JP2946743B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2946743B2 JP2946743B2 JP2316494A JP31649490A JP2946743B2 JP 2946743 B2 JP2946743 B2 JP 2946743B2 JP 2316494 A JP2316494 A JP 2316494A JP 31649490 A JP31649490 A JP 31649490A JP 2946743 B2 JP2946743 B2 JP 2946743B2
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- magnetic head
- thin
- film magnetic
- magnetic
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
- G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
- G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
- G11B5/4886—Disposition of heads relative to rotating disc
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドに係わり、特にハードディス
ク型磁気記録再生装置に適用して好適な薄膜磁気ヘッド
に係わる。
ク型磁気記録再生装置に適用して好適な薄膜磁気ヘッド
に係わる。
本発明は、薄膜磁気ヘッドに係わり、磁気記録媒体面
とほぼ平行を成す基体面上に、共通の磁性薄膜がパター
ン化されて、互いの磁気ギャップが非平行の配置関係を
もって形成された１対以上の水平型薄膜磁気ヘッド素子
が形成されて成ることにより、記録密度の向上及び生産
性の向上をはかる。
とほぼ平行を成す基体面上に、共通の磁性薄膜がパター
ン化されて、互いの磁気ギャップが非平行の配置関係を
もって形成された１対以上の水平型薄膜磁気ヘッド素子
が形成されて成ることにより、記録密度の向上及び生産
性の向上をはかる。
ハードディスク型磁気記録装置においても、近年記録
密度の大幅な増大化が求められており、トラック幅、ガ
ードバンド共にその幅を小さくする方向となっている。
密度の大幅な増大化が求められており、トラック幅、ガ
ードバンド共にその幅を小さくする方向となっている。
しかしながら、例えばトラック間の間隔即ちガードバ
ンドの幅を０とすると、トラッキング誤差によって隣接
するトラック上に磁気ヘッドの一部が跨ることによって
発生するオフトラック・クロストークが大なるという不
都合が生じる。
ンドの幅を０とすると、トラッキング誤差によって隣接
するトラック上に磁気ヘッドの一部が跨ることによって
発生するオフトラック・クロストークが大なるという不
都合が生じる。
この問題を回避する方法として、VTRに使用されてい
るアジマス記録方式がある。この方式をハードディスク
の浮上型ヘッドドライブ装置に適用する場合、磁気記録
媒体上の等磁位面と磁気ギャップとを角度θをもって傾
斜させ、このθを適切に選定することによって、同一の
浮上磁気ヘッドスライダー上に逆向きのアジマス角をも
たせた一対のヘッドを搭載して、隣り合うトラック同士
は常に異なるヘッドで記録再生を行うこととして、トラ
ッキング誤差によって生じるクロストークを大幅に低減
化することができる。
るアジマス記録方式がある。この方式をハードディスク
の浮上型ヘッドドライブ装置に適用する場合、磁気記録
媒体上の等磁位面と磁気ギャップとを角度θをもって傾
斜させ、このθを適切に選定することによって、同一の
浮上磁気ヘッドスライダー上に逆向きのアジマス角をも
たせた一対のヘッドを搭載して、隣り合うトラック同士
は常に異なるヘッドで記録再生を行うこととして、トラ
ッキング誤差によって生じるクロストークを大幅に低減
化することができる。
このようなアジマス記録方式を採用するためには、ス
ライダー上に２つの磁気ヘッドを一定の間隔をもって精
度よく形成することが必要となる。
ライダー上に２つの磁気ヘッドを一定の間隔をもって精
度よく形成することが必要となる。
例えば特開昭63−200313号公開公報では、スライダー
の一部に切り欠き部を設けて、ここに例えば巻線型の磁
気ヘッドを無機接着剤等によって嵌合固着して成る構造
が採られている。しかしながら、このような構造とする
場合、その精度に問題があり、またその製造が煩雑であ
