JPH0562129A - 薄膜磁気ヘツド及び磁気デイスク装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘツド及び磁気デイスク装置Info
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- JPH0562129A JPH0562129A JP24507491A JP24507491A JPH0562129A JP H0562129 A JPH0562129 A JP H0562129A JP 24507491 A JP24507491 A JP 24507491A JP 24507491 A JP24507491 A JP 24507491A JP H0562129 A JPH0562129 A JP H0562129A
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】実質的な構造変更を伴うことなく、磁性膜のポ
ール部と媒体との間に、キャパシタ蓄積電荷による放電
が生じるのを阻止できるようにした薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【構成】スライダ１は、導電性基体１１の上に絶縁膜１
２を有する。薄膜磁気変換素子２は、磁性膜２１、２２
とコイル膜２３とを含み絶縁膜１２の上に配置されてい
る。絶縁膜１２は、磁性膜２１のポール部２１１と導電
性基体１１との間の先端部分に、両者２１１ー１１間を
電気的に導通する導電化部分１２１を有する。
ール部と媒体との間に、キャパシタ蓄積電荷による放電
が生じるのを阻止できるようにした薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【構成】スライダ１は、導電性基体１１の上に絶縁膜１
２を有する。薄膜磁気変換素子２は、磁性膜２１、２２
とコイル膜２３とを含み絶縁膜１２の上に配置されてい
る。絶縁膜１２は、磁性膜２１のポール部２１１と導電
性基体１１との間の先端部分に、両者２１１ー１１間を
電気的に導通する導電化部分１２１を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、浮上型の薄膜磁気ヘッ
ド及び磁気ディスク装置に関し、更に詳しくは、磁性膜
のポール部と媒体との間に、キャパシタの蓄積電荷によ
る放電が生じるのを阻止できるようにした薄膜磁気ヘッ
ド及びこの薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置に
関する。
ド及び磁気ディスク装置に関し、更に詳しくは、磁性膜
のポール部と媒体との間に、キャパシタの蓄積電荷によ
る放電が生じるのを阻止できるようにした薄膜磁気ヘッ
ド及びこの薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の薄膜磁気ヘッドは、スライダ
と、薄膜磁気変換素子とを有し、薄膜磁気変換素子があ
る電位に保たれるコイル膜と、コイル膜と共に薄膜磁気
回路を構成する磁性膜とを有しており、磁性膜とコイル
膜との間にキャパシタが発生する。
と、薄膜磁気変換素子とを有し、薄膜磁気変換素子があ
る電位に保たれるコイル膜と、コイル膜と共に薄膜磁気
回路を構成する磁性膜とを有しており、磁性膜とコイル
膜との間にキャパシタが発生する。
【０００３】一方、最近の小型ＨＤＤでは、パソコン搭
載を考慮してパソコン電源である５ボルトまたは１２ボ
ルトをそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用
ＩＣも、５ボルトまたは１２ボルトの片電源を用いるよ
うになっている。このため、薄膜磁器ヘッドは一定電
圧、具体的には６ボルトの正電圧で常時バイアスされ
る。その結果、磁性膜とコイル膜との間に発生したキャ
パシタがバイアス電圧により常時一方向に電荷が蓄積さ
れる。
載を考慮してパソコン電源である５ボルトまたは１２ボ
ルトをそのまま利用すべく、小型ＨＤＤ用の読み書き用
ＩＣも、５ボルトまたは１２ボルトの片電源を用いるよ
うになっている。このため、薄膜磁器ヘッドは一定電
圧、具体的には６ボルトの正電圧で常時バイアスされ
る。その結果、磁性膜とコイル膜との間に発生したキャ
パシタがバイアス電圧により常時一方向に電荷が蓄積さ
れる。
【０００４】キャパシタに蓄積された電荷は、磁性膜の
ポ−ル部と媒体との間の放電により放出され、磁性膜の
