JPH05174333A

JPH05174333A - 磁気ディスク装置

Info

Publication number: JPH05174333A
Application number: JP35621691A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyori Kobayashi; 由縁小林; Masanori Sakai; 正則酒井; Yasushi Uno; 泰史宇野; Hiroshi Kiyono; 浩清野
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1991-12-24
Filing date: 1991-12-24
Publication date: 1993-07-13

Abstract

(57)【要約】【目的】薄膜磁気ヘッドから磁気ディスクへの漏電、両
者間の放電現象を防止するのに有効な磁気ディスク装置
を提供する。【構成】薄膜磁気ヘッド１は薄膜磁気変換素子の少なく
とも１つが磁気抵抗効果素子による読み出し素子１１で
ある。電気抵抗要素６が磁気ディスク３から駆動装置４
を経由して接地に至る経路に設けられている。電気抵抗
要素６は読み出し素子１１に加わる直流電圧値Ｖを０ボ
ルト≦Ｖ＜２．５ボルトの範囲としたとき抵抗値Ｒｘが
２ｋΩ≦Ｒｘの範囲、２．５ボルト≦Ｖ＜５ボルトの範
囲としたとき１０ｋΩ≦Ｒｘ、５ボルト≦Ｖの範囲とし
たとき１００ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置に関
し、更に詳しくは、磁気抵抗効果素子を読み出し素子と
して用いた薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクとを組み合
わせた磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドから
磁気ディスクへの漏電、及び、両者間の放電現象を防止
するのに有効な改良された磁気ディスク装置に係わる。

【０００２】

【従来の技術】従来、浮上型の薄膜磁気ヘッドとして
は、誘導型薄膜磁気変換素子を読み書き素子として使用
したものが最もよく知られている。誘導型薄膜磁気変換
素子を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、高い読み出し出
力を得るには、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の相対
速度を上げるか、または、コイルのターン数を増大させ
る必要がある。しかし、磁気ディスクが小型化される傾
向にあるため、相対速度の高速化による読み出し出力の
増大は実情に合わない。また、コイルのターン数増大に
よる読み出し出力は、コイルのインダクタンス及び直流
抵抗値の増大を招き、高周波特性を悪化させ、高速読み
出しに適応できなくなる。かかる問題点を解決する手段
として、読み出し素子を磁気抵抗効果素子によって構成
し、誘導型薄膜磁気変換素子は書込み専用として用いる
ようにした技術が提案されている。公知技術文献として
は、例えば特公昭５９−３５０８８号公報がある。

【０００３】図１０は読み出し素子を磁気抵抗効果素子
を用いて構成した薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクとの
組み合わせにかかる磁気ディスク装置の一般的な構成
を、モデル化して示す図である。図において、１は薄膜
磁気ヘッド、２はヘッド支持装置、３は磁気ディスク、
４は駆動装置、５は信号処理回路である。

【０００４】薄膜磁気ヘッド１は、スライダ（図示しな
い）が薄膜磁気変換素子を支持し、薄膜磁気変換素子の
少なくとも１つが磁気抵抗効果素子による読み出し素子
１１で構成されている。ヘッド支持装置２は、通常、薄
膜磁気ヘッド１が互いに直交する２軸の回りで、ピッチ
運動及びロール運動をすることができるように、薄膜磁
気ヘッド１を支持している。磁気ディスク３は、導電性
剛性基体上に磁気記録層を有している。駆動装置４は磁
気ディスク３に機械的に結合され磁気ディスク３を矢印
ａで示すごとく回転駆動する。