るため生産性の向上をはかる上で問題がある。
の一部に切り欠き部を設けて、ここに例えば巻線型の磁
気ヘッドを無機接着剤等によって嵌合固着して成る構造
が採られている。しかしながら、このような構造とする
場合、その精度に問題があり、またその製造が煩雑であ
るため生産性の向上をはかる上で問題がある。
これに対して、例えば薄膜磁気ヘッド素子をスライダ
ー上に形成する方法が考えられる。薄膜磁気ヘッド素子
は、例えば第４図にその略線的断面図を示すように、ス
ライダーそのもの或いはスライダーに取付けられる絶縁
基板（21）上に磁性材より成り、一端部において接続さ
れて成る下部コア（22）と上部コア（23）とが、絶縁層
（24）及びヘッド巻線部（７）とを介して積層して構成
される。そしてこの上部コア（22）と下部コア（23）と
の他の端部においては、その間が一部狭小化されて成
り、薄い非磁性絶縁層が介在されて磁気ギャップｇとさ
れる。この磁気ギャップｇは、磁気記録媒体と対向する
いわゆるABS（Air Bearing Surface）面（25）に臨むよ
うに、ABS面（25）の形成と共にラッピングされて鏡面
加工が施された構造となっている。
ー上に形成する方法が考えられる。薄膜磁気ヘッド素子
は、例えば第４図にその略線的断面図を示すように、ス
ライダーそのもの或いはスライダーに取付けられる絶縁
基板（21）上に磁性材より成り、一端部において接続さ
れて成る下部コア（22）と上部コア（23）とが、絶縁層
（24）及びヘッド巻線部（７）とを介して積層して構成
される。そしてこの上部コア（22）と下部コア（23）と
の他の端部においては、その間が一部狭小化されて成
り、薄い非磁性絶縁層が介在されて磁気ギャップｇとさ
れる。この磁気ギャップｇは、磁気記録媒体と対向する
いわゆるABS（Air Bearing Surface）面（25）に臨むよ
うに、ABS面（25）の形成と共にラッピングされて鏡面
加工が施された構造となっている。
この場合、この磁気ギャップｇにアジマス角を設ける
ためには、この下部コア（22）及び上部コア（23）との
間の間隙を、第４図紙面に対して垂直な方向に向かって
漸次その絶縁基板（21）からの高さを変化させた所要の
傾きをもった構造とする必要があるため、その製造方法
は極めて難しくなり、実際上不可能である。
ためには、この下部コア（22）及び上部コア（23）との
間の間隙を、第４図紙面に対して垂直な方向に向かって
漸次その絶縁基板（21）からの高さを変化させた所要の
傾きをもった構造とする必要があるため、その製造方法
は極めて難しくなり、実際上不可能である。
本発明は、上述したような薄膜磁気ヘッドの高記録密
度化にあたって、簡単かつ精度良く形成し得る構造を提
供するものであり、これにより薄膜磁気ヘッドの記録密
度の向上及び生産性の向上をはかる。
度化にあたって、簡単かつ精度良く形成し得る構造を提
供するものであり、これにより薄膜磁気ヘッドの記録密
度の向上及び生産性の向上をはかる。
本発明薄膜磁気ヘッドの一例の略線的拡大斜視図を第
１図に示す。
１図に示す。
本発明は、磁気記録媒体面とほぼ平行を成す基体面
（20A）上に、共通の磁性薄膜がパターン化されて、互
いの磁気ギャップg1及びg2が非平行の配置関係をもって
形成された１対以上の水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）
を形成する。
（20A）上に、共通の磁性薄膜がパターン化されて、互
いの磁気ギャップg1及びg2が非平行の配置関係をもって
形成された１対以上の水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）
を形成する。
〔作用〕 上述したように、本発明薄膜磁気ヘッドでは、磁気記
録媒体面とほぼ平行を成す基体面（20A）上に１対以上
の水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）を形成するものであ
るが、このような水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）の形
成方法は、例えば基体面（20A）上に絶縁層、磁性層等
を被着した後、上面からのパターニングによって順次形
成する方法を採ることができる。このため、このような
磁気ギャップｇにアジマス角を有する水平型薄膜磁気ヘ
ッド素子（30）を形成する場合、ギャップ部を構成する
磁性薄膜を１回のパターニングによってそれぞれ形成す
ることができると共に、複数の素子（30）の磁気ギャッ
プg1及びg2の互いの成す角度を共通のパターンによって
精度よく同時に形成することができることとなる。
録媒体面とほぼ平行を成す基体面（20A）上に１対以上
の水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）を形成するものであ
るが、このような水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）の形
成方法は、例えば基体面（20A）上に絶縁層、磁性層等
を被着した後、上面からのパターニングによって順次形
成する方法を採ることができる。このため、このような
磁気ギャップｇにアジマス角を有する水平型薄膜磁気ヘ
ッド素子（30）を形成する場合、ギャップ部を構成する
磁性薄膜を１回のパターニングによってそれぞれ形成す
ることができると共に、複数の素子（30）の磁気ギャッ
プg1及びg2の互いの成す角度を共通のパターンによって
精度よく同時に形成することができることとなる。
以下、第１図〜第３図を参照して本発明薄膜磁気ヘッ
ドについて詳細に説明する。
ドについて詳細に説明する。
この例では、磁気記録媒体面上にほぼこの磁気記録媒
体面と平行に浮上して走行するスライダーとなる基体
（20）上に水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）を一体に形
成する場合で、第１図に示すように、基体（20）の磁気
記録媒体面と対向する側には、磁気記録媒体との相対的
走行によって空気流を発生して基体（20）即ちスライダ
ーを浮上させる、直線状の平行する凸部より成る第１及
び第２のレール（51）及び（52）が設けられる。そして
第１及び第２のレール（51）及び（52）の一端の基体面
（20A）上に、例えば１対の水平型薄膜磁気ヘッド素子
（30）を形成する。
体面と平行に浮上して走行するスライダーとなる基体
（20）上に水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）を一体に形
成する場合で、第１図に示すように、基体（20）の磁気
記録媒体面と対向する側には、磁気記録媒体との相対的
走行によって空気流を発生して基体（20）即ちスライダ
ーを浮上させる、直線状の平行する凸部より成る第１及
び第２のレール（51）及び（52）が設けられる。そして
第１及び第２のレール（51）及び（52）の一端の基体面
（20A）上に、例えば１対の水平型薄膜磁気ヘッド素子
（30）を形成する。
この水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）の一例を、その
略線的拡大断面図を示す第２図を参照して詳細に説明す
る。例えばAl2O3・TiC,CaTiO3,フェライト系セラミッ
ク、結晶化ガラス等より成る絶縁基板（21）上に例えば
NiFe等より成る下部コア（１）をフレームメッキ等によ
り形成し、その上を覆って全面的にSiO2等より成る非磁
性の絶縁層（２）を被着した後平坦化し、更にこの絶縁
層（２）上に例えばCuより成る導電層を全面的に被着し
た後、フォトリソグラフィ等の適用即ち例えばフォトレ
ジストの塗布、パターン露光、現像、イオンミリング等
による選択的エッチングを行って所要のパターンにパタ
ーニングし、コイル即ちヘッド巻線部（４）を形成す
る。そしてこのヘッド巻線部（４）の上を覆って全面的
に例えばSiO2より成る絶縁層（５）を比較的厚く被着形
成し、この厚い絶縁層（５）上にRIE（反応性イオンエ
ッチング）等の異方性エッチングにより、一定の角度を
もった２方向からの異方性エッチング、いわゆるテーパ
エッチングを行い、更に磁気ギャップｇを形成すべき領
域上に所要の狭小なる幅をもって形成した多層レジスト
（図示せず）を形成し、これをマスクとしてIBE（イオ
ンビームエッチング）等の異方性エッチングを行い、所
要の幅及び高さを有するギャップ部（5A）とそれに続く
テーパ状の絶縁層（５）を形成する。そしてこの絶縁層
（５）の所要部分例えば下層に形成した下部コア（１）
の外縁部上にこの下部コア（１）に達する深さに接続部
穴（6A）をフォトリソグラフィ等を適用してRIE等によ
って形成した後、この接続部穴（6A）内を埋込むように
例えばNiFeをメッキ等により被着して上下部コア（22）
及び（23）を磁気的に接続する磁性接続部（６）を埋込
んで形成する。そして絶縁層（５）上にNiFe等より成る
磁性層をスパッタリング等により被着した後所要のパタ
ーンにパターニングして上部コア（７）を形成し、更に
厚い絶縁層（８）を被着する。そして、この絶縁層
（８）、上部コア（７）及び絶縁層より成るギャップ部
（5A）が鏡面な一平面となるように研磨を行ってABS面
（25）を形成して、水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）を
得ることができる。
略線的拡大断面図を示す第２図を参照して詳細に説明す
る。例えばAl2O3・TiC,CaTiO3,フェライト系セラミッ
ク、結晶化ガラス等より成る絶縁基板（21）上に例えば
NiFe等より成る下部コア（１）をフレームメッキ等によ
り形成し、その上を覆って全面的にSiO2等より成る非磁
性の絶縁層（２）を被着した後平坦化し、更にこの絶縁
層（２）上に例えばCuより成る導電層を全面的に被着し
た後、フォトリソグラフィ等の適用即ち例えばフォトレ
ジストの塗布、パターン露光、現像、イオンミリング等
による選択的エッチングを行って所要のパターンにパタ
ーニングし、コイル即ちヘッド巻線部（４）を形成す
る。そしてこのヘッド巻線部（４）の上を覆って全面的
に例えばSiO2より成る絶縁層（５）を比較的厚く被着形
成し、この厚い絶縁層（５）上にRIE（反応性イオンエ
ッチング）等の異方性エッチングにより、一定の角度を
もった２方向からの異方性エッチング、いわゆるテーパ
エッチングを行い、更に磁気ギャップｇを形成すべき領
域上に所要の狭小なる幅をもって形成した多層レジスト
（図示せず）を形成し、これをマスクとしてIBE（イオ
ンビームエッチング）等の異方性エッチングを行い、所
要の幅及び高さを有するギャップ部（5A）とそれに続く
テーパ状の絶縁層（５）を形成する。そしてこの絶縁層
（５）の所要部分例えば下層に形成した下部コア（１）
の外縁部上にこの下部コア（１）に達する深さに接続部
穴（6A）をフォトリソグラフィ等を適用してRIE等によ
って形成した後、この接続部穴（6A）内を埋込むように
例えばNiFeをメッキ等により被着して上下部コア（22）
及び（23）を磁気的に接続する磁性接続部（６）を埋込
んで形成する。そして絶縁層（５）上にNiFe等より成る
磁性層をスパッタリング等により被着した後所要のパタ
ーンにパターニングして上部コア（７）を形成し、更に
厚い絶縁層（８）を被着する。そして、この絶縁層
（８）、上部コア（７）及び絶縁層より成るギャップ部
（5A）が鏡面な一平面となるように研磨を行ってABS面
（25）を形成して、水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）を
得ることができる。
このように水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）は、磁気
ギャップｇの形状を通常のフォトリソグラフィ等を適用
したパターニングによって容易に変化させることができ
ると共に、上述の方法によって複数の薄膜磁気ヘッド素
子を同時に形成することができる。
ギャップｇの形状を通常のフォトリソグラフィ等を適用
したパターニングによって容易に変化させることができ
ると共に、上述の方法によって複数の薄膜磁気ヘッド素
子を同時に形成することができる。
このようにして水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）を例
えば１対形成する場合、例えば第３図にその要部の略線
的拡大上面図を示すように、各磁気ギャップg1及びg2を
非平行となるように形成する。図において磁気記録媒体
との相対的走行方向をｙ方向とし、これと直交し、第３
図紙面に沿う方向をｘ方向とすると、磁気ギャップg1の
ｘ方向からの角度α１と、磁気ギャップg2のｘ方向から
の角度α２とを、例えばα２＝−α１として形成する。
このとき磁気記録媒体と薄膜磁気ヘッドとの相対的な傾
斜角θは２αとなる。
えば１対形成する場合、例えば第３図にその要部の略線
的拡大上面図を示すように、各磁気ギャップg1及びg2を
非平行となるように形成する。図において磁気記録媒体
との相対的走行方向をｙ方向とし、これと直交し、第３
図紙面に沿う方向をｘ方向とすると、磁気ギャップg1の
ｘ方向からの角度α１と、磁気ギャップg2のｘ方向から
の角度α２とを、例えばα２＝−α１として形成する。
このとき磁気記録媒体と薄膜磁気ヘッドとの相対的な傾
斜角θは２αとなる。
また、隣り合うトラックが常にこの異なる薄膜磁気ヘ
ッド素子（30）によって記録再生がなされるようにする
ため、各水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）の間隔は、例
えば磁気ギャップg1及びg2のそれぞれのｘ方向における
中心間の間隔をｄとして、磁気ギャップg1及びg2のｘ方
向の幅即ちトラック幅をＷとすると、この各磁気ギャッ
プ間の間隔がｄ＝（2n＋１）Ｗ（ｎは自然数）となるよ
うに配置する。
ッド素子（30）によって記録再生がなされるようにする
ため、各水平型薄膜磁気ヘッド素子（30）の間隔は、例
えば磁気ギャップg1及びg2のそれぞれのｘ方向における
中心間の間隔をｄとして、磁気ギャップg1及びg2のｘ方
向の幅即ちトラック幅をＷとすると、この各磁気ギャッ
プ間の間隔がｄ＝（2n＋１）Ｗ（ｎは自然数）となるよ
うに配置する。
一例として、このような水平型の薄膜磁気ヘッド（3
0）のアジマス角θについて考察する。
0）のアジマス角θについて考察する。
磁気記録媒体上の等磁位面と磁気ギャップとの成す角
度がθであるとき、トラック幅をＷとすると次式で示す
アジマス損失Laが発生することが知られている。
度がθであるとき、トラック幅をＷとすると次式で示す
アジマス損失Laが発生することが知られている。
La＝20Log10 ×｜[sin((πW/λ)tanθ)]/[(πW/λ)tanθ)]｜[dB] この式において、ｘ＝（πW/λ）tanθと置いてこの
ｘをパラメータとするとアジマス損失Laは第５図に示す
ように、複数のピークp0,p1‥‥を有する曲線で示され
る。
ｘをパラメータとするとアジマス損失Laは第５図に示す
ように、複数のピークp0,p1‥‥を有する曲線で示され
る。
一般に、オントラック・クロストーク自体はアジマス
角θ＝90゜のとき最小となるが、オフトラック時の位相
変動を考えるとθはなるべく小さくすることが望まれ
る。
角θ＝90゜のとき最小となるが、オフトラック時の位相
変動を考えるとθはなるべく小さくすることが望まれ
る。
しかしながら、実際上はある程度のアジマス損失が得
られることが必要であり、実用的には例えば、第５図中
p1で示す第１のピークの値以下のアジマス損失を得るこ
とが望ましく、このためには、ｘ≧x0であれば良い。こ
のx0を求めると、x0＝2.566となる。利用する記録波長
のうち最長の波長をλmaxとすると、 ｘ＝（πW/λmax）tanθ≧2.566 となる。この式からθの条件を導くと、 θ≧tan-1（0.817×λmax/W） となる。例えばトラック幅Ｗ＝10μｍ、λmax＝２μｍ
とすると、 θ9.3［deg］ となり、トラック幅Ｗ＝５μｍ、λmax＝２μｍとする
と、 θ18.1［deg］ となる。
られることが必要であり、実用的には例えば、第５図中
p1で示す第１のピークの値以下のアジマス損失を得るこ
とが望ましく、このためには、ｘ≧x0であれば良い。こ
のx0を求めると、x0＝2.566となる。利用する記録波長
のうち最長の波長をλmaxとすると、 ｘ＝（πW/λmax）tanθ≧2.566 となる。この式からθの条件を導くと、 θ≧tan-1（0.817×λmax/W） となる。例えばトラック幅Ｗ＝10μｍ、λmax＝２μｍ
とすると、 θ9.3［deg］ となり、トラック幅Ｗ＝５μｍ、λmax＝２μｍとする
と、 θ18.1［deg］ となる。
従って、特にハードディスク型の磁気記録装置におい
ては、VTRと異なりオフトラック量に対しての位相変動
量が小さくなるため、アジマス角度θを上述したように
充分大きくとることが可能となり、クロストークを減少
させる効果をより大とすることができる。
ては、VTRと異なりオフトラック量に対しての位相変動
量が小さくなるため、アジマス角度θを上述したように
充分大きくとることが可能となり、クロストークを減少
させる効果をより大とすることができる。
尚、第１図に示す例では水平型薄膜磁気ヘッド素子
（30）をスライダーとなる基体（20）の各レール（51）
及び（52）上に設ける場合を示したが、例えば第３図に
示すように、一のレール上に対の水平型薄膜磁気ヘッド
素子（30）を設けてもよく、また水平型薄膜磁気ヘッド
素子（30）は１対以上設けてもよく、その他種々の構成
を採ることができる。
（30）をスライダーとなる基体（20）の各レール（51）
及び（52）上に設ける場合を示したが、例えば第３図に
示すように、一のレール上に対の水平型薄膜磁気ヘッド
素子（30）を設けてもよく、また水平型薄膜磁気ヘッド
素子（30）は１対以上設けてもよく、その他種々の構成
を採ることができる。
また第２図に示した例に限らず、水平型薄膜磁気ヘッ
ド素子としては、例えばMR（磁気抵抗効果）素子を利用
したいわゆるMR型の水平型薄膜磁気ヘッドを用いてもよ
い。
ド素子としては、例えばMR（磁気抵抗効果）素子を利用
したいわゆるMR型の水平型薄膜磁気ヘッドを用いてもよ
い。
上述したように、本発明薄膜磁気ヘッドによれば、１
対以上の水平型薄膜磁気ヘッド素子の磁気ギャップを、
１回のパターニングによってそれぞれ所要の角度をもっ
て精度よく形成することができるため、磁気ギャップに
アジマス角を設けた薄膜磁気ヘッドの製造が可能とな
り、高記録密度化を行う場合において製造工程の簡単化
及び生産性の向上をはかることができる。
対以上の水平型薄膜磁気ヘッド素子の磁気ギャップを、
１回のパターニングによってそれぞれ所要の角度をもっ
て精度よく形成することができるため、磁気ギャップに
アジマス角を設けた薄膜磁気ヘッドの製造が可能とな
り、高記録密度化を行う場合において製造工程の簡単化
及び生産性の向上をはかることができる。
また特に、ハードディスク型の磁気記録装置に本発明
薄膜磁気ヘッドを適用する場合においては、VTRと異な
りオフトラック量に対しての位相変動量が小さくなるた
め、アジマス角度θを充分大きくとることが可能とな
り、クロストークを減少させる効果をより大とすること
ができて、特性の向上をはかることができる。
薄膜磁気ヘッドを適用する場合においては、VTRと異な
りオフトラック量に対しての位相変動量が小さくなるた
め、アジマス角度θを充分大きくとることが可能とな
り、クロストークを減少させる効果をより大とすること
ができて、特性の向上をはかることができる。
第１図は本発明薄膜磁気ヘッドの一例の略線的拡大斜視
図、第２図は水平型薄膜磁気ヘッド素子の略線的拡大断
面図、第３図は本発明薄膜磁気ヘッドの要部の略線的拡
大上面図、第４図は薄膜磁気ヘッド素子の一例の略線的
拡大断面図、第５図はアジマス損失を示す図である。 （20）は基体、（20A）は基体面、（30）は水平型薄膜
磁気ヘッド素子、g,g1及びg2は磁気ギャップである。
図、第２図は水平型薄膜磁気ヘッド素子の略線的拡大断
面図、第３図は本発明薄膜磁気ヘッドの要部の略線的拡
大上面図、第４図は薄膜磁気ヘッド素子の一例の略線的
拡大断面図、第５図はアジマス損失を示す図である。 （20）は基体、（20A）は基体面、（30）は水平型薄膜
磁気ヘッド素子、g,g1及びg2は磁気ギャップである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/29 G11B 5/31 G11B 5/60
Claims (1)
- 【請求項１】磁気記録媒体面とほぼ平行を成す基体面上
に、共通の磁性薄膜がパターン化されて、互いの磁気ギ
ャップが非平行の配置関係をもって形成された１対以上
の水平型薄膜磁気ヘッド素子が形成されて成る ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2316494A JP2946743B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2316494A JP2946743B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04186508A JPH04186508A (ja) | 1992-07-03 |
| JP2946743B2 true JP2946743B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=18077726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2316494A Expired - Fee Related JP2946743B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2946743B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004084192A1 (ja) | 2003-03-17 | 2004-09-30 | Fujitsu Limited | 磁気ディスク装置 |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP2316494A patent/JP2946743B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04186508A (ja) | 1992-07-03 |
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