JPH11175931A - 磁気抵抗効果型複合ヘッド及び磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気抵抗効果型複合ヘッド及び磁気ディスク装置Info
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- JPH11175931A JPH11175931A JP9346304A JP34630497A JPH11175931A JP H11175931 A JPH11175931 A JP H11175931A JP 9346304 A JP9346304 A JP 9346304A JP 34630497 A JP34630497 A JP 34630497A JP H11175931 A JPH11175931 A JP H11175931A
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電気による放電電流が磁気抵抗効果素子に
影響しない磁気抵抗効果型複合ヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気抵抗効果型複合ヘッド１１は、スラ
イダ１２上に順次に積層された第１及び第２の磁気シー
ルド層１４、１７と、双方の磁気シールド層１４、１７
の間に配設された磁気抵抗効果素子２０とを有する再生
ヘッドと、第２の磁気シールド層１７を第１の磁極層と
し、この第１の磁極層と磁気ギャップ２３を挟んで対向
する第２の磁極層１８を有し、前記再生ヘッドに隣接し
て配設された記録ヘッドとを備えている。第１、第２の
磁気シールド層１４、１７及び第２の磁極層１８が夫
々、対向面１１ａと逆側の端部又はその近傍で導通し、
更にスライダ１２を介してグランドに導通している。
影響しない磁気抵抗効果型複合ヘッドを提供する。 【解決手段】 磁気抵抗効果型複合ヘッド１１は、スラ
イダ１２上に順次に積層された第１及び第２の磁気シー
ルド層１４、１７と、双方の磁気シールド層１４、１７
の間に配設された磁気抵抗効果素子２０とを有する再生
ヘッドと、第２の磁気シールド層１７を第１の磁極層と
し、この第１の磁極層と磁気ギャップ２３を挟んで対向
する第２の磁極層１８を有し、前記再生ヘッドに隣接し
て配設された記録ヘッドとを備えている。第１、第２の
磁気シールド層１４、１７及び第２の磁極層１８が夫
々、対向面１１ａと逆側の端部又はその近傍で導通し、
更にスライダ１２を介してグランドに導通している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果型複
合ヘッド及び磁気ディスク装置に関し、特に、記録／再
生時に生じる放電電流の磁気抵抗効果素子に対する影響
を回避する構造の磁気抵抗効果型複合ヘッド、及びこの
ヘッドを有する磁気ディスク装置に関する。
合ヘッド及び磁気ディスク装置に関し、特に、記録／再
生時に生じる放電電流の磁気抵抗効果素子に対する影響
を回避する構造の磁気抵抗効果型複合ヘッド、及びこの
ヘッドを有する磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の磁気ディスク装置では、記録容量
の増大や記録の高密度化に伴って再生出力の微小化が進
んでおり、これに対応する手段として微小出力の検出が
容易な磁気抵抗効果型複合ヘッドが用いられる例が増え
ている。このような複合ヘッドでは、再生時には、磁気
抵抗効果を利用することにより、媒体相対速度に依存せ
ず大きな再生出力を得ることができる。
の増大や記録の高密度化に伴って再生出力の微小化が進
んでおり、これに対応する手段として微小出力の検出が
容易な磁気抵抗効果型複合ヘッドが用いられる例が増え
ている。このような複合ヘッドでは、再生時には、磁気
抵抗効果を利用することにより、媒体相対速度に依存せ
ず大きな再生出力を得ることができる。
【０００３】図５は、磁気抵抗効果型複合ヘッドを有す
る従来の磁気ディスク装置の要部を示す斜視図である。
この磁気ディスク装置は、装置本体（図示せず）に軸Ａ
で回転自在に支持された磁気ディスク（磁気記録媒体）
３１と、磁気ディスク３１の略半径方向に移動して記録
面に対して情報の記録／再生を行う磁気抵抗効果型複合
ヘッド（以下、複合ヘッドと呼ぶ）４２とを備える。磁
気ディスク装置は更に、取付けアーム４５とキャリッジ
４６とから成るアクチュエータ４７と、複合ヘッド４２
を支持するスライダ４３と、取付けアーム４５の先端に
固定され複合ヘッド４２及びスライダ４３を支持するサ
スペンション４４とを備える。アクチュエータ部４７の
側面には、記録／再生信号を増幅するヘッドアンプ４８
が固定される。スライダ４３、サスペンション４４、ア
クチュエータ４７及び磁気ディスク３１は、これらを支
持及び格納する筐体等を介して相互に電気的に接続され
て同電位に維持される。
る従来の磁気ディスク装置の要部を示す斜視図である。
この磁気ディスク装置は、装置本体（図示せず）に軸Ａ
で回転自在に支持された磁気ディスク（磁気記録媒体）
３１と、磁気ディスク３１の略半径方向に移動して記録
面に対して情報の記録／再生を行う磁気抵抗効果型複合
ヘッド（以下、複合ヘッドと呼ぶ）４２とを備える。磁
気ディスク装置は更に、取付けアーム４５とキャリッジ
４６とから成るアクチュエータ４７と、複合ヘッド４２
を支持するスライダ４３と、取付けアーム４５の先端に
固定され複合ヘッド４２及びスライダ４３を支持するサ
スペンション４４とを備える。アクチュエータ部４７の
側面には、記録／再生信号を増幅するヘッドアンプ４８
が固定される。スライダ４３、サスペンション４４、ア
クチュエータ４７及び磁気ディスク３１は、これらを支
持及び格納する筐体等を介して相互に電気的に接続され
て同電位に維持される。
【０００４】上記従来の磁気ディスク装置では、磁気デ
ィスク３１が回転すると、スライダ４３がディスク面に
対して浮上又は摺動し、キャリッジ４６の回動によって
複合ヘッド４２が磁気ディスク３１の所要の位置に移動
する。これにより、磁気ディスク３１の記録面に対し、
複合ヘッド４２による情報の記録又は再生が行われる。
ィスク３１が回転すると、スライダ４３がディスク面に
対して浮上又は摺動し、キャリッジ４６の回動によって
複合ヘッド４２が磁気ディスク３１の所要の位置に移動
する。これにより、磁気ディスク３１の記録面に対し、
複合ヘッド４２による情報の記録又は再生が行われる。
【０００５】図６は、複合ヘッド４２の要部を拡大して
示す断面図である。複合ヘッド４２は、導電性を有する
スライダ４３上に薄膜形成プロセスを用いて形成された
もので、スライダ４３側から、絶縁層５１、下部磁気シ
ールド層５２、絶縁層５３、上部磁気シールド層５４、
上部磁極層５５及び絶縁層５６をこの順に備える。上部
磁気シールド層５４は、記録ヘッドの下部磁極層として
も機能し、上部磁極層５５と共に記録ヘッドの磁気コア
を構成する。下部磁気シールド層５２と上部磁気シール
ド層５４との間には、磁気ディスク３１に対向する対向
面４２ａ側に磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ層と呼ぶ）
５７が形成される。
示す断面図である。複合ヘッド４２は、導電性を有する
スライダ４３上に薄膜形成プロセスを用いて形成された
もので、スライダ４３側から、絶縁層５１、下部磁気シ
ールド層５２、絶縁層５３、上部磁気シールド層５４、
上部磁極層５５及び絶縁層５６をこの順に備える。上部
磁気シールド層５４は、記録ヘッドの下部磁極層として
も機能し、上部磁極層５５と共に記録ヘッドの磁気コア
を構成する。下部磁気シールド層５２と上部磁気シール
ド層５４との間には、磁気ディスク３１に対向する対向
面４２ａ側に磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ層と呼ぶ）
５７が形成される。
【０００６】上部磁気シールド層５４は直線状に形成さ
れ、上部磁極層５５は略中央部分が屈曲して形成されて
おり、上部磁気シールド層５４と上部磁極層５５とで形
成される空間内には絶縁層５８が形成される。上部磁気
シールド層５４及び上部磁極層５５は、図の上部が相互
に電気的に接合されると共に、対向面４２ａの一部を成
す下部が所定幅で離間されて磁気ギャップ６０を形成し
ている。絶縁層５６、５８内には夫々、記録動作時に記
録信号電流を流すコイル５９が配設され、また、ＭＲ層
５７には図示しないリードパターンが接続される。リー
ドパターンは、ＭＲ層５７にセンス電流を供給し、ＭＲ
層５７の抵抗変化率に対応した再生出力電圧を再生部
（図示せず）に出力する。
れ、上部磁極層５５は略中央部分が屈曲して形成されて
おり、上部磁気シールド層５４と上部磁極層５５とで形
成される空間内には絶縁層５８が形成される。上部磁気
シールド層５４及び上部磁極層５５は、図の上部が相互
に電気的に接合されると共に、対向面４２ａの一部を成
す下部が所定幅で離間されて磁気ギャップ６０を形成し
ている。絶縁層５６、５８内には夫々、記録動作時に記
録信号電流を流すコイル５９が配設され、また、ＭＲ層
５７には図示しないリードパターンが接続される。リー
ドパターンは、ＭＲ層５７にセンス電流を供給し、ＭＲ
層５７の抵抗変化率に対応した再生出力電圧を再生部
（図示せず）に出力する。
【０００７】上記構成の磁気抵抗効果型複合ヘッド４２
では、コイル５９に記録信号電流を流し、磁気ギャップ
６０によって記録磁界を発生させつつデータの記録を行
い、また、リードパターンを介してＭＲ層５７にセンス
電流を供給しつつデータの再生を行う。
では、コイル５９に記録信号電流を流し、磁気ギャップ
６０によって記録磁界を発生させつつデータの記録を行
い、また、リードパターンを介してＭＲ層５７にセンス
電流を供給しつつデータの再生を行う。
【０００８】記録／再生方式には、複合ヘッド４２と磁
気ディスク３１とが間欠的に接触するニアコンタクト方
式、或いは、複合ヘッド４２と磁気ディスク３１とが常
に接触するコンタクト方式がある。これらの方式では、
対向面４２ａと磁気ディスク３１との間隔を可能な限り
小さくし、ＭＲ層５７が感知できる磁界を増大して再生
出力を高めている。
気ディスク３１とが間欠的に接触するニアコンタクト方
式、或いは、複合ヘッド４２と磁気ディスク３１とが常
に接触するコンタクト方式がある。これらの方式では、
対向面４２ａと磁気ディスク３１との間隔を可能な限り
小さくし、ＭＲ層５７が感知できる磁界を増大して再生
出力を高めている。
【０００９】ところで、磁気ディスク３１の表面は保護
膜や潤滑膜等の絶縁物で覆われ、複合ヘッド４２の対向
面４２ａは保護膜で覆われている。このため、上記２つ
の方式では、空気流（気体分子の流れ）により、又は対
向面４２ａと磁気ディスク３１との摺動摩擦によって静
電気が発生し、この静電気が磁気ディスク３１や複合ヘ
ッド４２に帯電する。磁気ディスク３１に帯電した場合
に、複合ヘッド４２は約０．１μｍ以下の微小な隙間を
あけて磁気ディスク３１上で浮上又は摺動する。このた
め、空気の絶縁耐圧（１気圧且つ２０゜Ｃ付近では３．
５ｋＶ/μｍ）、或いは保護膜や潤滑剤の耐圧を超えた
ときに、帯電した静電気がＭＲ層５７に向けて放電され
る。
膜や潤滑膜等の絶縁物で覆われ、複合ヘッド４２の対向
面４２ａは保護膜で覆われている。このため、上記２つ
の方式では、空気流（気体分子の流れ）により、又は対
向面４２ａと磁気ディスク３１との摺動摩擦によって静
電気が発生し、この静電気が磁気ディスク３１や複合ヘ
ッド４２に帯電する。磁気ディスク３１に帯電した場合
に、複合ヘッド４２は約０．１μｍ以下の微小な隙間を
あけて磁気ディスク３１上で浮上又は摺動する。このた
め、空気の絶縁耐圧（１気圧且つ２０゜Ｃ付近では３．
５ｋＶ/μｍ）、或いは保護膜や潤滑剤の耐圧を超えた
ときに、帯電した静電気がＭＲ層５７に向けて放電され
る。
【００１０】上記放電は、絶縁間隔が狭い部分や金属等
の良導電物に向かって起こることが多い。このため、例
えばＭＲ層５７に対して放電がなされた場合には、ＭＲ
層５７に接続された良電導材料からリードパターンを経
由してグランド（ＧＮＤ）に放電電流が流れる。また、
磁気ギャップ６０における上部磁気シールド層５４と上
部磁極層５５との間の絶縁体５８は０．３μｍ程度以下
と極めて薄いため、上部磁気シールド層５４及び上部磁
極層５５で放電が生じた場合には、ＭＲ層５７を経由し
てグランドに放電電流が流れ易い。ＭＲ層５７の厚みは
通常約３０ｎｍ以下の薄膜で、幅も約２μｍ以下と断面
積が極めて小さい。従って、ＭＲ層５７に放電電流が流
れると、電流値が小さい場合でも発生するジュール熱は
ＭＲ層５７の限界を超え、ＭＲ層５７が溶解、破壊され
て再生ヘッドとしての機能を失うことになる。
の良導電物に向かって起こることが多い。このため、例
えばＭＲ層５７に対して放電がなされた場合には、ＭＲ
層５７に接続された良電導材料からリードパターンを経
由してグランド（ＧＮＤ）に放電電流が流れる。また、
磁気ギャップ６０における上部磁気シールド層５４と上
部磁極層５５との間の絶縁体５８は０．３μｍ程度以下
と極めて薄いため、上部磁気シールド層５４及び上部磁
極層５５で放電が生じた場合には、ＭＲ層５７を経由し
てグランドに放電電流が流れ易い。ＭＲ層５７の厚みは
通常約３０ｎｍ以下の薄膜で、幅も約２μｍ以下と断面
積が極めて小さい。従って、ＭＲ層５７に放電電流が流
れると、電流値が小さい場合でも発生するジュール熱は
ＭＲ層５７の限界を超え、ＭＲ層５７が溶解、破壊され
て再生ヘッドとしての機能を失うことになる。
【００１１】放電による再生ヘッド、特にＭＲ層の損傷
を防止する手法が種々提案されている。例えば、特開平
9-63019号公報（第１の従来例）には、再生ヘッドの磁
気ディスクに最も近い位置に接地部材を設け、磁気ディ
スクからの放電電流を接地部材に流す手法が記載され
る。特開平2-246048号公報（第２の従来例）には、イン
ダクティヴヘッドに印加される直流電圧とほぼ等しい直
流電圧を磁気ディスクに印加することにより、磁気ディ
スクと再生ヘッドとの間の電位差を絶縁耐圧より少なく
する手法が記載される。
を防止する手法が種々提案されている。例えば、特開平
9-63019号公報（第１の従来例）には、再生ヘッドの磁
気ディスクに最も近い位置に接地部材を設け、磁気ディ
スクからの放電電流を接地部材に流す手法が記載され
る。特開平2-246048号公報（第２の従来例）には、イン
ダクティヴヘッドに印加される直流電圧とほぼ等しい直
流電圧を磁気ディスクに印加することにより、磁気ディ
スクと再生ヘッドとの間の電位差を絶縁耐圧より少なく
する手法が記載される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記第１の従来例にお
ける手法を図６を参照して説明する。この手法では、下
部磁気シールド層５２、上部磁気シールド層５４及び上
部磁極層５５が夫々電気的に浮いた状態であるため、複
合ヘッド４２に帯電した静電気が放電した際に、放電電
流はＭＲ層５７に流れ込み易い。また、ヘッド動作時に
おける接地部材（図示せず）が所期の位置になっていな
い場合には、上記放電時に、良電導体である下部磁気シ
ールド層５２、上部磁気シールド層５４及び上部磁極層
５５からＭＲ層５７に向け放電することがある。また、
磁気ヘッドの浮上姿勢によっては、コンタクトスタート
ストップ（ＣＳＳ）時や摺動時に磁気ディスク３１から
複合ヘッド４２に向けて放電したとき、放電電流がＭＲ
層５７に流れ込むことがある。更に、対向面４２ａと磁
気ディスク３１との間の隙間が最小の箇所に接地部材が
配置される構造のため、ＭＲ層５７が磁気ディスク３１
から必要以上に離れることになり、感知可能な磁束が減
少して再生出力及び分解能が低下する。
ける手法を図６を参照して説明する。この手法では、下
