JPH0721532A - 薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスク装置 - Google Patents

薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスク装置

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JPH0721532A
JPH0721532A JP18717093A JP18717093A JPH0721532A JP H0721532 A JPH0721532 A JP H0721532A JP 18717093 A JP18717093 A JP 18717093A JP 18717093 A JP18717093 A JP 18717093A JP H0721532 A JPH0721532 A JP H0721532A
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JP
Japan
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thin film
film magnetic
magnetic
magnetic head
magnetic disk
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JP18717093A
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English (en)
Inventor
Masanori Sakai
正則 酒井
Kiichirou Ezaki
城一朗 江▲崎▼
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 漏電または放電現象に伴うヘッドクラッシュ
を防止する。 【構成】 スライダは、一面側に空気ベアリング面を有
する。薄膜磁気変換素子2は、スライダ1の空気流出方
向aの端部に備えられ、保護膜20によって覆われてい
る。導電膜3は保護膜20の表面に付着され、薄膜磁気
変換素子2の取り出し電極41に電気的に導通し、端縁
が空気ベアリング面11上に位置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッド及び磁
気ディスク装置に関し、更に詳しくは、薄膜磁気ヘッド
から磁気ディスクへの漏電、及び、両者間の放電現象を
防止するのに有効な薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスク装
置の改良に係わる。
【0002】
【従来の技術】従来、浮上型の薄膜磁気ヘッドとして
は、誘導型薄膜磁気変換素子を読み書き素子として使用
したものが最もよく知られている。誘導型薄膜磁気変換
素子を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、高い読み出し出
力を得るには、磁気ディスクと磁気ヘッドとの間の相対
速度を上げるか、または、コイルのターン数を増大させ
る必要がある。しかし、磁気ディスクが小型化される傾
向にあるため、相対速度の高速化による読み出し出力の
増大は実情に合わない。また、コイルのターン数増大に
よる読み出し出力は、コイルのインダクタンス及び直流
抵抗値の増大を招き、高周波特性を悪化させ、高速読み
出しに適応できなくなる。かかる問題点を解決する手段
として、読み出し素子を磁気抵抗効果素子によって構成
し、誘導型薄膜磁気変換素子は書込み専用として用いる
ようにした技術が提案されている。公知技術文献として
は、例えば特公昭59−35088号公報がある。
【0003】薄膜磁気ヘッドは、スライダが薄膜磁気変
換素子を支持し、薄膜磁気変換素子の少なくとも1つが
磁気抵抗効果素子による読み出し素子で構成されてい
る。磁気抵抗効果素子でなる読み出し素子は、一定の直
流電流(以下センス電流と称する)を流しておき、磁気
ディスクの磁界の変化を電気抵抗値の変化として検出す
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気抵
抗効果素子を読み出し素子として用いた薄膜磁気ヘッド
及び磁気ディスク装置には次のような問題点がある。 (A)磁気抵抗効果素子でなる読み出し素子には、常
時、センス電流が流れており、一方、磁気ディスクは導
電性剛性基体上に磁気記録層を有し、全体として導電性
を有し、しかも接地電位にある駆動装置に機械的に結合
されている。このため、磁気記録の読み出し動作におい
て、薄膜磁気ヘッドが磁気ディスクの表面に接触した場
合、センス電流が薄膜磁気ヘッドから磁気ディスクを通
して接地側に漏電し、またはスパーク放電を生じる。こ
れらは、回復不可能なヘッドクラッシュを招く。特に、
最近は、高密度記録に対応するため、薄膜磁気ヘッドの
浮上量が例えば0.1μm以下となるように低浮上化さ
れており、磁気ディスクの表面に極微小な凹凸があった
だけで、実質的な電気的接触状態を生じる。 (B)電気的接触状態を考慮しない場合であっても、読
み出し素子と磁気ディスクとの間に、短い時間間隔で放
電を生じ、同様のヘッドクラッシュを生じることがあ
る。例えば、読み出し素子と磁気ディスクとの間に薄膜
磁気ヘッドの浮上量に基づくキャパシタを想定し、キャ
パシタに対するセンス電流の充電回路を考えた場合、充
電時定数はセンス電流調整用抵抗とキャパシタによって
定まる値となる。抵抗値は小さい値に選定されているか
ら、充電時定数は小さい。このため、キャパシタが放電
電位まで短時間で充電されてしまう。しかも、前述した
ように、高密度記録に対応するため、薄膜磁気ヘッドの
浮上量が例えば0.1μm以下となるように低浮上化さ
れており、低い放電電圧で放電を生じてしまう。このた
め、単位時間あたりの放電発生回数が増え、ヘッドクラ
ッシュを生じ易くなる。 (C)磁気ディスクの磁気記録層の表面または薄膜磁気
ヘッドの空気ベアリング面の表面に電気絶縁層を設け
て、前述の漏電及び放電を阻止する技術が知られてい
る。しかし、この場合には、磁気ディスクと磁気変換素
子との間のスペーシングロスが電気絶縁層の厚みのため
に大きくなり、高密度記録に対応できない。
【0005】そこで、本発明の課題は、上述する従来の
問題点を解決し、漏電または放電現象に伴うヘッドクラ
ッシュを防止するのに有効な薄膜磁気ヘッド及び磁気デ
ィスク装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、スライダと、薄膜磁気変換素子と、導電
膜とを含む薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダは、
一面側に空気ベアリング面を有しており、前記薄膜磁気
変換素子は、前記スライダの空気流出方向の端部に備え
られ、保護膜によって覆われており、前記導電膜は、前
記保護膜の表面に付着され、前記薄膜磁気変換素子の取
り出し電極に電気的に導通し、端縁が前記空気ベアリン
グ面上に位置する。
【0007】
【作用】この種の薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスク装置
では、スライダの空気ベアリング面と磁気ディスクとの
間の間隔、即ち浮上量がスライダの空気流出方向の端部
に向かうにつれて小さくなる。薄膜磁気変換素子はスラ
イダの空気流出方向の端部に備えられ保護膜によって覆
われており、導電膜は保護膜の表面に付着され薄膜磁気
変換素子の取り出し電極に電気的に導通し、端縁が空気
ベアリング面上に位置するから、読み書き動作におい
て、磁気ディスクとの間に発生する浮上量が最も小さく
なる空気流出端部側で、薄膜磁気変換素子よりも先に、
導電膜が磁気ディスクに接触し、薄膜磁気変換素子をバ
イパスする回路が形成される。このため、薄膜磁気変換
素子と磁気ディスクとの間の漏電及び放電現象が防止さ
れ、ヘッドクラッシュが生じにくくなる。
【0008】しかも、磁気ディスクに付着された磁性膜
の上または薄膜磁気ヘッドの空気ベアリング面に電気絶
縁膜を設ける従来技術と異なって、スペーシングロスを
増大させることがない。
【0009】本発明は、特に、薄膜磁気変換素子として
磁気抵抗効果素子でなる読み出し素子を含む薄膜磁気ヘ
ッドに特に有効である。
【0010】
【実施例】図1において、1はスライダ、2は薄膜磁気
変換素子、3は導電膜、41、42は取り出し電極であ
る。スライダ1は、スライダ1は磁気ディスクと対向す
る一面側に空気ベアリング面(以下ABS面と称する)
11を有する。スライダ1としては、磁気ディスクと対
向する面側にレール部12、13を設け、レール部1
2、13の表面をABS面11として利用するタイプの
外に、レール部を持たない平面状とし、平面のほぼ全面
をABS面として利用するタイプ等であってもよい。
【0011】薄膜磁気変換素子2は、スライダ1の空気
流出方向aの端部に備えられ、保護膜20によって覆わ
れている。薄膜磁気変換素子2は取り出し電極41、4
2に電気的に導通している。
【0012】導電膜3は、保護膜20の表面に付着さ
れ、薄膜磁気変換素子2の取り出し電極41に電気的に
導通し、端縁がABS面11上に位置する。導電膜3は
パーマロイ膜などによって形成できる。
【0013】図2を参照すると、スライダ1はセラミッ
ク構造体で構成され、Al2O3-TiC等でなる基体部分14
の上にAl2O3またはSiO2等でなる絶縁膜15を設けてあ
る。
【0014】薄膜磁気ヘッドは、スライダ1の上に磁気
抵抗効果素子を用いた読み出し素子21及び誘導型磁気
変換素子でなる書き込み素子22を有する。
【0015】読み出し素子21は磁気抵抗効果素子21
1及び電極212を絶縁膜15の内部に層状に埋設して
構成されている。磁気抵抗効果素子211はNi−F
e、Ni−Co等の強磁性薄膜材料を用いて形成されて
いる。電極212は取り出し電極41、42(図1参
照)に電気的に導通している。磁気抵抗効果素子211
には、電極212を通してセンス電流を流す他、入力磁
界に対して直線性のよい検出信号を得るためバイアス磁
界が加えられる。バイアス磁界を発生する手段として、
磁気抵抗効果素子211に直接バイアス導体膜を成膜
し、バイアス導体膜に流す電流による発生磁界を利用し
てバイアスを加えるシャントバイアス方式、磁気抵抗効
果素子に近接して薄膜永久磁石を配置し、薄膜永久磁石
の発生磁界を利用するマグネットバイアス方式等が採用
される。23は下部シールド膜であり、パーマロイなど
の磁性膜によって構成されている。
【0016】書き込み素子22は、下部磁性膜221、
上部磁性膜222、コイル膜223、アルミナ等でなる
ギャップ膜224、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成
された絶縁膜225及び保護膜226などを有して、絶
縁膜15の上に積層されている。下部磁性膜221及び
上部磁性膜222の先端部は微小厚みのギャップ膜22
4を隔てて対向するポール部P1、P2となっており、
ポール部P1、P2において書き込みを行なう。下部磁
性膜221及び上部磁性膜222のヨーク部であり、ポ
ール部P1、P2とは反対側にあるバックギャップ部に
おいて、磁気回路を完成するように互いに結合されてい
る。絶縁膜225の上に、ヨーク部の結合部のまわりを
渦巻状にまわるように、コイル膜223を形成してあ
る。図示は、面内記録再生用磁気ヘッドであるが、垂直
磁気記録再生用磁気ヘッド等であってもよい。
【0017】図3は本発明に係る磁気ディスク装置の平
面図、図4は図3に示した磁気ディスク装置に用いられ
る磁気ヘッド装置の拡大正面図、図5は図3に示した磁
気ディスク装置に用いられる磁気ヘッド装置の拡大底面
図である。
【0018】5は図1及び図2に示した薄膜磁気ヘッ
ド、6は支持装置、7は磁気ディスク、8は位置決め装
置である。
【0019】支持装置6は薄膜磁気ヘッド5を、ピッチ
運動、ロール運動ができるように支持するタイプであれ
ば、その具体的構造の如何を問わず、広く用いることが
できる。図示のヘッド支持装置2は、位置決め装置8に
取付けられる剛性アーム部61に、弾性金属薄板でなる
支持体62の一端を取付け固定すると共に、支持体62
の長手方向の一端にある自由端に可撓体63を取付け、
この可撓体63の下面に、薄膜磁気ヘッド5を接着など
の手段によって取付けた構造となっている。可撓体63
または支持体62には荷重用突起64が設けられてお
り、この荷重用突起64が薄膜磁気ヘッド5にバネ荷重
を与えている。支持装置6は位置決め装置8により、矢
印b1またはb2の方向に駆動されて位置決めされ、そ
れによって所定のトラックにおいて、磁気ディスク7と
薄膜磁気ヘッド5との間で磁気記録.再生が行なわれ
る。支持装置6に対する薄膜磁気ヘッド5の取付構造に
関しては、薄膜磁気ヘッド5の取付け方向を支持装置6
の長手方向にとったいわゆるインラインタイプや、支持
装置6の長手方向と直交する方向に取ったトラバースタ
イプ等が知られている。
【0020】磁気ディスク7は、図示しない回転駆動装
置により矢印aの方向に例えば3600rpmで高速回
転するように駆動される。磁気ディスク7を高速回転さ
せ、その時に発生する動圧を利用して、磁気ディスク7
の面上に配置した薄膜磁気ヘッド5を、所定の浮上量で
浮上させながら、記録及び再生を行なう。
【0021】図6は読み書き動作時の薄膜磁気ヘッド5
の浮上姿勢を誇張して示す図である。図示するように、
この種の磁気ディスク装置では、スライダ1のABS面
11と磁気ディスク7との間の間隔、即ち、浮上量gが
スライダ1の空気流出方向の端部に向かうにつれて小さ
くなる。ここで、薄膜磁気変換素子2はスライダ1の空
気流出方向aの端部に備えられ保護膜20によって覆わ
れており、導電膜3は保護膜20の表面に付着され薄膜
磁気変換素子2の取り出し電極41に電気的に導通し、
端縁がABS面11上に位置するから、読み書き動作に
おいて、磁気ディスク7との間に発生する浮上量gが最
も小さくなる空気流出端部側で、薄膜磁気変換素子2よ
りも先に、導電膜3が磁気ディスク7に接触し、導電膜
3により、薄膜磁気変換素子2をバイパスする回路が形
成される。このため、薄膜磁気変換素子2と磁気ディス
ク7との間の漏電及び放電現象が防止され、ヘッドクラ
ッシュが生じにくくなる。
【0022】しかも、磁気ディスク7に付着された磁性
膜の上または薄膜磁気ヘッドのABS面11に電気絶縁
膜を設ける従来技術と異なって、スペーシングロスを増
大させることがない。
【0023】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 (a)薄膜磁気変換素子はスライダの空気流出方向の端
部に備えられ保護膜によって覆われており、導電膜は保
護膜の表面に付着され薄膜磁気変換素子の取り出し電極
に電気的に導通し、端縁がABS面上に位置するから、
薄膜磁気変換素子と磁気ディスクとの間の漏電及び放電
現象に起因するヘッドクラッシュを防止し得る薄膜磁気
ヘッド及び磁気ディスク装置を提供できる。 (b)磁気ディスクに付着された磁性膜の上または薄膜
磁気ヘッドのABS面に電気絶縁膜を設ける従来技術と
異なって、スペーシングロスを増大させることのない薄
膜磁気ヘッド及び磁気ディスク装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図2】図1に示した薄膜磁気ヘッドの拡大断面図であ
る。
【図3】本発明に係る磁気ディスク装置の構成を示す平
面図である。
【図4】磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッド装置
の拡大正面図である。
【図5】磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッド装置
の拡大底面図である。
【図6】本発明に係る磁気ヘッド装置の読み書き動作時
における薄膜磁気ヘッドの浮上姿勢を誇張して示す図で
ある。
【符号の説明】
1 スライダ 11 ABS面 2 薄膜磁気変換素子 3 導電膜 41、42 取り出し電極 5 薄膜磁気ヘッド 6 支持装置 7 磁気ディスク 8 位置決め装置

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スライダと、薄膜磁気変換素子と、導電
    膜とを含む薄膜磁気ヘッドであって、 前記スライダは、一面側に空気ベアリング面を有してお
    り、 前記薄膜磁気変換素子は、前記スライダの空気流出方向
    の端部に備えられ、保護膜によって覆われており、 前記導電膜は、前記保護膜の表面に付着され、前記薄膜
    磁気変換素子の取り出し電極に電気的に導通し、端縁が
    前記空気ベアリング面上に位置する薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項2】 前記薄膜磁気変換素子は、磁気抵抗効果
    素子による読み出し素子を含む請求項1に記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  3. 【請求項3】 前記薄膜磁気変換素子は、更に、誘導型
    書き込み素子を含む請求項2に記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項4】 薄膜磁気ヘッドと、磁気ディスクとを含
    む磁気ディスク装置であって、 前記薄膜磁気ヘッドは、請求項1ないし3に記載の何れ
    かである磁気ディスク装置。
JP18717093A 1993-06-30 1993-06-30 薄膜磁気ヘッド及び磁気ディスク装置 Pending JPH0721532A (ja)

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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020501