JP2501261B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2501261B2 JP2501261B2 JP3228418A JP22841891A JP2501261B2 JP 2501261 B2 JP2501261 B2 JP 2501261B2 JP 3228418 A JP3228418 A JP 3228418A JP 22841891 A JP22841891 A JP 22841891A JP 2501261 B2 JP2501261 B2 JP 2501261B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、浮上型の薄膜磁気ヘッ
ドに関する。
ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の薄膜磁気ヘッドは、スライダと
薄膜磁気変換素子とを備え、スライダが導電性基体の表
面にアルミナ膜等の絶縁膜を有し、この絶縁膜の上に薄
膜磁気変換素子が設けられている。薄膜磁気変換素子は
ある電位に保たれるコイル膜と、コイル膜と共に薄膜磁
気回路を構成する磁性膜とを有しており、磁性膜とコイ
ル膜との間にキャパシタが発生する。
薄膜磁気変換素子とを備え、スライダが導電性基体の表
面にアルミナ膜等の絶縁膜を有し、この絶縁膜の上に薄
膜磁気変換素子が設けられている。薄膜磁気変換素子は
ある電位に保たれるコイル膜と、コイル膜と共に薄膜磁
気回路を構成する磁性膜とを有しており、磁性膜とコイ
ル膜との間にキャパシタが発生する。
【０００３】一方、最近の小型ＨＤＤでは、パソコン搭
載を考慮してパソコン電源である５ボルト、１２ボルト
をそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用ＩＣ
も５ボルトの片電源を用いるようになっている。このた
め、薄膜磁気ヘッドは一定電圧、具体的には、２．５ボ
ルトの正電圧で常時バイアスされる。その結果、キャパ
シタはバイアス電圧により常時一方向に電荷が蓄積され
る。
載を考慮してパソコン電源である５ボルト、１２ボルト
をそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用ＩＣ
も５ボルトの片電源を用いるようになっている。このた
め、薄膜磁気ヘッドは一定電圧、具体的には、２．５ボ
ルトの正電圧で常時バイアスされる。その結果、キャパ
シタはバイアス電圧により常時一方向に電荷が蓄積され
る。
【０００４】キャパシタに蓄積された電荷はポ−ル部と
媒体との間の接触などによる放電により放出され、磁性
膜の電位が変動する。磁性膜の電位変動によりコモンモ
ードノイズが発生し、読み取りデ−タにエラ−を生じ
る。かかる放電防止技術に関する先行技術文献として
は、例えば、特開平２−２４６０４８号公報等がある。
この先行技術においては、薄膜磁気ヘッドのバイアス電
位と媒体の電位とを等しくして放電を生じさせないよう
にしている。
媒体との間の接触などによる放電により放出され、磁性
膜の電位が変動する。磁性膜の電位変動によりコモンモ
ードノイズが発生し、読み取りデ−タにエラ−を生じ
る。かかる放電防止技術に関する先行技術文献として
は、例えば、特開平２−２４６０４８号公報等がある。
この先行技術においては、薄膜磁気ヘッドのバイアス電
位と媒体の電位とを等しくして放電を生じさせないよう
にしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た先行技術では、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくするために、回転する媒体に薄膜磁気
ヘッドと同電位にする手段を設けることが必須になるの
で、磁気ディスク装置の構造が複雑となり、大型化を招
くと共に、高価になる。
た先行技術では、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくするために、回転する媒体に薄膜磁気
ヘッドと同電位にする手段を設けることが必須になるの
で、磁気ディスク装置の構造が複雑となり、大型化を招
くと共に、高価になる。
【０００６】そこで本発明の課題は、上述する従来の問
題点を解決し、薄膜磁気回路に対する影響を著しく小さ
くして、安定した放電防止作用が得られるようにした薄
膜磁気ヘッドを提供することである。
題点を解決し、薄膜磁気回路に対する影響を著しく小さ
くして、安定した放電防止作用が得られるようにした薄
膜磁気ヘッドを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、スライダと、薄膜磁気変換素子とを有す
る薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダは、その大部
分が非磁性の導電性基体で構成されており、前記薄膜磁
気変換素子は、コイル膜と、前記コイル膜と共に薄膜磁
気回路を構成する磁性膜とを有し、前記磁性膜と前記コ
イル膜との間にキャパシタを発生する有機絶縁膜を有し
ており、前記磁性膜が前記導電性基体上に直接に設けら
れていることを特徴とする。
め、本発明は、スライダと、薄膜磁気変換素子とを有す
る薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダは、その大部
分が非磁性の導電性基体で構成されており、前記薄膜磁
気変換素子は、コイル膜と、前記コイル膜と共に薄膜磁
気回路を構成する磁性膜とを有し、前記磁性膜と前記コ
イル膜との間にキャパシタを発生する有機絶縁膜を有し
ており、前記磁性膜が前記導電性基体上に直接に設けら
れていることを特徴とする。
【０００８】
【作用】スライダは、その大部分が導電性基体で構成さ
れており、薄膜磁気変換素子は磁性膜が導電性基体上に
直接に設けられているから、磁性膜がアース電位となる
導電性基体と同電位に保たれる。このため、コイル膜と
磁性層との間の有機絶縁膜に発生するキャパシタに電荷
が蓄積されても、蓄積電荷に起因して磁性膜のポ−ル部
と媒体との間に放電を発生することはない。しかも、ス
ライダを構成する導電性基体は、非磁性であるから、薄
膜磁気回路に対する磁気的な悪影響を生じる余地がな
く、薄膜磁気変換素子の磁性膜による所定の電磁変換特
性を得ることができる。
れており、薄膜磁気変換素子は磁性膜が導電性基体上に
直接に設けられているから、磁性膜がアース電位となる
導電性基体と同電位に保たれる。このため、コイル膜と
磁性層との間の有機絶縁膜に発生するキャパシタに電荷
が蓄積されても、蓄積電荷に起因して磁性膜のポ−ル部
と媒体との間に放電を発生することはない。しかも、ス
ライダを構成する導電性基体は、非磁性であるから、薄
膜磁気回路に対する磁気的な悪影響を生じる余地がな
く、薄膜磁気変換素子の磁性膜による所定の電磁変換特
性を得ることができる。
【０００９】コイル膜は、通常、有機絶縁樹脂によって
絶縁されているので、磁性膜を導電性基体の上に直接に
形成しても、コイル膜に必要な電気絶縁は充分に確保で
きる。コイル膜に接続されるリード電極及び取出電極
は、導電性基体との間に必要な絶縁処理を行なう。
絶縁されているので、磁性膜を導電性基体の上に直接に
形成しても、コイル膜に必要な電気絶縁は充分に確保で
きる。コイル膜に接続されるリード電極及び取出電極
は、導電性基体との間に必要な絶縁処理を行なう。
【００１０】
【実施例】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁
気変換素子の部分の透視図、図２は薄膜磁気変換素子の
拡大断面図である。これらの図は構造の概略を示すため
に用いられているもので、各部寸法は誇張されている。
図において、１はスライダ、２は薄膜磁気変換素子であ
る。
気変換素子の部分の透視図、図２は薄膜磁気変換素子の
拡大断面図である。これらの図は構造の概略を示すため
に用いられているもので、各部寸法は誇張されている。
図において、１はスライダ、２は薄膜磁気変換素子であ
る。
【００１１】スライダ１はその大部分がAl2O3-TiCでな
る導電性基体１１によって構成されている。Al 2 O 3 -TiC
は非磁性体である。そして、導電性基体１１の端面に薄
膜磁気変換素子２を直接に設けてある。従来、設けるの
が常であったアルミナ等の絶縁膜を有していない。図の
スライダ１は媒体対向面側にレール１２を有し、レール
１２の表面を空気ベアリング面１３として利用するタイ
プである。図示はしないが、媒体対向面がレール部を持
たない平面状の空気ベアリング面となっているスライダ
１であってもよい。
る導電性基体１１によって構成されている。Al 2 O 3 -TiC
は非磁性体である。そして、導電性基体１１の端面に薄
膜磁気変換素子２を直接に設けてある。従来、設けるの
が常であったアルミナ等の絶縁膜を有していない。図の
スライダ１は媒体対向面側にレール１２を有し、レール
１２の表面を空気ベアリング面１３として利用するタイ
プである。図示はしないが、媒体対向面がレール部を持
たない平面状の空気ベアリング面となっているスライダ
１であってもよい。
【００１２】薄膜磁気変換素子２は、下部磁性膜２１
と、上部磁性膜２２と、コイル膜２３とを有し、下部磁
性膜２１が導電性基体１１の端面上に直接に設けられて
いる。下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、通常、パ
ーマロイ等で構成され、先端部が変換ギャップを構成す
るポ−ル部２１１、２２１となっていて、ポ−ル部２１
１、２２１に連なるヨ−ク部２１２、２２２の後方側が
磁気回路を完成するように結合されている。ポール部２
１１、２２１はアルミナ等でなるギャップ膜２４により
隔てられている。コイル膜２３は、下部磁性膜２１及び
上部磁性膜２２の結合部の回りに渦巻き状に設けられて
いる。コイル膜２３と下部磁性膜２１及びコイル膜２３
と上部磁性膜２２との間は、絶縁膜２５１〜２５３によ
り絶縁されている。絶縁膜２５１〜２５３は、通常、ノ
ボラック樹脂等の有機樹脂で構成される。２６はアルミ
ナ等でなる保護膜、２７、２８はコイル膜２３に導通す
る取出電極、２７１、２８１はリード電極である。
と、上部磁性膜２２と、コイル膜２３とを有し、下部磁
性膜２１が導電性基体１１の端面上に直接に設けられて
いる。下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、通常、パ
ーマロイ等で構成され、先端部が変換ギャップを構成す
るポ−ル部２１１、２２１となっていて、ポ−ル部２１
１、２２１に連なるヨ−ク部２１２、２２２の後方側が
磁気回路を完成するように結合されている。ポール部２
１１、２２１はアルミナ等でなるギャップ膜２４により
隔てられている。コイル膜２３は、下部磁性膜２１及び
上部磁性膜２２の結合部の回りに渦巻き状に設けられて
いる。コイル膜２３と下部磁性膜２１及びコイル膜２３
と上部磁性膜２２との間は、絶縁膜２５１〜２５３によ
り絶縁されている。絶縁膜２５１〜２５３は、通常、ノ
ボラック樹脂等の有機樹脂で構成される。２６はアルミ
ナ等でなる保護膜、２７、２８はコイル膜２３に導通す
る取出電極、２７１、２８１はリード電極である。
【００１３】上述のように、スライダ１はその大部分が
導電性基体１１で構成されており、薄膜磁気変換素子２
は下部磁性膜２１が導電性基体１１上に直接に設けられ
ているから、下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２が、ア
ース電位となる導電性基体１１と同電位に保たれる。こ
のため、コイル膜２３と磁性膜２１、２２との間の有機
絶縁樹脂２５１〜２５３に発生するキャパシタに電荷が
蓄積されても、蓄積電荷に起因して磁性膜２１、２２の
ポ−ル部２１１、２２１と媒体（図示しない）との間に
放電を発生することはない。しかも、スライダを構成す
る導電性基体は非磁性であるから、薄膜磁気回路に対す
る磁気的な悪影響を生じる余地がなく、薄膜磁気変換素
子の磁性膜２１、２２による所定の電磁変換特性を得る
ことができる。
導電性基体１１で構成されており、薄膜磁気変換素子２
は下部磁性膜２１が導電性基体１１上に直接に設けられ
ているから、下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２が、ア
ース電位となる導電性基体１１と同電位に保たれる。こ
のため、コイル膜２３と磁性膜２１、２２との間の有機
絶縁樹脂２５１〜２５３に発生するキャパシタに電荷が
蓄積されても、蓄積電荷に起因して磁性膜２１、２２の
ポ−ル部２１１、２２１と媒体（図示しない）との間に
放電を発生することはない。しかも、スライダを構成す
る導電性基体は非磁性であるから、薄膜磁気回路に対す
る磁気的な悪影響を生じる余地がなく、薄膜磁気変換素
子の磁性膜２１、２２による所定の電磁変換特性を得る
ことができる。
【００１４】コイル膜２３は、通常、有機絶縁樹脂２５
１〜２５３によって絶縁されているので、下部磁性膜２
１を導電性基体１１の上に直接に形成しても、コイル膜
２３に必要な電気絶縁は充分に確保できる。
１〜２５３によって絶縁されているので、下部磁性膜２
１を導電性基体１１の上に直接に形成しても、コイル膜
２３に必要な電気絶縁は充分に確保できる。
【００１５】コイル膜２３に接続されるリード電極２７
１、２８１及び取出電極２７、２８等は、その下にアル
ミナ等の絶縁膜を設ける等の手段によって、導電性基体
１１から電気的に絶縁する。
１、２８１及び取出電極２７、２８等は、その下にアル
ミナ等の絶縁膜を設ける等の手段によって、導電性基体
１１から電気的に絶縁する。
【００１６】実施例では、面内記録再生用の薄膜磁気ヘ
ッドを示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドにも
同様に適用が可能である。
ッドを示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドにも
同様に適用が可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）スライダはその大部分が非磁性の導電性基体で構
成されており、薄膜磁気変換素子は磁性膜が導電性基体
上に直接に設けられているから、コイル膜と磁性膜との
間の有機絶縁膜に発生するキャパシタへの電荷蓄積に起
因する磁性膜のポ−ル部と媒体との間の放電、及び、放
電による読み取りデ−タ・エラ−を発生することのない
薄膜磁気ヘッドを提供できる。 （ｂ）スライダを構成する導電性基体は、非磁性体であ
るから、放電防止構造が薄膜磁気回路に対して磁気的な
悪影響を与える余地のない薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
のような効果が得られる。 （ａ）スライダはその大部分が非磁性の導電性基体で構
成されており、薄膜磁気変換素子は磁性膜が導電性基体
上に直接に設けられているから、コイル膜と磁性膜との
間の有機絶縁膜に発生するキャパシタへの電荷蓄積に起
因する磁性膜のポ−ル部と媒体との間の放電、及び、放
電による読み取りデ−タ・エラ−を発生することのない
薄膜磁気ヘッドを提供できる。 （ｂ）スライダを構成する導電性基体は、非磁性体であ
るから、放電防止構造が薄膜磁気回路に対して磁気的な
悪影響を与える余地のない薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素
子の部分の透視図である。
子の部分の透視図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素
子の部分の拡大断面図である。
子の部分の拡大断面図である。
１ 基体 １１ 導電性基体 ２ 薄膜磁気変換素子 ２１ 下部磁性膜 ２２ 上部磁性膜 ２３ コイル膜
Claims (1)
- 【請求項１】 スライダと、薄膜磁気変換素子とを有す
る薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダは、その大部分が非磁性の導電性基体で構
成されており、 前記薄膜磁気変換素子は、コイル膜と、前記コイル膜と
共に薄膜磁気回路を構成する磁性膜とを有し、前記磁性
膜と前記コイル膜との間にキャパシタを発生する有機絶
縁膜を有しており、前記磁性膜が前記導電性基体上に直
接に設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3228418A JP2501261B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
| US08/259,154 US6166880A (en) | 1991-08-13 | 1994-06-13 | Thin film magnetic head which prevents errors due to electric discharge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3228418A JP2501261B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0546928A JPH0546928A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2501261B2 true JP2501261B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=16876167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3228418A Expired - Fee Related JP2501261B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501261B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1790203B1 (en) | 2004-07-21 | 2015-12-30 | Mevion Medical Systems, Inc. | A programmable radio frequency waveform generator for a synchrocyclotron |
| WO2014052721A1 (en) | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Mevion Medical Systems, Inc. | Control system for a particle accelerator |
| TW201424466A (zh) | 2012-09-28 | 2014-06-16 | Mevion Medical Systems Inc | 磁場再生器 |
| US9730308B2 (en) | 2013-06-12 | 2017-08-08 | Mevion Medical Systems, Inc. | Particle accelerator that produces charged particles having variable energies |
| US9661736B2 (en) | 2014-02-20 | 2017-05-23 | Mevion Medical Systems, Inc. | Scanning system for a particle therapy system |
| US9950194B2 (en) | 2014-09-09 | 2018-04-24 | Mevion Medical Systems, Inc. | Patient positioning system |
| US11103730B2 (en) | 2017-02-23 | 2021-08-31 | Mevion Medical Systems, Inc. | Automated treatment in particle therapy |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58161126A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-09-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1991
- 1991-08-13 JP JP3228418A patent/JP2501261B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0546928A (ja) | 1993-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960206 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |