JPH04205705A - 薄膜磁気ヘッド及び磁気デイスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、薄膜磁気ヘッドとその製造方法、並びしここ
の薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置等の磁気記
録再生装置に係り、特に、高記録密度化に好適な薄膜磁
気ヘッドとその製造方法、並びに磁気ディスク装置等の
磁気記録再生装置に関する。

［従来の技術］ 従来、磁気ディスク装置（例えば、磁気ヘラ１〜浮上型
のハードディスク装置等）に用いられる薄膜磁気ヘッド
については、誘導型ヘッドか用いられ、同一のヘッドを
記録と再生に用いている。しかし、高密度の記録と再生
に各々最適な特性をもつ磁気ヘッドの構造は異なるため
、記録と再生の兼用磁気ヘッ□ドでは高記録密度化がで
きないという問題があった。

これに対して、近年、記録と再生を各々最適化した記録
ヘラ１〜及び再生ヘッドを組み合わせて複合化した、記
録再生分離複合型ヘッドが開発されている。

例えば、特開昭６１．−２７６１１．０号公報に示され
るように、再生に用いられる磁気抵抗効果型磁気ヘッド
（以下ｒＭＲヘツ１〜」ともいう）上に誘導型磁気ヘッ
ドを積層した構造の記録再生分離複合型磁気ヘッドか提
案されている。しかしなから、この公開公報では、再生
用磁気ヘッドと、記録用磁気ヘッドの各々の１へラック
幅の関係について論しられているが、再生用ヘッドと記
録用ヘッドの各々の）・ラックの位置関係については何
も論しられていない。

［発明が解決しようとする課題］ 上記従来技術は、磁気ヘッドとして、記録ヘッド部と再
生ヘッド部との間のトラック部分の位置合わせ（すなわ
ち、記録ヘラＩ−と再生ヘラｌ−のトラック幅方向の中
心を一致させること）に関しての配慮がされておらす、
特に、複数個の記録再生分離複合型磁気ヘラ１〜を同一
スビントル上にスタックしまた各テイスクートに設置し
た場合において、各ヘッド間の各々の記録と再生のｌ・
ラック位置（トランク中心）のずれによる出力低下が生
しる一；３− という問題があった。これは、従来の記録と再生を兼用
しているインダクテイブ磁気ヘッドを用いた場合には考
え及ばなかった課題である。

また、上記従来技術では、記録再生時に磁気ヘラ１〜が
１〜ラツク幅方向に変動した場合でも、ヘッドが隣接ト
ラックに入り込んでその間のクロストークが生じること
がないようにするため、隣接１〜ラック間にスペースを
設けている。しかし、クロスト−りの不発生を保証する
のにはスペースを広く採る必要があり、その結果記録媒
体の単位幅当りのトラック数が減少し、−枚の記録媒体
に記録できる記録容量が低下する。

なお、記録再生兼用ヘッドで、トラック帳方向両端に傾
斜した磁気空隙を設けたものは、例えば、特開昭６１−
１．８１０９５号公報により知られているが、記録ヘッ
ドのみに傾斜空隙を設け、再生ヘラ］−には傾斜空隙を
設けないようにしたものは知られていない。

従って、本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消
し、記録再生分Ｍ複合型磁気ヘツ１〜において、記録ヘ
ッドと再生ヘッドとの１〜ラック位置ずれを除き、両ヘ
ッドのトランク幅の中心を可及的に合致させろことによ
り、高い記録密度が得られると共に、高い記録再生効密
の得られる薄膜磁気ヘラ１〜と磁気ティスフ装置を提供
することにある。

本発明の他の目的は、記録再生分離型磁気ヘッドにおい
て、隣接トラック間のクロス１−−りを防止するために
必要な、隣接トラック間のスペースを可及的に狭くする
かなくするようにして、ｈラック密度を高くすることの
できる′ｌｔ膜磁気ヘッドと磁気ディスク装置を提供す
ることにある。

［課題を解決するための手段］ −に記目的を達成するために、本発明の記録再生分Ｍ複
合型の薄膜磁気ヘラ１〜は、再生ヘン１へ及び記録ヘッ
ドを複合する場合の構造と作製工程を詳細に検討した結
果生まれたものであって、その特徴として、記録ヘッド
の磁性膜（下部磁性膜パターンまたは上部磁性膜パター
ン）をマスクと１７で再生ヘッドの記録媒体対向面に相
当する部分（浮上面近くの部分、再生トラック幅が定ま
る部分）をエツチングすることにより、記録八ツ１〜と
再生八ツ１−のトラック位置（１へラック幅の中心）を
自己整合的に合致させるように構成したものである。

再生ヘッドとして、一対の電極が媒体対向面まで達して
いる磁気抵抗効果型八ツ１−を用いる場合、再生トラッ
ク幅はこの電極間の間隔て決まり、フラックスガイド型
の磁気抵抗効果型八ツ１−を用いる場合、再生トラック
幅は媒体対向面におけるフラックスガイＩへ部材の幅で
決まる。

再生八ツ１くとして、これらいずれの磁気抵抗効果型ヘ
ッドを用いる場合にも、記録八ツＩへの実効１へラック
幅を再生ヘッドの実効トラック幅に比へて狭くするのが
望ましい。

また、記録ヘッドは再生ヘッドに近い側の下部磁性膜と
再生ヘッドから遠い側の上部磁性膜を有しており、上部
磁性膜は、下部磁性膜との間に１へラック幅方向に延び
る第１の磁気空隙（通常の記録空隙）が形成されると共
に、下部磁性膜のトラック幅方向の両端の傾斜面との間
に第２．第３の磁気空隙が形成されるように、設けるこ
とができる。これにより、第２．第３の磁気空隙はアジ
マス記録用の空隙とされる。

［作用］ 上記構成に基つく作用を説明する。

本発明によれば、記録再生分離複合型の薄膜磁気ヘッド
において、記録ヘッドの磁性膜パターン（例えば下部磁
性膜パターン）をマスクとして用いて再生ヘッド（磁気
抵抗効果型磁気ヘッド）の記録媒体対向面（例えば浮上
面）の再生トラック幅を定める部分（電極、フラックス
ガイド等）のエツチングを行うようにしたので、記録八
ツ１−のトラック幅（この場合、下部磁性膜の−に面で
決まる）と再生ヘッドのトラック幅の位置（１〜ラツク
中心）が合致する。この結果、−台のディスク装置の駆
動スピンドルに一枚の磁気ティスフを設置する場合は勿
論、駆動スピンドルに複数枚の磁気ディスクを積重ねて
設置し、各磁気ディスクに磁気ヘッドを配置する場合に
、個々の磁気ヘッドの磁気ティスフ」二の１へラック位
置が記録と再生との間でずれることがなくなり、それに
よって、トラック密度を高めることができ、高記録密度
を達成することができる。

また、記録八ツ１−のトラック幅方向の両端部にアジマ
ス角（傾斜角）を有する第２．第３の磁気空隙を設けた
ので、たとえこの磁気空隙による記録部分が隣接トラッ
ク同士で重なり合うほど接近しても、再生ヘッドがこの
第２．第３磁気空隙によるアジマス記録部分を再生する
ことはなく、クロスト−りは生じない。従って、トラッ
ク間にスペースをほとんど必要としないので、トラック
密度を更に高めることができる。

［実施例コ 以下に１本発明の実施例な図面により説明する。

第１−図は、本発明の一実施例の薄膜磁気八ツ１〜の浮
上面の平面図で、ディスク面に対向して記録再生をする
浮上面からヘッド先端部を見た図である。スライダの基
材として用いられる、例えばセラミックス系の基板１の
」二にアルミナ膜等の絶縁膜２が形成されている。この
中にヘッドの先端が現われている。再生に用いられる磁
気抵抗効果型ヘッドは、下部シール１〜膜３、ＭＲ部（
Ｍ’Ｒ膜）４及び上部シールド膜５で構成されている。

記録に用いられる誘導型ヘッドはその上に積層されてお
り、下部磁性膜６及び上部磁性膜７で構成されている。

第２図はこの八ツ１への中央部の断面図を示したもので
ある。図面の下側が７７上面である。第１図で説明した
ように、基板］」二に絶縁膜２が形成され、その中に、
再生用の磁気抵抗効果型ヘッド及び記録用の誘導型ヘッ
ドが積層されている。

第３図は本実施例のヘッドを第１図で」二から見た概要
図であり、再生用ヘッドと記録用ヘッドが積層され示さ
れている。記録用ヘッドは、上部磁性膜７と図示されて
いない下部磁性膜がパックギャップ部１４で接続されて
いる。コイル８は、片側端が記録用端子１８ａに接続さ
れ、またもう−方の端が引き出し電極１６を介して他の
記録用端子１．８　ｂに接続されている。再生用ヘッド
は、ＭＲ膜４に２本の電極１２．１−２が接続され、こ
れ−］Ｏ− が各々再生用端子１７に接続されている。ここでは、第
１図、第２図に図示したシールド膜は図示していない。

また、再生用ヘッドの磁気抵抗効果型ヘッドのうちＭＲ
膜のみについて図示しているが、ＭＲ膜にバイアスを加
えるシャン１へ膜やソフト膜他のバイアス膜については
図示しておらず、バイアス方法としてはどんな方式につ
いても可能であることはいうまでもない。

第４図（ａ）〜（１）は、第１図〜第ｒ３図に示した本
発明の実施例の磁気ヘッドの作製工程の概略を順を追っ
て示したものである。各々の図中に示すＡ−Ａ’線は各
層を基板上に形成した後、切断してスライダにする時の
浮上面の位置を表わしたものである。

工程（ａ）：最初に基板上に絶縁膜を形成した後、例え
ば、Ｆ　ｅ　Ｎ　ｉ合金、センダスト等の磁性膜を用い
た下部シールド膜３を作製する。これには、基板上全面
にスパッタリング法でシールド用の磁性膜を形成し、そ
の上にフォトリソグラフィの技術でフォトレジスト膜を
所定のパターンに形成した後、例えばイオンビームエツ
チング法（イオンミリング法）等の１ヘライエツチング
法あるいはウェットエツチング法を用いることにより形
成することができる。

工程（ｂ）二下部シール１〜膜３上に薄い絶縁膜を形成
した後、例えば、ＦｅＮｉ合金等のＭＲ成膜を形成する
。これも、スパッタリング法あるいは蒸着法による成膜
技術、フォトリソグラフィの技術及びエツチング技術を
用いることにより形成することができる。

工程（ｃ）：ＭＲ成膜４上電極１２．１２を作製する。

工程（ｄ）二次いで全面に薄い絶縁膜を形成した後、上
部シールド膜５を形成し、再生ヘッドである磁気抵抗効
果型ヘッドの構成が完了する。

工程（ｅ）二次に、記録ヘッドを作製する工程に進める
。上部シールド膜５の上に絶縁膜を形成し、その上に、
下部磁性膜６を作製する。例えば、ＦｅＮｉ合金を全面
に形成した後、上記と同様のフォトリソグラフィ技術に
より下部磁性膜６の形ＩＩ− 状にフ第１〜レジス１〜パターンを形成する。このとき
、従来技術では、再生ヘラ１〜のトラック位置の決まる
電極１２．１２の間の位置に下部磁性膜６の位置を合わ
せ込むことにより、再生ヘッドと記録ヘッドとの相互の
トラック位置を合致させようとし、ていたが（電極１２
．１２が浮上面に達している場合、再生トラック幅は、
電極１２．１２間の間隙寸法となる）、マスクアライナ
装置や作業者による変動もあり、トラック位置の相互の
ずれが生し、るという問題があった。

工程（ｆ）：これに対して、本発明の実施例では、記録
ヘラ１〜部の下部磁性膜パターン６をマスクにして、そ
のまま、少なくとも再生ヘラ１〜部の上部シールド膜５
及びＭＲ成膜をエツチングして、記録ヘッドのトラック
位置と再生ヘッドのトラック位置を合致させる点を特徴
とするものである。工程（ｅ）により、下部磁性膜６を
形成した後、エツチングのマスク材（下部磁性膜のパタ
ーニングに用いたマスク）を残したままで再生ヘラ１〜
の引き出し電極部やＭＲ部（下部磁性膜６がらはみ出し
た部分）を保護するために先端部（浮上面の近く）を除
いて、ホトレジストパターン４ｏを形成する。

工程（ｇ）二次いで、イオンビームエツチング法等のト
ライエツチング法で、ホトレジス１−パタ　゛−ン４０
及び下部磁性膜６をマスクにして、少なくとも上部シー
ルド膜５と下部磁性膜６の間の絶縁膜、上部シールド膜
５、上部シールド膜５とＭＲ成膜の間の絶縁膜、及びＭ
Ｒ成膜、ＭＲＩＦＪ４ト下部シール１−膜３の間の絶縁
膜及び下部シール１−膜３をエツチングする。もちろん
、本発明の目的の１つは、記録ヘッドのトラック位置と
再生ヘッドの１〜ラック位置を合致させることにあるか
ら、上記工程でＭＲ成膜がエツチングされればよく、下
部シールド膜３がエツチングされるのは必須の要件では
ない。

以上の工程を用いることにより、再生ヘラ１〜のトラッ
ク位置を記録ヘッドのトラック位置に合致させることが
できる。なお、本実施例では、この工程により、先端部
（浮上面近く）では、画電極１２．１２間のＭＲ成膜の
みが残るため、この残つたＭＲ成膜の幅が実質１〜ラッ
ク幅となる。

この工程において、下部磁性膜６のエツチングに用いら
れるマスク材としては、前述のホトレジスト単体でもよ
いが、少なくとも同時に上部シールド膜及びＭＲ膜をエ
ツチングすることが必要なので、例えば特開昭６０−３
７１３０号公報に示されているように、絶縁膜のアルミ
ナ膜をマスク材の一部に使用する方法も適当である。ま
た、他の材料のマスク材を使用することができ、マスク
材としてホトレジスト材料に限定される訳ではない。

工程（ｈ）：次いで、エツチングマスク材として用いら
れていたホトレジスト４０及び下部磁性膜６のエツチン
グマスク材を除去する。

工程（ｉ）：続いて、絶縁膜、上部磁性膜、絶縁膜を順
次作製した後、基板を切断し、（Ａ）−（Ａ′）面を浮
上面とするようにスライダを作製し、薄膜磁気ヘラ１〜
を完成する。

ＭＲ成膜」二に形成する電極１．２．１２の浮上面位置
における間隔Ｗ、１２は、そのまま浮上面に現われた場
合、再生ヘッドのトラック幅に相当することになる。記
録ヘッドの下部磁性膜６の浮上面位置の幅をＷｌ−Ｐと
すると、Ｗｌ−ｐがＷｌ、２より大きい場合、下部磁性
膜６をマスクにしてＭＲ膜をエツチングしたとき、浮上
面位置でも電極１２．１２の少なくとも一部が残り、ト
ラック幅は、電極１２゜１２で決定されるため、次に述
べるＷ。ｗ＞Ｗい、の場合に比へてフォトリングラフィ
技術の位置合わせ技術かややむづかしい。これに対して
、Ｗ　Ｍ　Ｒ＞ｗ＋−ｐとすれば、浮上面位置には電極
１２．１２が現われず、Ｗ　１．ｌＲ−Ｗ　ｌ−Ｐの分
だけの位置合わせ精度の余裕ができ、再生ヘッドの１〜
ラック幅を下部磁性膜の幅で決定でき、また、７１上面
位置に電極１２゜１２が現われることが無いので、電極
に用いられる材料による耐食性の劣化を考慮しなくて良
いという効果がある。

第５図には、再生ヘッドのＭＲ素子部分のみを表わして
いる。浮上面に現われているＭＲ１１ｆｉ４の幅は、下
部磁性膜６（幅Ｗ　Ｌ　Ｐ　）から転写された幅Ｗ’Ｌ
Ｐとなり、この幅が再生ヘッドのトラック幅になる。こ
の幅は、電極１２．１２の間隔Ｗ１４Ｒより小さくする
ことにより、トラック幅位置を下部磁性膜６と自己整合
的に合致させること髪可能にし７、また電極１２．１２
を浮上面より奥に後退させ、浮上面に現われないように
でき、信頼性の向上を図ることができる。

これらの図においても、ＭＲ膜のみを表示しているが、
ＭＲ膜に磁気バイアスを加える公知のシ゛　ヤントバイ
アス膜やラフ１〜バイアス膜等を形成されている場合も
同様に加工できるのはもちろんのことである。

以上、ＭＲ膜が浮上面に現われる構造の薄膜磁気ヘッド
について述へてきたが、再生ヘッドとしてＭＲ膜が直接
浮上面に現われず、浮上面にはフラックスガイドが現わ
れる構造の実施例を第６図を用いて説明する。この実施
例は、第１図から第５図を用いて説明した実施例のうち
、第５図に示す再生ヘッド部の構造を変更したものであ
る。すなわち、ＭＲ成膜１は浮上面に対して奥の位置に
作製し、−組の電極６２．６２をＩｖｌＲ膜６成膜接続
する。再生に用いられる磁束は高透磁率のフラックスガ
イ１−６３を通してＭＲ成膜］に伝達される。従って、
再生ヘッドのトラック幅は、下部磁性１６をマスクにし
てエツチングされて形成された、浮上面側に現われてい
るフラックスガイ１−６３の幅で決定されることになる
。本実施例の特徴は、フラックスガイドの浮上面の幅で
のみ１〜ラック幅が決定されるので、ＭＲ膜に接続され
る電極６２゜６２の間隔は再生ヘッドと記録ヘラｌくの
トラック位置合わせにはほとんど関係しないため、１〜
ラック位置合わせの精度の許容幅を大きくすることがで
きるという効果がある。

以上部した実施例では、記録ヘッドの上部磁性膜７が浮
上面において下部磁性膜６の上に形成され、上部磁性膜
の下部の幅により記録ヘッドの１〜ラック幅が決まる構
造となっている。そして、下方に行く程幅か広くなって
いる。従って、記録ヘッドのトラック幅は、下部磁性膜
の幅よりも小さく、磁気ディスク」二に記録されるとい
うことになる。磁気ディスク」二に記録されるトラック
幅は広ければ広い程、再生時に再生ヘッドの出力が大き
くなる。従って、許容される範囲内で記録されるトラッ
ク幅は広い方が良い。

第７図は、本発明の他の実施例を示すもので、下部磁性
膜６を形成し、これをマスクにしてエツチングし再生ヘ
ッドのトラック位置を下部磁性膜６に対して自己整合的
に合致させた後、上部磁性膜２１祭４上面側から見て下
部磁性膜を覆いかぶせるように形成したものである。

本実施例によれば、記録ヘッドのトラック幅は下部磁性
膜６の上辺と一致し、記録ヘッドと再生ヘッドのトラッ
ク位置は共に自己整合的に一致させることができる。こ
のトラック幅に亘るトラック幅方向の直線状の磁気空隙
（第１の磁気空隙）５０ａからの磁束により、記録再生
に有効な磁化（記録）を行うことができる。また、この
時、記録ヘッドで磁気ディスク」二に記録する場合に、
下部磁性膜６の両側面と対向する上部磁性膜２］との間
の、第２及び第３の磁気空隙５０ｂ及び５０ｃから生し
２る磁束により、磁気ディスク上に信号が記録されるが
、これは、トラック幅方向に対しアジマス記録されるこ
とになり、再生ヘッドのトラック幅方向の再生には、影
響しない。従って、トラック幅方向に対してアジマス記
録された部分は、ディスク上で隣接したトラック間での
スペース部とし、て使用できるという効果がある。また
、トラック幅に対して広い幅に記録できるので、オーバ
ーライ１〜特性のマージンを広げることができる。

次に、第７図の磁気ヘッドの作製方法を第８図により説
明する。

その前段の工程は、第１図のヘッドを作製する第４図の
（ａ）〜（ｈ）までの工程と同様であり、第４図の（ｊ
）の工程が第８図のように変更される。第１図のヘッド
の場合、下部磁性膜パターン６を形成した後、第４図（
」）の工程で、磁気ギャップ膜に用いる絶縁膜（例えば
アルミナ膜）をスパッタリングして眉間絶縁膜等の構成
体を形成した後、上部磁性膜７をスパッタリングする。

この上部磁性膜は、ホトリソグラフィ及びエツチング技
術等によりパターン形成されるが、このとき、ｌ′７上
面に相当する１〜ラック位置では、下部磁性膜の上にの
み形成される。

これに対し、第７図のヘッドは、第４図（１１）の工程
の後、上部磁性膜２］の作製工程において、第８図に示
す工程によって作製することができる。

すなわち、第４図（）１）に引続いて、第８図（ξ１）
で上部磁性膜２１が絶縁膜２ａ上に形成され、第８図（
ｂ）でホトレジストパターン３０が上部磁性膜２１上に
形成され、第８図（ｃ）でイオンビームエツチングを行
って上部磁性膜２」をパターニングし、更に第８図（ｄ
）（図示せず）に相当する工程でホトレジスト３０を除
去することにより、第７図のヘッドが完成する。

第９図は、第７図の実施例の変形例であり、下部磁性膜
６を形成した後、絶縁膜２の一部を形成し、基板表面の
凹凸を平坦化した後、上部磁性膜２２を形成したもので
ある。このようにすることによって第７図の実施例に比
較して基板子の段差を小さくすることができるので、作
製方法が楽になるという効果がある。

また、第７図では、再生ヘラＦ（ＭＲヘッド）の上下シ
ールド膜のトラック幅方向両端部に記録ヘラ１〜の上部
磁性層が形成され、記録の場合、記録磁束が再生ヘッド
へ洩れて、記録効率が低下することがある。第９図のよ
うに、上部磁性膜２２を再生ヘッドの上部シールド５に
かからないようにすれば、この問題を解決することがで
きる。

次に、第１０図を用いて第９図のヘッドの作製方法を説
明する。第４図の（ａ）〜（ｈ）までは、第１図の実施
例と同様であり、第９図のヘッドの場合は、第４図の（
ｈ）の工程に続いて、第１０図（ａ）に示すように、絶
縁膜（例えばＡＱ、０３膜２ｂを形成する。続いて、第
１０図（ｂ）に示すように、平坦性の良いホストレジス
ト膜等の有機樹脂膜１００を塗布する。この全面を、フ
ッ化炭素系ガスを含むガスを用いたイオンビームエツチ
ング法によりエツチングする。この時、有機樹脂１００
と絶縁膜（アルミナ膜）２ｂとのエツチング速度の比を
同等にすることとし、有機樹脂に作られた上面の平坦面
がそのまま転写されながら平坦面を作製することができ
る（いわゆるエッチハック手法か用いられる）。ここで
、フッ化旋素系ガスを用いたイオンビームエツチング法
によれば、例えばアルミナ膜２ｂと、磁性膜であるＮｊ
Ｆｅ膜（あるいはＣｏ系合金膜）６との選択的エツチン
グが可能であり、第１０図（ｃ）に示すように、記録ヘ
ッドの下部磁性膜６のみが、平坦なアルミナ２ｂ上に飛
び出した構造にすることかできる。

欣に、第１０図（ｄ）に示すように、ギャップ膜５０ａ
　−Ｃをスパッタリング法で形成し、その」二に上部磁
性ｌｌ！ｉ！２２を形成する。そして、第１０図（（う
）（図示せず）番こ相当する］−程により、第８図て述
へたのと同様に、ホトリソクラフイとイオンビームエツ
チング法を用いることにより、上部磁性膜２２のパター
ニングを行い、これに適宜絶縁膜を形成することで、第
９図に示すヘッドを完成する。

以上第７図と第９図のヘッドによれば、記録ヘッドの磁
気空隙は、トラック幅方向に延びる実質的に記録再生の
行われる第１の磁気空隙領域５０ａと、その両端にあっ
て（第１の磁気空隙に対して）、互いに逆向きに傾斜し
ている第２の磁気空隙５０ｂ及び第３の磁気空隙５０ｃ
とにより構成される。すなわち、記録磁気空隙全体は、
「「状」に構成される。これに対し、再生ヘッドの再生
１〜ラック幅に相当する部分はトランク幅方向に一直線
（「−状」）に延びている（なお、いずれも、磁界の方
向は、空隙線、Ｍ　Ｒ素子線に垂直）。従って、記録ヘ
ッドの第２．第３の空隙による磁化（記録）が再生ヘッ
ドで検出されることはない。

以上のヘッドは、記録ヘッドと再生ヘッドを一体に積層
する構造で示したが、記録磁化パターンが「［状ｊの磁
気空隙を有する単独の記録ヘッドと、再生磁化パターン
がトラック幅方向に一直線「−状」の素子を有する単独
の再生ヘッドを組み合わせて用いる場合でも（記録ヘッ
ドと、ＭＲヘッドを分離して用いる場合でも）、同様な
効果が得られる。例えば、記録ヘッドと再生ヘッドを磁
気ディスクの半径方向に、上流トラックと下流１−ラン
クに載るように並列して配置して上部トラック側で記録
した信号を下流トラック側のヘッドで再生する場合にも
（両ヘッドをそれぞれ１〜ラック位置に合わせるという
作業が必要となるが）、高記録密度を達成する上で同様
な効果が得られる。

第１１図は、下部磁性膜６の上面まで、絶縁膜２の一部
を形成して基板表面の凹凸を平坦化したものであり、そ
の上に上部磁性膜２３を平坦にかつ下部磁性膜６よりも
長目に形成することにより、下部磁性膜６の上端部全面
を記録ヘッドのトラック幅として用いたものである。こ
れにより、トラック幅を広く使用できるという効果があ
る。

第１２図は、他の実施例を示すもので、これまでに述へ
た実施例は、下部磁性膜６をマスクにして少なくとも再
生ヘッドのＭＲ膜をエツチングしているが、本実施例は
、上部磁性膜７をマスクにして、下部磁性膜６、上部シ
ールド膜５、ＭＲ成膜及び下部シール１く膜３をエツチ
ングして、記録ヘラ１〜と再生ヘッドの１〜ラック位置
を合致させたものである。本実施例によれば、記録ヘッ
ドと再生ヘッドのトラック位置を合致させることにより
、高記録密度化を可能とする効果がある。ただし、前述
の実施例に比へてエツチングする全体の膜厚が厚くなり
、作製工程は若干複雑になる。

また、他の実施例として、記録ヘッドの下部磁性膜と再
生ヘッドの上部シールド膜を共通にすることも可能であ
る。

［発明の効果コ 以上詳しく説明したように、本発明によれば、記録再生
複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、記録ヘッドの磁性膜を
マスクとして再生ヘッドのトラック幅規定部（ＭＲヘッ
ドの場合、電極間間隙、フラックスガイド幅）をエツチ
ングするようにしたので、記録ヘラＩ・と再生ヘラ１〜
のトラック位置（トランク中心）を合致させることがで
き、それによって、ｊ−ラック密度を高め、高磁気記録
密度の記録を行うことができる。

また、記録ヘッドのトラック幅方向の両端部に、再生ヘ
ッドに対して無効となるアジマス磁気空隙を設けること
により、隣接トラックを更に接近できるようにして、ク
ロス１ヘークのない高磁気記録密度の記録を行うことが
できる。

２６一

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘラＩ’の浮上面
から見た下面図、第２図は同じく断面図、第３図は同じ
く平面図、第４図は薄膜磁気ヘッドの作製工程を示す平
面図、第５図は再生ヘツＩ−先端部の平面図、第６図は
他の実施例の再生ヘッド先端部の平面図、第７図は他の
実施例の薄膜磁気ヘッドの浮上面から見た下面図、第８
図は第７図の薄膜磁気ヘッドの作製工程を示す浮上面か
ら見た下面図、第９図は第７図を変形した実施例の薄膜
磁気ヘッドの浮上面から見た下面図、第１０図は第９図
の薄膜磁気ヘッドの作製工程を示す浮上面から見た下面
図、第１１図及び第１２図は更に他の実施例の薄膜磁気
ヘッドの浮上面から見た下面図である。 １　・　基板、２・・・・・・絶縁膜、３・・・・下部
シールド膜、４　・・・・ＭＲ膜、５・・・・上部シー
ルド膜、６・・・・・下部磁性膜、７・　・・上部磁性
膜。 第１図　２ 第１１図 第１２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、再生ヘッドとして磁気抵抗効果型磁気ヘッドを用い
   、記録ヘッドとして誘導型磁気ヘッドを用い、各々を積
   層して作製した記録再生分離複合型の薄膜磁気ヘッドに
   おいて、記録ヘッドの磁性膜をマスクとして再生ヘッド
   の記録媒体対向面に相当する部分をエッチングすること
   により、記録ヘッドと再生ヘッドのトラック位置を合致
   させたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、再生ヘッドの記録媒体対向面における電極間隔を記
   録ヘッドの下部磁性膜の幅よりも広く構成したことを特
   徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 ３、再生ヘッドの記録媒体対向面部分にはフラックスガ
   イドが形成されており、このフラックスガイドの記録媒
   体対向面部分は、記録ヘッドの下部磁性膜をマスクとし
   てエッチングされることにより構成したことを特徴とす
   る請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 ４、記録ヘッドのトラック幅を再生ヘッドのトラック幅
   よりも狭くしたことを特徴とする請求項１または３記載
   の薄膜磁気ヘッド。 ５、記録ヘッドの上部磁性膜は、記録媒体対向面におい
   て、下部磁性膜の上面との間に第１の磁気空隙が形成さ
   れると共に、下部磁性膜のトラック幅方向の両端の傾斜
   面との間にも第２、第３の磁気空隙が形成されるように
   設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のい
   ずれか１項記載の薄膜磁気ヘッド。 ６、前記記録ヘッドを用い、前記第１の磁気空隙により
   決まるトラック幅で記録を行うと共に、前記第２、第３
   の磁気空隙によりアジマス記録を行い、前記再生ヘッド
   は、前記第１の磁気空隙により決まるトラック幅の部分
   のみを再生するように構成したことを特徴とする磁気デ
   ィスク装置。