部磁気シールド層５２、上部磁気シールド層５４及び上
部磁極層５５が夫々電気的に浮いた状態であるため、複
合ヘッド４２に帯電した静電気が放電した際に、放電電
流はＭＲ層５７に流れ込み易い。また、ヘッド動作時に
おける接地部材（図示せず）が所期の位置になっていな
い場合には、上記放電時に、良電導体である下部磁気シ
ールド層５２、上部磁気シールド層５４及び上部磁極層
５５からＭＲ層５７に向け放電することがある。また、
磁気ヘッドの浮上姿勢によっては、コンタクトスタート
ストップ（ＣＳＳ）時や摺動時に磁気ディスク３１から
複合ヘッド４２に向けて放電したとき、放電電流がＭＲ
層５７に流れ込むことがある。更に、対向面４２ａと磁
気ディスク３１との間の隙間が最小の箇所に接地部材が
配置される構造のため、ＭＲ層５７が磁気ディスク３１
から必要以上に離れることになり、感知可能な磁束が減
少して再生出力及び分解能が低下する。
【００１３】また、上記第２の従来例における手法によ
ると、インダクティヴヘッドに印加される直流電圧とほ
ぼ等しい直流電圧を磁気ディスクに印加するための複雑
な回路構成が必要になるため、コストダウンの妨げにな
る。
ると、インダクティヴヘッドに印加される直流電圧とほ
ぼ等しい直流電圧を磁気ディスクに印加するための複雑
な回路構成が必要になるため、コストダウンの妨げにな
る。
【００１４】本発明は、上記に鑑み、簡素な構成を採用
しながらも、磁気ディスク装置に用いた場合に、静電気
による放電電流が磁気抵抗効果素子に影響を与える不具
合を確実に回避できる磁気抵抗効果型複合ヘッドを提供
することを目的とする。本発明は更に、上記磁気抵抗効
果型複合ヘッドを用いることにより装置全体の信頼性を
高めることができる磁気ディスク装置を提供することを
目的とする。
しながらも、磁気ディスク装置に用いた場合に、静電気
による放電電流が磁気抵抗効果素子に影響を与える不具
合を確実に回避できる磁気抵抗効果型複合ヘッドを提供
することを目的とする。本発明は更に、上記磁気抵抗効
果型複合ヘッドを用いることにより装置全体の信頼性を
高めることができる磁気ディスク装置を提供することを
目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の磁気抵抗効果型複合ヘッドは、スライダ上
に順次に積層された第１及び第２の磁気シールド層と、
該双方の磁気シールド層の間に配設された磁気抵抗効果
素子とを有する再生ヘッドと、前記第２の磁気シールド
層を第１の磁極層とし、該第１の磁極層と磁気ギャップ
を挟んで対向する第２の磁極層を有し、前記再生ヘッド
に隣接して配設された記録ヘッドとを備え、前記第１、
第２の磁気シールド層及び前記第２の磁極層が夫々、前
記スライダを介してグランドに導通することを特徴とす
る。
に、本発明の磁気抵抗効果型複合ヘッドは、スライダ上
に順次に積層された第１及び第２の磁気シールド層と、
該双方の磁気シールド層の間に配設された磁気抵抗効果
素子とを有する再生ヘッドと、前記第２の磁気シールド
層を第１の磁極層とし、該第１の磁極層と磁気ギャップ
を挟んで対向する第２の磁極層を有し、前記再生ヘッド
に隣接して配設された記録ヘッドとを備え、前記第１、
第２の磁気シールド層及び前記第２の磁極層が夫々、前
記スライダを介してグランドに導通することを特徴とす
る。
【００１６】本発明による磁気抵抗効果型複合ヘッドで
は、第１、第２の磁気シールド層、第２の磁極層及びス
ライダが夫々グランドに導通するため、磁気記録媒体か
らの放電による電流は、磁気抵抗効果素子に流れ込むこ
となくグランドに流れる。従って、放電電流による溶
解、劣化や破壊（静電破壊）から磁気抵抗効果素子を確
実に保護することができる。
は、第１、第２の磁気シールド層、第２の磁極層及びス
ライダが夫々グランドに導通するため、磁気記録媒体か
らの放電による電流は、磁気抵抗効果素子に流れ込むこ
となくグランドに流れる。従って、放電電流による溶
解、劣化や破壊（静電破壊）から磁気抵抗効果素子を確
実に保護することができる。
【００１７】ここで、前記磁気抵抗効果型複合ヘッドを
有する磁気ディスク装置であって、スライダがサスペン
ションを介して装置本体のグランドに導通しており、第
１、第２の磁気シールド層及び第２の磁極層は夫々、磁
気記録媒体に対向する対向面と逆側の端部又はその近傍
が導電部材によってスライダに導通することが好まし
い。この場合、導電部材を加えるだけの簡素な構造によ
って、磁気抵抗効果素子への放電電流による影響を確実
に回避することができ、装置全体の信頼性を高めること
ができる。
有する磁気ディスク装置であって、スライダがサスペン
ションを介して装置本体のグランドに導通しており、第
１、第２の磁気シールド層及び第２の磁極層は夫々、磁
気記録媒体に対向する対向面と逆側の端部又はその近傍
が導電部材によってスライダに導通することが好まし
い。この場合、導電部材を加えるだけの簡素な構造によ
って、磁気抵抗効果素子への放電電流による影響を確実
に回避することができ、装置全体の信頼性を高めること
ができる。
【００１８】更に好ましくは、導電部材が第３の絶縁層
によって被覆される。この場合、導電部材を確実に保護
することができる。
によって被覆される。この場合、導電部材を確実に保護
することができる。
【００１９】好適には、前記磁気抵抗効果型複合ヘッド
を有する磁気ディスク装置であって、スライダがサスペ
ンションを介して装置本体のグランドに導通しており、
第１、第２の磁気シールド層及び第２の磁極層は夫々、
磁気記録媒体に対向する対向面と逆側の端部が導電性樹
脂を介してスライダに導通する。この場合、導電性樹脂
を加えるだけの簡素な構造によって、磁気抵抗効果素子
への放電電流による影響を確実に回避でき、装置全体の
信頼性を高めることができる。
を有する磁気ディスク装置であって、スライダがサスペ
ンションを介して装置本体のグランドに導通しており、
第１、第２の磁気シールド層及び第２の磁極層は夫々、
磁気記録媒体に対向する対向面と逆側の端部が導電性樹
脂を介してスライダに導通する。この場合、導電性樹脂
を加えるだけの簡素な構造によって、磁気抵抗効果素子
への放電電流による影響を確実に回避でき、装置全体の
信頼性を高めることができる。
【００２０】或いは、上記に代えて、前記磁気抵抗効果
型複合ヘッドを有する磁気ディスク装置であって、スラ
イダがサスペンションを介して装置本体のグランドに導
通しており、第１、第２の磁気シールド層及び第２の磁
極層は夫々、磁気記録媒体に対向する対向面と逆側の端
部がサスペンションに直接に接続されることも好ましい
態様である。この場合、部品点数を特に増やすことな
く、磁気抵抗効果素子への放電電流による影響を確実に
回避でき、装置全体の信頼性を高めることができる。
型複合ヘッドを有する磁気ディスク装置であって、スラ
イダがサスペンションを介して装置本体のグランドに導
通しており、第１、第２の磁気シールド層及び第２の磁
極層は夫々、磁気記録媒体に対向する対向面と逆側の端
部がサスペンションに直接に接続されることも好ましい
態様である。この場合、部品点数を特に増やすことな
く、磁気抵抗効果素子への放電電流による影響を確実に
回避でき、装置全体の信頼性を高めることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】図面を参照して本発明を更に詳細
に説明する。図１は、本発明の第１実施形態例に係る磁
気抵抗効果型複合ヘッド（以下、単に複合ヘッドと呼
ぶ）の要部を拡大して示す断面図である。
に説明する。図１は、本発明の第１実施形態例に係る磁
気抵抗効果型複合ヘッド（以下、単に複合ヘッドと呼
ぶ）の要部を拡大して示す断面図である。
【００２２】複合ヘッド１１は、導電性を有するスライ
ダ１２上に薄膜形成プロセスを利用して形成されたもの
で、スライダ１２上に絶縁層１３、下部磁気シールド層
１４、絶縁層１６、上部磁気シールド層１７、上部磁極
層１８及び絶縁層１９をこの順に積層して備える。絶縁
層１６は、体積抵抗率ρが約１０14μΩ−ｃｍのＡｌ 2
Ｏ3等から構成され、下部磁気シールド層１４、上部磁
気シールド層１７及び上部磁極層１８は夫々、金属材料
から構成される。
ダ１２上に薄膜形成プロセスを利用して形成されたもの
で、スライダ１２上に絶縁層１３、下部磁気シールド層
１４、絶縁層１６、上部磁気シールド層１７、上部磁極
層１８及び絶縁層１９をこの順に積層して備える。絶縁
層１６は、体積抵抗率ρが約１０14μΩ−ｃｍのＡｌ 2
Ｏ3等から構成され、下部磁気シールド層１４、上部磁
気シールド層１７及び上部磁極層１８は夫々、金属材料
から構成される。
【００２３】上部、下部磁気シールド層１７、１４の双
方間における絶縁層１６内には、磁気ディスク３１に対
向する対向面１１ａ側に磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ
層と呼ぶ）２０が配設される。ＭＲ層２０にはセンス電
流を供給するためのリードパターンが接続され、上部及
び下部磁気シールド層１７、１４とＭＲ層２０とから再
生ヘッドが構成される。
方間における絶縁層１６内には、磁気ディスク３１に対
向する対向面１１ａ側に磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ
層と呼ぶ）２０が配設される。ＭＲ層２０にはセンス電
流を供給するためのリードパターンが接続され、上部及
び下部磁気シールド層１７、１４とＭＲ層２０とから再
生ヘッドが構成される。
【００２４】上部磁気シールド層１７は直線状に形成さ
れ、上部磁極層１８は略中央部分が屈曲して形成されて
おり、上部磁気シールド層１７と上部磁極層１８とによ
り形成される空間内には絶縁層２１が配設される。上部
磁気シールド層１７及び上部磁極層１８は、図の上部で
は双方に電気的に接合され、図の下部では所定幅の磁気
ギャップ２３を挟んで相互に対向する。上部磁気シール
ド層１７が第１の磁極層を成し、上部磁極層１８が第２
の磁極層を成し、これら第１及び第２の磁極層が磁気ギ
ャップ２３を挟むことにより、上記再生ヘッドに隣接す
る記録ヘッドが構成される。絶縁層１９、２１内には夫
々、記録動作時に記録信号電流を流すためのコイル２２
が形成される。
れ、上部磁極層１８は略中央部分が屈曲して形成されて
おり、上部磁気シールド層１７と上部磁極層１８とによ
り形成される空間内には絶縁層２１が配設される。上部
磁気シールド層１７及び上部磁極層１８は、図の上部で
は双方に電気的に接合され、図の下部では所定幅の磁気
ギャップ２３を挟んで相互に対向する。上部磁気シール
ド層１７が第１の磁極層を成し、上部磁極層１８が第２
の磁極層を成し、これら第１及び第２の磁極層が磁気ギ
ャップ２３を挟むことにより、上記再生ヘッドに隣接す
る記録ヘッドが構成される。絶縁層１９、２１内には夫
々、記録動作時に記録信号電流を流すためのコイル２２
が形成される。
【００２５】複合ヘッド１１の対向面１１ａと逆側の面
１１ｂには、スライダ１２と上部磁極層１８との間にお
ける絶縁層１３、下部磁気シールド層１４、絶縁層１６
及び上部磁気シールド層１７の図の上部を跨ぐように導
電部材２４が形成される。導電部材２４の両端部は、ス
ライダ１２及び上部磁極層１８双方の上部近傍に電気的
に接合される。本実施形態例では、導電部材２４の上方
に絶縁体１５が配設されるが、絶縁体１５を配設せずに
導電部材２４を露出する構成であっても良い。導電部材
２４は、非磁性導電性材料から成り、導電性材料（例え
ばＡｌＴｉＣ：体積抵抗率ρ=2000〜3000μΩ−ｃｍ）
から成るスライダ１２と、上部磁気シールド層１７及び
下部磁気シールド層１４とを導通させる。
１１ｂには、スライダ１２と上部磁極層１８との間にお
ける絶縁層１３、下部磁気シールド層１４、絶縁層１６
及び上部磁気シールド層１７の図の上部を跨ぐように導
電部材２４が形成される。導電部材２４の両端部は、ス
ライダ１２及び上部磁極層１８双方の上部近傍に電気的
に接合される。本実施形態例では、導電部材２４の上方
に絶縁体１５が配設されるが、絶縁体１５を配設せずに
導電部材２４を露出する構成であっても良い。導電部材
２４は、非磁性導電性材料から成り、導電性材料（例え
ばＡｌＴｉＣ：体積抵抗率ρ=2000〜3000μΩ−ｃｍ）
から成るスライダ１２と、上部磁気シールド層１７及び
下部磁気シールド層１４とを導通させる。
【００２６】スライダ１２の面１１ｂ側には、サスペン
ション２５が電気的且つ機械的に接合されており、スラ
イダ１２はサスペンション２５によって装置本体側に支
持される。サスペンション２５は、キャリッジ、装置本
体の筐体を介してグランドに導通するため、スライダ１
２はサスペンション２５を介してグランドに電気的に接
続される。導電部材２４は、非磁性の導電体材料（体積
抵抗率ρ＜１００μΩ−ｃｍ）から薄膜形成プロセスに
より作製される。導電体材料としては、例えば、金（体
積抵抗率ρが約２μΩ−ｃｍ）や銅等が挙げられる。
ション２５が電気的且つ機械的に接合されており、スラ
イダ１２はサスペンション２５によって装置本体側に支
持される。サスペンション２５は、キャリッジ、装置本
体の筐体を介してグランドに導通するため、スライダ１
２はサスペンション２５を介してグランドに電気的に接
続される。導電部材２４は、非磁性の導電体材料（体積
抵抗率ρ＜１００μΩ−ｃｍ）から薄膜形成プロセスに
より作製される。導電体材料としては、例えば、金（体
積抵抗率ρが約２μΩ−ｃｍ）や銅等が挙げられる。
【００２７】次に、図２を参照して本実施形態例におけ
る複合ヘッド１１の動作を説明する。図２は複合ヘッド
の等価回路を模式的に示す回路図であり、（ａ）は従来
形式、（ｂ）は本実施形態例における形式を夫々示す。
る複合ヘッド１１の動作を説明する。図２は複合ヘッド
の等価回路を模式的に示す回路図であり、（ａ）は従来
形式、（ｂ）は本実施形態例における形式を夫々示す。
【００２８】図２（ａ）に示すように、従来形式におけ
る等価回路では、コイル２２は端子２２ａ、２２ｂを両
端子としてコイル抵抗Ｒｃ及びコイルインダクタンスＬ
ｃを直列接続しており、ＭＲ層２０は端子２０ａ、２０
ｂを両端子としてＭＲ層抵抗Ｒｍｒを備える。また、上
部磁気シールド層１７と上部磁極層１８とが接続される
ため、電気的には図の１７、１８で示される直線（導
線）状になる。これは、下部磁気シールド層１４、或い
はスライダ１２でも同様である。このような従来形式の
複合ヘッド１１では、スライダ１２、下部磁気シールド
層１４、上部磁気シールド層１７及びコイル２２とが絶
縁されており、双方の間に存在する絶縁層１３、１６、
２１は夫々、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ２’、Ｃ３、Ｃ３’、Ｃ
４、Ｃ４’という寄生容量を有する。
る等価回路では、コイル２２は端子２２ａ、２２ｂを両
端子としてコイル抵抗Ｒｃ及びコイルインダクタンスＬ
ｃを直列接続しており、ＭＲ層２０は端子２０ａ、２０
ｂを両端子としてＭＲ層抵抗Ｒｍｒを備える。また、上
部磁気シールド層１７と上部磁極層１８とが接続される
ため、電気的には図の１７、１８で示される直線（導
線）状になる。これは、下部磁気シールド層１４、或い
はスライダ１２でも同様である。このような従来形式の
複合ヘッド１１では、スライダ１２、下部磁気シールド
層１４、上部磁気シールド層１７及びコイル２２とが絶
縁されており、双方の間に存在する絶縁層１３、１６、
２１は夫々、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ２’、Ｃ３、Ｃ３’、Ｃ
４、Ｃ４’という寄生容量を有する。
【００２９】これに対し、本実施形態例では、スライダ
１２、下部磁気シールド層１４、上部磁気シールド層１
７及び上部磁極層１８が導電部材２４により相互に導通
し、また、導電部材２４がスライダ１２及びサスペンシ
ョン２５を介してグランドに電気的に接続される。従っ
て、図２（ｂ）に示すように、スライダ１２、下部磁気
シールド層１４、上部磁気シールド層１７及び上部磁極
層１８がグランドに接続されることと等価である。この
ため、磁気ディスク３１との摺動等により複合ヘッド１
１に帯電する静電気は、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ２’、Ｃ３、Ｃ
３’、Ｃ４、Ｃ４’の寄生容量に電荷が溜まることと等
価である。しかも、帯電した電荷は、下部磁気シールド
層１４、上部磁気シールド層１７及び上部磁極層１８か
ら導電部材２４、スライダ１２及びサスペンション２５
を経由してグランドに流れるため、ＭＲ層２０に影響す
ることはない。
１２、下部磁気シールド層１４、上部磁気シールド層１
７及び上部磁極層１８が導電部材２４により相互に導通
し、また、導電部材２４がスライダ１２及びサスペンシ
ョン２５を介してグランドに電気的に接続される。従っ
て、図２（ｂ）に示すように、スライダ１２、下部磁気
シールド層１４、上部磁気シールド層１７及び上部磁極
層１８がグランドに接続されることと等価である。この
ため、磁気ディスク３１との摺動等により複合ヘッド１
１に帯電する静電気は、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ２’、Ｃ３、Ｃ
３’、Ｃ４、Ｃ４’の寄生容量に電荷が溜まることと等
価である。しかも、帯電した電荷は、下部磁気シールド
層１４、上部磁気シールド層１７及び上部磁極層１８か
ら導電部材２４、スライダ１２及びサスペンション２５
を経由してグランドに流れるため、ＭＲ層２０に影響す
ることはない。
【００３０】また、ＣＳＳ時、或いは磁気ディスク３１
に対する摺動時に、複合ヘッド１１の浮上姿勢によって
は磁気ディスク３１に帯電した静電気が複合ヘッド１１
に向けて放電する可能性もあるが、この場合でも放電
は、下部磁気シールド層１４、上部磁気シールド層１７
或いは上部磁極層１８に向けてなされる。このとき、放
電電流は、ＭＲ層２０を経由することなく導電部材２
４、スライダ１２及びサスペンション２５を経由してグ
ランドに流れる。これは、一般に約３０ｎｍ以下という
ＭＲ層２０の厚みに比較して、上部及び下部磁気シール
ド層１７、１４夫々の厚みが約３μｍ前後と厚く両シー
ルド層１７、１４側に放電し易いこと、及び、両シール
ド層１７、１４がスライダ１２及び導電部材２４等を介
してグランドレベルにされることに起因する。
に対する摺動時に、複合ヘッド１１の浮上姿勢によって
は磁気ディスク３１に帯電した静電気が複合ヘッド１１
に向けて放電する可能性もあるが、この場合でも放電
は、下部磁気シールド層１４、上部磁気シールド層１７
或いは上部磁極層１８に向けてなされる。このとき、放
電電流は、ＭＲ層２０を経由することなく導電部材２
４、スライダ１２及びサスペンション２５を経由してグ
ランドに流れる。これは、一般に約３０ｎｍ以下という
ＭＲ層２０の厚みに比較して、上部及び下部磁気シール
ド層１７、１４夫々の厚みが約３μｍ前後と厚く両シー
ルド層１７、１４側に放電し易いこと、及び、両シール
ド層１７、１４がスライダ１２及び導電部材２４等を介
してグランドレベルにされることに起因する。
【００３１】以上のように、本実施形態例の磁気抵抗効
果型複合ヘッドによると、上部、下部磁気シールド層１
７、１４及び上部磁極層１８が導電部材２４によってス
ライダ１２に夫々接続され、サスペンション２５を介し
てグランドに導通し相互に同電位になる。このため、磁
気ディスク３１に帯電した静電気が放電しても、ＭＲ層
２０に向かわずにグランドに流れるので、ＭＲ層２０を
溶解、劣化や破壊から確実に保護し、磁気ディスク装置
全体の信頼性を高めることができる。また、ＭＲ層２０
と磁気ディスク３１との空隙をより狭くした場合でも、
ＭＲ層２０への放電を有効に回避できるので、ＭＲ層２
０によって感知できる磁束を増大させ、分解能を向上さ
せて一層の高密度化を図ることができる。
果型複合ヘッドによると、上部、下部磁気シールド層１
７、１４及び上部磁極層１８が導電部材２４によってス
ライダ１２に夫々接続され、サスペンション２５を介し
てグランドに導通し相互に同電位になる。このため、磁
気ディスク３１に帯電した静電気が放電しても、ＭＲ層
２０に向かわずにグランドに流れるので、ＭＲ層２０を
溶解、劣化や破壊から確実に保護し、磁気ディスク装置
全体の信頼性を高めることができる。また、ＭＲ層２０
と磁気ディスク３１との空隙をより狭くした場合でも、
ＭＲ層２０への放電を有効に回避できるので、ＭＲ層２
０によって感知できる磁束を増大させ、分解能を向上さ
せて一層の高密度化を図ることができる。
【００３２】次に、本発明の第２実施形態例に係る磁気
抵抗効果型複合ヘッドについて説明する。図３は、本実
施形態例の磁気抵抗効果型複合ヘッドの要部を拡大して
示す断面図である。本実施形態例の基本的な構成は、第
１実施形態例の構成と同様であるので、ここでは異なる
点を中心に説明する。
抵抗効果型複合ヘッドについて説明する。図３は、本実
施形態例の磁気抵抗効果型複合ヘッドの要部を拡大して
示す断面図である。本実施形態例の基本的な構成は、第
１実施形態例の構成と同様であるので、ここでは異なる
点を中心に説明する。
【００３３】本実施形態例では、上部、下部磁気シール
ド層１７、１４及び上部磁極層１８の各先端が、対向面
１１ａと逆側の面１１ａまで延びて露出している。スラ
イダ１２の面１１ｂ側には、複合ヘッド１１を支持する
サスペンション２５が電気的且つ機械的に結合される。
スライダ１２及びサスペンション２５は、上部、下部磁
気シールド層１７、１４及び上部磁極層１８の各先端と
導電性樹脂２６を介して電気的に接合される。ここで、
上部磁極層１８は上部磁気シールド層１７と電気的に接
続されているので、導電性樹脂２６は、実際には上部磁
気シールド層１７の先端まで設けられれば良い。
ド層１７、１４及び上部磁極層１８の各先端が、対向面
１１ａと逆側の面１１ａまで延びて露出している。スラ
イダ１２の面１１ｂ側には、複合ヘッド１１を支持する
サスペンション２５が電気的且つ機械的に結合される。
スライダ１２及びサスペンション２５は、上部、下部磁
気シールド層１７、１４及び上部磁極層１８の各先端と
導電性樹脂２６を介して電気的に接合される。ここで、
上部磁極層１８は上部磁気シールド層１７と電気的に接
続されているので、導電性樹脂２６は、実際には上部磁
気シールド層１７の先端まで設けられれば良い。
【００３４】上記構成により、本実施形態例における磁
気抵抗効果型複合ヘッド１１では、上部、下部磁気シー
ルド層１７、１４及び上部磁極層１８が、スライダ１２
及びサスペンション２５を介してグランドに導通する。
従って、本実施形態例における等価回路は図２（ｂ）の
回路と等価になるため、第１実施形態例の場合と同様
に、放電電流をＭＲ層２０を避けてグランドに流すこと
ができる。
気抵抗効果型複合ヘッド１１では、上部、下部磁気シー
ルド層１７、１４及び上部磁極層１８が、スライダ１２
及びサスペンション２５を介してグランドに導通する。
従って、本実施形態例における等価回路は図２（ｂ）の
回路と等価になるため、第１実施形態例の場合と同様
に、放電電流をＭＲ層２０を避けてグランドに流すこと
ができる。
【００３５】本実施形態例の磁気抵抗効果型複合ヘッド
では、ヘッド作製プロセス、特に薄膜形成プロセス上で
新たな工程を追加することがないので、第１実施形態例
における効果に加え、製造コストを高めることがないと
いう効果も奏する。また例えば、体積抵抗率ρが約100
〜200μΩ−ｃｍのステンレスによりサスペンション２
５が形成された場合には、放電電流が低抵抗値のサスペ
ンション２５側を中心に流れることになり、電流路の抵
抗をより低下できるという効果が得られる。
では、ヘッド作製プロセス、特に薄膜形成プロセス上で
新たな工程を追加することがないので、第１実施形態例
における効果に加え、製造コストを高めることがないと
いう効果も奏する。また例えば、体積抵抗率ρが約100
〜200μΩ−ｃｍのステンレスによりサスペンション２
５が形成された場合には、放電電流が低抵抗値のサスペ
ンション２５側を中心に流れることになり、電流路の抵
抗をより低下できるという効果が得られる。
【００３６】次に、本発明の第３実施形態例に係る磁気
抵抗効果型複合ヘッドについて説明する。図４は、本実
施形態例の磁気抵抗効果型複合ヘッドの要部を拡大して
示す断面図である。本実施形態例の基本的な構成は、第
２実施形態例の構成と同様であるので、ここでは異なる
点を中心に説明する。
抵抗効果型複合ヘッドについて説明する。図４は、本実
施形態例の磁気抵抗効果型複合ヘッドの要部を拡大して
示す断面図である。本実施形態例の基本的な構成は、第
２実施形態例の構成と同様であるので、ここでは異なる
点を中心に説明する。
【００３７】本実施形態例においても、上部、下部磁気
シールド層１７、１４及び上部磁極層１８の各先端が面
１１ｂまで延びて露出し、また、スライダ１２にはサス
ペンション２５が電気的且つ機械的に結合される。サス
ペンション２５は、コイル２２の図の上部まで延長され
て上部、下部磁気シールド層１７、１４及び上部磁極層
１８に電気的に直接接合される。ここで、上部磁極層１
８は上部磁気シールド層１７と電気的に接続されている
ので、サスペンション２５は、実際には上部磁気シール
ド層１７の先端まで設けられれば良い。
シールド層１７、１４及び上部磁極層１８の各先端が面
１１ｂまで延びて露出し、また、スライダ１２にはサス
ペンション２５が電気的且つ機械的に結合される。サス
ペンション２５は、コイル２２の図の上部まで延長され
て上部、下部磁気シールド層１７、１４及び上部磁極層
１８に電気的に直接接合される。ここで、上部磁極層１
８は上部磁気シールド層１７と電気的に接続されている
ので、サスペンション２５は、実際には上部磁気シール
ド層１７の先端まで設けられれば良い。
【００３８】上記構成により、本実施形態例における磁
気抵抗効果型複合ヘッド１１では、上部、下部磁気シー
ルド層１７、１４及び上部磁極層１８が、スライダ１２
及びサスペンション２５を介してグランドに導通する。
従って、本実施形態例における等価回路が図２（ｂ）の
回路と等価になるため、第１実施形態例の場合と同様
に、ＭＲ層２０を避けて放電電流をグランドに流すこと
ができる。
気抵抗効果型複合ヘッド１１では、上部、下部磁気シー
ルド層１７、１４及び上部磁極層１８が、スライダ１２
及びサスペンション２５を介してグランドに導通する。
従って、本実施形態例における等価回路が図２（ｂ）の
回路と等価になるため、第１実施形態例の場合と同様
に、ＭＲ層２０を避けて放電電流をグランドに流すこと
ができる。
【００３９】本実施形態例における磁気抵抗効果型複合
ヘッドでは、導電性樹脂２６ではなく、一般に体積抵抗
率ρが約100〜200μΩ−ｃｍのステンレスで形成される
サスペンション２５を中心に放電電流を流すことができ
る。従って、第２実施形態例の場合に比較して電流路が
一層低抵抗値になるため、放電電流がより流れ易くな
り、ＭＲ層２０の溶解、劣化及び破壊の防止効果が一層
向上する。
ヘッドでは、導電性樹脂２６ではなく、一般に体積抵抗
率ρが約100〜200μΩ−ｃｍのステンレスで形成される
サスペンション２５を中心に放電電流を流すことができ
る。従って、第２実施形態例の場合に比較して電流路が
一層低抵抗値になるため、放電電流がより流れ易くな
り、ＭＲ層２０の溶解、劣化及び破壊の防止効果が一層
向上する。
【００４０】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明の磁気抵抗効果型複合ヘッド
及び磁気ディスク装置は、上記実施形態例の構成にのみ
限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から種
々の修正及び変更を施した磁気抵抗効果型複合ヘッド及
び磁気ディスク装置も、本発明の範囲に含まれる。
づいて説明したが、本発明の磁気抵抗効果型複合ヘッド
及び磁気ディスク装置は、上記実施形態例の構成にのみ
限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から種
々の修正及び変更を施した磁気抵抗効果型複合ヘッド及
び磁気ディスク装置も、本発明の範囲に含まれる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
簡素な構成を採用しながらも、静電気による放電電流が
磁気抵抗効果素子に影響を与える不具合を確実に回避で
きる磁気抵抗効果型複合ヘッドを得ることができると共
に、この複合ヘッドを有する磁気ディスク装置の信頼性
を高めることができる。
簡素な構成を採用しながらも、静電気による放電電流が
磁気抵抗効果素子に影響を与える不具合を確実に回避で
きる磁気抵抗効果型複合ヘッドを得ることができると共
に、この複合ヘッドを有する磁気ディスク装置の信頼性
を高めることができる。
【図１】本発明の第１実施形態例に係る磁気抵抗効果型
複合ヘッド要部を拡大して示す断面図である。
複合ヘッド要部を拡大して示す断面図である。
【図２】複合ヘッドの等価回路を模式的に示す回路図で
あり、（ａ）は従来形式、（ｂ）は本実施形態例の形式
を示す。
あり、（ａ）は従来形式、（ｂ）は本実施形態例の形式
を示す。
【図３】本発明の第２実施形態例に係る磁気抵抗効果型
複合ヘッドの要部を拡大して示す断面図である。
複合ヘッドの要部を拡大して示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態例に係る磁気抵抗効果型
複合ヘッドの要部を拡大して示す断面図である。
複合ヘッドの要部を拡大して示す断面図である。
【図５】磁気抵抗効果型複合ヘッドを用いた従来の磁気
ディスク装置の要部を示す斜視図である。
ディスク装置の要部を示す斜視図である。
【図６】従来の磁気抵抗効果型複合ヘッドの要部を拡大
して示す断面図である。
して示す断面図である。
１１ 磁気抵抗効果型複合ヘッド １１ａ 対向面 １１ｂ 面 １２ スライダ １３、１６、１５、１９、２１ 絶縁体 １４ 下部磁気シールド層 １７ 上部磁気シールド層 １８ 上部磁極層 ２０ 磁気抵抗効果素子 ２２ コイル ２４ 導電部材 ２５ サスペンション ２６ 導電性樹脂 ３１ 磁気ディスク
Claims (5)
- 【請求項１】 スライダ上に順次に積層された第１及び
第２の磁気シールド層と、該双方の磁気シールド層の間
に配設された磁気抵抗効果素子とを有する再生ヘッド
と、 前記第２の磁気シールド層を第１の磁極層とし、該第１
の磁極層と磁気ギャップを挟んで対向する第２の磁極層
を有し、前記再生ヘッドに隣接して配設された記録ヘッ
ドとを備え、 前記第１、第２の磁気シールド層及び前記第２の磁極層
が夫々、前記スライダを介してグランドに導通すること
を特徴とする磁気抵抗効果型複合ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気抵抗効果型複合ヘ
ッドを有する磁気ディスク装置であって、 前記スライダがサスペンションを介して装置本体のグラ
ンドに導通しており、 前記第１、第２の磁気シールド層及び前記第２の磁極層
は夫々、磁気記録媒体に対向する対向面と逆側の端部又
はその近傍が導電部材によって前記スライダに導通する
ことを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項３】 前記導電部材が第３の絶縁層によって被
覆されることを特徴とする請求項２に記載の磁気ディス
ク装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の磁気抵抗効果型複合ヘ
ッドを有する磁気ディスク装置であって、 前記スライダがサスペンションを介して装置本体のグラ
ンドに導通しており、 前記第１、第２の磁気シールド層及び前記第２の磁極層
は夫々、磁気記録媒体に対向する対向面と逆側の端部が
導電性樹脂を介して前記スライダに導通することを特徴
とする磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の磁気抵抗効果型複合ヘ
ッドを有する磁気ディスク装置であって、 前記スライダがサスペンションを介して装置本体のグラ
ンドに導通しており、 前記第１、第２の磁気シールド層及び前記第２の磁極層
は夫々、磁気記録媒体に対向する対向面と逆側の端部が
前記サスペンションに直接に接続されることを特徴とす
る磁気ディスク装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9346304A JPH11175931A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 磁気抵抗効果型複合ヘッド及び磁気ディスク装置 |
| US09/210,390 US6160688A (en) | 1997-12-16 | 1998-12-14 | Magneto-resistive composite head and a magnetic disk device, having grounded magnetic shielding layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9346304A JPH11175931A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 磁気抵抗効果型複合ヘッド及び磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11175931A true JPH11175931A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18382500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9346304A Pending JPH11175931A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 磁気抵抗効果型複合ヘッド及び磁気ディスク装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6160688A (ja) |
| JP (1) | JPH11175931A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6470566B2 (en) | 2001-01-03 | 2002-10-29 | International Business Machines Corporation | ESD protection during GMR head fabrication |
| JP2006331485A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッドスライダ及び磁気ヘッドアセンブリ |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3799168B2 (ja) * | 1998-08-20 | 2006-07-19 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気記録再生装置 |
| CN1326119C (zh) * | 1998-11-13 | 2007-07-11 | Tdk株式会社 | 写/读头支撑机构以及写/读系统 |
| US6246553B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-06-12 | International Business Machines Corporation | Shielded magnetoresistive head with charge clamp |
| US6583971B1 (en) * | 1999-03-09 | 2003-06-24 | Sae Magnetics (Hk) Ltd. | Elimination of electric-pop noise in MR/GMR device |
| JP2001006126A (ja) * | 1999-06-17 | 2001-01-12 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド及びそのヘッドを備えた磁気抵抗検出システム並びにそのヘッドを備えた磁気記憶システム |
| US6859347B2 (en) * | 2001-01-04 | 2005-02-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic transducer with electrically conductive shield for reducing electromagnetic interference |
| US6671128B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-12-30 | Seagate Technology Llc | Recording head with oppositely directed microstrip waveguide conductors to induce a magnetic write field for longitudinal or perpendicular magnetic recording |
| US6760199B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-07-06 | International Business Machines Corporation | Read/write head assembly employing independent read/write shield-pairing and charge-clamped magnetoresistive sensors |
| US6650511B2 (en) | 2002-02-11 | 2003-11-18 | International Business Machines Corporation | Magnetic head assembly with electrostatic discharge (ESD) shunt/pads seed layer |
| US20030235016A1 (en) * | 2002-06-19 | 2003-12-25 | International Business Machines Corporation | Stabilization structures for CPP sensor |
| US7397636B2 (en) * | 2002-08-07 | 2008-07-08 | Headway Technologies, Inc. | GMR head design that suppresses tribocharge during its assembly |
| US6870706B1 (en) * | 2002-08-07 | 2005-03-22 | Headway Technologies, Inc. | Method for suppressing tribocharge in the assembly of magnetic heads |
| US7099117B1 (en) | 2003-09-30 | 2006-08-29 | Western Digital Technologies, Inc. | Head stack assembly including a trace suspension assembly backing layer and a ground trace for grounding a slider |
| US7027264B1 (en) * | 2003-10-31 | 2006-04-11 | Western Digital Technologies, Inc. | Slider with a slider ground pad electrically connected to write head poles and read head shields |
| US7369358B2 (en) * | 2004-02-05 | 2008-05-06 | Seagate Technology Llc | Grounded writer core |
| JP2005293762A (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Tdk Corp | 複合型薄膜磁気ヘッド |
| US7436633B2 (en) * | 2004-10-15 | 2008-10-14 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head, head gimbal assembly and hard disk system |
| KR100668327B1 (ko) * | 2005-02-14 | 2007-01-12 | 삼성전자주식회사 | 프로브 헤드 및 그 제조 방법 |
| US7400474B2 (en) * | 2005-10-28 | 2008-07-15 | International Business Machines Corporation | Conductive pairing for piggyback magnetic head |
| US7595963B1 (en) | 2006-06-07 | 2009-09-29 | Western Digital Technologies, Inc. | Head gimbal assembly including a flexure with a first conductive trace disposed between a slider and a dielectric layer |
| JP2008059705A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Fujitsu Ltd | 垂直通電型磁気ヘッド並びにその製造方法、ヘッドサスペンション組立体及び磁気記録装置。 |
| US7545608B2 (en) * | 2006-10-30 | 2009-06-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor with impedance adjustment |
| US7864489B2 (en) * | 2007-02-26 | 2011-01-04 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head having an antistatic layer preventing a protective coat from being electrostatically charged |
| US8385021B2 (en) * | 2010-03-12 | 2013-02-26 | Tdk Corporation | Temperature assisted magnetic recording element having grounded near field light generator |
| US8531800B1 (en) * | 2012-11-29 | 2013-09-10 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic write head having dual parallel capacitors for integrated transmission line compensation |
| WO2019036830A1 (en) * | 2017-08-21 | 2019-02-28 | Huawei Technologies Co., Ltd. | INDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773419A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| US5761009A (en) * | 1995-06-07 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | Having parastic shield for electrostatic discharge protection |
| JPH0963019A (ja) * | 1995-08-24 | 1997-03-07 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果型ヘッド及び同ヘッドを用いた磁気ディスク装置 |
| US5638237A (en) * | 1995-08-25 | 1997-06-10 | International Business Machines Corporation | Fusible-link removable shorting of magnetoresistive heads for electrostatic discharge protection |
| JPH09293211A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録装置 |
| US5995328A (en) * | 1996-10-03 | 1999-11-30 | Quantum Corporation | Multi-layered integrated conductor trace array interconnect structure having optimized electrical parameters |
| JP3874875B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2007-01-31 | 富士通株式会社 | 磁気ディスク装置 |
-
1997
- 1997-12-16 JP JP9346304A patent/JPH11175931A/ja active Pending
-
1998
- 1998-12-14 US US09/210,390 patent/US6160688A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6470566B2 (en) | 2001-01-03 | 2002-10-29 | International Business Machines Corporation | ESD protection during GMR head fabrication |
| JP2006331485A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッドスライダ及び磁気ヘッドアセンブリ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6160688A (en) | 2000-12-12 |
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