【０００５】磁気抵抗効果素子でなる読み出し素子１１
は、一定の直流電流（以下センス電流と称する）Ｉを流
しておき、磁気ディスク３の磁界Ｈの変化を電気抵抗値
の変化として検出する。センス電流Ｉは抵抗Ｒ１、読み
出し素子１１及び接地を含む回路ループで流れる。Ｒ１
はセンス電流調整用抵抗、Ｃ１、Ｃ２はセンス電流直流
成分を阻止し、交流成分である検出信号のみを信号処理
回路５に伝送するコンデンサである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気抵
抗効果素子を読み出し素子１１として用いた薄膜磁気ヘ
ッド１と、磁気ディスク３との組み合わせに係る磁気デ
ィスク装置には次のような問題点がある。（Ａ）磁気抵抗効果素子でなる読み出し素子１１には、
常時、センス電流Ｉが流れており、センス電流Ｉは読み
出し素子１１及び接地を含む回路ループで流れる。一
方、磁気ディスク３は導電性剛性基体上に磁気記録層を
有し、全体として導電性を有し、しかも接地電位にある
駆動装置４に機械的に結合されている。このため、磁気
記録の読み出し動作において、薄膜磁気ヘッド１が磁気
ディスク３の表面に接触した場合、センス電流Ｉが薄膜
磁気ヘッド１から磁気ディスク３及び駆動装置４を通し
て接地側に漏電し、またはスパーク放電を生じる。これ
らは、回復不可能なヘッドクラッシュを招く。特に、最
近は、高密度記録に対応するため、薄膜磁気ヘッド１の
浮上量が例えば０．１μｍ以下となるように低浮上化さ
れており、磁気ディスク３の表面に極微小な凹凸があっ
ただけで、実質的な電気的接触状態を生じる。（Ｂ）電気的接触状態を考慮しない場合であっても、読
み出し素子１１と磁気ディスク３との間に、短い時間間
隔で、放電を生じ、同様のヘッドクラッシュを生じるこ
とがある。例えば、図１１に示すように、読み出し素子
１１と磁気ディスク３との間に薄膜磁気ヘッド１の浮上
量に基づくキャパシタＣ０を想定し、キャパシタＣ０に
対するセンス電流Ｉの充電回路を考えた場合、充電時定
数はセンス電流調整用抵抗Ｒ１とキャパシタＣ０によっ
て定まるＲ１・Ｃ０となる。抵抗値Ｒ１は小さい値に選
定されているから、充電時定数Ｒ１・Ｃ０は小さい。こ
のため、キャパシタＣ０が放電電位まで短時間で充電さ
れてしまう。しかも、前述したように、高密度記録に対
応するため、薄膜磁気ヘッド１の浮上量が例えば０．１
μｍ以下となるように低浮上化されており、低い放電電
圧で放電を生じてしまう。このため、単位時間あたりの
放電発生回数が増え、ヘッドクラッシュを生じ易くな
る。（Ｃ）磁気ディスク３の磁気記録層の表面に電気絶縁層
を設けて、前述の漏電及び放電を阻止することが考えら
れるが、磁気ディスク３と薄膜磁気ヘッド１との間のス
ペーシングロスが電気絶縁層の厚みのために大きくな
り、高密度記録に対応できなくなる。

【０００７】そこで、本発明の課題は、上述する従来の
問題点を解決し、磁気抵抗効果素子を読み出し素子とし
て用いた薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクとを組み合わ
せた磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドから磁
気ディスクへの漏電、両者間の放電現象を防止するのに
有効な磁気ディスク装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、
磁気ディスクと、駆動装置と、電気抵抗要素とを含む磁
気ディスク装置であって、前記薄膜磁気ヘッドは、スラ
イダと、薄膜磁気変換素子とを含み、前記スライダが前
記薄膜磁気変換素子を支持し、前記薄膜磁気変換素子の
少なくとも１つが磁気抵抗効果素子による読み出し素子
であり、前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを
支持しており、前記磁気ディスクは、導電性剛性基体上
に磁気記録層を有しており、前記駆動装置は、前記磁気
ディスクに機械的に結合され前記磁気ディスクを回転駆
動するものであり、前記電気抵抗要素は、前記磁気ディ
スクから前記駆動装置を経由して接地に至る経路に設け
られ、前記読み出し素子に加わる直流電圧値Ｖを（ａ）０ボルト≦Ｖ＜２．５ボルトの範囲に選定したとき、抵抗値Ｒｘが２ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定されているか、（ｂ）２．５ボルト≦Ｖ＜５ボルトの範囲に選定したとき、抵抗値Ｒｘが１０ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定されているか、または（ｃ）５ボルト≦Ｖの範囲に選定したとき、抵抗値Ｒｘが１００ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定されていることを特徴とする。

【０００９】

【作用】磁気ディスクから駆動装置を経由して接地に至
る経路に設けられた電気抵抗要素の電気抵抗値Ｒｘ及び
磁気抵抗効果素子を用いた読み出し素子に加わる直流電
圧値Ｖを上述のような関係に設定すると、ヘッドクラッ
シュが生じにくくなることが、実験によって確認され
た。具体的には、コンタクト・スタート・ストップ（以
下ＣＳＳと称する）方式によって駆動する場合、３００
００回以上のＣＳＳ動作を繰り返しても、ヘッドクラッ
シュを生じなかった。

【００１０】その理由は、次のように考えられる。

【００１１】まず、読み出し素子に加わる直流電圧値Ｖ
を０ボルト≦Ｖ＜２．５ボルトの範囲に選定し、抵抗値
Ｒｘを２ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定した場合は、磁気記録
の読み出し動作において、薄膜磁気ヘッドが磁気ディス
クの表面に接触しても、主として、直流電圧値Ｖの低電
圧化により、漏洩電流が小さくなり、スパーク放電が生
じにくくなる。しかも、印加される直流電圧Ｖが低いた
めに、キャパシタＣ０が放電電位まで達する確率が低下
する。

【００１２】読み出し素子に加わる直流電圧値Ｖを２．
５ボルト≦Ｖ＜５ボルトの範囲に選定し、抵抗値Ｒｘを
１０ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定した場合は、電気抵抗要素
の電気抵抗値Ｒｘが電流制限抵抗として働く。しかも、
印加される直流電圧Ｖが比較的低い。このため、磁気記
録の読み出し動作において、薄膜磁気ヘッドが磁気ディ
スクの表面に接触しても、漏洩電流が小さい値に制限さ
れ、スパーク放電が生じにくくなる。また、読み出し素
子と磁気ディスクとの間のキャパシタＣ０に対する充電
時定数が大きくなると共に、印加される直流電圧Ｖが比
較的低いため、キャパシタＣ０が放電電位まで達するの
に長時間を要し、放電間隔が長くなる。このため、放電
発生頻度が低下する。

【００１３】更に、読み出し素子に加わる直流電圧値Ｖ
を５ボルト≦Ｖの範囲に選定し、抵抗値Ｒｘを１００ｋ
Ω≦Ｒｘの範囲に選定した場合は、電気抵抗要素の電気
抵抗値Ｒｘが電流制限抵抗として働き、磁気記録の読み
出し動作において、薄膜磁気ヘッドが磁気ディスクの表
面に接触しても、漏洩電流が小さい値に制限され、スパ
ーク放電が生じにくくなる。また、読み出し素子と磁気
ディスクとの間のキャパシタＣ０に対する充電時定数が
大きくなり、キャパシタＣ０が放電電位まで達するのに
長時間を要し放電間隔が長くなり、放電発生頻度が低下
する。

【００１４】

【実施例】図１は本発明に係る磁気ディスク装置の構成
をモデル化して示す図である。図において、図１０と同
一の参照符号は同一性ある構成部分を示している。６は
電気抵抗要素である。電気抵抗要素６は磁気ディスク３
から駆動装置４を経由して接地に至る経路に設けられて
いる。電気抵抗要素６の電気抵抗値Ｒｘは薄膜磁気ヘッ
ド１に備えられた磁気抵抗効果素子でなる読み出し素子
１１に印加される直流電圧値Ｖに応じて選定する。直流
電圧値Ｖが０ボルト≦Ｖ＜２．５ボルトの範囲に選定さ
れている時は２ｋΩ≦Ｒｘの範囲、２．５ボルト≦Ｖ＜
５ボルトの範囲に選定されているときは１０ｋΩ≦Ｒｘ
の範囲、５ボルト≦Ｖの範囲に選定されているときは１
００ｋΩ≦Ｒｘの範囲である。

【００１５】図３は磁気抵抗効果素子を用いた読み出し
素子１１に印加される直流電圧値Ｖ及び電気抵抗要素６
の電気抵抗値Ｒｘと、ＣＳＳテストの結果との関係を示
す実験データである。

【００１６】直流電圧値Ｖが０ボルト≦Ｖ＜２．５ボル
トの範囲に選定されている場合は、電気抵抗要素６の電
気抵抗値Ｒｘが２ｋΩ以上の範囲でＣＳＳ結果が実用条
件を十分に満たす３００００回パスとなっている。これ
は、磁気記録の読み出し動作において、薄膜磁気ヘッド
１が磁気ディスク３の表面に接触しても、主として、直
流電圧値Ｖの低電圧化により、漏洩電流が小さくなり、
スパーク放電が生じにくくなること、読み出し素子１１
と磁気ディスク３との間のキャパシタＣ０に対する充電
時定数が小さくとも、印加される直流電圧ＶがＶ＜２．
５ボルトと低いために、キャパシタＣ０が放電電位まで
達する確率が低下することによるものと推測される。電
気抵抗値Ｒｘが１ｋΩになると、１００００回でヘッド
クラッシュを生じ、電気抵抗値Ｒｘが零では１０回でヘ
ッドクラッシュを生じるＣＳＳ結果となっており、従っ
て、２ｋΩ≦Ｒｘの範囲が適当である。

【００１７】直流電圧値Ｖが２．５ボルト≦Ｖ＜５ボル
トの範囲に選定されているときは、１０ｋΩ≦ＲｘでＣ
ＳＳ結果が３００００回パスとなる。これは、電気抵抗
要素６の電気抵抗値Ｒｘが電流制限抵抗として働くこと
と、印加される直流電圧ＶがＶ＜５ボルトと比較的低い
ことの２つの理由から、磁気記録の読み出し動作におい
て、薄膜磁気ヘッド１が磁気ディスク３の表面に接触し
ても、漏洩電流が小さい値に制限され、スパーク放電が
生じにくくなること、及び、図３に示すように、読み出
し素子１１と磁気ディスク３との間のキャパシタＣ０に
対する充電時定数が（Ｒ１＋Ｒｘ）・Ｃ０≒Ｒｘ・Ｃ０
となり、実質的に電気抵抗要素６の有する電気抵抗値Ｒ
ｘによって支配される大きな値になること、印加される
直流電圧ＶがＶ＜５ボルトと比較的低いことの２つの理
由で、キャパシタＣ０が放電電位まで達するのに長時間
を要し、放電間隔が長くなることによるものと推測され
る。電気抵抗値Ｒｘ＝１ｋΩでは１０００回でクラッシ
ュを生じるＣＳＳ結果となっており、従って、１０ｋΩ
≦Ｒｘの範囲が適当である。

【００１８】直流電圧値Ｖが５ボルト≦Ｖの範囲に選定
されているときは１００ｋΩ≦ＲｘでＣＳＳ結果が３０
０００回パスとなる。これは、１００ｋΩ以上の大きな
電気抵抗値Ｒｘが電流制限抵抗として働き、磁気記録の
読み出し動作において、薄膜磁気ヘッド１が磁気ディス
ク３の表面に接触しても、漏洩電流が小さい値に制限さ
れ、スパーク放電が生じにくくなること、及び、読み出
し素子１１と磁気ディスク３との間のキャパシタＣ０に
対する充電時定数Ｒｘ・Ｃ０が大きくなり、キャパシタ
Ｃ０が放電電位まで達するのに長時間を要し、放電間隔
が長くなることによるものと推測される。電気抵抗値Ｒ
ｘ＝１０ｋΩでは４０００回でクラッシュを生じ、電気
抵抗値Ｒｘ＝１ｋΩでは２００回でクラッシュを生じる
ＣＳＳ結果となった。従って、１００ｋΩ≦Ｒｘの範囲
が適当である。

【００１９】電気抵抗要素６の具体的な配置構造とし
て、例えば図４及び図５に示すようなものが考えられ
る。図４の実施例では、スピンドルハブ４１及びクラン
プ部材４２と、磁気ディスク３との接触面に、適当な電
気抵抗値Ｒｘを有する電気抵抗要素６を配置してある。
電気抵抗要素６は磁気ディスク３の内周側に設けてもよ
い。図５の実施例ではモータ４３と接地電位にある箱体
４４との間に電気抵抗要素６を配置してある。図４及び
図５において、４０はスピンドル、４５は締めつけネジ
である。

【００２０】図６は磁気ディスク装置の具体的な構成を
示す図、図７は磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッ
ド装置の正面図、図８は同じくその底面図である。図に
おいて、１は薄膜磁気ヘッド、２はヘッド支持装置、３
は磁気ディスク、７は位置決め装置である。

【００２１】薄膜磁気ヘッド１はロール運動及びピッチ
運動ができるように、ヘッド支持装置２の先端部に取付
けられている。図９は薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部
分の拡大断面図である。図示の薄膜磁気ヘッドは、スラ
イダ１０の上に磁気抵抗効果素子を用いた読み出し素子
１１及び誘導型磁気変換素子でなる書き込み素子１２を
有する。

【００２２】スライダ１０はセラミック構造体で構成さ
れ、Al₂O₃ −TiC 等でなる基体部分１０１の上にAl₂O₃
またはSiO₂等でなる絶縁膜１０２を設けてある。スライ
ダ２０は磁気ディスク３と対向する一面側に空気ベアリ
ング面（以下ＡＢＳ面と称する）１０３を有する。スラ
イダ１０としては、磁気ディスク３と対向する面側にレ
ール部を設け、レール部の表面をＡＢＳ面として利用す
るタイプの外に、レール部を持たない平面状とし、平面
のほぼ全面をＡＢＳ面として利用するタイプ等も知られ
ている。

【００２３】読み出し素子１１は磁気抵抗効果素子を絶
縁膜１０２の内部に層状に埋設して構成されている。磁
気抵抗効果素子はＮｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏ等の強磁性薄
膜材料を用いて形成されている。磁気抵抗効果素子に
は、センス電流を流す他、入力磁界に対して直線性のよ
い検出信号を得るためバイアス磁界が加えられる。バイ
アス磁界を発生する手段として、磁気抵抗効果素子に直
接バイアス導体膜を成膜し、バイアス導体膜に流す電流
による発生磁界を利用してバイアスを加えるシャントバ
イアス方式、磁気抵抗効果素子に近接して薄膜永久磁石
を配置し、薄膜永久磁石の発生磁界を利用するマグネッ
トバイアス方式等が採用される。１３は下部シールド膜
であり、パーマロイなどの磁性膜によって構成されてい
る。

【００２４】書き込み素子１２は、下部磁性膜１２１、
上部磁性膜１２２、コイル膜１２３、アルミナ等でなる
ギャップ膜１２４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成
された絶縁膜１２５及び保護膜１２６などを有して、絶
縁膜１０２の上に積層されている。下部磁性膜１２１及
び上部磁性膜１２２の先端部は微小厚みのギャップ膜１
２４を隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となってお
り、ポール部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行なう。下
部磁性膜１２１及び上部磁性膜１２２のヨーク部であ
り、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側にあるバックギャッ
プ部において、磁気回路を完成するように互いに結合さ
れている。絶縁膜１２５の上に、ヨーク部の結合部のま
わりを渦巻状にまわるように、コイル膜１２３を形成し
てある。図示は、面内記録再生用磁気ヘッドであるが、
垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等であってもよい。

【００２５】ヘッド支持装置２は、位置決め装置７に取
付けられる剛性アーム部２１に、弾性金属薄板でなる支
持体２２の一端を取付け固定すると共に、支持体２２の
長手方向の一端にある自由端に可撓体２３を取付け、こ
の可撓体２３の下面に、薄膜磁気ヘッド１を接着などの
手段によって取付けた構造となっている。可撓体２３ま
たは支持体２２には荷重用突起２４が設けられており、
この荷重用突起２４が薄膜磁気ヘッド１にバネ荷重を与
えている。ヘッド支持装置２は位置決め装置７により、
矢印ｂ１またはｂ２の方向に駆動されて位置決めされ、
それによって所定のトラックにおいて、磁気ディスク３
と薄膜磁気ヘッド１との間で磁気記録．再生が行なわれ
る。ヘッド支持装置２に対する薄膜磁気ヘッド１の取付
構造に関しては、薄膜磁気ヘッド１の取付け方向をヘッ
ド支持装置２の長手方向にとったいわゆるインラインタ
イプや、ヘッド支持装置２の長手方向と直交する方向に
取ったトラバースタイプ等が知られている。

【００２６】磁気ディスク３は、駆動装置４（図４、図
５参照）により矢印ａの方向に例えば３６００ｒｐｍで
高速回転するように駆動される。そして、磁気ディスク
３を高速回転させ、その時に発生する動圧を利用して、
磁気ディスク３の面上に配置した薄膜磁気ヘッド１を、
所定の浮上量で浮上させながら、記録及び再生を行な
う。

【００２７】上述の磁気ディスク装置は、ＣＳＳ方式に
よって駆動される。磁気ディスク３が静止しているとき
は、ヘッド支持装置２のバネ荷重を受て薄膜磁気ヘッド
１のＡＢＳ面１０３が磁気ディスク３の表面に押付けら
れているが、磁気ディスク３が回転を開始すると、薄膜
磁気ヘッド１のＡＢＳ面に揚力動圧が発生し、この動圧
とバネ荷重と釣合う浮上量で動作を開始する。回転して
いる磁気ディスク３が停止する場合は、逆の動作とな
る。

【００２８】ここで、前述したように、電気抵抗要素６
が磁気ディスク３から駆動装置を経由して接地に至る経
路に設けられ、読み出し素子１１に加わる直流電圧値Ｖ
のある値に対して、適切に選定された電気抵抗値Ｒｘを
有するから、薄膜磁気ヘッド１から磁気ディスク３への
漏電及びスパーク放電を抑制し、両者間のキャパシタに
起因する放電発生頻度を低減できる。実施例に示すよう
に、磁気抵抗効果素子を用いた読み出し素子１１と共
に、誘導型磁気変換素子でなる書き込み素子１２を有す
る場合は、電気抵抗要素６の作用が書き込み素子１２で
も得られる。

【００２９】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。（ａ）電気抵抗要素を含み、電気抵抗要素は、磁気ディ
スクから駆動装置を経由して接地に至る経路に設けら
れ、磁気抵抗効果素子を用いた読み出し素子に加わる直
流電圧値Ｖを０ボルト≦Ｖ＜２．５ボルトの範囲に選定
したとき、抵抗値Ｒｘが２ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定され
ているから、薄膜磁気ヘッドから磁気ディスクへの漏電
及びスパーク放電を抑制し、両者間のキャパシタに起因
する放電発生頻度を低減し得る耐久性の高い磁気ディス
ク装置を提供できる。（ｂ）電気抵抗要素は、読み出し素子に加わる直流電圧
値Ｖを２．５ボルト≦Ｖ＜５ボルトの範囲に選定したと
き、抵抗値Ｒｘが１０ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定されてい
るから、薄膜磁気ヘッドから磁気ディスクへの漏電及び
スパーク放電を抑制し、両者間のキャパシタに起因する
放電発生頻度を低減し得る耐久性の高い磁気ディスク装
置を提供できる。（ｃ）電気抵抗要素は、読み出し素子に加わる直流電圧
値Ｖを５ボルト≦Ｖの範囲に選定したとき、抵抗値Ｒｘ
が１００ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定されているから、薄膜
磁気ヘッドから磁気ディスクへの漏電及びスパーク放電
を抑制し、両者間のキャパシタに起因する放電発生頻度
を低減し得る耐久性の高い磁気ディスク装置を提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気ディスク装置の構成をモデル
化して示す図である。

【図２】本発明に係る磁気ディスク装置において薄膜磁
気ヘッドから磁気ディスクに至る電気回路をモデル化し
て示す図である。

【図３】磁気抵抗効果素子を用いた読み出し素子に印加
される直流電圧値Ｖ及び電気抵抗要素の電気抵抗値Ｒｘ
とＣＳＳテストの結果との関係を示す実験データであ
る。

【図４】電気抵抗要素の具体的な配置構造例を示す部分
断面図である。

【図５】電気抵抗要素の具体的な配置構造の別の例を示
す部分断面図である。

【図６】磁気ディスク装置の構成を示す平面図である。

【図７】磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッド装置
の拡大正面図である。

【図８】磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッド装置
の拡大底面図である。

【図９】本発明に用いられる薄膜磁気ヘッドの薄膜磁気
変換素子の構造をモデル化して示す拡大断面である。

【図１０】従来の磁気ディスク装置の構成をモデル化し
て示す図である。

【図１１】従来の磁気ディスク装置において薄膜磁気ヘ
ッドから磁気ディスクに至る電気回路をモデル化して示
す図である。

【符号の説明】

１薄膜磁気ヘッド１１磁気抵抗効果素子を用いた読み出し素
子２ヘッド支持装置３磁気ディスク４駆動装置６電気抵抗要素

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者清野浩東京都中央区日本橋１丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、
磁気ディスクと、駆動装置と、電気抵抗要素とを含む磁
気ディスク装置であって、前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気変換素子
とを含み、前記スライダが前記薄膜磁気変換素子を支持
し、前記薄膜磁気変換素子の少なくとも１つが磁気抵抗
効果素子による読み出し素子であり、前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持して
おり、前記磁気ディスクは、導電性剛性基体上に磁気記録層を
有しており、前記駆動装置は、前記磁気ディスクに機械的に結合され
前記磁気ディスクを回転駆動するものであり、前記電気抵抗要素は、前記磁気ディスクから前記駆動装
置を経由して接地に至る経路に設けられ、前記読み出し
素子に加わる直流電圧値Ｖを０ボルト≦Ｖ＜２．５ボルトの範囲に選定したとき、抵抗値Ｒｘが２ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定されていることを特徴とする磁気ディスク
装置。
【請求項２】薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、
磁気ディスクと、駆動装置と、電気抵抗要素とを含む磁
気ディスク装置であって、前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気変換素子
とを含み、前記スライダが前記薄膜磁気変換素子を支持
し、前記薄膜磁気変換素子の少なくとも１つが磁気抵抗
効果素子による読み出し素子であり、前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持して
おり、前記磁気ディスクは、導電性剛性基体上に磁気記録層を
有しており、前記駆動装置は、前記磁気ディスクに機械的に結合され
前記磁気ディスクを回転駆動するものであり、前記電気抵抗要素は、前記磁気ディスクから前記駆動装
置を経由して接地に至る経路に設けられ、前記読み出し
素子に加わる直流電圧値Ｖを２．５ボルト≦Ｖ＜５ボルトの範囲に選定したとき、抵抗値Ｒｘが１０ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定されていることを特徴とする磁気ディスク
装置。
【請求項３】薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、
磁気ディスクと、駆動装置と、電気抵抗要素とを含む磁
気ディスク装置であって、前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気変換素子
とを含み、前記スライダが前記薄膜磁気変換素子を支持
し、前記薄膜磁気変換素子の少なくとも１つが磁気抵抗
効果素子による読み出し素子であり、前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持して
おり、前記磁気ディスクは、導電性剛性基体上に磁気記録層を
有しており、前記駆動装置は、前記磁気ディスクに機械的に結合され
前記磁気ディスクを回転駆動するものであり、前記電気抵抗要素は、前記磁気ディスクから前記駆動装
置を経由して接地に至る経路に設けられ、前記読み出し
素子に加わる直流電圧値Ｖを５ボルト≦Ｖの範囲に選定したとき、抵抗値Ｒｘが１００ｋΩ≦Ｒｘの範囲に選定されていることを特徴とする磁気ディスク
装置。
【請求項４】前記薄膜磁気変換素子は、書き込み素子
を含み、前記書き込み素子が、磁性膜と、前記磁性膜と
共に磁気回路を構成するコイル膜とを有することを特徴
とする請求項１、２または３に記載の磁気ディスク装
置。
【請求項５】前記磁性膜は、下部磁性膜と、上部磁性
膜とを含み、前記上部磁性膜が絶縁膜を介して前記下部
磁性膜の上に設けられ、前記下部磁性膜及び上部磁性膜
は、先端部が変換ギャップを構成するポール部となって
いて、後方側が磁気回路を完成するように結合されてお
り、前記コイル膜は、結合部の回りに渦巻き状に設けられて
いることを特徴とする請求項４に記載の磁気ディスク装
置。