JP2501260B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JP2501260B2 JP2501260B2 JP3228417A JP22841791A JP2501260B2 JP 2501260 B2 JP2501260 B2 JP 2501260B2 JP 3228417 A JP3228417 A JP 3228417A JP 22841791 A JP22841791 A JP 22841791A JP 2501260 B2 JP2501260 B2 JP 2501260B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- thin film
- film magnetic
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、浮上型の薄膜磁気ヘッ
ドに関する。
ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の薄膜磁気ヘッドは、スライダと
薄膜磁気変換素子とを備え、スライダが導電性基体の表
面に１０μｍ以上の膜厚を有するアルミナ膜等の絶縁膜
を有し、この絶縁膜の上に薄膜磁気変換素子が設けられ
ている。薄膜磁気変換素子はある電位に保たれるコイル
膜と、コイル膜と共に薄膜磁気回路を構成する磁性膜と
を有しており、この種の薄膜磁気ヘッドは、スライダ
と、薄膜磁気変換素子とを有し、薄膜磁気変換素子があ
る電位に保たれるコイル膜と、コイル膜と共に薄膜磁気
回路を構成する磁性膜とを有しており、磁性膜とコイル
膜との間にキャパシタが発生する。
薄膜磁気変換素子とを備え、スライダが導電性基体の表
面に１０μｍ以上の膜厚を有するアルミナ膜等の絶縁膜
を有し、この絶縁膜の上に薄膜磁気変換素子が設けられ
ている。薄膜磁気変換素子はある電位に保たれるコイル
膜と、コイル膜と共に薄膜磁気回路を構成する磁性膜と
を有しており、この種の薄膜磁気ヘッドは、スライダ
と、薄膜磁気変換素子とを有し、薄膜磁気変換素子があ
る電位に保たれるコイル膜と、コイル膜と共に薄膜磁気
回路を構成する磁性膜とを有しており、磁性膜とコイル
膜との間にキャパシタが発生する。
【０００３】一方、最近の小型ＨＤＤでは、パソコン搭
載を考慮してパソコン電源である５ボルト、１２ボルト
をそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用ＩＣ
も５ボルトの片電源を用いるようになっている。このた
め、薄膜磁気ヘッドは一定電圧、具体的には、２．５ボ
ルトの正電圧で常時バイアスされる。その結果、キャパ
シタはバイアス電圧により常時一方向に電荷が蓄積され
る。
載を考慮してパソコン電源である５ボルト、１２ボルト
をそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用ＩＣ
も５ボルトの片電源を用いるようになっている。このた
め、薄膜磁気ヘッドは一定電圧、具体的には、２．５ボ
ルトの正電圧で常時バイアスされる。その結果、キャパ
シタはバイアス電圧により常時一方向に電荷が蓄積され
る。
【０００４】キャパシタに蓄積された電荷はポ−ル部と
媒体との接触などによる放電により放出され、磁性膜の
電位が変動する。磁性膜の電位変動によりコモンモード
ノイズが発生し、読み取りデ−タにエラ−を生じる。か
かる放電防止技術に関する先行技術文献としては、例え
ば、特開平２−２４６０４８号公報等がある。この先行
技術においては、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくして放電を生じさせないようにしてい
る。
媒体との接触などによる放電により放出され、磁性膜の
電位が変動する。磁性膜の電位変動によりコモンモード
ノイズが発生し、読み取りデ−タにエラ−を生じる。か
かる放電防止技術に関する先行技術文献としては、例え
ば、特開平２−２４６０４８号公報等がある。この先行
技術においては、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくして放電を生じさせないようにしてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た先行技術では、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくするために、回転する媒体に薄膜磁気
ヘッドと同電位にする手段を設けることが必須になるの
で、磁気ディスク装置の構造が複雑となり、大型化を招
くと共に、高価になる。
た先行技術では、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体
の電位とを等しくするために、回転する媒体に薄膜磁気
ヘッドと同電位にする手段を設けることが必須になるの
で、磁気ディスク装置の構造が複雑となり、大型化を招
くと共に、高価になる。
【０００６】そこで本発明の課題は、上述する従来の問
題点を解決し、薄膜磁気回路に対する影響を著しく小さ
くして、安定した放電防止作用が得られるようにした薄
膜磁気ヘッドを提供することである。
題点を解決し、薄膜磁気回路に対する影響を著しく小さ
くして、安定した放電防止作用が得られるようにした薄
膜磁気ヘッドを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜
磁気変換素子とを有する。前記薄膜磁気変換素子は、コ
イル膜と、前記コイル膜と共に薄膜磁気回路を構成する
磁性膜とを有し、前記磁性膜と前記コイル膜との間にキ
ャパシタを発生する有機絶縁膜を有する。前記スライダ
は、導電性基体の表面に絶縁膜を有する。前記絶縁膜の
厚みは０．５μｍ以上で、かつ、３μｍ未満である。前
記薄膜磁気変換素子は、前記磁性膜が前記絶縁膜の上に
設けられている。
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜
磁気変換素子とを有する。前記薄膜磁気変換素子は、コ
イル膜と、前記コイル膜と共に薄膜磁気回路を構成する
磁性膜とを有し、前記磁性膜と前記コイル膜との間にキ
ャパシタを発生する有機絶縁膜を有する。前記スライダ
は、導電性基体の表面に絶縁膜を有する。前記絶縁膜の
厚みは０．５μｍ以上で、かつ、３μｍ未満である。前
記薄膜磁気変換素子は、前記磁性膜が前記絶縁膜の上に
設けられている。
【０００８】
【作用】スライダは、絶縁膜の厚みが０．５μｍ以上
で、かつ、３μｍ未満であるから、１０μｍ以上の膜厚
を有する従来技術と比較して、絶縁膜の絶縁抵抗がかな
り低くなる。磁性膜は、この絶縁抵抗の低下した絶縁膜
を介して、アース電位となる導電性基体と電気的に接続
されるので、放電発生しきい値電荷量に至らないか、ま
たは、電荷蓄積時定数が実用上無視できるほど大きな値
になる。このため、有機絶縁膜に発生する寄生キャパシ
タへの電荷蓄積に起因する磁性膜のポ−ル部と媒体との
間の放電の発生確率、及び、放電による読み取りデ−タ
・エラ−の発生確率が低下する。
で、かつ、３μｍ未満であるから、１０μｍ以上の膜厚
を有する従来技術と比較して、絶縁膜の絶縁抵抗がかな
り低くなる。磁性膜は、この絶縁抵抗の低下した絶縁膜
を介して、アース電位となる導電性基体と電気的に接続
されるので、放電発生しきい値電荷量に至らないか、ま
たは、電荷蓄積時定数が実用上無視できるほど大きな値
になる。このため、有機絶縁膜に発生する寄生キャパシ
タへの電荷蓄積に起因する磁性膜のポ−ル部と媒体との
間の放電の発生確率、及び、放電による読み取りデ−タ
・エラ−の発生確率が低下する。
【０００９】絶縁膜の薄型化により、薄膜磁気回路の電
気絶縁の低下が懸念されるが、厚みが０．５μｍ以上
で、かつ、３μｍ未満であると、薄膜磁気回路において
要求される絶縁抵抗は充分に確保できることが分った。
また、コイル膜は、有機絶縁膜によって絶縁されている
ので、絶縁膜の厚みを上述のように薄くしても、コイル
膜に必要な電気絶縁は充分に確保できる。
気絶縁の低下が懸念されるが、厚みが０．５μｍ以上
で、かつ、３μｍ未満であると、薄膜磁気回路において
要求される絶縁抵抗は充分に確保できることが分った。
また、コイル膜は、有機絶縁膜によって絶縁されている
ので、絶縁膜の厚みを上述のように薄くしても、コイル
膜に必要な電気絶縁は充分に確保できる。
【００１０】しかも、スライダの絶縁膜の厚みをコント
ロールするだけでよく、薄膜磁気回路に対する悪影響を
生じる余地がないし、付加的な製造工程を必要としない
ため、一般的な製造工程を通して製造できる等の利点も
得られる。
ロールするだけでよく、薄膜磁気回路に対する悪影響を
生じる余地がないし、付加的な製造工程を必要としない
ため、一般的な製造工程を通して製造できる等の利点も
得られる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁
気変換素子の部分の透視図、図２は薄膜磁気変換素子の
拡大断面図である。これらの図は構造の概略を示すため
に用いられているもので、各部寸法は誇張されている。
図において、１はスライダ、２は薄膜磁気変換素子であ
る。
気変換素子の部分の透視図、図２は薄膜磁気変換素子の
拡大断面図である。これらの図は構造の概略を示すため
に用いられているもので、各部寸法は誇張されている。
図において、１はスライダ、２は薄膜磁気変換素子であ
る。
【００１２】スライダ１はAl2O3-Tic 等で構成される導
電性基体１０１の上に、アルミナ等の絶縁膜１０２を有
している。スライダ１は、絶縁膜１０２の厚みが０．５
μｍ以上で、かつ、３μｍ未満であり、その上に、薄膜
磁気変換素子２が設けられている。薄膜磁気変換素子２
は下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２を含む磁性膜と、
コイル膜とを有する。スライダ１は、通常、媒体対向面
側に２つのレール１０３を有し、レール１０３の表面を
空気ベアリング面１０４として利用するようになってい
る。図示はしないが、媒体対向面がレール部を持たない
平面状の空気ベアリング面となっているスライダ１であ
ってもよい。
電性基体１０１の上に、アルミナ等の絶縁膜１０２を有
している。スライダ１は、絶縁膜１０２の厚みが０．５
μｍ以上で、かつ、３μｍ未満であり、その上に、薄膜
磁気変換素子２が設けられている。薄膜磁気変換素子２
は下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２を含む磁性膜と、
コイル膜とを有する。スライダ１は、通常、媒体対向面
側に２つのレール１０３を有し、レール１０３の表面を
空気ベアリング面１０４として利用するようになってい
る。図示はしないが、媒体対向面がレール部を持たない
平面状の空気ベアリング面となっているスライダ１であ
ってもよい。
【００１３】薄膜磁気変換素子２は、下部磁性膜２１
と、上部磁性膜２２と、コイル膜２３とを有している。
下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、通常、パーマロ
イ等で構成され、先端部が変換ギャップを構成するポ−
ル部２１１、２２１となっていて、ポ−ル部２１１、２
２１に連なるヨ−ク部２１２、２２２の後方側が磁気回
路を完成するように結合されている。ポール部２１１、
２２１はアルミナ等でなるギャップ膜２４により隔てら
れている。コイル膜２３は、下部磁性膜２１及び上部磁
性膜２２の結合部の回りに渦巻き状に設けられている。
コイル膜２３と下部磁性膜２１及びコイル膜２３と上部
磁性膜２２との間は、絶縁膜２５１〜２５３により絶縁
されている。絶縁膜２５１〜２５３は、通常、ノボラッ
ク樹脂等の有機樹脂で構成される。２６はアルミナ等で
なる保護膜、２７、２８はコイル膜２３に導通する取出
電極、２７１、２８１はリード電極である。
と、上部磁性膜２２と、コイル膜２３とを有している。
下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、通常、パーマロ
イ等で構成され、先端部が変換ギャップを構成するポ−
ル部２１１、２２１となっていて、ポ−ル部２１１、２
２１に連なるヨ−ク部２１２、２２２の後方側が磁気回
路を完成するように結合されている。ポール部２１１、
２２１はアルミナ等でなるギャップ膜２４により隔てら
れている。コイル膜２３は、下部磁性膜２１及び上部磁
性膜２２の結合部の回りに渦巻き状に設けられている。
コイル膜２３と下部磁性膜２１及びコイル膜２３と上部
磁性膜２２との間は、絶縁膜２５１〜２５３により絶縁
されている。絶縁膜２５１〜２５３は、通常、ノボラッ
ク樹脂等の有機樹脂で構成される。２６はアルミナ等で
なる保護膜、２７、２８はコイル膜２３に導通する取出
電極、２７１、２８１はリード電極である。
【００１４】上述のように、スライダ１は、絶縁膜１０
２の厚みが０．５μｍ以上で、かつ、３μｍ未満である
から、１０μｍ以上の膜厚を有する従来技術と比較し
て、絶縁膜１０２の絶縁抵抗がかなり低くなる。下部磁
性膜２１及び上部磁性膜２２は、この絶縁抵抗の低下し
た絶縁膜１０２を介して、アース電位となる導電性基体
１０１と電気的に接続されるので、放電発生しきい値電
荷量に至らないか、または、電荷蓄積時定数が実用上無
視できるほど大きな値になる。このため、有機絶縁膜２
５１〜２５３に発生する寄生キャパシタへの電荷蓄積に
起因する磁性膜２１、２２のポ−ル部２１１、２２１と
媒体（図示しない）との間の放電の発生確率、及び、放
電による読み取りデ−タ・エラ−の発生確率が低下す
る。
２の厚みが０．５μｍ以上で、かつ、３μｍ未満である
から、１０μｍ以上の膜厚を有する従来技術と比較し
て、絶縁膜１０２の絶縁抵抗がかなり低くなる。下部磁
性膜２１及び上部磁性膜２２は、この絶縁抵抗の低下し
た絶縁膜１０２を介して、アース電位となる導電性基体
１０１と電気的に接続されるので、放電発生しきい値電
荷量に至らないか、または、電荷蓄積時定数が実用上無
視できるほど大きな値になる。このため、有機絶縁膜２
５１〜２５３に発生する寄生キャパシタへの電荷蓄積に
起因する磁性膜２１、２２のポ−ル部２１１、２２１と
媒体（図示しない）との間の放電の発生確率、及び、放
電による読み取りデ−タ・エラ−の発生確率が低下す
る。
【００１５】しかも、絶縁膜１０２の厚みが０．５μｍ
以上で、かつ、３μｍ未満であるから、薄膜磁気回路に
おいて要求される絶縁抵抗は確保できる。また、コイル
膜２３は、有機絶縁膜２５１〜２５３によって絶縁され
ているので、絶縁膜１０２の厚みを上述のように薄くし
ても、コイル膜２３に必要な電気絶縁は充分に確保でき
る。
以上で、かつ、３μｍ未満であるから、薄膜磁気回路に
おいて要求される絶縁抵抗は確保できる。また、コイル
膜２３は、有機絶縁膜２５１〜２５３によって絶縁され
ているので、絶縁膜１０２の厚みを上述のように薄くし
ても、コイル膜２３に必要な電気絶縁は充分に確保でき
る。
【００１６】更に、スライダ１の絶縁膜１０２の厚みを
コントロールするだけでよく、薄膜磁気回路に対する悪
影響を生じる余地がないし、付加的な製造工程を必要と
しないため、一般的な製造工程を通して製造できる等の
利点も得られる。
コントロールするだけでよく、薄膜磁気回路に対する悪
影響を生じる余地がないし、付加的な製造工程を必要と
しないため、一般的な製造工程を通して製造できる等の
利点も得られる。
【００１７】実施例では、面内記録再生用の薄膜磁気ヘ
ッドを示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドにも
同様に適用が可能である。
ッドを示したが、垂直記録再生用の薄膜磁気ヘッドにも
同様に適用が可能である。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）スライダは絶縁膜の厚みが０．５μｍ以上で、か
つ、３μｍ未満であり、薄膜磁気変換素子は絶縁膜の上
に設けられているから、１０μｍ以上の膜厚を有する従
来技術と比較して、寄生キャパシタへの電荷蓄積に起因
する磁性膜のポ−ル部と媒体との間の放電の発生確率、
及び、放電による読み取りデ−タ・エラ−の発生確率を
低下させた薄膜磁気ヘッドを提供できる。 （ｂ）絶縁膜の厚みが０．５μｍ以上で、かつ、３μｍ
未満であるから、薄膜磁気回路において要求される絶縁
抵抗は確保できる。 （ｃ）スライダの絶縁膜の厚みをコントロールするだけ
でよく、薄膜磁気回路に対する悪影響を生じる余地がな
く、付加的な製造工程を必要とすることなしに、一般的
な製造工程を通して製造し得る製造の容易な薄膜磁気ヘ
ッドを提供できる。
のような効果が得られる。 （ａ）スライダは絶縁膜の厚みが０．５μｍ以上で、か
つ、３μｍ未満であり、薄膜磁気変換素子は絶縁膜の上
に設けられているから、１０μｍ以上の膜厚を有する従
来技術と比較して、寄生キャパシタへの電荷蓄積に起因
する磁性膜のポ−ル部と媒体との間の放電の発生確率、
及び、放電による読み取りデ−タ・エラ−の発生確率を
低下させた薄膜磁気ヘッドを提供できる。 （ｂ）絶縁膜の厚みが０．５μｍ以上で、かつ、３μｍ
未満であるから、薄膜磁気回路において要求される絶縁
抵抗は確保できる。 （ｃ）スライダの絶縁膜の厚みをコントロールするだけ
でよく、薄膜磁気回路に対する悪影響を生じる余地がな
く、付加的な製造工程を必要とすることなしに、一般的
な製造工程を通して製造し得る製造の容易な薄膜磁気ヘ
ッドを提供できる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素
子の部分の透視図である。
子の部分の透視図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気変換素
子の部分の拡大断面図である。
子の部分の拡大断面図である。
１ 基体 １０１ 導電性基体 １０２ 絶縁膜 ２ 薄膜磁気変換素子 ２１ 下部磁性膜 ２２ 上部磁性膜 ２３ コイル膜
Claims (1)
- 【請求項１】 スライダと、薄膜磁気変換素子とを有す
る薄膜磁気ヘッドであって、前記薄膜磁気変換素子は、コイル膜と、前記コイル膜と
共に薄膜磁気回路を構成する磁性膜とを有し、前記磁性
膜と前記コイル膜との間にキャパシタを発生する有機絶
縁膜を有しており、 前記スライダは、導電性基体の表面に絶縁膜を有し、前
記絶縁膜の厚みが０．５μｍ以上で、かつ、３μｍ未満
であり、 前記薄膜磁気変換素子は、前記磁性膜が前記絶縁膜の上
に設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3228417A JP2501260B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
| US08/259,154 US6166880A (en) | 1991-08-13 | 1994-06-13 | Thin film magnetic head which prevents errors due to electric discharge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3228417A JP2501260B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0546927A JPH0546927A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2501260B2 true JP2501260B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=16876154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3228417A Expired - Fee Related JP2501260B2 (ja) | 1991-08-13 | 1991-08-13 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501260B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237008A (ja) | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03113817A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-15 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド用基板および薄膜磁気ヘッド |
-
1991
- 1991-08-13 JP JP3228417A patent/JP2501260B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0546927A (ja) | 1993-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7068457B2 (en) | System and method for electrostatic fly height control | |
| US5777829A (en) | Method and apparatus for providing electrostatic discharge protection for an inductive coil of a magnetic transducer | |
| US8797693B1 (en) | Implementing enhanced ESD prevention for hard disk drives using spin-torque oscillator (STO) | |
| US20060023367A1 (en) | Eliminating ESD exposure for read/write head with heating element | |
| US6331924B1 (en) | Magnetoresistive head using a magnetoresistive element as a magnetic detector | |
| EP0383454A2 (en) | Method and apparatus for preventing parasitic electrical discharges in magnetic disk drives | |
| US6967806B2 (en) | Electrostatic actuator with multilayer electrode stack | |
| JP2501261B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| US6166880A (en) | Thin film magnetic head which prevents errors due to electric discharge | |
| JP2501260B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0944820A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH0546929A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| US6104575A (en) | Planar thin-film magnetic head and manufacturing method therefor | |
| JP3012074B2 (ja) | 磁気ヘッド装置 | |
| JPH0737226A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2582492B2 (ja) | 磁気ヘッド装置 | |
| JP2742398B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JP2971207B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0773419A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP3296442B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの放電防止方法及び薄膜磁気ヘッド | |
| JPH05159230A (ja) | 磁気ヘッド装置 | |
| JPH1055518A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスク装置 | |
| JPH0562129A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及び磁気デイスク装置 | |
| JPH0546939A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及び磁気ヘツド装置 | |
| JP2741510B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960206 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090313 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |