JPS58161126A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気ヘッド特に蒸着やスパッタリングのｆ法を
用いて製作する薄膜磁気ヘッドに関する薄膜磁気ヘッド
は第４図に示す如く、磁性基板（１）と被覆磁性膜１１
ｉ　ｆ５＋との間に、被覆非磁性膜層（４）によって包
囲されたコイル（３）を配備しており、被覆非磁性膜層
（４）中へのコイル（３）の埋設及び被覆磁性膜層（５
）の形成に際し、蒸着、スパッタリング等の薄膜形成法
、エツチングによるパターン形成法が用いられる。

Ｌ記薄膜磁気ヘッドでは、コイル近傍部分での磁束の漏
洩が問題となっている。即ち、コイル（３）に流れる電
流によって発生する磁束が磁性層内を通るだけでなく、
一部はコイル近傍部分を磁性基板山面に略垂直方向に通
り、そのため記録ヘッドては肝心のギャップ（Ｇ）部近
傍での漏洩磁界が小さくなって効率が悪くなり、同様に
して再生ヘッドにおいても再生効率が悪くなる。

記録・再生効率を向丑させるにはコイル（３）近傍での
磁気抵抗（リラクタンス）を大きくすれば可く、このた
め第５図に示す如く、磁性基板（１）のコイル（３）と
の対応部分に予め溝ｕ□□□を形成して該溝（１３）に
ガラス１２１）を充填しておき、コイル近傍部分の磁気
抵抗を高めた磁気ヘッドも提案されている。

しかし、上記磁気ヘッドの場合、溝（］３）の機械加工
及びガラス２１）の充填は蒸着、スパッタリング、エツ
チング等、所謂ＩＣの薄膜加工法とは異質の加工法であ
って、精度的にも生産性の点からも問題があった。

本発明は上記実情に鑑み精度、生産性、性能の何れの点
に於ても優れた磁気ヘッドを提供することを目的とする
。

以下図面に示す実施例に基づき本発明を具体的に説明す
る。

磁気ヘッド（Ｈ）は公知の如く磁性基板（１）上の溝（
１３）に非磁性材（：２）が充填され、非磁性材、２）
Ｌに複数の渦巻状コイル！３＋（３ａ）がヘッド（Ｈ）
のテープ摺動面（］４１に沿って隣設配備されている。

各コイル＋３＋（３ａ）には、磁気テープ（Ｔ）との摺
接面（］４）側にテ、−プ（Ｔ）のトラック幅に対応す
る幅で被覆非磁性膜層（４）が被さり、更に該被覆非磁
性膜層（４）上に被覆磁性膜層（５）が積層されている
。

ｆｌＬ覆非磁性膜層（４）の中、ヘッド（Ｈ）のテープ
摺接面圓に延びる部分が、ヘッドのギャップ（Ｇ）を形
成している。

本願の特徴は、上記磁性基板（１）を、磁性基板主体（
１１）と該主体（１１）上に蒸着、スパッタリング、メ
ッキ等によって積層した補助磁性膜層（１２１とで構成
し溝（１３）は補助磁性膜層（１りをフォトエツチング
、リアクティブイオンエツチング、イオンエツチング等
の種々のエツチングにより不要部を除去して形成され、
又、溝（１■への非磁性材（２）の充填にはりフトオフ
法等のＩＣ製造技術を使用した点である。

補助磁性膜層（１２＋は、テープ（Ｔ）の１つのトラッ
ク分に対して２つの領域に分けられる。１つは前記ギャ
ップ（Ｇ）部分の非磁性膜層（４）に接する領域（１２
ａ）であり、他の１つは須接或は非磁性膜層（４）を介
して被覆磁性膜層（２）と接する領域（１２ｂ）である
。

両領域（１２ａ）　（１２ｂ）は磁性基板主体（１１）
を通じて磁気的につながっている。

補助磁性膜層口２、特にギャップ（Ｇ）側の領域（１２
ａ）は磁束か集中するため、磁気的飽和が起り易く、そ
のため補助磁性膜層＠はパーマロイ、センダスト、アモ
ルファスさ金等、高い飽和磁束密度の材料が用いられる
。

磁性基板主体１ｌｌ）は補助磁性膜層ＬＩＺＩに比べて
磁路が長く、且つ断面積が大きくて磁気的に飽和する危
険性が殆んど無い。従って飽和磁束密度の大きさはさほ
ど要求されないか、信号周波数域で高透磁率を有するこ
とが要求されるため、Ｍｎ−Ｚｎフェライト等の高透磁
率材料が用いられる。

尚、磁性基板主体・１１）と補助磁性膜＠　１１２１と
の接合部に於て、疑似ギャップが生じることがあるが、
補助磁性膜層、１２側をテープｌ入側とし、被覆磁性膜
層、２）側をテープ退出側、即ち第２図に於てテープ（
Ｔ）が下から上へ移行する様にすれは疑似ギャップは全
（問題１こならないことを確認した。

第３図（ａ）乃至（ｋ）は上記薄膜磁気ヘッドの製作工
程の一例を示している。

先ず基板ｉｌｌのＬ面に蒸着、スパッタリング或はメッ
キによって補助磁性膜層ｕｚを形成する（ａ図）。

補助磁性膜層１．１２上に前記溝に対応する部分を残し
てレジスト（６）を塗布し、露光、現像を行なう（ｂ図
）。

次にエツチングを行なってレジスト（６）の塗布されて
いない補助磁性膜層０４の一部を除去して溝（１３）を
形成する（０図）。

リフトオフ法によりレジスト（６）の上面及び溝ｔ１３
１に非磁性材＋２１（２ａ）の膜層を形成する（ｄ図）
。

レジスト１６）Ｌの非磁性材（２ａ）をレジストごと除
去し、補助磁性膜層Ｏ２及び溝（１３）に充填した非磁
性材（２）の両者の高さを揃える（ｅ図）。

次に非磁性材（２）及び補助磁性膜層ＩＩ２上に蒸着、
スパッタリング、或はメッキによって導電箔（３ａ）を
積層形成し、史に導電磁（３ａ）上には形成すべきコイ
ルの渦巻パターンに対応してレジスト（６１）を塗布す
る（ｆ図）。

エツチングして導電ｉ　（３ａ）の不必要部分を除去し
て渦巻コイル（３）を形成する（ｇ図）。

補助磁性膜層（］２及びコイル（３）上にスパッタリン
グ等によって非磁性膜層（４）を形成する（ｈ図）。

ｆＪＩＪ記被覆磁性模層（５）の被覆範囲に対応して非
磁性膜層１４）にレジストｔ６Ｚを塗布する（１図）。

エツチングを施し被覆非磁性膜層（４）の不要部分をひ
レジスト＋６２）を除去する（」図）。

？ＩＩ覆非磁性膜層、４）Ｌ及び補助磁性膜層ｔ１２）
　ｈに被覆磁性膜層（５）を一体に形成する（ｋ図）。

被覆磁性膜層（５）は前記補助磁性膜ｊ傍、１シと同じ
材質のもので可い。

被覆磁性膜層１５）の形成に際しては、削記尋電箔（３
ａ）からコイル、３）を形成する場合と同様、レジスト
塗布から始まって所望の形状にパター二／グ及びエツチ
ングする工程が必要であるが、周知技術であるから詳細
は省略する。

尚、本発明の実施に際し、磁性基板本体は非磁性基板の
上に磁性１−を積層したものを使用することか出来る。

本発明は上記の如（、磁性基板（１）に溝１１３）を形
成して非磁性材を充填し、コイル下方の磁性基板本体（
１１）とコイル上方の被覆磁性膜層１５）との間隙を大
きくしたから、磁気的抵抗が増大して効率が旨（なる。

又、溝加工及び該溝への非磁性材（２）の充填を蒸着、
スパッタリング、メッキ、エツチング等のｒｃ技術を一
連に実施して製造出来、生産能率か向ヒし、又、高精度
のものが得られる等、優れた効果を有す。

尚、本発明は上記構成Ｉこ限定されることはなく特ｆｆ
−請求の範囲に記載の技術範囲内で種々の変形か可能で
あるのは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜磁気ヘッドの要部を示す正面図、第２図は
第１図ＩＩ−ｎ線に沿う拡大断面図、第３図（ａ）乃至
第３図（ｋ）は製造法の説明図、第４図、第５図は従来
例の斜面図である。 （１）・・・磁性基板　　　　（＋１）・・・磁性基板
本体ｉ１Ｚ・・・補助磁性膜層　　（１３）・・・溝（
４）・・・非磁性材 手続補正書θ方式〉 昭打１５７年４月２０日 持許庁長宮殿 １、事件の入示　　特願昭５７−４５３８２２、発明の
名称　　薄膜磁気ヘッド ：３．補正をする者　　出願人 氏名・名称　　　（］８８）三洋電機株式会社５、補正
の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 「フォトエツチング」を、 「ケミカルエツチング」に補正。 （２）明細書箱５頁４行目 「用いられる」を、 「適している」に補正。 （３）　　明細書第５頁１０行目 「用いられる」を、 「適している」に補正。 （４）　　明細書第７頁３〜４行目 ｒ不要部分をひ」を、 「不要部分及び」に補正。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■　磁性基板１１）上の溝（１３）に非磁性材（２）が
   充填され、該非磁性材１２）上に被覆非磁性膜層１４）
   で包囲されたコイル１．３）が配備され、被覆非磁性膜
   層＋４１及び磁性基板（１）上に被覆磁性膜層（５）が
   積層された磁気ヘッドに於て、磁性基板（月は磁性基板
   主体１υ上に補助磁性膜層（１２を積層して形成され、
   溝（１３）は補助磁性膜層ｔｌＺの一部が除去して形成
   されており、コイル３）は非磁性材（２）上に積層した
   躊電溶（３ａ）　ｉこよって形成′されている薄膜磁気
   ヘッド。 ■　補助磁性膜層１１りは磁性基板主体・１１）よりも
   飽和磁束密度の高い磁性材料で形成されている特許請求
   の範囲第１項に記載の薄膜磁気ヘッド。