電位が変動する。磁性膜の電位変動によりコモンモード
ノイズが発生し、読み取りデ−タにエラ−を生じる。こ
の放電防止技術に関する先行技術文献例としては、例え
ば特開平２−２４６０４８号公報がある。その先行技術
では、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体の電位とを
等しくして両者間に放電を生じないようにしたものであ
る。
ポ−ル部と媒体との間の放電により放出され、磁性膜の
電位が変動する。磁性膜の電位変動によりコモンモード
ノイズが発生し、読み取りデ−タにエラ−を生じる。こ
の放電防止技術に関する先行技術文献例としては、例え
ば特開平２−２４６０４８号公報がある。その先行技術
では、薄膜磁気ヘッドのバイアス電位と媒体の電位とを
等しくして両者間に放電を生じないようにしたものであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た先行技術では回転する媒体の電位を薄膜磁気ヘッドの
バイアス電位と等しくする手段を設けることが必須であ
るため、磁気ディスク装置の構造が複雑化し、コスト高
になる。
た先行技術では回転する媒体の電位を薄膜磁気ヘッドの
バイアス電位と等しくする手段を設けることが必須であ
るため、磁気ディスク装置の構造が複雑化し、コスト高
になる。
【０００６】そこで本発明の課題は、上述する従来の問
題点を解決し、実質的な構造変更を伴うことなく、磁性
膜のポール部と媒体との間に、キャパシタ蓄積電荷によ
る放電が生じるのを阻止できるようにした薄膜磁気ヘッ
ド及び磁気ディスク装置を提供することである。
題点を解決し、実質的な構造変更を伴うことなく、磁性
膜のポール部と媒体との間に、キャパシタ蓄積電荷によ
る放電が生じるのを阻止できるようにした薄膜磁気ヘッ
ド及び磁気ディスク装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、スライダと、薄膜磁気変換素子とを有す
る薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダは、導電性基
体の上に絶縁膜を有しており、前記薄膜磁気変換素子
は、磁性膜とコイル膜とを含む薄膜磁気回路を有し、前
記絶縁膜の上に配置されており、前記絶縁膜は、前記磁
性膜のポール部と前記導電性基体との間の先端部分に、
両者間を電気的に導通する導電化部分を有することを特
徴とする。
め、本発明は、スライダと、薄膜磁気変換素子とを有す
る薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダは、導電性基
体の上に絶縁膜を有しており、前記薄膜磁気変換素子
は、磁性膜とコイル膜とを含む薄膜磁気回路を有し、前
記絶縁膜の上に配置されており、前記絶縁膜は、前記磁
性膜のポール部と前記導電性基体との間の先端部分に、
両者間を電気的に導通する導電化部分を有することを特
徴とする。
【０００８】本発明に係る磁気ディスク装置は上述の薄
膜磁気ヘッドを備えることが特徴である。
膜磁気ヘッドを備えることが特徴である。
【０００９】
【作用】絶縁膜は、磁性膜のポール部と導電性基体との
間の先端部分に、両者間を電気的に導通する導電化部分
を有するから、磁性膜が導電化部分及び導電性基体を通
してアース電位に保たれる。このため、磁性膜とコイル
膜との間にキャパシタへ電荷が蓄積されたとしても、ア
ース電位にある磁性膜と、同じくアース電位に保たれる
媒体との間で、キャパシタの蓄積電荷に起因する放電を
生じる余地がなくなる。
間の先端部分に、両者間を電気的に導通する導電化部分
を有するから、磁性膜が導電化部分及び導電性基体を通
してアース電位に保たれる。このため、磁性膜とコイル
膜との間にキャパシタへ電荷が蓄積されたとしても、ア
ース電位にある磁性膜と、同じくアース電位に保たれる
媒体との間で、キャパシタの蓄積電荷に起因する放電を
生じる余地がなくなる。
【００１０】しかも、絶縁膜の導電化部分はイオン注入
等によって形成でき、構造的な変更を必要とすることな
く、従来のプロセスに導電化工程を付加するだけでよい
から、製造が容易である。
等によって形成でき、構造的な変更を必要とすることな
く、従来のプロセスに導電化工程を付加するだけでよい
から、製造が容易である。
【００１１】スライダは導電性基体の上に絶縁膜を有し
ており、薄膜磁気変換素子は磁性膜とコイル膜とを含む
薄膜磁気回路を有し、絶縁膜の上に配置されているか
ら、薄膜磁気変換素子のコイル膜に対する電気絶縁を確
実に確保できる。
ており、薄膜磁気変換素子は磁性膜とコイル膜とを含む
薄膜磁気回路を有し、絶縁膜の上に配置されているか
ら、薄膜磁気変換素子のコイル膜に対する電気絶縁を確
実に確保できる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜磁
気変換素子部分の拡大断面図である。図は構造の概略を
示すために用いられているもので、各部寸法は誇張され
ている。図において、１はスライダ、２は薄膜磁気変換
素子である。
気変換素子部分の拡大断面図である。図は構造の概略を
示すために用いられているもので、各部寸法は誇張され
ている。図において、１はスライダ、２は薄膜磁気変換
素子である。
【００１３】図示のスライダ１はAl2O3-Tic 等の導電性
を有する材料で構成された基体１１の上に、アルミナ等
の絶縁膜１２を有している。スライダ１としては媒体対
向面側１３に２つのレールを有し、レール表面を空気ベ
アリング面として利用するタイプのほか、媒体対向面が
レール部を持たない平面状の空気ベアリング面となって
いるタイプ等を用いることもできる。
を有する材料で構成された基体１１の上に、アルミナ等
の絶縁膜１２を有している。スライダ１としては媒体対
向面側１３に２つのレールを有し、レール表面を空気ベ
アリング面として利用するタイプのほか、媒体対向面が
レール部を持たない平面状の空気ベアリング面となって
いるタイプ等を用いることもできる。
【００１４】薄膜磁気変換素子２は、下部磁性膜２１
と、上部磁性膜２２と、コイル膜２３とを有し、スライ
ダ１を構成する絶縁膜１２の端面上に設けられている。
下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、通常、パーマロ
イ等で構成され、先端部が変換ギャップを構成するポ−
ル部２１１、２２１となっている。ポ−ル部２１１、２
２１に連なるヨ−ク部２１２、２２２の後方側が磁気回
路を完成するように結合されている。ポール部２１１、
２２１はアルミナ等でなるギャップ膜２４により隔てら
れている。コイル膜２３は、下部磁性膜２１及び上部磁
性膜２２の結合部の回りに渦巻き状に設けられている。
コイル膜２３と下部磁性膜２１及びコイル膜２３と上部
磁性膜２２との間は、絶縁膜２５１〜２５３により絶縁
されている。絶縁膜２５１〜２５３は、通常、ノボラッ
ク樹脂等の有機樹脂で構成される。２６はアルミナ等で
なる保護膜である。
と、上部磁性膜２２と、コイル膜２３とを有し、スライ
ダ１を構成する絶縁膜１２の端面上に設けられている。
下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、通常、パーマロ
イ等で構成され、先端部が変換ギャップを構成するポ−
ル部２１１、２２１となっている。ポ−ル部２１１、２
２１に連なるヨ−ク部２１２、２２２の後方側が磁気回
路を完成するように結合されている。ポール部２１１、
２２１はアルミナ等でなるギャップ膜２４により隔てら
れている。コイル膜２３は、下部磁性膜２１及び上部磁
性膜２２の結合部の回りに渦巻き状に設けられている。
コイル膜２３と下部磁性膜２１及びコイル膜２３と上部
磁性膜２２との間は、絶縁膜２５１〜２５３により絶縁
されている。絶縁膜２５１〜２５３は、通常、ノボラッ
ク樹脂等の有機樹脂で構成される。２６はアルミナ等で
なる保護膜である。
【００１５】絶縁膜１２は、下部磁性膜２１のポール部
２１１と導電性基体１１との間の先端部分に、両者２１
１ー１１を電気的に導通する導電化部分１２１を有す
る。このような導電化部分１２１は、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃ
ｕ、Ｗ等の金属イオンを絶縁膜１２の表面にイオンを注
入し、絶縁膜１２の表面に導電性を付与することによっ
て形成できる。
２１１と導電性基体１１との間の先端部分に、両者２１
１ー１１を電気的に導通する導電化部分１２１を有す
る。このような導電化部分１２１は、Ａｌ、Ｓｎ、Ｃ
ｕ、Ｗ等の金属イオンを絶縁膜１２の表面にイオンを注
入し、絶縁膜１２の表面に導電性を付与することによっ
て形成できる。
【００１６】絶縁膜１２は、下部磁性膜２１のポール部
２１１と導電性基体１１との間の先端部分に、両者２１
１ー１１間を電気的に導通する導電化部分１２１を有す
るから、下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２が導電化部
分１２１及び導電性基体１１を通してアース電位に保た
れる。このため、下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２と
コイル膜２３との間に発生するキャパシタへ電荷が蓄積
されたとしても、アース電位にある下部磁性膜２１及び
上部磁性膜２２と、同じくアース電位に保たれる磁気デ
ィスクとの間で、キャパシタの蓄積電荷に起因する放電
を生じる余地がなくなる。最低浮上量が０．１μｍ以下
となるように低浮上量化した磁気ディスク装置において
も、薄膜磁気ヘッドと磁気ディスクとの間の放電、それ
に伴うノイズの発生を防止し得る。
２１１と導電性基体１１との間の先端部分に、両者２１
１ー１１間を電気的に導通する導電化部分１２１を有す
るから、下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２が導電化部
分１２１及び導電性基体１１を通してアース電位に保た
れる。このため、下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２と
コイル膜２３との間に発生するキャパシタへ電荷が蓄積
されたとしても、アース電位にある下部磁性膜２１及び
上部磁性膜２２と、同じくアース電位に保たれる磁気デ
ィスクとの間で、キャパシタの蓄積電荷に起因する放電
を生じる余地がなくなる。最低浮上量が０．１μｍ以下
となるように低浮上量化した磁気ディスク装置において
も、薄膜磁気ヘッドと磁気ディスクとの間の放電、それ
に伴うノイズの発生を防止し得る。
【００１７】しかも、絶縁膜１２の導電化部分１２１は
イオン注入等によって形成でき、構造的な変更を必要と
することなく、従来のプロセスに導電化工程を付加する
だけでよいから、製造が容易である。
イオン注入等によって形成でき、構造的な変更を必要と
することなく、従来のプロセスに導電化工程を付加する
だけでよいから、製造が容易である。
【００１８】本発明は、図示した面内記録再生用薄膜磁
気ヘッドに限らず、例えば垂直記録再生用薄膜磁気ヘッ
ド等、他のタイプの薄膜磁気ヘッドにも適用できる。
気ヘッドに限らず、例えば垂直記録再生用薄膜磁気ヘッ
ド等、他のタイプの薄膜磁気ヘッドにも適用できる。
【００１９】図２は本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用い
た磁気ディスク装置の構成を示す図、図３は磁気ディス
ク装置に用いられる磁気ヘッド装置の正面図、図４は同
じくその底面図である。図において、３は磁気ディス
ク、４は薄膜磁気ヘッド、５はヘッド支持装置、６は位
置決め装置である。
た磁気ディスク装置の構成を示す図、図３は磁気ディス
ク装置に用いられる磁気ヘッド装置の正面図、図４は同
じくその底面図である。図において、３は磁気ディス
ク、４は薄膜磁気ヘッド、５はヘッド支持装置、６は位
置決め装置である。
【００２０】薄膜磁気ヘッド４はロール運動及びピッチ
運動ができるように、ヘッド支持装置５の先端部に取付
けられている。ヘッド支持装置５は、位置決め装置６に
取付けられる剛性アーム部５１に、弾性金属薄板でなる
支持体５２の一端を取付け固定すると共に、支持体５２
の長手方向の一端にある自由端に可撓体５３を取付け、
この可撓体５３の下面に、薄膜磁気ヘッド４を取付けた
構造となっている。可撓体５３または支持体５２には荷
重用突起５４が設けられており、この荷重用突起５４が
薄膜磁気ヘッド４にバネ荷重を与えている。ヘッド支持
装置５に対する薄膜磁気ヘッド４の取り付けに当たっ
て、スライダ１の導電性基体１１（図１参照）を導電性
接着剤を用いてヘッド支持装置５の可撓体５３に取り付
ける。これにより、スライダ１の導電性基体１１がアー
ス電位に保たれる。ヘッド支持装置５に対する薄膜磁気
ヘッド４の取付構造に関しては、薄膜磁気ヘッド４の取
付け方向をヘッド支持装置５の長手方向にとったいわゆ
るインラインタイプや、ヘッド支持装置５の長手方向と
直交する方向に取ったトランスバースタイプ等が知られ
ている。
運動ができるように、ヘッド支持装置５の先端部に取付
けられている。ヘッド支持装置５は、位置決め装置６に
取付けられる剛性アーム部５１に、弾性金属薄板でなる
支持体５２の一端を取付け固定すると共に、支持体５２
の長手方向の一端にある自由端に可撓体５３を取付け、
この可撓体５３の下面に、薄膜磁気ヘッド４を取付けた
構造となっている。可撓体５３または支持体５２には荷
重用突起５４が設けられており、この荷重用突起５４が
薄膜磁気ヘッド４にバネ荷重を与えている。ヘッド支持
装置５に対する薄膜磁気ヘッド４の取り付けに当たっ
て、スライダ１の導電性基体１１（図１参照）を導電性
接着剤を用いてヘッド支持装置５の可撓体５３に取り付
ける。これにより、スライダ１の導電性基体１１がアー
ス電位に保たれる。ヘッド支持装置５に対する薄膜磁気
ヘッド４の取付構造に関しては、薄膜磁気ヘッド４の取
付け方向をヘッド支持装置５の長手方向にとったいわゆ
るインラインタイプや、ヘッド支持装置５の長手方向と
直交する方向に取ったトランスバースタイプ等が知られ
ている。
【００２１】上述の磁気ディスク装置は、コンタクト．
スタート．ストップ（以下ＣＳＳ）方式によって駆動さ
れる。磁気ディスク３が静止しているときは、ヘッド支
持装置５のバネ荷重を受て薄膜磁気ヘッド４のＡＢＳ面
１３が磁気ディスク３の表面に押付けられているが、磁
気ディスク３が回転を開始すると、薄膜磁気ヘッド４の
ＡＢＳ面１３に揚力動圧が発生し、この動圧とバネ荷重
と釣合う浮上量で動作を開始する。高密度記録及び高速
化に対応するため、薄膜磁気ヘッド４の浮上量は、例え
ば０．１μｍ以下となるように設定することが望まし
い。回転している磁気ディスク３が停止する場合は逆の
動作となる。
スタート．ストップ（以下ＣＳＳ）方式によって駆動さ
れる。磁気ディスク３が静止しているときは、ヘッド支
持装置５のバネ荷重を受て薄膜磁気ヘッド４のＡＢＳ面
１３が磁気ディスク３の表面に押付けられているが、磁
気ディスク３が回転を開始すると、薄膜磁気ヘッド４の
ＡＢＳ面１３に揚力動圧が発生し、この動圧とバネ荷重
と釣合う浮上量で動作を開始する。高密度記録及び高速
化に対応するため、薄膜磁気ヘッド４の浮上量は、例え
ば０．１μｍ以下となるように設定することが望まし
い。回転している磁気ディスク３が停止する場合は逆の
動作となる。
【００２２】ヘッド支持装置５は位置決め装置６によ
り、矢印ｂ１またはｂ２の方向に駆動されて位置決めさ
れ、それによって所定のトラックにおいて、磁気ディス
ク３と薄膜磁気ヘッド４との間で磁気記録．再生が行な
われるここで、薄膜磁気ヘッド４のスライダ１を構成す
る絶縁膜１２は、下部磁性膜２１のポール部２１１と導
電性基体１１との間の先端部分に、両者２１１ー１１間
を電気的に導通する導電化部分１２１を有するから、下
部磁性膜２１及び上部磁性膜２２が導電化部１２１分及
び導電性基体１１を通してアース電位に保たれている
（図１参照）。このため、下部磁性膜２１及び上部磁性
膜２２とコイル膜２３との間に発生するキャパシタへ電
荷が蓄積されたとしても、アース電位にある下部磁性膜
２１及び上部磁性膜２２と、同じくアース電位に保たれ
る磁気ディスク３との間で、キャパシタの蓄積電荷に起
因する放電を生じる余地がなくなる。
り、矢印ｂ１またはｂ２の方向に駆動されて位置決めさ
れ、それによって所定のトラックにおいて、磁気ディス
ク３と薄膜磁気ヘッド４との間で磁気記録．再生が行な
われるここで、薄膜磁気ヘッド４のスライダ１を構成す
る絶縁膜１２は、下部磁性膜２１のポール部２１１と導
電性基体１１との間の先端部分に、両者２１１ー１１間
を電気的に導通する導電化部分１２１を有するから、下
部磁性膜２１及び上部磁性膜２２が導電化部１２１分及
び導電性基体１１を通してアース電位に保たれている
（図１参照）。このため、下部磁性膜２１及び上部磁性
膜２２とコイル膜２３との間に発生するキャパシタへ電
荷が蓄積されたとしても、アース電位にある下部磁性膜
２１及び上部磁性膜２２と、同じくアース電位に保たれ
る磁気ディスク３との間で、キャパシタの蓄積電荷に起
因する放電を生じる余地がなくなる。
【００２３】図５に本発明に係る薄膜磁気ヘッドと組み
合わせて磁気ディスク装置を構成するのに好適な磁気デ
ィスク３の具体例を示す。図示の磁気ディスク３は、剛
性基体３０上に磁気記録層３１を有し、磁気記録層３１
の表面が保護膜３２によって覆われている。剛性基体３
０はアルミニュムまたはガラス等によって構成され、磁
気記録層３１は、例えばＣｒ層３１１の上に磁性層３１
２を積層した構造となっている。磁性層３１２を構成す
る強磁性材料としては、例えばＣｏーＮｉーＣｒ系、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ系またはＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系など各種の
ものが知られている。保護膜３２はＳｉＯ2、ＺｒＯ2、
Ｓｉ3Ｎ4 、Ａｌ2Ｏ3 、ダイヤモンド．ライク．カー
ボン（ＤＬＣ） 等によって構成されている。これら
は、ビッカース硬度が７００以上の電気絶縁物であり、
耐久性の高い磁気ディスクが得られる。
合わせて磁気ディスク装置を構成するのに好適な磁気デ
ィスク３の具体例を示す。図示の磁気ディスク３は、剛
性基体３０上に磁気記録層３１を有し、磁気記録層３１
の表面が保護膜３２によって覆われている。剛性基体３
０はアルミニュムまたはガラス等によって構成され、磁
気記録層３１は、例えばＣｒ層３１１の上に磁性層３１
２を積層した構造となっている。磁性層３１２を構成す
る強磁性材料としては、例えばＣｏーＮｉーＣｒ系、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ系またはＣｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系など各種の
ものが知られている。保護膜３２はＳｉＯ2、ＺｒＯ2、
Ｓｉ3Ｎ4 、Ａｌ2Ｏ3 、ダイヤモンド．ライク．カー
ボン（ＤＬＣ） 等によって構成されている。これら
は、ビッカース硬度が７００以上の電気絶縁物であり、
耐久性の高い磁気ディスクが得られる。
【００２４】保護膜３２は表面に導電性を付与された電
気絶縁物で構成されている。図示では、ＳｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、Ｓｉ3Ｎ4 、Ａｌ2Ｏ3 、ＤＬＣ 等によって構
成される電気絶縁部分３２１の上に、導電部分３２２を
層状に設けた構造となっている。導電部分３２２は、カ
チオン系、アニオン系、ノニオン系または両性系の帯電
防止剤を塗布し、またはカーボン、Ａｕ、Ａｇもしくは
Ｐｔ等を主成分とする導電性物質膜を被着させることに
よって形成できる。導電部分３２２は、電磁変換特性を
劣化させないように、厚みが１００Å以下となるように
形成することが望ましい。また、電気絶縁部分３２１は
ビッカース硬度を７００以上とし、耐久性を高めること
が望ましい。
気絶縁物で構成されている。図示では、ＳｉＯ2、Ｚｒ
Ｏ2、Ｓｉ3Ｎ4 、Ａｌ2Ｏ3 、ＤＬＣ 等によって構
成される電気絶縁部分３２１の上に、導電部分３２２を
層状に設けた構造となっている。導電部分３２２は、カ
チオン系、アニオン系、ノニオン系または両性系の帯電
防止剤を塗布し、またはカーボン、Ａｕ、Ａｇもしくは
Ｐｔ等を主成分とする導電性物質膜を被着させることに
よって形成できる。導電部分３２２は、電磁変換特性を
劣化させないように、厚みが１００Å以下となるように
形成することが望ましい。また、電気絶縁部分３２１は
ビッカース硬度を７００以上とし、耐久性を高めること
が望ましい。
【００２５】上述のように、保護膜３２は表面に導電性
を付与された電気絶縁物で構成されていると、保護膜３
２の大部分を従来と同様の耐久性に富む電気絶縁保護膜
材料によって構成して必要な耐久性を確保すると共に、
保護膜３２の表面に設けられた導電部分３２２の導電性
を利用して、薄膜磁気ヘッド４磁気ディスク３とを電気
的に同電位に保ち、静電気の発生、それに伴う放電を防
止できる。
を付与された電気絶縁物で構成されていると、保護膜３
２の大部分を従来と同様の耐久性に富む電気絶縁保護膜
材料によって構成して必要な耐久性を確保すると共に、
保護膜３２の表面に設けられた導電部分３２２の導電性
を利用して、薄膜磁気ヘッド４磁気ディスク３とを電気
的に同電位に保ち、静電気の発生、それに伴う放電を防
止できる。
【００２６】図６は本発明に係る磁気ディスク装置に用
いて好適な磁気ディスクの別の実施例を示している。こ
の実施例では、保護膜３２は、表面に導電性処理がなさ
れており、表面に導電性処理による導電部分３２２を有
している。導電性処理の具体例としては、イオン注入を
あげることができる。イオン注入において、Ａｌ、Ｓ
ｎ、Ｃｕ、Ｗ等の金属イオンを保護膜３２の表面にイオ
ン注入し、保護膜３２の表面に導電性を付与すことがで
きる。
いて好適な磁気ディスクの別の実施例を示している。こ
の実施例では、保護膜３２は、表面に導電性処理がなさ
れており、表面に導電性処理による導電部分３２２を有
している。導電性処理の具体例としては、イオン注入を
あげることができる。イオン注入において、Ａｌ、Ｓ
ｎ、Ｃｕ、Ｗ等の金属イオンを保護膜３２の表面にイオ
ン注入し、保護膜３２の表面に導電性を付与すことがで
きる。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）絶縁膜は、磁性膜のポール部と導電性基体との間
の先端部分に、両者間を電気的に導通する導電化部分を
有するから、磁性膜が導電化部分及び導電性基体を通し
てアース電位に保ち、磁性膜とコイル膜との間にキャパ
シタへ電荷が蓄積されたとしても、薄膜磁気ヘッドと媒
体との間でキャパシタの蓄積電荷に起因する放電を生じ
る余地のない薄膜磁気ヘッドを提供できる。
のような効果が得られる。 （ａ）絶縁膜は、磁性膜のポール部と導電性基体との間
の先端部分に、両者間を電気的に導通する導電化部分を
有するから、磁性膜が導電化部分及び導電性基体を通し
てアース電位に保ち、磁性膜とコイル膜との間にキャパ
シタへ電荷が蓄積されたとしても、薄膜磁気ヘッドと媒
体との間でキャパシタの蓄積電荷に起因する放電を生じ
る余地のない薄膜磁気ヘッドを提供できる。
【００２８】（ｂ）絶縁膜の導電化部分はイオン注入等
によって形成でき、構造的な変更を必要とせず、従来の
プロセスに導電化工程を付加するだけで容易に製造し得
る製造の容易な薄膜磁気ヘッドを提供できる。
によって形成でき、構造的な変更を必要とせず、従来の
プロセスに導電化工程を付加するだけで容易に製造し得
る製造の容易な薄膜磁気ヘッドを提供できる。
【００２９】（ｃ）最低浮上量が０．１μｍ以下となる
ように低浮上量化した磁気ディスク装置においても、薄
膜磁気ヘッドと磁気ディスクとの間の放電、それに伴う
ノイズの発生を防止しえる磁気ディスク装置を提供でき
る。
ように低浮上量化した磁気ディスク装置においても、薄
膜磁気ヘッドと磁気ディスクとの間の放電、それに伴う
ノイズの発生を防止しえる磁気ディスク装置を提供でき
る。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの構造をモデル化
して示す図である。
して示す図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディ
スク装置の構成を示す図である。
スク装置の構成を示す図である。
【図３】図２に示した磁気ディスク装置に用いられる磁
気ヘッド装置の正面図である。
気ヘッド装置の正面図である。
【図４】図２に示した磁気ディスク装置に用いられる磁
気ヘッド装置の底面図である。
気ヘッド装置の底面図である。
【図５】磁気ディスクの一部断面図である。
【図６】磁気ディスクの別の実施例における一部断面図
である。
である。
１ スライダ １１ 基体 １２ 絶縁膜 １２１ 導電化部分 ２ 薄膜磁気変換素子 ２１ 下部磁性膜 ２２ 上部磁性膜 ２３ コイル膜
Claims (9)
- 【請求項１】 スライダと、薄膜磁気変換素子とを有す
る薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダは、導電性基体の上に絶縁膜を有してお
り、 前記薄膜磁気変換素子は、磁性膜とコイル膜とを含む薄
膜磁気回路を有し、前記絶縁膜の上に配置されており、 前記絶縁膜は、前記磁性膜のポール部と前記導電性基体
との間の先端部分に、両者間を電気的に導通する導電化
部分を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記導電化部分は、イオン注入によって
形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項３】 磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含
む磁気ディスク装置であって、 前記磁気ヘッド装置は、ヘッド支持装置によって支持さ
れた薄膜磁気ヘッドを有し、 前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気変換素子
とを含み、前記スライダが導電性基体の上に絶縁膜を有
し、前記薄膜磁気変換素子が磁性膜とコイル膜とを含む
薄膜磁気回路を有し前記絶縁膜の上に配置され、前記絶
縁膜が前記磁性膜のポール部と前記導電性基体との間の
先端部分に両者間を電気的に導通する導電化部分を有す
ることを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項４】 前記磁気ディスクは、剛性基体上に磁気
記録層を有し、前記磁気記録層の表面が保護膜によって
覆われており、 前記保護膜は、表面に導電性を付与された電気絶縁物で
なることを特徴とする請求項３に記載の磁気ディスク装
置。 - 【請求項５】 前記保護膜は、表面が導電性物質による
膜によって覆われていることを特徴とする請求項４に記
載の磁気ディスク装置。 - 【請求項６】 前記保護膜は、表面に導電性処理がなさ
れていることを特徴とする請求項４に記載の磁気ディス
ク装置。 - 【請求項７】 前記保護膜は、ビッカース硬度が７００
以上であることを特徴とする請求項４、５または６に記
載の磁気ディスク装置。 - 【請求項８】 前記剛性基体は、ガラス基板であること
を特徴とする請求項４、５または６に記載の磁気ディス
ク装置。 - 【請求項９】 前記薄膜磁気ヘッドの最低浮上量は、
０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項３、４、
５、６または７に記載の磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24507491A JPH0562129A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 薄膜磁気ヘツド及び磁気デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24507491A JPH0562129A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 薄膜磁気ヘツド及び磁気デイスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562129A true JPH0562129A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17128211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24507491A Withdrawn JPH0562129A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 薄膜磁気ヘツド及び磁気デイスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5638237A (en) * | 1995-08-25 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Fusible-link removable shorting of magnetoresistive heads for electrostatic discharge protection |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP24507491A patent/JPH0562129A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5638237A (en) * | 1995-08-25 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Fusible-link removable shorting of magnetoresistive heads for electrostatic discharge protection |
| US5757590A (en) * | 1995-08-25 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | Fusible-link removable shorting of magnetoresistive heads for electrostatic discharge protection |
| US6054330A (en) * | 1995-08-25 | 2000-04-25 | International Business Machines Corporation | Method for protecting a magnetoresistive sensor element |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |