JPH0370284B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気ヘツド特に蒸着やスパツタリング
の手法を用いて製作する薄膜磁気ヘツドに関す
る。

薄膜磁気ヘツドは第４図に示す如く、磁性基板
１と被覆磁性膜層５との間に、被覆非磁性膜層４
によつて包囲されたコイル３を配備しており、被
覆非磁性膜層４中へのコイル３の埋設及び被覆磁
性膜層５の形成に際し、蒸着、スパツタリング等
の薄膜形成法、エツチングによるパターン形成法
が用いられる。

上記薄膜磁気ヘツドでは、コイル近傍部分での
磁束の漏洩が問題となつている。即ち、コイル３
に流れる電流によつて発生する磁束が磁性層内を
通るだけでなく、一部はコイル近傍部分を磁性基
板１面に略垂直方向に通り、そのため記録ヘツド
では肝心のギヤツプＧ部近傍での漏洩磁界が小さ
くなつて効率が悪くなり、同様にして再生ヘツド
においても再生効率が悪くなる。

記録・再生効率を向上させるにはコイル３近傍
での磁気抵抗（リラクタンス）を大きくすれば可
く、このため第５図に示す如く、磁性基板１のコ
イル３との対応部分に予め溝１３を形成して該溝
１３にガラス２１を充填しておき、コイル近傍部
分の磁気抵抗を高めた磁気ヘツドも提案されてい
る。

しかし、上記磁気ヘツドの場合、溝１３の機械
加工及びガラス２１の充填は蒸着、スパツタリン
グ、エツチング等、所謂ICの薄膜加工法とは異
質の加工法であつて、精度的にも生産性の点から
も問題があつた。

本発明は上記実情に鑑み精度、生産性、性能の
何れの点に於ても優れた磁気ヘツドを提供するこ
とを目的とする。

以下図面に示す実施例に基づき本発明を具体的
に説明する。

磁気ヘツドＨは公知の如く磁性基板１上の溝１
３に非磁性材２が充填され、非磁性材２上に複数
の渦巻状コイル３，３ａがヘツドＨのテープ摺動
面１４に沿つて隣接配備されている。

各コイル３，３ａには、磁気テープＴとの摺動
面１４側にテープＴのトラツク幅に対応する幅で
被覆非磁性膜層４が被さり、更に該被覆非磁性膜
層４上に被覆磁性膜層５が積層されている。

被覆非磁性膜層４の中、ヘツドＨのテープ摺動
面１４に延びる部分が、ヘツドのギヤツプＧを形
成している。

本願の特徴は、上記磁性基板１を、磁性基板主
体１１と該主体１１上に蒸着、スパツタリング、
メツキ等によつて積層した補助磁性膜層１２とで
構成し、溝１３は補助磁性膜層１２をケミカルエ
ツチング、リアクテイブイオンエツチング、イオ
ンエツチング等の種々のエツチングにより不要部
を除去して形成され、又、溝１３への非磁性材２
の充填にはリフトオフ法等のIC製造技術を使用
した点である。

補助磁性膜層１２は、テープＴの１つのトラツ
ク分に対して２つの領域に分けられる。１つは前
記ギヤツプＧ部分の非磁性膜層４に接する領域１
２ａであり、他の１つは直接或は非磁性膜層４を
介して被覆磁性膜層２と接する領域１２ｂであ
る。

両領域１２ａ，１２ｂは磁性基板主体１１を通
じて磁気的につながつている。

補助磁性膜層１２、特にギヤツプＧ側の領域１
２ａは磁束が集中するため、磁気的飽和が起り易
く、そのため補助磁性膜層１２はパーマロイ、セ
ンダスト、アモルフアス合金等、高い飽和磁束密
度の材料が適している。

磁性基板主体１１は補助磁性膜層１２に比べて
磁路が長く、且つ断面積が大きくて磁気的に飽和
する危険性が殆んど無い。従つて飽和磁束密度の
大きさはさほど要求されないが、信号周波数域で
高透磁率を有することが要求されるため、Mn−
Znフエライト透の高透磁率材料が適している。

尚、磁性基板主体１１と補助磁性膜層１２との
接合部に於て、疑似ギヤツプが生じることがある
が、補助磁性膜層１２側をテープ進入側とし、被
覆磁性膜層２側をテープ退出側、即ち第２図に於
てテープＴが下から上へ移行する様にすれば疑似
ギヤツプは全く問題にならないことを確認した。

第３図ａ乃至ｋは上記薄膜磁気ヘツドの製作工
程の一例を示している。

先ず基板１の上面に蒸着、スパツタリング或は
メツキによつて補助磁性膜層１２を形成する（ａ
図）。

補助磁性膜層１２上に前記溝に対応する部分を
残してレジスト６を塗布し、露光、現像を行なう
（ｂ図）。

次にエツチングを行なつてレジスト６の塗布さ
れていない補助磁性膜層１２の一部を除去して溝
１３を形成する（ｃ図）。

リフトオフ法によりレジスト６の上面及び溝１
３に非磁性材２，２ａの膜層を形成する（ｄ図）。

レジスト６上の非磁性材２ａをレジストごと除
去し、補助磁性膜層１２及び溝１３に充填した非
磁性材２の両者の高さを揃える。（ｅ図）。

次に非磁性材２及び補助磁性膜層１２上に蒸
着、スパツタリング、或はメツキによつて導電箔
３ａを積層形成し、更に導電磁３ａ上には形成す
べきコイルの渦巻パターンに対応してレジスト６
１を塗布する（ｆ図）。

エツチングして導電箔３ａの不必要部分を除去
して渦巻コイル３を形成する（ｇ図）。

補助磁性膜層１２及びコイル３上にスパツタリ
ング等によつて非磁性膜層４を形成する（ｈ図）。

前記被覆磁性膜層５の被覆範囲に対応して非磁
性膜層４にレジスト６２を塗布する（ｉ図）。

エツチングを施し被覆非磁性膜層４の不要部分
及びレジスト６２を除去する（ｊ図）。

被覆非磁性膜層４上及び補助磁性膜層１２上に
被覆磁性膜層５を一体に形成する（ｋ図）。

被覆磁性膜層５は前記補助磁性膜層１２と同じ
材質のもので可い。

被覆磁性膜層５の形成に際しては、前記導電箔
３ａからコイル３を形成する場合と同様、レジス
ト塗布から始まつて所望の形状にパターニング及
びエツチングする工程が必要であるが、周知技術
であるから詳細は省略する。

尚、本発明の実施に際し、磁性基板本体は非磁
性基板の上に磁性層を積層したものを使用するこ
とが出来る。

本発明は上記の如く、磁性基板１に溝１３を形
成して非磁性材を充填し、コイル下方の磁性基板
本体１１とコイル上方の被覆磁性膜層５との間隙
を大きくしたから、磁気的抵抗が増大して効率が
高くなる。

又、溝加工及び該溝への非磁性材２の充填を蒸
着、スパツタリング、メツキ、エツチング等の
IC技術を一連に実施して製造出来、生産能率が
向上し、又、高精度のものが得られる等、優れた
効果を有す。

尚、本発明は上記構成に限定されることはなく
特許請求の範囲に記載の技術範囲内で種々の変形
が可能であるのは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜磁気ヘツドの要部を示す正面図、
第２図は第１図−線に沿う拡大断面図、第３
図ａ乃至第３図ｋは製造法の説明図、第４図、第
５図は従来例の斜面図である。 １……磁性基板、１１……磁性基板本体、１２
……補助磁性膜層、１３……溝、４……非磁性
材。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁性基板１上の溝１３に非磁性材２が充填さ
   れ、該非磁性材２上に被覆非磁性膜層４で包囲さ
   れたコイル３が配備され、被覆非磁性膜層４及び
   磁性基板１上に被覆磁性膜層５が積層された磁気
   ヘツドに於て、磁性基板１は磁性基板主体１１上
   に補助磁性膜層１２を積層して形成され、溝１３
   は補助磁性膜層１２の一部が除去して形成されて
   おり、コイル３は非磁性材２上に積層した導電箔
   ３ａによつて形成されている薄膜磁気ヘツド。 ２ 補助磁性膜層１２は磁性基板主体１１よりも
   飽和磁束密度の高い磁性材料で形成されている特
   許請求の範囲第１項に記載の薄膜磁気ヘツド。