半径ｒも小さ
くなる。この半径ｒよりも小さい磁性体層の厚さ方向に
磁束Ａ、磁束Ｂ方向が薄い磁性体層に平行に入射した場
合は、磁性体層の厚さｔは半径ｒに比べて充分小さいた
めに、磁束を打ち消す電流ｉ（過電流）は流れ難くなり
、その結果磁束は流れ易くなることがわかっている。 従って上述した従来の薄膜磁気ヘッド２０は、図４に示
したＢまたはＤ方向には磁束がスムースに流れるが、Ａ
またはＣ方向に磁束が流れるフロントギャップ部１２と
バックコンタクト部１１では磁性層の法線方向に磁束が
流れるため、その過電流により磁束が流れ難くなる問題
があつた。
図に示すように磁束Ｃが磁性体層の法線方向に入射する
と、この磁束Ｃを打ち消す方向に電流ｉが半径ｒをもっ
て流れる（過電流）。この結果、磁束Ｃは磁性体層を通
り難くなる。尚、この半径ｒは磁性体層の比抵抗により
変化する値であり、比抵抗が小さくなると半径ｒも小さ
くなる。この半径ｒよりも小さい磁性体層の厚さ方向に
磁束Ａ、磁束Ｂ方向が薄い磁性体層に平行に入射した場
合は、磁性体層の厚さｔは半径ｒに比べて充分小さいた
めに、磁束を打ち消す電流ｉ（過電流）は流れ難くなり
、その結果磁束は流れ易くなることがわかっている。 従って上述した従来の薄膜磁気ヘッド２０は、図４に示
したＢまたはＤ方向には磁束がスムースに流れるが、Ａ
またはＣ方向に磁束が流れるフロントギャップ部１２と
バックコンタクト部１１では磁性層の法線方向に磁束が
流れるため、その過電流により磁束が流れ難くなる問題
があつた。
【００１０】また、図７は、薄膜磁気ヘッド２０のテー
プ摺動面１０を正面からみた正面図で、下部磁性体層２
と上部磁性体層３とはギャップ層４を介してギャップラ
インに平行に積層されており、記録波長λが下部磁性体
層２の厚さＰと同程度以上になると、下部磁性体層２と
非磁性絶縁基板１との境目２ａが疑似ヘッドギャップと
なり、また、同様にして、記録波長λが上部磁性体層３
の厚さＰ´と同程度以上になると、上部磁性体層３と保
護層７との境目３ａが疑似ヘッドギャップとなり、ギャ
ップ層４によるヘッドギャップから取り込まれた磁束と
疑似ヘッドギャップから取り込まれた磁束とが干渉し、
再生出力特性を損なうものである。
プ摺動面１０を正面からみた正面図で、下部磁性体層２
と上部磁性体層３とはギャップ層４を介してギャップラ
インに平行に積層されており、記録波長λが下部磁性体
層２の厚さＰと同程度以上になると、下部磁性体層２と
非磁性絶縁基板１との境目２ａが疑似ヘッドギャップと
なり、また、同様にして、記録波長λが上部磁性体層３
の厚さＰ´と同程度以上になると、上部磁性体層３と保
護層７との境目３ａが疑似ヘッドギャップとなり、ギャ
ップ層４によるヘッドギャップから取り込まれた磁束と
疑似ヘッドギャップから取り込まれた磁束とが干渉し、
再生出力特性を損なうものである。
【００１１】図８は、一般的な磁気ヘッドの再生出力特
性図の一例で、再生出力特性に約３ｄＢのうねり幅が生
じている。これが、上述した疑似ヘッドギャップによる
もので、一般にコンター効果と言われアナログ信号を記
録信号とする場合、記録再生特性の信頼性を損なうもの
である。
性図の一例で、再生出力特性に約３ｄＢのうねり幅が生
じている。これが、上述した疑似ヘッドギャップによる
もので、一般にコンター効果と言われアナログ信号を記
録信号とする場合、記録再生特性の信頼性を損なうもの
である。
【００１２】この解決方法の一例として、最大記録波長
λｍａｘ よりも下部磁性体層２の厚さＰ、上部磁性体
層５の厚さＰ´を大きくすることにより、上述した疑似
ヘッドギャップは生ずることがなく、全記録波長領域で
コンター効果を抑制することができる。
λｍａｘ よりも下部磁性体層２の厚さＰ、上部磁性体
層５の厚さＰ´を大きくすることにより、上述した疑似
ヘッドギャップは生ずることがなく、全記録波長領域で
コンター効果を抑制することができる。
【００１３】しかし、磁性体層２、３の厚さＰ、Ｐ´を
大きくするには成膜に長時間を要すると共に、トラック
幅をエッチングなどにより形成する際、エッチングに長
時間を要するが、長時間に耐えるエッチングマスクを形
成することは極めて困難である。しかも、たとえ、かか
るエッチングによつてパターンニングができたとしても
、エッチング側面はある程度傾斜が起こり、この傾斜に
バラツキが生じてしまい、高い精度のトラック幅を得る
ことはできないという問題があつた。
大きくするには成膜に長時間を要すると共に、トラック
幅をエッチングなどにより形成する際、エッチングに長
時間を要するが、長時間に耐えるエッチングマスクを形
成することは極めて困難である。しかも、たとえ、かか
るエッチングによつてパターンニングができたとしても
、エッチング側面はある程度傾斜が起こり、この傾斜に
バラツキが生じてしまい、高い精度のトラック幅を得る
ことはできないという問題があつた。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであり、非磁性絶縁基板上に
少なくとも、下部磁性体層と、ギャップ層と、コイル導
体層と、絶縁層と、上部磁性体層と、保護層とを順次積
層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性体層
と前記上部磁性体層が絶縁膜を介して多層に積層した波
板状の磁性層からなり、前記磁性層が前記薄膜磁気ヘッ
ドのテープ摺動面において波型形状をなすことを特徴と
する薄膜磁気ヘッドと、非磁性絶縁基板上に少なくとも
、下部磁性体層と、ギャップ層と、コイル導体層と、絶
縁層と、上部磁性体層と、保護層とを順次積層してなる
薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性体層は、前記非
磁性絶縁基板上に一定間隔の隙間を形成したレジスト膜
を成膜する工程と、前記レジスト膜をマスクにして前記
非磁性絶縁基板上に波状の凹凸をエッチング形成する工
程と、前記波状の凹凸を形成した前記非磁性絶縁基板上
に絶縁膜を介して磁性層を多層に積層する工程と、前記
積層した磁性層の最上層面を平滑に研磨する工程とから
なると共に、前記上部磁性体層は、前記絶縁層上に磁性
層を成膜し、前記磁性層上に一定間隔の隙間を形成した
レジスト膜を成膜する工程と、前記レジスト膜をマスク
にして前記磁性層上に波状の凹凸をエッチング形成する
工程と、前記波状の凹凸を形成した前記磁性層上に絶縁
膜を介して磁性層を多層に積層する工程とからなること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法とを提供しよう
とするものである。
決するためになされたものであり、非磁性絶縁基板上に
少なくとも、下部磁性体層と、ギャップ層と、コイル導
体層と、絶縁層と、上部磁性体層と、保護層とを順次積
層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性体層
と前記上部磁性体層が絶縁膜を介して多層に積層した波
板状の磁性層からなり、前記磁性層が前記薄膜磁気ヘッ
ドのテープ摺動面において波型形状をなすことを特徴と
する薄膜磁気ヘッドと、非磁性絶縁基板上に少なくとも
、下部磁性体層と、ギャップ層と、コイル導体層と、絶
縁層と、上部磁性体層と、保護層とを順次積層してなる
薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性体層は、前記非
磁性絶縁基板上に一定間隔の隙間を形成したレジスト膜
を成膜する工程と、前記レジスト膜をマスクにして前記
非磁性絶縁基板上に波状の凹凸をエッチング形成する工
程と、前記波状の凹凸を形成した前記非磁性絶縁基板上
に絶縁膜を介して磁性層を多層に積層する工程と、前記
積層した磁性層の最上層面を平滑に研磨する工程とから
なると共に、前記上部磁性体層は、前記絶縁層上に磁性
層を成膜し、前記磁性層上に一定間隔の隙間を形成した
レジスト膜を成膜する工程と、前記レジスト膜をマスク
にして前記磁性層上に波状の凹凸をエッチング形成する
工程と、前記波状の凹凸を形成した前記磁性層上に絶縁
膜を介して磁性層を多層に積層する工程とからなること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法とを提供しよう
とするものである。
【００１５】
【実施例】図１は、本発明の多層薄膜磁気ヘッド５０の
一例を示す要部一部断面斜視図である。
一例を示す要部一部断面斜視図である。
【００１６】同図において、５１は非磁性絶縁基板、５
２は下部磁性体層、５３は磁性体層、５４は絶縁膜、５
５は上部磁性体層、５６はギャップ層、５７はコイル層
、５８は絶縁層、５９は保護層、６０はテープ摺動面で
ある。
２は下部磁性体層、５３は磁性体層、５４は絶縁膜、５
５は上部磁性体層、５６はギャップ層、５７はコイル層
、５８は絶縁層、５９は保護層、６０はテープ摺動面で
ある。
【００１７】非磁性絶縁基板５１は、ガラスあるいはセ
ラミックスなどの耐磨耗性の材料からなり、この一面上
には波板状の凹凸がエッチングなどにより形成され、こ
の波板状の凹凸の波は多層薄膜ヘッドのテープ摺動面に
波型をなす方向に形成されている。
ラミックスなどの耐磨耗性の材料からなり、この一面上
には波板状の凹凸がエッチングなどにより形成され、こ
の波板状の凹凸の波は多層薄膜ヘッドのテープ摺動面に
波型をなす方向に形成されている。
【００１８】下部磁性体層５２は、上記非磁性絶縁基板
５１の波板状の凹凸上に、絶縁膜５４を介してパーマロ
イなどの材料からなる磁性体層５３を多層に積層したも
のであるが、積層した磁性体層５３の各層は下地の凹凸
に沿って波板状に形成されている。
５１の波板状の凹凸上に、絶縁膜５４を介してパーマロ
イなどの材料からなる磁性体層５３を多層に積層したも
のであるが、積層した磁性体層５３の各層は下地の凹凸
に沿って波板状に形成されている。
【００１９】尚、多層に積層した最上層の磁性体層５３
の層厚は、凹凸の深さを埋めるに十分な層厚に形成して
、この磁性体層５３面を平滑面に研磨して下部磁性体層
５２とするものである。
の層厚は、凹凸の深さを埋めるに十分な層厚に形成して
、この磁性体層５３面を平滑面に研磨して下部磁性体層
５２とするものである。
【００２０】ギャップ層５６、コイル層５７、絶縁層５
８は、従来の方法に準じて形成されたものである。
８は、従来の方法に準じて形成されたものである。
【００２１】上部磁性体層５５は、上部磁性体層５５を
構成する積層した絶縁層５８の最下層の面上に波板状の
凹凸をエッチングなどにより形成され、この波板状の凹
凸面上に絶縁膜５４を介してパーマロイなどの材料から
なる磁性体層５３を多層に積層したもので、積層した磁
性体層５３の各層は前記した下部磁性体層５２と同様に
下地の凹凸に沿って波板状に形成されている。また、こ
の波板状の凹凸の波も下部磁性体層５２と同様に多層薄
膜ヘッドのテープ摺動面に波型をなす方向に形成されて
いる。
構成する積層した絶縁層５８の最下層の面上に波板状の
凹凸をエッチングなどにより形成され、この波板状の凹
凸面上に絶縁膜５４を介してパーマロイなどの材料から
なる磁性体層５３を多層に積層したもので、積層した磁
性体層５３の各層は前記した下部磁性体層５２と同様に
下地の凹凸に沿って波板状に形成されている。また、こ
の波板状の凹凸の波も下部磁性体層５２と同様に多層薄
膜ヘッドのテープ摺動面に波型をなす方向に形成されて
いる。
【００２２】保護層５９は、上記上部磁性体層５５を覆
うようにＳｉＯ２ などの材料で被覆している。
うようにＳｉＯ２ などの材料で被覆している。
【００２３】図２は、本発明の多層薄膜磁気ヘッド５０
のテープ摺動面６０の拡大平面図で、図１に対応した部
分には同一符号を付してある。
のテープ摺動面６０の拡大平面図で、図１に対応した部
分には同一符号を付してある。
【００２４】同図は、多層薄膜からなる上部磁性体層５
５と下部磁性体層５２の夫々の磁性層５３が、絶縁膜５
４を介して波型に形成されており、磁性体層の法線方向
に磁束が通るバックコンタクト部６２、フロントギャッ
プ部６３での過電流が生じ難く磁束がスムースに流れる
ことができ、再生出力は１５ＭＨｚにおいて３ｄＢ向上
することができた。これは先に図６にて説明した電流ｉ
が流れるのに必要な半径ｒが取れなくなつた結果である
。
５と下部磁性体層５２の夫々の磁性層５３が、絶縁膜５
４を介して波型に形成されており、磁性体層の法線方向
に磁束が通るバックコンタクト部６２、フロントギャッ
プ部６３での過電流が生じ難く磁束がスムースに流れる
ことができ、再生出力は１５ＭＨｚにおいて３ｄＢ向上
することができた。これは先に図６にて説明した電流ｉ
が流れるのに必要な半径ｒが取れなくなつた結果である
。
【００２５】また、磁性層が波型に形成された結果、疑
似ギャップを生ずることがなく再生出力特性にもうねり
幅を生ずることがない。
似ギャップを生ずることがなく再生出力特性にもうねり
幅を生ずることがない。
【００２６】尚、トラック幅Ｔｗを３０μｍに設定した
場合、この波板状の凹凸の凸波はトラック幅Ｔｗ内に３
個以上、凹凸幅Ｄは１０μｍ、磁性膜５２の膜厚ｄは２
μｍが実験において最適であつた。
場合、この波板状の凹凸の凸波はトラック幅Ｔｗ内に３
個以上、凹凸幅Ｄは１０μｍ、磁性膜５２の膜厚ｄは２
μｍが実験において最適であつた。
【００２７】ひき続づき本発明の多層薄膜磁気ヘッド５
０の製造方法について、本発明の説明の要部をなす下部
磁性体層５２と上部磁性体層５５を重点に説明する。
０の製造方法について、本発明の説明の要部をなす下部
磁性体層５２と上部磁性体層５５を重点に説明する。
【００２８】図３は、本発明の多層薄膜磁気ヘッド５０
のテープ摺動面より見た製造工程図で、図１に対応した
部分には同一符号を付してある。 工程１、ガラスあるいはセラミックスなどの耐磨耗性の
材料からなる非磁性絶縁基板５１上にレジスト膜６１を
成膜する。 工程２、上記レジスト膜６１上に、フォトリソグラフィ
ーによりテープ摺動面に直交する方向の隙間６２を一定
間隔に複数本形成する。 工程３、上記隙間６２を形成したレジスト膜６１をマス
クにして、フッ酸などによりエッチングを行つて後、レ
ジスト膜６１を除去して非磁性絶縁基板５１上に波板状
の凹凸を形成する。 工程４、上記波板状の凹凸を形成した非磁性絶縁基板５
１上に、パーマロイなどの材料からなる磁性体層５３、
絶縁膜５４を交互に積層する。 工程５、磁性体層５３、絶縁膜５４を交互に多層積層し
、この多層に積層した最上層の磁性体層５３の層厚を、
波板状の凹凸の深さを埋めるに十分な層厚に成膜して、
この磁性体層５３面を平滑面に研磨して所定の厚さの下
部磁性体層５２とする。
のテープ摺動面より見た製造工程図で、図１に対応した
部分には同一符号を付してある。 工程１、ガラスあるいはセラミックスなどの耐磨耗性の
材料からなる非磁性絶縁基板５１上にレジスト膜６１を
成膜する。 工程２、上記レジスト膜６１上に、フォトリソグラフィ
ーによりテープ摺動面に直交する方向の隙間６２を一定
間隔に複数本形成する。 工程３、上記隙間６２を形成したレジスト膜６１をマス
クにして、フッ酸などによりエッチングを行つて後、レ
ジスト膜６１を除去して非磁性絶縁基板５１上に波板状
の凹凸を形成する。 工程４、上記波板状の凹凸を形成した非磁性絶縁基板５
１上に、パーマロイなどの材料からなる磁性体層５３、
絶縁膜５４を交互に積層する。 工程５、磁性体層５３、絶縁膜５４を交互に多層積層し
、この多層に積層した最上層の磁性体層５３の層厚を、
波板状の凹凸の深さを埋めるに十分な層厚に成膜して、
この磁性体層５３面を平滑面に研磨して所定の厚さの下
部磁性体層５２とする。
【００２９】この下部磁性体層５２上に、図示しないＳ
ｉＯ２ 、Ａｌ２ Ｏ３ などの材料からなり、ヘッド
ギャップを構成するギャップ層５６を形成する。以降の
工程は従来の薄膜磁気ヘッド２０の製造工程（図５、工
程２〜工程４）に準ずるので省略する。 工程６、上部磁性体層５５のための磁性体層５３上のレ
ジスト膜６１を成膜しフォトリソグラフィーによりテー
プ摺動面に直交する方向の隙間６２を一定間隔に複数本
形成する。 工程７、上記隙間６２を形成したレジスト膜６１をマス
クにして、エッチングを行つて後、レジスト膜６１を除
去して磁性体層５３上に波板状の凹凸を形成する。 工程８、上記波板状の凹凸を形成した磁性体層５３上に
、絶縁膜５４、磁性体層５３を交互に積層する。この多
層に積層した最上層の磁性体層５３上に保護層５９を成
膜して上部磁性体層５５とする。
ｉＯ２ 、Ａｌ２ Ｏ３ などの材料からなり、ヘッド
ギャップを構成するギャップ層５６を形成する。以降の
工程は従来の薄膜磁気ヘッド２０の製造工程（図５、工
程２〜工程４）に準ずるので省略する。 工程６、上部磁性体層５５のための磁性体層５３上のレ
ジスト膜６１を成膜しフォトリソグラフィーによりテー
プ摺動面に直交する方向の隙間６２を一定間隔に複数本
形成する。 工程７、上記隙間６２を形成したレジスト膜６１をマス
クにして、エッチングを行つて後、レジスト膜６１を除
去して磁性体層５３上に波板状の凹凸を形成する。 工程８、上記波板状の凹凸を形成した磁性体層５３上に
、絶縁膜５４、磁性体層５３を交互に積層する。この多
層に積層した最上層の磁性体層５３上に保護層５９を成
膜して上部磁性体層５５とする。
【００３０】上述した製造方法により本発明の多層薄膜
磁気ヘッド５０を容易に製造することが可能である。
磁気ヘッド５０を容易に製造することが可能である。
【００３１】
【発明の効果】上述したように、非磁性絶縁基板上に少
なくとも、下部磁性体層と、ギャップ層と、コイル導体
層と、絶縁層と、上部磁性体層と、保護層とを順次積層
してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性体層と
前記上部磁性体層が絶縁膜を介して多層に積層した磁性
層からなり、前記磁性層が前記薄膜磁気ヘッドのテープ
摺動面において波型となるように構成した薄膜磁気ヘッ
ド及びその製造方法を提供することにより、ギャップ層
を介した下部磁性体層と上部磁性体層のフロントギャッ
プ部、および下部磁性体層と上部磁性体層が一体に接合
したバックコンタクト部の法線方向に磁束がながれる部
分で過電流が生じ難くなり磁束がスムーズに流れるよう
になる。その結果、再生出力において１５ＭＨｚで３ｄ
Ｂ向上させることができた。
なくとも、下部磁性体層と、ギャップ層と、コイル導体
層と、絶縁層と、上部磁性体層と、保護層とを順次積層
してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁性体層と
前記上部磁性体層が絶縁膜を介して多層に積層した磁性
層からなり、前記磁性層が前記薄膜磁気ヘッドのテープ
摺動面において波型となるように構成した薄膜磁気ヘッ
ド及びその製造方法を提供することにより、ギャップ層
を介した下部磁性体層と上部磁性体層のフロントギャッ
プ部、および下部磁性体層と上部磁性体層が一体に接合
したバックコンタクト部の法線方向に磁束がながれる部
分で過電流が生じ難くなり磁束がスムーズに流れるよう
になる。その結果、再生出力において１５ＭＨｚで３ｄ
Ｂ向上させることができた。
【００３２】また、磁気ヘッドのテープ摺動面において
下部磁性体層と上部磁性体層がギャップラインに非平行
となるために疑似ギャップを生じることもなく再生特性
の波形のうねり（コンター効果）が改善されて、従来波
形のうねり幅が約３ｄＢであつたが０〜０．５ｄＢに改
善することができた。
下部磁性体層と上部磁性体層がギャップラインに非平行
となるために疑似ギャップを生じることもなく再生特性
の波形のうねり（コンター効果）が改善されて、従来波
形のうねり幅が約３ｄＢであつたが０〜０．５ｄＢに改
善することができた。
【図１】本発明の多層薄膜磁気ヘッドの一例を示す要部
一部断面斜視図である。
一部断面斜視図である。
【図２】本発明の多層薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面の
拡大平面図である。
拡大平面図である。
【図３】本発明の多層薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面よ
り見た製造工程図である。
り見た製造工程図である。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す要部断面斜
視図である。
視図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す要部断
面工程図である。
面工程図である。
【図６】磁性体層における磁束と電流の説明図である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドのテープ摺動面を正面か
らみた正面図である。
らみた正面図である。
【図８】一般的な磁気ヘッドの再生出力特性図の一例で
ある。
ある。
５０ 本発明の多層薄膜磁気ヘッド５１
非磁性絶縁基板 ５２ 下部磁性体層 ５３ 磁性体層 ５４ 絶縁膜 ５５ 上部磁性体層 ５６ ギャップ層 ５７ コイル層 ５８ 絶縁層 ５９ 保護層 ６０ テープ摺動面 ６２ バックコンタクト部 ６３ フロントギャップ部
非磁性絶縁基板 ５２ 下部磁性体層 ５３ 磁性体層 ５４ 絶縁膜 ５５ 上部磁性体層 ５６ ギャップ層 ５７ コイル層 ５８ 絶縁層 ５９ 保護層 ６０ テープ摺動面 ６２ バックコンタクト部 ６３ フロントギャップ部
Claims (2)
- 【請求項１】非磁性絶縁基板上に少なくとも、下部磁性
体層と、ギャップ層と、コイル導体層と、絶縁層と、上
部磁性体層と、保護層とを順次積層してなる薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記下部磁性体層と前記上部磁性体層が
絶縁膜を介して多層に積層した波板状の磁性層からなり
、前記波板状の磁性層が前記薄膜磁気ヘッドのテープ摺
動面において波型形状をなすことを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項２】非磁性絶縁基板上に少なくとも、下部磁性
体層と、ギャップ層と、コイル導体層と、絶縁層と、上
部磁性体層と、保護層とを順次積層してなる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、前記下部磁性体層は、前記非
磁性絶縁基板上に一定間隔の隙間を形成したレジスト膜
を成膜する工程と、前記レジスト膜をマスクにして前記
非磁性絶縁基板上に波状の凹凸をエッチング形成する工
程と、前記波状の凹凸を形成した前記非磁性絶縁基板上
に絶縁膜を介して磁性層を多層に積層する工程と、前記
積層した磁性層の最上層面を平滑に研磨する工程とから
なると共に、前記上部磁性体層は、前記絶縁層上に磁性
層を成膜し、前記磁性層上に一定間隔の隙間を形成した
レジスト膜を成膜する工程と、前記レジスト膜をマスク
にして前記磁性層上に波状の凹凸をエッチング形成する
工程と、前記波状の凹凸を形成した前記磁性層上に絶縁
膜を介して磁性層を多層に積層する工程とからなること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14133791A JPH04341907A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14133791A JPH04341907A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04341907A true JPH04341907A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=15289612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14133791A Pending JPH04341907A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04341907A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06338029A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-06 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド装置 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP14133791A patent/JPH04341907A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06338029A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-06 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド装置 |
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